JP4476932B2

JP4476932B2 - 長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体、その製造方法及び液晶性材料

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Publication number: JP4476932B2
Application number: JP2005504040A
Authority: JP
Inventors: 原本雄一郎
Original assignee: Nippon Chemical Industrial Co Ltd
Current assignee: Nippon Chemical Industrial Co Ltd
Priority date: 2003-03-24
Filing date: 2004-03-22
Publication date: 2010-06-09
Anticipated expiration: 2024-03-22
Also published as: JPWO2004085359A1; US20060278848A1; CN100427444C; US7422702B2; CN1764624A; KR20050120657A; WO2004085359A1

Description

【技術分野】
【０００１】
本発明は、光センサ、有機エレクトロルミネッンス素子（ＥＬ素子）、光導電体、空間変調素子、薄膜トランジスター、電子写真感光体の電荷輸送物質、ホトリソグラフティブ、太陽電池、非線形光学材料、有機半導体コンデンサー、その他のセンサー等の電荷輸送材料として有用な新規な長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体、その製造方法及び液晶性材料に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、エレクトロルミネッセンス素子を構成する正孔輸送材料や電荷輸送材料として、有機材料を使用した有機エレクトロルミネッセンス素子の研究が活発に行われている。
【０００３】
このような、電荷輸送材料としては、従来より、アントラセン誘導体、アントラキノリン誘導体、イミダゾール誘導体、スチリル誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルアミン化合物、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールやオキサジアゾール等の化合物が知られている。
【０００４】
液晶化合物は、表示材料として種々の機器で応用され、例えば、時計、電卓、テレビ、パソコン、携帯電話等で利用されている。液晶物質には、相転移を与える手段に基づいて、サーモトロピック液晶（温度転移型液晶）とリオトロピック液晶（濃度転移型液晶）に分類される。これらの液晶は分子配列的に見ると、スメクチック液晶、ネマチック液晶およびコレスチック液晶の三種類に分類される。液晶は異方性液体と別称されるように、光学的１軸性結晶と同様な光学的異方性を示す。オルソスコープ観測は通常の直交ニコル間の観察であり、液晶の種類の識別や液晶相の転移温度の決定に有用で、この観測により各液晶は特徴的な複屈折性光学模様により更にスメクチック液晶は、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇに分類される。
【０００５】
半那らは、液晶相がスメクチック相を有する液晶性化合物が電荷輸送能を有し、これらを用いた電荷輸送材料を提案している。例えば、スメクチック液晶性を有し、且つ標準参照電極（ＳＣＥ）に対し還元電位が−０．３〜−０．６（Ｖｖｓ．ＳＥＣ）に範囲にある液晶性電荷輸送材料（特開平０９−３１６４４２号公報）、自己配向性を有するスメクチック相を示す液晶性化合物に、増感作用を有するフラーレンＣ７０を所定量配合した液晶性電荷輸送材料（特開平１１−１６２６４８号公報）、スメクチック相を示す液晶性化合物を有機高分子マトリックス中に含有させた液晶性電荷輸送材料分散型高分子膜（特開平１１−１７２１１８号公報）、スメクチック液晶性化合物を含む混合物を含有させた液晶性電荷輸送材料（特開平１１−１９９８７１号公報）、スメクチック液晶性を有し、且つ電子移動度または正孔移動度速度が１×１０^−５ｃｍ^２／ｖ・ｓ以上である液晶性電荷輸送材料（特開平１０−３１２７１１号公報）、１分子中に分子間或いは分子内で新たな結合を形成し得る官能基と正孔及び／又は電子電荷輸送性を有す官能基を有するスメクチック液晶性化合物を含む液晶性電荷輸送材料（特開平１１−２０９７６１号公報）等を提案している。
【０００６】
上記で提案されたスメクチック液晶性化合物は、ベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、トロポロン環等の６π電子系芳香環、ナフタレン環、アズレン環、ベンゾフラン環、インドール環、インダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾイミダゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環等の１０π電子系芳香族、又はフェナントン環、アントラセン等の１４π電子系芳香環を有するスメクチック液晶性化合物を用い、スメクチックＡ相の液晶状態で、電荷の輸送を行うものである。しかしながら、上記した電荷輸送方法は光励起を必要としており、その導電率も光励起なしでは１０^−１３ｓ／ｃｍで、光励起しても１０^−１１ｓ／ｃｍという絶縁体の領域の値であった。
【発明の開示】
【０００７】
本発明者らは、先に液晶相としてスメクチックＢ相を有する液晶性化合物にスメクチックＢ相の液晶状態又はスメクチックＢ相の相転移で生じる固体状態で電圧を印加する電荷輸送方法（特開２００１−３５１７８６号公報）を提案した。
【０００８】
本発明は、この様な従来技術に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、液晶状態の分子配向を利用した電荷輸送方法において、光励起しないでも優れた電荷輸送性が期待できる新規な長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体、その製造方法及び該化合物を含有する液晶性材料を提供することを目的とするものである。
【０００９】
即ち、本発明が提供しようとする第１の発明は、下記一般式（１）
【化１】

｛式中、Ｒ^１又はＲ^２は直鎖状又は分岐状のアルキル基、又は下記一般式（２）
【化２】

（式中、Ｒ^３はメチル基、水素原子、Ｂはアルキレン基、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ_２）ｎ−（但し、ｎ＝１〜１８）、−Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ_２−、−ＣＯ−を示す。）で表される不飽和結合を有する基を示す。但し、Ｒ^１とＲ^２は同一の基となることはない。｝で表されることを特徴とする長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体である。
【００１０】
また、本発明が提供しようとする第２の発明は、下記一般式（３）
【化３】

（式中、Ｒ^１は下記のとおり。）で表されるベンズアルデヒド誘導体と、下記一般式（４）
【化４】

（式中、Ｒ^２は下記のとおり。Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６は１価の有機基、Ａはハロゲン原子を示す。）で表されるホスホニウム塩を塩基の存在下に反応させることを特徴とする下記一般式（１）
【化１】

（式中、Ｒ ^１とＲ ^２は直鎖状又は分岐状のアルキル基、又は下記一般式（２）
【化２】

（式中、Ｒ ^３はメチル基、水素原子、Ｂはアルキレン基、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ _２）ｎ−（但し、ｎ＝１〜１８）、−Ｃ _６Ｈ _４ −ＣＨ _２ −、−ＣＯ−を示す。）で表される不飽和結合を有する基を示す。但し、Ｒ^１とＲ^２は同一の基となることはない。）
で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体の製造方法である。
【００１１】
また、本発明が提供しようとする第３の発明は、下記一般式（１）
【化１】

（式中、Ｒ ^３はメチル基、水素原子、Ｂはアルキレン基、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ _２）ｎ−（但し、ｎ＝１〜１８）、−Ｃ _６Ｈ _４ −ＣＨ _２ −、−ＣＯ−を示す。）で表される不飽和結合を有する基を示す。但し、Ｒ ^１とＲ ^２は同一の基となることはない。）
で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体又はそれから誘導される化合物を含むことを特徴とする液晶性材料である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明が提供する新規な化合物は、前記一般式（１）で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体である。
【００１３】
前記一般式（１）で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体の式中のＲ^１及びＲ^２は直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルコキシ基又は前記一般式（２）で表される不飽和結合を有する基を示す。但し、Ｒ^１とＲ^２は同一の基となることはない。
【００１４】
前記アルキル基としては炭素数１〜１８であり、具体的にはメチル基、エチル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基等が挙げられ、この中、炭素数６〜１８のアルキル基が特に好ましい。また、前記アルキル基が一般式；ＣＨ_３−（ＣＨ_２）_ｎ−ＣＨ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_ｍ−ＣＨ_２−（式中、ｎは０〜７、ｍは０〜７）で表される分岐状のアルキル基であると各種溶媒への溶解性を向上させることができる。
また、前記アルコキシ基は一般式；Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１Ｏで表され、この中、式中のｎが１〜１８、特に６〜１８が好ましい。
【００１５】
また、前記一般式（２）で表される不飽和結合を有する基の式中のＲ^３は水素原子又はメチル基を示し、Ｂはアルキレン基、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ_２）ｎ−、−Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ_２−、−ＣＯ−を示す。前記アルキレン基は直鎖状又は分岐状のいずれであってもよく、具体的には炭素数１〜１８のものが好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、エチルエチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクタデシレン基、ノニレン基、デシレン基、ドデシレン基等のアルキレン基が挙げられる。また、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｎ−のｎは１〜１８のものが特に好ましい。
【００１６】
また、本発明に係る長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体は、前記一般式（１）の式中のＲ^１が前記一般式（２）で表される不飽和結合を有する基で、Ｒ^２がアルキル基であることが高分子化可能で且つ高分子化を行っても液晶状態において効果的に該化合物の分子配向を利用した電荷輸送材料として用いることができることから特に好ましい。
【００１７】
本発明において、前記一般式（１）で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体は、新規化合物であり、該化合物は立体配座としてシス体又はトランス体或いはシス体とトランス体の混合物であってもよい。
次に、前記一般式（１）で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体の製造方法について説明する。
【００１８】
本発明の前記一般式（１）で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体の製造方法は、下記反応式（１）
【化５】

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＡは前記と同義。）で示される反応により目的とする前記一般式（１）で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体を得るものである。
【００１９】
本発明の製造方法で用いる第１の原料の一般式（３）で表されるベンズアルデヒド誘導体は、例えば、下記反応スキーム（２）
【化６】

（式中、Ｒ^１は前記と同義。Ｒは１価の有機基、Ｘ^１及びＸ^２はハロゲン原子を示す。）に従って、（Ａ−１）〜（Ａ−４）工程を実施することにより製造することができる。
【００２０】
前記Ａ−１工程は、ハロゲン化物（化合物（５））とヒドロキシベンジルアルコール（化合物（６））を塩基の存在下に溶媒中で反応を行うことにより前記一般式（７）で表される化合物を得るものである。
【００２１】
前記ハロゲン化物（化合物（５））の式中のＲ^１は、第１の原料の前記一般式（３）で表されるベンズアルデヒド誘導体及び前記一般式（１）で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体の式中のＲ^１に相当する基であり、また、式中のＸ^１は臭素、塩素、ヨウ素等のハロゲン原子を示す。
【００２２】
このＡ−１工程での反応はヒドロキシベンジルアルコール（化合物（６））に対して、ハロゲン化物（化合物（５））１〜３倍モル、好ましくは１〜１．５倍モル、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムエトキシド、ナトリウムメトキシド等の塩基１〜３倍モル、好ましくは１〜１．５倍モルの配合割合で、メタノール、エタノール等のアルコール溶媒中で０〜１００℃、好ましくは６０〜８０℃で１〜２０時間、好ましくは５〜１０時間反応を行う。
【００２３】
次に、Ａ−２工程で、前記Ａ−１工程で得られた化合物（化合物（７））とハロゲン化リン（化合物（８））を溶媒中で反応を行うことにより前記一般式（９）で表される化合物を得る。
【００２４】
前記ハロゲン化リン（化合物（８））の式中のＸ^２は、臭素、塩素、ヨウ素等のハロゲン原子を示す。
【００２５】
このＡ−２工程での反応は、Ａ−１工程で得られた化合物（化合物（７））に対してハロゲン化リン（化合物（８））１〜３倍モル、好ましくは１〜１．５倍モルの配合割合で、エチルエーテル等の溶媒中で−３０〜６０℃、好ましくは０〜３０℃で１〜１０時間、好ましくは１〜５時間反応を行う。
【００２６】
次に、Ａ−３工程で、前記Ａ−２工程で得られた化合物（化合物（９））とホスフィン化合物（化合物（１０））を溶媒中で反応を行うことにより前記一般式（１１）で表される化合物を得る。
【００２７】
前記ホスフィン化合物（化合物（１０））の式中のＲは１価の有機基を示し、このＲの種類としては、一般式（９）で表される化合物をホスホニウム塩化できるものであれば特に制限されるものではなく、具体的な化合物としては例えばトリフェニルホスフィンやトリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン等のトリアルキルホスフィンを用いることができる。
【００２８】
このＡ−３工程での反応は、Ａ−２工程で得られた化合物（化合物（９））に対してホスフィン化合物（化合物（１０））１〜３倍モル、好ましくは１〜１．５倍モルの配合割合で、塩化メチレン、クロロホルム、あるいはジクロロエタン等の溶媒中で２０〜１００℃、好ましくは５０〜７０℃で１〜１０時間、好ましくは３〜５時間反応を行う。
【００２９】
次いで、Ａ−４工程で前記Ａ−３工程で得られた化合物（１１）とテレフタルアルデヒド（化合物（１２））を塩基の存在下に反応させることにより第１の反応原料の前記一般式（３）で表されるベンズアルデヒド誘導体を得る。
このＡ−４工程での反応は、Ａ−３工程で得られた化合物（化合物（１１））に対してテレフタルアルデヒド（化合物（１２））を１〜３倍モル、好ましくは１〜１．５倍モル、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムエトキシド、ナトリウムメトキシド等の塩基１〜５倍モル、好ましくは１〜３倍モルの原料配合割合で、メタノール、エタノール等のアルコール溶媒中で−３０〜３０℃、好ましくは−５〜１５℃で３〜１５時間、好ましくは５〜１０時間反応を行う。
なお、本発明の製造方法において、所望により前記Ａ−４工程後、得られるベンズアルデヒド誘導体（化合物（３））を更に、ヨウ素の存在下に溶媒中で加熱処理することができる。
【００３０】
この加熱処理により得られるベンズアルデヒド誘導体（化合物（３））は選択的に高純度のトランス体となり、前記反応式（１）に基づく反応を引続き実施してもその立体配座を維持したまま反応を行うことができるので目的とするベンゼン誘導体のトランス体を選択的に高収率で得ることができる。
【００３１】
この場合、ヨウ素の添加量はベンズアルデヒド誘導体（化合物（３））に対して０．００１〜０．１倍モル、好ましくは０．００５〜０．０１倍モルであり、加熱処理温度は、１００〜１８０℃、好ましくは１３０〜１５０℃である。また、用いることができる溶媒として、例えば、ベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、ｍ−ジクロロベンゼン、ｐ−ジクロロベンゼン等が挙げられ、これらの溶媒は１種又は２種以上で用いることができる。
【００３２】
もう一方の反応原料の前記一般式（４）で表されるホスホニウム塩は、例えば、下記反応スキーム（３）
【化７】

（式中、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＡは前記と同義。Ａ^１はハロゲン原子を示す。）に従って（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）工程を実施することにより製造することができる。
【００３３】
前記Ｂ−１工程は、ハロゲン化物（化合物（１３））とヒドロキシベンジルアルコール（化合物（６））を塩基の存在下に溶媒中で反応を行うことにより前記一般式（１４）で表される化合物を得るものである。
【００３４】
前記ハロゲン化物（化合物（１３））の式中のＲ^２は、第２の反応原料の前記一般式（４）で表されるホスホニウム塩及び前記一般式（１）で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体の式中のＲ^２に相当する基であり、また、式中のＡ^１は臭素、塩素、ヨウ素等のハロゲン原子を示す。
【００３５】
このＢ−１工程での反応は、ヒドロキシベンジルアルコール（化合物（６））に対してハロゲン化物（化合物（１３））１〜３倍モル、好ましくは１〜１．５倍モル、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムエトキシド、ナトリウムメトキシド等の塩基１〜３倍モル、好ましくは１〜１．５倍モルの配合割合で、メタノール、エタノール等のアルコール溶媒中で２０〜１００℃、好ましくは６０〜８０℃で１〜１５時間、好ましくは５〜１０時間反応を行う。
次に、Ｂ−２工程で、前記Ｂ−１工程で得られた化合物（化合物（１４））とハロゲン化リン（化合物（１５））を溶媒中で反応を行うことにより前記一般式（１６）で表される化合物を得る。
【００３６】
前記ハロゲン化リン（化合物（１５））の式中のＡは、第２の反応原料の前記一般式（４）で表されるホスホニウム塩の式中のＡに相当し、臭素、塩素、ヨウ素等のハロゲン原子を示す。
【００３７】
このＢ−２工程での反応は、Ｂ−１工程で得られた化合物（化合物（１４））に対してハロゲン化リン（化合物（１５））１〜３倍モル、好ましくは１〜１．５倍モルの配合割合で、例えば塩化メチレン、クロロホルム、あるいはジクロロエタン等の溶媒中で−２０〜１００℃、好ましくは０〜５０℃で５〜２０時間、好ましくは５〜１０時間反応を行う。
【００３８】
次に、Ｂ−３工程で、前記Ｂ−２工程で得られた化合物（化合物（１６））とホスフィン化合物（化合物（１７））を溶媒中で反応を行うことにより第２の反応原料の前記一般式（４）で表されるホスホニウム塩を得る。
【００３９】
前記ホスフィン化合物（化合物（１７））の式中のＲ^４、Ｒ^５及びＲ^６は１価の有機基を示し、このＲ^４、Ｒ^５及びＲ^６の種類としては、一般式（１６）で表される化合物をホスホニウム塩化できるものであれば特に制限されるものではなく、具体的な化合物としては例えばトリフェニルホスフィンやトリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン等のトリアルキルホスフィンを用いることができる。
このＢ−３工程での反応は、Ｂ−２工程で得られた化合物（化合物（１６））に対してホスフィン化合物（化合物（１７））１〜３倍モル、好ましくは１〜１．５倍モルの配合割合で、クロロホルム等の溶媒中で３０〜１００℃、好ましくは６０〜８０℃で１〜１０時間、好ましくは１〜５時間反応を行う。
【００４０】
本発明の前記一般式（１）で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体の製造方法は、前記一般式（３）で表されるベンズアルデヒド誘導体と前記一般式（４）で表されるホスホニウム塩とを塩基の存在下に溶媒中で反応させる。
【００４１】
前記一般式（４）で表されるホスホニウム塩の添加量は前記一般式（３）で表されるベンズアルデヒド誘導体に対して１〜３倍モル、好ましくは１〜１．５倍モルである。
【００４２】
用いることができる塩基としては、例えば、水素化ナトリウム等の金属水素化物、トリメチルアミン、トリエチルアミン等のアミン類、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等の水酸化アルカリ、ナトリウムメトキシド、カリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムエトキシド等のアルコキシド、ピペリジン、ピリジン、カリウムクレゾラート、アルキルリチウム等が挙げられ、これらは１種又は２種以上で用いられるが、特にこれらに限定されるものではない。
【００４３】
これらの塩基の添加量は、前記一般式（３）で表されるベンズアルデヒド誘導体に対して１〜４倍モル、好ましくは２〜３倍モルである。
【００４４】
反応溶媒としては、例えば、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジブチルエーテル等のエーテル類、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル類、メタノール、エタノール等のアルコール類、ジメチルホルムアミド、アセトン、水等の１種又は２種以上で用いることができる。
【００４５】
反応条件としては、反応温度が−２０〜５０℃、好ましくは−５〜２５℃であり、反応時間が１〜２０時間、好ましくは５〜１５時間で反応を行う。
反応終了後、所望によりろ過、洗浄、再結晶等の精製操作を得て目的とする前記一般式（１）で示される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体を得る。
【００４６】
なお、本発明の製造方法において、所望により得られた前記一般式（１）で示される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体を、更にヨウ素の存在下に溶媒中で加熱処理することができる。
【００４７】
この加熱処理により前記一般式（１）で示される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体は選択的にトランス体とすることができる。
【００４８】
この場合、ヨウ素の添加量は前記一般式（１）で示される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体に対して０．００１〜０．１倍モル、好ましくは０．００５〜０．０１倍モルであり、加熱処理温度は１００〜１８０℃、好ましくは１３０〜１５０℃である。また、用いることができる溶媒として、例えば、ベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、ｍ−ジクロロベンゼン、ｐ−ジクロロベンゼン等が挙げられ、これらの溶媒は１種又は２種以上で用いることができる。
【００４９】
かくして得られる前記一般式（１）で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体は、新規な液晶性を示す化合物である。
【００５０】
次いで、本発明の液晶性材料について説明する。
本発明の液晶性材料は、この前記一般式（１）で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体或いは該長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体から誘導される化合物を含有するものである。
【００５１】
ここで前記一般式（１）で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体から誘導体される化合物とは、該長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体の式中のＲ^１又は／及びＲ^２が前記一般式（２）で表される不飽和結合を有する基である場合に、そのホモ重合体、共重合体、架橋剤により架橋されている高分子量の化合物、或いはヒドロシリル基を有する高分子化合物に付加反応させて得られる高分子量の化合物をいう（以下、「重合体」という）。
【００５２】
ここで、重合体の一例を示すと、例えばＲ^１が前記一般式（２）で表される不飽和結合を有する基で、Ｒ^２がアルキル基である場合は、少なくとも下記一般式（１８）又は下記一般式（１９）
【化８】

【化９】

（式中、Ｒ^３及びＢは前記と同義。Ｒ^２はアルキル基を示す。）で表される繰り返し単位を含有する。
【００５３】
重合体は、共重合成分として、アクリル酸、メタクリル酸又はスチレン等から誘導される繰り返し単位を有していてもよい。共重合体の場合、例えば上記一般式（１８）又は上記一般式（１９）で表される繰り返し単位は、共重合体中５０モル％以上、好ましくは７０モル％以上、さらに好ましくは８０モル％以上である。
【００５４】
重合体の分子量は、数平均分子量が１０００〜数千万の範囲、好ましくは数万〜数百万の範囲である。
【００５５】
重合体は以下の方法で製造することができる。例えば前記一般式（１８）のホモ重合体、共重合体、或いは架橋剤により架橋されている高分子量の化合物を製造するには、所望のモノマー又は所望のモノマーと架橋剤とを重合開始剤の存在下に、溶液重合法、懸濁重合法、乳化重合法、バルク重合法等のラジカル重合法により重合反応を行うことにより製造することができる。
【００５６】
また、ヒドロシリル基を有する高分子化合物に前記一般式（１９）で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体を付加反応させて高分子量の化合物を製造するには、ヒドロシリル基を有する高分子化合物と前記一般式（１）で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体とを塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金とオレフィン錯体の錯体、ロジウムとカルボニルの錯体等のロジウム系触媒等の存在下に反応を行うことにより製造することができる。
【００５７】
本発明にかかる液晶性材料は、前記一般式（１）で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体、該長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体を含有する組成物、前記重合体、又は前記重合体を含有する組成物からなる液晶相としてスメクチック相の液晶性を示す材料である。
【００５８】
前記一般式（１）で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体を含有する組成物は、前記一般式（１）で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体を少なくとも３０重量％以上、好ましくは５０重量％以上、更に好ましくは９０重量％以上含有し、前記一般式（１）で表される長い直線的共役系構造部分を持つ液晶性化合物に起因するスメクチック相の液晶状態を示すものである。
【００５９】
かかる組成物中の他の成分は、前記一般式（１）で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体の相転移温度を調整する成分であり、例えば、他の液晶性化合物、他の長い直線的共役系を有する両端がアルキル基またはアルコキシ基である化合物を１種または２種以上含有させて用いることができ、他の成分の長い直線的共役系を有する両端がアルキル基またはアルコキシ基である化合物は液晶性化合物であってもそうでなくともよい。また、これらの他の成分は１種又は２種以上で用いることができる。
【００６０】
前記一般式（１）で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体を含有する組成物は、以下のように調製することができる。即ち、前記一般式（１）で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体と所望の上記成分を溶媒に溶解した後、溶媒を加熱、減圧等で除去するか、前記一般式（１）で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体と所望の上記成分を混合し、加熱溶融するか、又はスパッタリング、真空蒸着等を行うことにより調製することができる。
【００６１】
また、前記重合体を含有する組成物は、前記重合体を、少なくとも３０重量％以上、好ましくは５０重量％以上、さらに好ましくは８０重量％以上含有し、前記一般式（１）で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体の液晶性化合物に起因するスメクチック相の液晶状態を示すものである。
【００６２】
かかる組成物中の他の成分としては、前記重合体の相転移温度を調整する成分であり、例えば、他の液晶性化合物、他の長い直線的共役系を有する両端がアルキル基またはアルコキシ基である化合物を１種または２種以上含有させて用いることができ、他の成分の長い直線的共役系を有する両端がアルキル基またはアルコキシ基である化合物は液晶性化合物であってもそうでなくともよい。また、これらの他の成分は１種又は２種以上で用いることができる。
【００６３】
この重合体組成物は、以下のように調製することができる。即ち、前記重合体と所望の上記成分を溶媒に溶解した後、溶媒を加熱、減圧等で除去するか、前記重合体と所望の上記成分を混合し、加熱溶融するか、又はスパッタリング、真空蒸着等を行うことにより調製することができる。
【００６４】
本発明にかかる液晶性材料は、例えば、該液晶性材料を液晶状態で電圧を印加するか、又は該液晶性材料を液晶状態の相転移で生じる固体状態で電圧を印加することにより電荷輸送を行う電荷輸送材料として、例えば、光センサ、有機エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ素子）、光導電体、空間変調素子、薄膜トランジスター、電子写真感光体の電荷輸送物質、ホトリソグラフティブ、太陽電池、非線形光学材料、有機半導体コンデンサー、その他のセンサー等に利用することができる。
【実施例】
【００６５】
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが本発明はこれらに限定されるものではない。
【００６６】
＜合成例＞
（１）第１の反応原料のベンズアルデヒド誘導体の調製
合成例１−１；１０−ブロモ−１−デセンの合成（化合物（２２））
下記反応式（４）に従って１０−ブロモ−１−デセン（化合物（２２））を合成した。
【化１０】

９−デセン−１オール（化合物（２０））２４．６７ｇ（０．１５Ｍ）をジエチルエーテル１８０ｍｌに溶解し、系内を窒素置換して氷バスで冷却を行った。そして液温５℃以下で三臭化リン（化合物（２１））２２．５６ｇ（０．０７５Ｍ）を滴下した。滴下後、１５℃で１７ｈ攪拌して氷バスで冷却し、液温５℃以下でメタノール９５ｍｌを滴下した。滴下後、炭酸水素ナトリウム水溶液（１Ｍ）１９０ｇを液温５℃以下で滴下し、攪拌を止めて分液し、飽和食塩水１０５ｇで洗浄を行った。次に有機層を濃縮し、得られた濃縮物を蒸留して（８５℃、１．８ｍｍＨｇ）目的物である１０−ブロモ−１−デセン（化合物（２２））１８．８３ｇ（収率５７．２％）を得た。
＜同定データ＞
・^１Ｈ−ＮＭＲ（δ、ＣＤＣｌ_３）；１．２〜１．５（ｍ，１０Ｈ，−（ＣＨ_２）_５−）、１．８〜１．９（ｍ，２Ｈ，−ＣＨ_２−）、２．０〜２．１（ｍ，２Ｈ，−ＣＨ_２−）、３．４（ｔ，２Ｈ，−ＣＨ_２Ｂｒ）、４．９〜５．０（ｍ，２Ｈ，ＣＨ_２＝）、５．７〜５．９（ｍ，１Ｈ，＝ＣＨ−）
【００６７】
合成例１−２；９−デセノキシベンジルアルコール（化合物（２３））の合成
下記反応式（５）に従って９−デセノキシベンジルアルコール（化合物（２３））を合成した。
【化１１】

４−ヒドロキシベンジルアルコール（化合物（６））１２．８０ｇ（０．１０Ｍ）をエタノール１９０ｍｌに溶解し、水酸化ナトリウム４．０ｇ（０．１０Ｍ）を加えて液温６５℃に加熱した。加熱後、合成例１−１で調製した１０−ブロモ−１−デセン（化合物（２２））２４．１４ｇ（０．１１Ｍ）を滴下し、液温７６℃で６ｈ熟成を行った。次に塩をデカントして除き、反応液を濃縮した。濃縮後、ジエチルエーテル３５０ｍｌで希釈して純水１００ｍｌで２回水洗を行った。水洗後、有機層を濃縮し得られた粗結晶をヘキサン２５ｍｌで２回再結晶を行い、同じくヘキサンで結晶を洗浄後、乾燥して９−デセノキシベンジルアルコール（化合物（２３））１６．８８ｇ（収率６４．３％）を得た。
＜同定データ＞
・^１Ｈ−ＮＭＲ（δ、ＣＤＣｌ_３）；１．３〜１．６（ｍ，１０Ｈ，−（ＣＨ_２）_５−）、１．７〜１．８（ｍ，２Ｈ，−ＣＨ_２−）、２．０〜２．１（ｍ，２Ｈ，−ＣＨ_２−）、３．９（ｔ，２Ｈ，−ＣＨ_２Ｏ−）、４．６（ｄ，２Ｈ，−ＣＨ_２ＯＨ）、４．９〜５．０（ｍ，２Ｈ，ＣＨ_２＝）、５．７〜５．９（ｍ，１Ｈ，＝ＣＨ−）、６．８〜６．９（ｍ，２Ｈ，−ＯＰｈ−）、７．２〜７．３（ｍ，２Ｈ，−ＰｈＣＨ_２−）
・ＦＡＢ−ＭＡＳＳ（Ｘｅ）：２６３（ＭＨ＋）
【００６８】
合成例１−３；９−デセノキシベンジルブロマイド（化合物（２４））の合成
下記反応式（６）に従って９−デセノキシベンジルブロマイド（化合物（２４））を合成した。
【化１２】

合成例１−２で調製した９−デセノキシベンジルアルコール（化合物（２３））１６．０５ｇ（０．０６１Ｍ）をジエチルエーテル８５ｍｌに溶解し、液温０℃に冷却した。冷却後、三臭化リン（化合物（２１））６．７６ｇ（０．０２２Ｍ）を５℃以下で滴下し、５℃で２ｈそして１５℃で１．５ｈ熟成させた。熟成後、液温が５℃になるように冷却し、メタノール３８ｍｌを５℃以下で滴下した。滴下後、炭酸水素ナトリウム水溶液（１Ｍ）７３．４ｇを１０℃以下で滴下し、分液した。分液後、純水３２ｍｌで洗浄して有機層を濃縮し、９−デセノキシベンジルブロマイド（化合物（２４））１８．１９ｇ（収率９１．６％）を得た。
＜同定データ＞
・^１Ｈ−ＮＭＲ（δ、ＣＤＣｌ_３）；１．３〜１．５（ｍ，１０Ｈ，−（ＣＨ_２）_５−）、１．７〜１．８（ｍ，２Ｈ，−ＣＨ_２−）、２．０〜２．１（ｍ，２Ｈ，−ＣＨ_２−）、３．９（ｔ，２Ｈ，−ＣＨ_２Ｏ−）、４．５（ｓ，２Ｈ，−ＣＨ_２Ｂｒ）、４．９〜５．０（ｍ，２Ｈ，ＣＨ_２＝）、５．７〜５．９（ｍ，１Ｈ，＝ＣＨ−）、６．８〜６．９（ｍ，２Ｈ，−ＯＰｈ−）、７．２〜７．３（ｍ，２Ｈ，−ＰｈＣＨ_２−）・ＦＡＢ−ＭＡＳＳ（Ｘｅ）：３２５（Ｍ＋）
【００６９】
合成例１−４；９−デセノキシベンジルトリフェニルホスホニウムブロマイド（化合物（２６））の合成
下記反応式（７）に従って９−デセノキシベンジルトリフェニルホスホニウムブロマイド（化合物（２６））を合成した。
【化１３】

合成例１−３で調製した９−デセノキシベンジルブロマイド（化合物（２４））１７．２３ｇ（０．０５３Ｍ）、トリフェニルホスフィン（化合物（２５））１３．９２ｇ（０．０５３Ｍ）、クロロホルム５３ｍｌを仕込み、液温６０℃に加熱して１．５ｈ熟成を行った。熟成後、反応液を濃縮し粗結晶を得た。これをジエチルエーテルで洗浄し、ろ過そして乾燥後、９−デセノキシベンジルトリフェニルホスホニウムブロマイド（化合物（２６））２９．１９ｇ（収率９３．７％）を得た。
＜同定データ＞
・^１Ｈ−ＮＭＲ（δ、ＣＤＣｌ_３）；１．３〜１．５（ｍ，１０Ｈ，−（ＣＨ_２）_５−）、１．７〜１．８（ｍ，２Ｈ，−ＣＨ_２−）、２．０〜２．１（ｍ，２Ｈ，−ＣＨ_２−）、３．８（ｔ，２Ｈ，−ＣＨ_２Ｏ−）、４．９〜５．０（ｍ，２Ｈ，ＣＨ_２＝）、５．２（ｄ，２Ｈ，−ＣＨ_２Ｐ−）、５．７〜５．９（ｍ，１Ｈ，＝ＣＨ−）、５．２（ｄ，２Ｈ，−ＣＨ_２Ｐ−）、６．６（ｄ，２Ｈ，−ＯＰｈ−）、７．０（ｄｄ，２Ｈ，−ＰｈＣＨ_２−）、７．６〜７．８（ｍ，１５Ｈ，（Ｐｈ）_３）
・^３１Ｐ−ＮＭＲ（δ、ＣＤＣｌ_３）：２８．０ｐｐｍ
・ＦＡＢ−ＭＡＳＳ（Ｘｅ）：５０７（Ｍ−Ｂｒ）
【００７０】
合成例１−５；９−デセノキシスチルベンアルデヒド（化合物（２７））の合成
下記反応式（８）に従って９−デセノキシスチルベンアルデヒド（化合物（２７））を合成した。
【化１４】

合成例１−４で調製した９−デセノキシベンジルトリフェニルホスホニウムブロマイド（化合物（２６））２３．０７ｇ（０．０３９Ｍ）、テレフタルアルデヒド（化合物（１２））５．９１ｇをエタノール３１５ｍｌで溶解し、液温−２℃に冷却した。ナトリウムエトキシドのエタノール溶液（２１ｗｔ％，ａｌｄｒｉｃｈ）２５．６４ｇを０℃以下で滴下した。液温０℃以下で１．５ｈ熟成を行い、液温１０〜１５℃で２ｈ熟成を行った。熟成後、純水３９ｇを滴下し、析出している結晶をろ過し、６０％エタノール水溶液５０ｍｌ、エタノール３０ｍｌで結晶を洗浄した。洗浄後、乾燥を行い９−デセノキシスチルベンアルデヒド（化合物（２７））７．１２ｇ、収率５０．０％を得た。
＜同定データ＞
・^１Ｈ−ＮＭＲ（δ、ＣＤＣｌ_３）；１．３〜１．５（ｍ，１０Ｈ，−（ＣＨ_２）_５−）、１．７〜１．８（ｍ，２Ｈ，−ＣＨ_２−）、２．０〜２．１（ｍ，２Ｈ，−ＣＨ_２−）、３．９〜４．０（ｍ，２Ｈ，−ＣＨ_２Ｏ−）、４．９〜５．０（ｍ，２Ｈ，ＣＨ_２＝）、５．７〜５．９（ｍ，１Ｈ，＝ＣＨ−）、６．５〜７．９（ｍ，１０Ｈ，Ｐｈ，−ＣＨ＝ＣＨ−）
・ＦＡＢ−ＭＡＳＳ（Ｘｅ）：３６３（ＭＨ＋）
【００７１】
（２）第２の反応原料のホスホニウム塩の調製
合成例２−１；オクタノキシベンジルアルコール（化合物（２９））の合成
下記反応式（９）に従ってオクタノキシベンジルアルコール（化合物（２９））を合成した。
【化１５】

４−ヒドロキシベンジルアルコール（化合物（６））１２．８０ｇ（０．１０Ｍ）をエタノール１９０ｍｌに溶解し、水酸化ナトリウム４．０ｇ（０．１０Ｍ）を加えて液温６５℃に加熱した。加熱後、調製した１−ブロモオクタン（化合物（２８））２１．２４ｇ（０．１１Ｍ）を滴下し、液温７６℃で６ｈ熟成を行った。次に塩をデカントして除き、反応液を濃縮した。濃縮後、ジエチルエーテル３５０ｍｌで希釈して純水１００ｍｌで２回水洗を行った。水洗後、有機層を濃縮し得られた粗結晶をヘキサンで再結晶を行い、同じくヘキサンで結晶を洗浄後、乾燥してオクタノキシベンジルアルコール（化合物（２９））１５．８８ｇ（収率６７．２％）を得た。
【００７２】
合成例２−２；オクタノキシベンジルブロマイド（化合物（３０））の合成
下記反応式（１０）に従ってオクタノキシベンジルブロマイド（化合物（３０））を合成した。
【化１６】

合成例２−１で調製したオクタノキシベンジルアルコール（化合物（２９））１４．４１ｇ（０．０６１Ｍ）をジエチルエーテル８５ｍｌに溶解し、液温０℃に冷却した。冷却後、三臭化リン（化合物（２１））６．７６ｇ（０．０２２Ｍ）を５℃以下で滴下し、５℃で２ｈそして１５℃で１．５ｈ熟成させた。熟成後、液温が５℃になるように冷却し、メタノール３８ｍｌを５℃以下で滴下した。滴下後、炭酸水素ナトリウム水溶液（１Ｍ）７３．４ｇを１０℃以下で滴下し、分液した。分液後、純水３２ｍｌで洗浄して有機層を濃縮し、オクタノキシベンジルブロマイド（化合物（３０））１６．１５ｇ（収率９３．５％）を得た。
【００７３】
合成例２−３；オクタノキシベンジルトリフェニルホスホニウムブロマイド（化合物（３１））の合成
下記反応式（１１）に従ってオクタノキシベンジルトリフェニルホスホニウムブロマイド（化合物（３１））を合成した。
【化１７】

合成例２−２で調製したオクタノキシベンジルブロマイド（化合物（３０））１５．０１ｇ（０．０５３Ｍ）、トリフェニルホスフィン（化合物（２５））１３．９２ｇ（０．０５３Ｍ）、クロロホルム５３ｍｌを仕込み、液温６０℃に加熱して１．５ｈ熟成を行った。熟成後、反応液を濃縮し粗結晶を得た。これをジエチルエーテルで洗浄し、ろ過そして乾燥後、オクタノキシベンジルトリフェニルホスホニウムブロマイド（化合物（３１））２９．４５ｇ（収率９４．９％）を得た。
【００７４】
【実施例１】
下記反応式（１２）に従ってベンゼン誘導体（化合物（３２））を合成した。
【化１８】

合成例２−３で調製したオクタノキシベンジルトリフェニルホスホニウムブロマイド（化合物（３１））２．５７ｇ（０．００４４Ｍ）、合成例１−５で調製した９−デセノキシスチルベンアルデヒド（化合物（２７））１．５９ｇ（０．００４４Ｍ）をメタノール２０ｍｌで溶解し、ナトリウムエトキシドのエタノール溶液（２１ｗｔ％，ａｌｄｒｉｃｈ）４．２９ｇを滴下した。滴下後、５０℃で２４ｈ熟成を行い反応液を濾過し、結晶を得た。その粗結晶を６０％エタノール水溶液、ジエチルエーテルで洗浄し乾燥後、ジスチルベンゼン誘導体（化合物（３２））を１．５８ｇ、収率６３．９％で得た。
＜同定データ＞
・^１Ｈ−ＮＭＲ（δ、ＣＤＣｌ_３）；０．９（ｍ，３Ｈ，−ＣＨ_３）、１．３〜２．１（ｍ，２６Ｈ，−（ＣＨ_２）_７−，−（ＣＨ_２）_６−）、４．０（ｍ，４Ｈ，−ＣＨ_２Ｏ−）、４．９〜５．０（ｍ，２Ｈ，ＣＨ_２＝）、５．８〜５．９（ｍ，１Ｈ，＝ＣＨ−）、６．５〜７．５（ｍ，１６Ｈ，Ｐｈ）
・ＭＡＳＳ（ＤＩＥＩ）：５６４（Ｍ＋）
・ＩＲ（ＫＢｒ，ｃｍ−１）；３０８０〜３０２０（芳香族Ｃ−Ｈ伸縮振動）、２９２１〜２８５０（脂肪族Ｃ−Ｈ伸縮振動）、１６０４（Ｃ＝Ｃ伸縮振動）、１２５４（Ｃ−Ｏ−Ｃ逆対称伸縮振動）、１０２４（Ｃ−Ｏ−Ｃ対称伸縮振動）、８３７〜８２７（芳香族Ｃ−Ｈ面内変角振動）
・ＣＨＮ元素分析
理論値Ｃ；８５．０５％、Ｈ；９．２８％、Ｎ；０％
実側値Ｃ；８５．０６％、Ｈ；９．３０％、Ｎ；０％
【００７５】
【実施例２】
合成例２−１の１−ブロモオクタンを１−ブロモノナンに代えて合成例２−１〜２−３を実施し、ホスホニウム塩（化合物（３４））を得た。
次いで、下記反応式（１３）
【化１９】

に従って得られたホスホニウム塩（化合物（３３））と合成例１−５で調製した９−デセノキシスチルベンアルデヒド（化合物（２７））とを実施例１と同様に反応を行ってベンゼン誘導体（化合物（３４））を得た。
＜同定データ＞
・^１Ｈ−ＮＭＲ（δ、ＣＤＣｌ_３）；０．９（ｍ，３Ｈ，−ＣＨ_３）、１．３〜２．１（ｍ，３０Ｈ，−（ＣＨ_２）_７−，−（ＣＨ_２）_８−）、４．０（ｍ，４Ｈ，−ＣＨ_２Ｏ−）、４．９〜５．０（ｍ，２Ｈ，ＣＨ_２＝）、５．８〜５．９（ｍ，１Ｈ，＝ＣＨ−）、６．５〜７．５（ｍ，１６Ｈ，Ｐｈ）
・ＭＡＳＳ（ＤＩＥＩ）：５９２（Ｍ＋）
・ＩＲ（ＫＢｒ，ｃｍ−１）；３０８０〜３０２０（芳香族Ｃ−Ｈ伸縮振動）、２９２１〜２８５０（脂肪族Ｃ−Ｈ伸縮振動）、１６０４（Ｃ＝Ｃ伸縮振動）、１２５４（Ｃ−Ｏ−Ｃ逆対称伸縮振動）、１０２４（Ｃ−Ｏ−Ｃ対称伸縮振動）、８３７〜８２７（芳香族Ｃ−Ｈ面内変角振動）
・ＣＨＮ元素分析
理論値Ｃ；８５．０８％、Ｈ；９．５２％、Ｎ；０％
実側値Ｃ；８５．１１％、Ｈ；９．４４％、Ｎ；０％
【００７６】
【実施例３】
合成例２−１の１−ブロモオクタンを１−ブロモウンデカンに代えて合成例２−１〜２−３を実施し、ホスホニウム塩を得た。
次いで、下記反応式（１４）
【化２０】

に従って得られたホスホニウム塩（化合物（３５））と合成例１−５で調製した９−デセノキシスチルベンアルデヒド（化合物（２７））とを実施例１と同様に反応を行ってベンゼン誘導体（化合物（３６））を得た。
＜同定データ＞
・^１Ｈ−ＮＭＲ（δ、ＣＤＣｌ_３）；０．９（ｍ，３Ｈ，−ＣＨ_３）、１．３〜２．１（ｍ，３０Ｈ，−（ＣＨ_２）_７−，−（ＣＨ_２）_８−）、４．０（ｍ，４Ｈ，−ＣＨ_２Ｏ−）、４．９〜５．０（ｍ，２Ｈ，ＣＨ_２＝）、５．８〜５．９（ｍ，１Ｈ，＝ＣＨ−）、６．５〜７．５（ｍ，１６Ｈ，Ｐｈ）
・ＩＲ（ＫＢｒ，ｃｍ−１）；３０８０〜３０２０（芳香族Ｃ−Ｈ伸縮振動）、２９２１〜２８５０（脂肪族Ｃ−Ｈ伸縮振動）、１６０４（Ｃ＝Ｃ伸縮振動）、１２５４（Ｃ−Ｏ−Ｃ逆対称伸縮振動）、１０２４（Ｃ−Ｏ−Ｃ対称伸縮振動）、８３７〜８２７（芳香族Ｃ−Ｈ面内変角振動）
・ＣＨＮ元素分析
理論値Ｃ；８５．１１％、Ｈ；９．７４％、Ｎ；０％
実側値Ｃ；８５．００％、Ｈ；９．８０％、Ｎ；０％
更に、実施例１〜３で得られたベンゼン誘導体をＸ線回折分析、偏光顕微鏡による液晶相のｔｅｘｔｕｒｅの観察を行った結果、下記表１に示す相転移が明らかになった。
【００７７】
【表１】

【００７８】
【産業上の利用可能性】
上記したとおり、本発明の前記一般式（１）で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体は新規な化合物であり、該長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体は、液晶相としてスメクチック相を有する化合物であり、該長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体又は該誘導体から誘導される化合物を含有する液晶性材料は、例えば、該液晶性材料を液晶状態で電圧を印加するか、又は該液晶性材料を液晶状態の相転移で生じる固体状態で電圧を印加することにより電荷輸送を行う電荷輸送材料として、例えば、光センサ、有機エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ素子）、光導電体、空間変調素子、薄膜トランジスター、電子写真感光体の電荷輸送物質、ホトリソグラフティブ、太陽電池、非線形光学材料、有機半導体コンデンサー、その他のセンサー等に利用できることが期待できる。

Claims

下記一般式（１）

｛式中、Ｒ^１又はＲ^２は直鎖状又は分岐状のアルキル基、又は下記一般式（２）

（式中、Ｒ^３はメチル基、水素原子、Ｂはアルキレン基、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ_２）ｎ−（但し、ｎ＝１〜１８）、−Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ_２−、−ＣＯ−を示す。）で表される不飽和結合を有する基を示す。但し、Ｒ^１とＲ^２は同一の基となることはない。｝で表されることを特徴とする長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体。
下記一般式（３）

（式中、Ｒ^１は下記のとおり。）で表されるベンズアルデヒド誘導体と、下記一般式（４）

（式中、Ｒ^２は下記のとおり。Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６は１価の有機基、Ａはハロゲン原子を示す。）で表されるホスホニウム塩を塩基の存在下に反応させることを特徴とする下記一般式（１）

（式中、Ｒ^１とＲ^２は直鎖状又は分岐状のアルキル基、又は下記一般式（２）

（式中、Ｒ ^３はメチル基、水素原子、Ｂはアルキレン基、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ _２）ｎ−（但し、ｎ＝１〜１８）、−Ｃ _６Ｈ _４ −ＣＨ _２ −、−ＣＯ−を示す。）で表される不飽和結合を有する基を示す。但し、Ｒ^１とＲ^２は同一の基となることはない。）で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体の製造方法。
下記一般式（１）

（式中、Ｒ ^１とＲ ^２は直鎖状又は分岐状のアルキル基、又は下記一般式（２）

（式中、Ｒ ^３はメチル基、水素原子、Ｂはアルキレン基、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ _２）ｎ−（但し、ｎ＝１〜１８）、−Ｃ _６Ｈ _４ −ＣＨ _２ −、−ＣＯ−を示す。）で表される不飽和結合を有する基を示す。但し、Ｒ ^１とＲ ^２は同一の基となることはない。）
で表される長い直線的共役系構造部分を持つベンゼン誘導体又はそれから誘導される化合物を含むことを特徴とする液晶性材料。