JP4527662B2 - 長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体、その製造方法及び液晶性材料 - Google Patents
長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体、その製造方法及び液晶性材料 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4527662B2 JP4527662B2 JP2005504035A JP2005504035A JP4527662B2 JP 4527662 B2 JP4527662 B2 JP 4527662B2 JP 2005504035 A JP2005504035 A JP 2005504035A JP 2005504035 A JP2005504035 A JP 2005504035A JP 4527662 B2 JP4527662 B2 JP 4527662B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- general formula
- group
- represented
- conjugated structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D213/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
- C07D213/02—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
- C07D213/04—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom
- C07D213/24—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom with substituted hydrocarbon radicals attached to ring carbon atoms
- C07D213/28—Radicals substituted by singly-bound oxygen or sulphur atoms
- C07D213/30—Oxygen atoms
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Pyridine Compounds (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
このような、電荷輸送材料としては、従来より、アントラセン誘導体、アントラキノリン誘導体、イミダゾール誘導体、スチリル誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルアミン化合物、ポリ−N−ビニルカルバゾールやオキサジアゾール等の化合物が知られている。
液晶化合物は、表示材料として種々の機器で応用され、例えば、時計、電卓、テレビ、パソコン、携帯電話等で利用されている。液晶物質には、相転移を与える手段に基づいて、サーモトロピック液晶(温度転移型液晶)とリオトロピック液晶(濃度転移型液晶)に分類される。これらの液晶は分子配列的に見ると、スメクチック液晶、ネマチック液晶およびコレスチック液晶の三種類に分類される。液晶は異方性液体と別称されるように、光学的1軸性結晶と同様な光学的異方性を示す。オルソスコープ観測は通常の直交ニコル間の観察であり、液晶の種類の識別や液晶相の転移温度の決定に有用で、この観測により各液晶は特徴的な複屈折性光学模様により更にスメクチック液晶は、A、B、C、D、E、F、Gに分類される。
本発明は、この様な従来技術に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、液晶状態の分子配向を利用した電荷輸送方法において、光励起しないでも優れた電荷輸送性が期待できる新規な長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体、その製造方法及び該化合物を含有する液晶性材料を提供することを目的とするものである。
本発明が提供する新規な化合物は、前記一般式(1)で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体である。
第一工程は、下記反応式(1)
前記A−1工程は、ハロゲン化物(化合物(7))とヒドロキシベンジルアルコール(化合物(8))を塩基の存在下に溶媒中で反応を行うことにより前記一般式(9)で表される化合物を得るものである。
次いで、A−4工程で前記A−3工程で得られた化合物(13)とテレフタルアルデヒド(化合物(14))を塩基の存在下に反応させることにより第一工程の反応原料の前記一般式(3)で表されるベンズアルデヒド誘導体を得る。
第一工程で用いるもう一方の反応原料の前記一般式(4)で表されるホスホニウム塩は、例えば、下記反応式(3)
前記一般式(4)で表されるホスホニウム塩の添加量は前記一般式(3)で表されるベンズアルデヒド誘導体に対して1〜5倍モル、好ましくは1〜3倍モルである。
反応溶媒としては、例えば、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジブチルエーテル等のエーテル類、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル類、メタノール、エタノール等のアルコール類、ジメチルホルムアミド、アセトン、水等の1種又は2種以上で用いることができる。
この場合、ヨウ素の添加量はピリジン誘導体(化合物(5))に対して0.001〜0.1倍モル、好ましくは0.005〜0.01倍モルであり、加熱処理温度は、100〜180℃、好ましくは130〜150℃である。また、用いることができる溶媒として、例えば、ベンゼン、トルエン、o−キシレン、m−キシレン、p−キシレン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン、m−ジクロロベンゼン、p−ジクロロベンゼン等が挙げられ、これらの溶媒は1種又は2種以上で用いることができる。
第二工程は、下記反応式(4)
この第二工程における反応原料のハロゲン化化合物(化合物(6))の式中のR2及びXは、前記一般式(1)で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体の式中のR2、Xにそれぞれ相当し、R2はアルキル基を示す。前記アルキル基としては炭素数1〜18であり、具体的にはメチル基、エチル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基等が挙げられ、この中、炭素数1〜8のアルキル基が特に好ましい。
前記一般式(6)で表されるハロゲン化物の添加量は、前記一般式(5)で表されるピリジン誘導体に対して10〜300倍モル以上、好ましくは100〜200倍モルである。
反応溶媒は、例えば、塩化メチレン、クロロホルム、あるいはジクロロエタン等の1種又は2種以上で用いられる。
本発明の液晶性材料は、この前記一般式(1)で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体或いは該長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体から誘導される化合物を含有するものである。
重合体は、共重合成分として、アクリル酸、メタクリル酸又はスチレン等から誘導される繰り返し単位を有していてもよい。共重合体の場合、上記一般式(18)又は上記一般式(19)で表される繰り返し単位は、共重合体中50モル%以上、好ましくは70モル%以上、さらに好ましくは80モル%以上である。
重合体の分子量は、数平均分子量が1000〜数千万の範囲、好ましくは数万〜数百万の範囲である。
<合成例>
(1)第一工程の反応原料として用いるベンズアルデヒド誘導体の調製
合成例1−1;10−ブロモ−1−デセンの合成(化合物(22))
下記反応式(5)に従って10−ブロモ−1−デセン(化合物(22))を合成した。
<同定データ>
・1H−NMR(δ、CDCl3);1.2〜1.5(m,10H,−(CH2)5−)、1.8〜1.9(m,2H,−CH2−)、2.0〜2.1(m,2H,−CH2−)、3.4(t,2H,−CH2Br)、4.9〜5.0(m,2H,CH2=)、5.7〜5.9(m,1H,=CH−)
下記反応式(6)に従って9−デセノキシベンジルアルコール(化合物(23))を合成した。
<同定データ>
・1H−NMR(δ、CDCl3);1.3〜1.6(m,10H,−(CH2)5−)、1.7〜1.8(m,2H,−CH2−)、2.0〜2.1(m,2H,−CH2−)、3.9(t,2H,−CH2O−)、4.6(d,2H,−CH2OH)、4.9〜5.0(m,2H,CH2=)、5.7〜5.9(m,1H,=CH−)、6.8〜6.9(m,2H,−OPh−)、7.2〜7.3(m,2H,−PhCH2−)
・FAB−MASS(Xe):263(MH+)
下記反応式(7)に従って9−デセノキシベンジルブロマイド(化合物(24))を合成した。
<同定データ>
・1H−NMR(δ、CDCl3);1.3〜1.5(m,10H,−(CH2)5−)、1.7〜1.8(m,2H,−CH2−)、2.0〜2.1(m,2H,−CH2−)、3.9(t,2H,−CH2O−)、4.5(s,2H,−CH2Br)、4.9〜5.0(m,2H,CH2=)、5.7〜5.9(m,1H,=CH−)、6.8〜6.9(m,2H,−OPh−)、7.2〜7.3(m,2H,−PhCH2−)
・FAB−MASS(Xe):325(M+)
下記反応式(8)に従って9−デセノキシベンジルトリフェニルホスホニウムブロマイド(化合物(26))を合成した。
<同定データ>
・1H−NMR(δ、CDCl3);1.3〜1.5(m,10H,−(CH2)5−)、1.7〜1.8(m,2H,−CH2−)、2.0〜2.1(m,2H,−CH2−)、3.8(t,2H,−CH2O−)、4.9〜5.0(m,2H,CH2=)、5.2(d,2H,−CH2P−)、5.7〜5.9(m,1H,=CH−)、5.2(d,2H,−CH2P−)、6.6(d,2H,−OPh−)、7.0(dd,2H,−PhCH2−)、7.6〜7.8(m,15H,(Ph)3)
・31P−NMR(δ、CDCl3):28.0ppm
・FAB−MASS(Xe):507(M−Br)
下記反応式(9)に従って9−デセノキシスチルベンアルデヒド(化合物(27))を合成した。
<同定データ>
・1H−NMR(δ、CDCl3);1.3〜1.5(m,10H,−(CH2)5−)、1.7〜1.8(m,2H,−CH2−)、2.0〜2.1(m,2H,−CH2−)、3.9〜4.0(m,2H,−CH2O−)、4.9〜5.0(m,2H,CH2=)、5.7〜5.9(m,1H,=CH−)、6.5〜7.9(m,10H,Ph,−CH=CH−)
・FAB−MASS(Xe):363(MH+)
<同定データ>
・1H−NMR(δ、CDCl3);1.3〜1.5(m,10H,−(CH2)5−)、1.7〜1.8(m,2H,−CH2−)、2.0〜2.1(m,2H,−CH2−)、3.9(t,2H,−CH2O−)、4.9〜5.0(m,2H,CH2=)、5.7〜5.9(m,1H,=CH−)、6.9(d,2H,−OPh−)、7.0(d,1H,−CH=CH−)、7.2(d,1H,−CH=CH−)、7.5(d,2H,Ph)、7.6(d,2H,Ph)、7.8(d,2H,Ph)
・FAB−MASS(Xe):363(MH+)
合成例2−1;4−クロロメチルピリジン(化合物(30))の合成
下記反応式(10)に従って4−クロロメチルピリジン(化合物(30))を合成した。
<同定データ>
・1H−NMR(δ、CDCl3);4.5(s,2H,CH2Cl)、7.31〜7.34(m,2H,Py)、8.61〜8.67(m,2H,Py)
下記反応式(11)に従ってピリジニウムメチルトリフェニルホスホニウムアイオダイド(化合物(31))を合成した。
<同定データ>
・1H−NMR(δ、DMSO);5.25(d,2H,CH2P)、6.95〜6.98(m,2H,Py)、7.68〜7.80(m,12H,Ph)、7.87〜7.96(m,3H,Ph)、8.41〜8.43(m,2H,Py)
・FAB−MASS(Xe):355(M−1)
<第一工程>
ピリジン誘導体(化合物(33))のトランス体の合成
下記反応式(12)に従ってピリジン誘導体(化合物(33))を合成した。
<同定データ>
・FAB−MASS(Xe):438(MH+)
次いで、前記で得られたピリジン誘導体(化合物(33))の粗結晶を1.64g(0.00374M)、沃素2.5mg、p−キシレン11.5gを仕込み、バス温150℃に加熱する。そのまま4h熟成を行い、室温まで冷却後、析出している結晶をエタノールで洗浄し、ピリジン誘導体(化合物(33))のトランス体0.73g収率45.1%を得た。
<同定データ>
・1H−NMR(δ、CDCl3);1.20〜1.50(m,10H,−(CH2)5−)、1.76〜1.82(m,2H,−CH2−)、2.00〜2.20(m,2H,−CH2−)、3.98(t,2H,−CH2O−)、4.92〜5.01(m,2H,CH2=)、5.75〜5.88(m,1H,=CH−)、6.82〜6.93(m,2H,Ph)、6.95(d,1H,−CH=)、7.02(d,1H,−CH=)、7.11(d,1H,−CH=)、7.30(d,1H,−CH=)、7.35〜7.38(m,2H,Py)、7.42〜7.57(m,6H,Ph)、8.55〜8.60(m,2H,Py)
・FAB−MASS(Xe):438(MH+)
ベンゼン誘導体(化合物(35))のトランス体の合成
下記反応式(13)に従ってベンゼン誘導体(化合物(35))のトランス体を合成した。
<同定データ>
・1H−NMR(δ、CDCl3);1.26〜1.50(m,10H,−(CH2)5−)、1.70(t,3H,−CH3)、1.76〜1.82(m,2H,−CH2−)、2.00〜2.20(m,2H,−CH2−)、3.97(t,2H,−CH2O−)、4.88(ddd,2H,−CH2−)、4.90〜5.03(m,2H,CH2=)、5.75〜5.88(m,1H,=CH−)、6.90(d,2H,−Oph−)、6.95(d,1H,−CH=)、7.11(d,1H,−CH=)、7.16(d,1H,−CH=)、7.45(d,2H,−Oph−)、7.52(d,2H,−ph−)、7.60(d,2H,−ph−)、7.67(d,1H,−CH=)、8.01(d,2H,Py)、9.17(d,2H,Py)
・FAB−MASS(Xe):467(M−Br)
・IR(KBr,cm−1);3022(芳香族C−H伸縮振動)、2924〜2853(脂肪族C−H伸縮振動)、1642(C=C伸縮振動)、1590〜1467(C=C,C=N骨格振動)、1253(C−O−C逆対称伸縮振動)、966(−C=C−面外変角振動)、839(芳香族C−H面内変角振動)
Claims (3)
- 液晶相としてスメクチック相を有し、下記一般式(1)
- 下記一般式(3)
- 請求項1記載の前記一般式(1)で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体を含むことを特徴とする液晶性材料。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003079624 | 2003-03-24 | ||
JP2003079624 | 2003-03-24 | ||
PCT/JP2004/003824 WO2004085398A1 (ja) | 2003-03-24 | 2004-03-22 | 長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体、その製造方法及び液晶性材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2004085398A1 JPWO2004085398A1 (ja) | 2006-06-29 |
JP4527662B2 true JP4527662B2 (ja) | 2010-08-18 |
Family
ID=33094851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005504035A Expired - Fee Related JP4527662B2 (ja) | 2003-03-24 | 2004-03-22 | 長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体、その製造方法及び液晶性材料 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7390433B2 (ja) |
JP (1) | JP4527662B2 (ja) |
KR (1) | KR20050119139A (ja) |
CN (1) | CN1764642A (ja) |
WO (1) | WO2004085398A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5164329B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2013-03-21 | 国立大学法人山梨大学 | 液晶性スチリル誘導体、その製造方法及びそれを用いた液晶性半導体素子 |
JP5867532B2 (ja) * | 2014-03-18 | 2016-02-24 | 栗田工業株式会社 | 水処理用分散剤及び水処理方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03220243A (ja) * | 1989-03-10 | 1991-09-27 | Res Dev Corp Of Japan | 機能薄膜,機能薄膜用材料及び機能薄膜の製造方法 |
JP2001316354A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-11-13 | Natl Inst Of Advanced Industrial Science & Technology Meti | 新規なターフェニル骨格含有硫黄化合物 |
-
2004
- 2004-03-22 CN CNA2004800079963A patent/CN1764642A/zh active Pending
- 2004-03-22 KR KR1020057017904A patent/KR20050119139A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-03-22 US US10/548,385 patent/US7390433B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-22 JP JP2005504035A patent/JP4527662B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-22 WO PCT/JP2004/003824 patent/WO2004085398A1/ja active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03220243A (ja) * | 1989-03-10 | 1991-09-27 | Res Dev Corp Of Japan | 機能薄膜,機能薄膜用材料及び機能薄膜の製造方法 |
JP2001316354A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-11-13 | Natl Inst Of Advanced Industrial Science & Technology Meti | 新規なターフェニル骨格含有硫黄化合物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050119139A (ko) | 2005-12-20 |
US7390433B2 (en) | 2008-06-24 |
CN1764642A (zh) | 2006-04-26 |
US20070029520A1 (en) | 2007-02-08 |
JPWO2004085398A1 (ja) | 2006-06-29 |
WO2004085398A1 (ja) | 2004-10-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4271469B2 (ja) | 長い直線的共役系構造部分を持つ液晶分子を用いた電荷輸送方法及び電荷輸送素子 | |
JP4476932B2 (ja) | 長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体、その製造方法及び液晶性材料 | |
JP4527662B2 (ja) | 長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体、その製造方法及び液晶性材料 | |
US6174455B1 (en) | Liquid crystalline compounds and process for producing the same | |
JP4574549B2 (ja) | 長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体、その製造方法及び液晶性材料 | |
JP2787572B2 (ja) | Sc−またはSc−相を示す液晶の5−フエニル−ピリミジン誘導体およびその製造方法 | |
JP4476933B2 (ja) | 長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体、その製造方法、液晶性材料及び電荷輸送材料 | |
JPS62111939A (ja) | 光学活性β−フルオロヒドリン化合物 | |
TWI796452B (zh) | 苯胺衍生物之製造方法 | |
WO2009113155A1 (ja) | 新規なジアマンタン化合物、液晶性化合物及び液晶性組成物 | |
JP4659183B2 (ja) | 脂肪族置換アミノピリジニウム誘導体 | |
JP4396907B2 (ja) | 電荷輸送方法 | |
JP2003306531A (ja) | 共役系高分子の電解不斉重合方法と光学活性共役系高分子 | |
JPH08337548A (ja) | トリフェニレン誘導体 | |
JP2002356473A (ja) | 液晶化合物と同様な化学構造を持ち、電子輸送性el素子として応用可能なビオロゲン誘導体およびその製造方法 | |
JPH0563881B2 (ja) | ||
JP2001302592A (ja) | フェニルアセチレン化合物、液晶材料、液晶組成物、および液晶素子 | |
JPH04288058A (ja) | フェニルピリジン化合物及びこれを含有する液晶組成物 | |
JPH04134050A (ja) | 光学活性化合物、高分子液晶およびそれを含む液晶組成物 | |
JPH03151349A (ja) | 強誘電性液晶化合物 | |
JP2001213852A (ja) | トリフェニルアミン化合物 | |
JPH08333306A (ja) | 液晶材料 | |
JPH02243676A (ja) | ピリミジン誘導体 | |
JP2000026351A (ja) | アルコキシエチルトラン化合物 | |
JP2005023145A (ja) | カイラル燕尾型液晶材料及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060927 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100223 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100420 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100601 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100603 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |