JPH0575762B2

JPH0575762B2 -

Info

Publication number: JPH0575762B2
Application number: JP16988282A
Authority: JP
Inventors: Jee Hiigaa Aran; Kazumi Naito; Masao Kobayashi
Original assignee: Showa Denko KK
Current assignee: Resonac Holdings Corp
Priority date: 1982-09-30
Filing date: 1982-09-30
Publication date: 1993-10-21
Also published as: JPS5959705A

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は新規な電導性液晶ポリマーの製造方法
に関する。本発明により提供される新規な電導性液晶ポリ
マーは、ポリマーを構成する部分に液晶物質部分
と電荷移動錯体部分を有する電導性液晶ポリマー
である。本発明製造方法によつて提供されるポリマーを
模式的に例示すると次の第１表の通りである。

【表】上記第１表に於いてｎは重合度を示す。上記第
１表では液晶物質部分Ｌがスペーサー(1)を介して
幹モノマーに結合しているが、このスペーサーを
介さず直接結合していてもよい。又上記第１表で
は電荷移動錯体部分C_Tがスペーサー(2)を介して
液晶物質部分Ｌに結合しているが直接結合してい
ても差支えない。更にこれらＬとC_Tとが逆に結
合していてもよい。即ちC_Tが幹モノマーに直接
又はスペーサーを介して結合していてもよい。ｎ
は上記の如く重合度を示し、上記で示される繰り
返し単位によりポリマーを構成する。本発明ポリ
マーは、当該ポリマーを構成する部分にＬとC_T
とを有して成り、第１表には側鎖にＬとC_Tとを
有して成る例を示す。本発明のポリマーの好ましい例はＬとC_Tとが
化学的に結合した側鎖を有する電導性ポリマーで
ある。本発明のポリマーの好ましい例を一般式で示す
と次の（）式で示される。一般式

【化】但し、式中ｎ：重合度Ａ：幹ポリマーを構成する繰り返し単位 S₁：置換基 S₂：スペーサーとなる原子又は原子団 S₃：スペーサーとなる原子又は原子団Ｌ：液晶物質部分 C_T：電荷移動錯体部分式中のＬは液晶物質物質残基であり、液晶物質
は１種のみならず２種以上を使用してもよく、式
のＬの部分が、例えば、

【化】

【化】（但し、L₁、L₂は各液晶物質残基を示す）のように結合していてもよい。本発明の電導性ポリマーにおいて液晶残基は公
知の液晶物質を利用して導入することができる。液晶物質の導入（液晶残基）については液晶と
しての性格を失わないようにすることが必要であ
り、又液晶物質部分と電導性移動錯体部分との化
学的結合に際しても液晶的性質と電導性とを失わ
ないような結合の仕方が必要であり、これら液晶
物質による液晶残基の導入等については当業者で
あれば適宜その知識を活用して実施、改変が可能
である。液晶物質としては、ネマチツク、スメク
チツク、コレステリツク等各種構造のものが使用
される。中でも、電荷移動分子が立体的に揃い易
い等からスメクチツク液晶が好ましいが、ケース
バイケースである。それらの例として既に多くのものが提案されて
おり、例えば、昭和56年12月30日(株)オーム社発行
佐々木昭夫編「液晶エレクトロニクスの基礎と応
用」の205〜217頁に多くの例が示されている。本発明において使用される液晶物質としてネマ
チツク、スメクチツク液晶を例示すれば、(1)芳香
族系化合物として(a)アゾメチン系、

【式】(b)アゾ、アゾオキシ系

【式】

【式】(c)エステル系

【式】(d)スチルベン系

【式】(e)ビフエニル、ターフエニル系

【式】

【式】更に(2)トランス・シクロヘキサン系

【式】

【式】及び(3)ピリミジン系

【式】を挙げることができる。それらの具体的な化合物としては、(1)(a)Ｎ−
（４−エトキシベンジリデン）−４−ｎ−ヘキシル
アナリン、(b)４−エトキシ−4′−ｎ−ペンタノイ
ルオキシアゾベンゼン、(c)４−ｎ−ヘキシルベン
ゾイツクアシツド−4′−ｎ−ヘプトキシフエニル
エステル、(d)４，4′−ジエトキシ−トランス−ス
チルベン、(e)４−ｎ−ヘキシル−4′−シアノビフ
エニル及び(2)４−（トランス−４−ペンチルシク
ロヘキシル）ベンゾニトリル、(3)５−ｎ−ヘプチ
ル−２−（４−シアノフエニル）ピリミジン等を
例示することができる。又コレステリツク液晶を
例示すれば、コレスチロール誘導体、カイラル・
メソーゲン物質等を挙げることができる。それら
の具体的な化合物としては、コレステリベンゾエ
イト、４−（３−メチルペンチル）−4′−シアノビ
フエニル等を例示することができる。本発明の電導性ポリマーに於いて電導性の賦与
には電荷移動錯体が関与する。即ち、前記液晶残
基Ｌに直接又はスペーサーを介して結合している
ホスト成分（分子を含む）及びゲスト成分（分子
を含む）からなる電荷移動錯体によつて電導性が
発現する。ホスト部分（分子）としては電子受容
体（ドナー）が、ゲスト成分（分子）としては電
子受容体（アクセプター）が用いられる場合と、
その逆の場合もある。電子供与体（ドナー）の例には次のものが挙げ
られる。 (i) 芳香族炭化水素；フエナレン、フルオレンナ
フタレン、アンスラセン、フエナンスレン、ク
リセン（Chrysene）、ピレン、ペリレン、１，
２（又は３，４）ベンズピレン、パーリレン、
コロネン（Coronene）、ピランスレン、ビオラ
ンスレン（Violanthrene）、ビオランスロン、
イソビオラスレン、イソビオランスロン、アズ
レン、４，６，８−トリメチルアズレン、ヘキ
サメチルベンゼン、ジエトキシジナフトスチル
ベン、フタロシアニンβ−カロチン等 (ii) 脂肪族及び芳香族アミン；インドール、アク
リジン、Ｎ−メチルアクリジン、Ｎ−メチルキ
ノリン、ベンジジン、１−メチル−２−ピコリ
ニウムイオン、テトラメチルアンモニウムイオ
ン、トリメチルフエニルアンモニウムイオン等 (iii) ヘテロ芳香族アミン；

【式】

【化】

【化】共役塩基；

【式】

【化】 (iv) フルバレン誘導体

【化】但し、 Z₁〜Z₄；Ｓ又はSe原子 R₁〜R₄；水素原子又は炭素数が５以下のアル
キル基具体例；テトラチオフルバレン（TTF）、テト
ラメチルテトラチオフルバレン、テトラセレ
ノフルバラン、テトラメチルテトラセノンフ
ルバレン (v) フタロシアニン及びその誘導体 (vi) その他（C₆H₅）₃P⁺（CH₃）、（C₆H₅）₃As⁺−CH₃ 又電子受容体（アクセプター）の例には次のも
のが挙げられる。 (i) ハロゲン；I₂、Br₂、Ｉ−Cl (ii) 金属ハロゲン化物；AsF₅、SbF₅、SiFe、
PCl₅、PF₅、AlCl₃、AlBr₃、SnCl₄ (iii) テトラシアノキノジメタン（TCNQ）及び
その誘導体

【化】 (iv) テトラシアノエチレン（TCNE）及びその
誘導体 (v) 置換ベンゾキノン類ｐ−フルオロアニル、ｐ−クロロアニル、ｐ
−ヨードクロロアニル、ｏ−ブロモアニル、
２，３−ジシアノ−５，６−ジクロロベンゾキ
ノン、２，３−ジシアノ−５，６−ジブロモベ
ンゾキノン

【式】但しＸ、Ｙ、Ｚ、Ｗ；Br、Cl、Ｉ、Ｆ、CN

【式】但しＸ、Ｙ、Ｚ、Ｗ；上記に同じ (vi) トリニトロベンゼン例

【式】 (vii) パークロレート（ClO₄）その他電荷移動錯体として昭晃堂刊（1972年）
土田英俊訳著「高分子有機半導体」の113〜117頁
に示されているものが使用される。電荷移動錯体の合成はポリマー化するモノマー
の段階で行つても良いし、又はポリマー化した後
の段階で行つても良いが、ポリマー化した後に行
うのが好ましい。電荷移動錯体の合成は予め液晶
成分に結合させたドナー成分にアクセプター成分
を錯体化させても、予め液晶成分に結合させたア
クセプター成分にドナー成分を錯体化させても良
いが、予め液晶成分に結合させたドナー成分にア
クセプター成分を錯体化させることが好ましい。錯体化する方法としては化学的に錯体化する方
法と電気化学的に錯体化する方法があるが、いず
れの方法で行つても良い。これらの方法は従来公
知の方法で行つて良い。電荷移動錯体の生成はドナー成分分子とアクセ
プター成分分子の両溶液を混合するか又はドナー
成分分子とアクセプター成分分子を直接接触させ
ることによつて合成されるが、本発明ではそれら
の方法には特に制限はない。ドナー分子とアクセプター分子のモル比はドナ
ー分子１モルに対してアクセプター分子0.1〜10
モル好ましくは0.25〜４モル特に好ましくは0.4
〜３モルの範囲である。本発明電導性ポリマーに於ける前記一般式
（）中の置換基S₁の例としては、水素原子、ハ
ロゲン原子、脂肪族炭化水素残基、芳香族炭化水
素残基、それらのエーテル類、エステル類、ケト
ン類、アミド類、ウレタン類残基又はこれらが置
換された基がある。本発明電導性ポリマーに於ける前記一般式
（）中のS₂スペーサーとなる原子又は原子団の
例としては、（CH₂）_o1で表わされるメチレン列炭
化水素、−Ｏ−（CH₂）_o2で表わされるエーテル系
メチレン列炭化水素、−COO−（CH₂）_o3で表わさ
れるエステル系メチレン列炭化水素、

【式】骨格を有するシリコーン系化合物残基等がある。S₃スペーサーとなる原子又は原子団
の例としても同様のものが挙げられる。但しn₁〜
n₆は整数である。本発明の電導性ポリマーは、前記第１表に示す
如き、幹ポリマーに液晶残基と電荷移動錯体とを
共に有する側鎖を結合して成る電導性ポリマーで
例示される。本発明電導性液晶ポリマーに於ける前記一般式
（）中の幹ポリマーを構成する繰り返し単位Ａ
の例としては、Ｃ、Si、Ｐ、Cm（但し、ｍは２以
上の整数であり環を形成することもある。）、Ｏ、
CH₂、CF₂、CHF、

【式】、R₅（但し、前記以外の脂肪族炭化水素残基、芳香族炭化水素
残基、それらのエーテル類、エステル類、ケトン
類、アミド類、ウレタン類残基又はこれらが置換
された基）、−R₅−CH₂−（但し、R₅は前記R₅に同
じ）がある。本発明電導性ポリマーを構成する幹
ポリマーの例としては、シリコーン系ポリマー、
アクリル系ポリマー、メタアクリル系ポリマー、
スチレン系ポリマーがあり、他に縮合系ポリマー
例えばポリエーテル、ポリエステル、フエノール
ホルマリン樹脂、ポリカーボネート、ポリアミド
がある。又エポキシポリマー、ウレタンポリマー
等の重付加ポリマーであつてもよい。ポリマーの
重合度(n)は好ましくは10〜２万である。次に本発明の電導性ポリマーの製造方法の詳細
を説明する。 (1) モノマーの合成法液晶部分を持つ重合性モノマーの合成反応
は、特開昭55−21479号公報に記載の如き方法
が知られているが、本発明の電導性液晶ポリマ
ーもこれと類似の方法を採用することが出来
る。モノマー例；

【化】本発明の電導性ポリマーを合成する際のモノ
マーの製法の一例を上記で例示したモノマーに
より説明する。但し、上記に於いてR₆は水素、
メチル基等の有機基、m₁は整数である。又
R₇；

【式】Ｄ；（ドナー成分）芳香族炭化水素残基例えば

【化】 (B)成分の合成は例えば次式に従い行われる。

【化】又(C)成分の合成は例えば次式に従い行われ
る。

【化】上記で得られた〔〕式化合物と〔〕式化
合物とのエステル化により上記モノマーが得ら
れる。又R₇を−COO−（CH₂）_n2−COO（但し、m₂
は整数）、Ｄを

【式】とした場合の(C)成分の合成は次式に従い行われる。

【化】この〔〕式化合物と〔〕式化合物により
相当するモノマーが得られる。上記はエステル化によりモノマーを合成する
方法について説明したが、エーテル化により合
成する方法、グリニヤール反応、フリーデルク
ラフト反応、ウルツ反応等を利用したアルキル
化により合成する方法等も採用できる。 (2) ポリマーの合成法上記の如く合成されたモノマーを使用して重
合を行いポリマー化することができる。重合方
法としては溶液重合、塊重合、乳化、懸濁重合
等の各種の方法が採用される。特開昭56−
79173号公報に記載の如きシリコーンポリマー
との高分子反応を利用してもよい。又縮重合、
重付加も採用される。ポリマー合成および電荷移動錯体の合成（導
入）の反応式を次に模式的に示す。

【化】但し、〔Ac〕；アクセプター S₁、Ａ、S₂、S₃、ｎ；前記一般式〔〕に同じ〔Do〕；ドナー C_T；電荷移動錯体

【化】但し、〔Do〕；ドナー、〔Ac〕；アクセプター、C_T；
電荷移動鎖体S₁、Ａ、S₂、S₃、ｎ；前記一般式
〔〕に同じ本発明電導性ポリマーの電気伝導度は
10^-8Ω^-1・cm^-1以上好ましくは10^-6Ω^-1・cm^-1以上
である。本発明によれば新しい電導性液晶ポリマーが得
られた。従来有機電導性高分子としては、主鎖の
共役系を利用したポリマー例えばポリアセチレン
〔（CH）_x〕や金属などとの複合体を利用したもの
が提案されているが、本発明は側鎖の電荷移動錯
体（分子）を通じて導電性が発現するもので全く
新規なものであり、又電荷移動分子（Charge
Transfer molecules）の配列を液晶ポリマー特
有の動作機構でコントロール出来るのが大きな特
徴の一つとなつている。本発明ポリマーは電導度が温度でコントロール
されるので、これを利用した温度センサーとして
有用である。即ち液晶の転移転（結晶相（→スメ
クチツク相Ｓ→ネマチツク相Ｎ→等方性液体相
Ｉ）、幹ポリマーのガラス転移点と電導度とが相
間関係をもち電導度が温度でコントロールされる
のでこれを活用した用途に向いている。又電導度が電場でコントロールされる即ち液晶
の電場コントロールに従つて電導度が上るので増
幅器やセンサーとして有用であること、光学的特
性が電場でコントロールされる点は液晶ポリマー
と同じだが、電導性の付与により多様化されデイ
スプレイ特に多様化ニーズに応じたデイスプレイ
に使用できること、電気信号が記憶され、幹ポリ
マーの転移点以下で凍結されるのでメモリーとし
て有用であること、その他ゲスト分子により電導
性が向上し、静電場によつて電導性が変化するの
でソフトコピーとして使用できること、又圧電素
子、ガスセンサー、光起電力を利用した太陽電
池、電極、ガスクロマトグラフイー、超電導等と
して有用であり、他に電導性をさらに付与したこ
とに伴う各種用途が期待できる。従来の液晶分野
においても電導性の付与により新たな効果が期待
できる。本発明ポリマーを従来の有機電導体（低分子
物）と比較した場合、本発明ポリマーは可撓性、
成膜性、強度、接着性、透明性、機能性等に於い
て優れており、又既存の電導性高分子例えばポリ
アセチレン、ポリパラフエニレン、ポリピロール
等に比しても成型性、耐久性、機能性、透明性に
優れ、更に在来の液晶ポリマーと比較してもポリ
マー自身が電導性の機能を有しているから、表示
素子として用いた場合、従来の液晶ポリマーの如
き電導性の電極が不要であるばかりでなく、その
応答速度も早いから工業的に非常に有用である。以下に本発明を実施例を以つて説明する。実施例１ −１４−（２−プロペノイルオキシ）−エトキ
シ−安息香酸の合成

【化】ｐ−（２−ヒドロキシエトキシ）−安息香酸50
ｇ、アクリル酸120ｇ、ｐ−トルエンスルフオン
酸５ｇ、および重合禁止剤としてハイドロキノン
５ｇをクロロフオルム200mlにとがし水分離器と
還流冷却器をとりつけた500mlフラスコ中で５時
間還流させる。反応溶液を冷却してからエーテル
約１中に注ぎ、毎回200mlの水を用いて５回洗
滌する。Na₂SO₄でエーテル相を乾燥した後、溶
媒をストリツプし、生成物を少量のエタノールに
溶かし、石油エーテルを溶液がやつと透明を保つ
まで加える。−15℃に冷却すると生成物が沈降す
る。薄層クロマト（シリカゲル、移動相は４：１
の酢酸エチル／ヘキサン混合液）で純粋と認めら
れるまで再結晶を繰返す。 −２１−フエナレニル−４−ヒドロキシベン
ゾエートの合成

【化】フエナレノン100ｇおよびNaBH₄3ｇをテトラ
ヒドロフラン（THF）１に溶かし、50℃で８
時間反応させ、フエナレノールを得た。得られたフエナレノール90ｇとｐ−ヒドロキシ
安息香酸140ｇをTHF1に溶解し、濃硫酸１ml
を加え、３時間還流した。THFを留去後、生成
物を水で充分洗滌し、赤外線吸収スペクトルのエ
ステル基の特性吸収（1200cm^-1、および、1720cm
^-1）により、１−フエナレニル−４−ヒドロキシ
ベンゾエートの80ｇ（フエナレノール基準で収率
50％）が得られたことを確認した。 −３４−（２−プロペノイルオキシ）−エトキ
シ−安息香酸と１−フエナレニル−４−ヒドロ
キシベンゾエートのエステル化反応

【化】４−（２−プロペノイルオキシ）−エトキシ安息
香酸6.2ｇ、１−フエナレニル−４−ヒドロキシ
ベンゾエート15ｇおよび重合禁止剤として１，３
−ジニトロベンゼン数mgを滴下ロートおよび乾燥
管（CaCl₂）を備えた250mlのフラスコ内で純テ
トラヒドロフラン（無水）60mlおよびCH₂Cl₂30
ml中に溶解した11.3ｇのジシクロヘキシルカルボ
ジイミドを前記溶液に撹拌下にゆつくり滴下す
る。混合液は０℃で約３時間撹拌し、その後室温
で１晩置く。次いで沈降したジシクロヘキシルウ
レアをロ別し、溶液を濃縮する。残査をアセトニ
トリル中にとり、沈澱して来た尿素を再びロ別す
る、その後アセトニトリルをストリツプする。粗
生成物を酢酸エチル中にとり、−15℃に冷却して
結晶を生ぜしめる。沈澱した生成物を吸引ロ過す
る。再結晶をくり返して薄層クロマトグラフイー
で不純物が検出されなくなるまで精製する。精製物の元素分析値は以下の通りで目的物が得
られていることが確認された。Ｃ＝74.0％Ｈ＝4.5％Ｏ（残部）＝21.5％実施例２ −１４−〔２−（２メチルプロペノイルオキ
シ）−エトキシ〕−安息香酸の合成

【化】ｐ−（２−ヒドロキシエトキシ）−安息香酸50
ｇ、メタクリル酸130ｇ、ｐ−トルエンスルホン
酸５ｇ、および重合禁止剤としてハイドロキノン
５ｇをCHCl₃200ml中に溶かし、溶液を水分離器
および還流冷却器を取付けた500mlフラスコ中で
約６mlの水が分離されるまで還流させる（約20時
間）。冷却した溶液を約１のエーテル中に導入
し、毎200mlの水で５回洗滌する。Na₂SO₄で溶
液を乾燥した後、溶媒をストリツプし、粗生成物
は−１で述べたようにして再結晶する。 −２４−（１−オキソ−3′−フルオランセニ
ルメチル）フエノールの合成

【式】フルオランセン115ｇとAlCl₃2ｇをエーテル１
中に溶かしｐ−ヒドロキシ安息香酸クロライド
のエーテル溶液１を室温にて３時間にわたつて
滴下した反応物を２Kgの氷の上にわけ、油層を分
離する。次に残査にエーテル、ベンゼン混合物を
加える。エーテル層を分離し再結晶をくりかえ
す。赤外線吸収スペクトルのケトンの特性吸収
（1650cm^-1）を持つ白色結晶100ｇ（フルオランセ
ン基準で約50％の収率）が得られた。 −３４−〔２−（２メチルプロペノイルオキ
シ）−エトキシ〕−安息香酸と４−（１−オキソ
−3′−フルオランセニルメチル）フエノールと
のエステル化反応

【化】ナトリウム4.6ｇを200mlフラスコ中で無水アル
コール100ml中に溶解し、次いで３−フルオラン
セニル−ヒドロキシフエニルケトンの30ｇを加え
た。溶液を−15℃まで冷却し、４−〔２−（２−メ
チルプロペノイルオキシ）−エトキシ〕−安息香酸
22.7ｇと塩化チオニル40mlとから作られた酸クロ
ライドを撹拌ドにゆつくり滴加する。次いで溶液
を−15℃で４時間撹拌し、その後室温に１晩置
く。全体をエーテル500ml中にとり、NaHCO₃水
溶液で１度洗滌し、水100mlでの洗滌を３回行な
う。Na₂SO₄で乾燥した後、溶媒をストリツプす
る。粗生成物を酢酸エチル中にとり、−15℃に冷却
して結晶を生じせしめる。沈降した生成物を吸引
ロ過する。再結晶をくり返して薄層クロマトグラ
フイーで不純物が検出されなくなるまで精製す
る。精製物の元素分析値は以下の通りで目的物が得
られていることが確認された。Ｃ＝78.0％Ｈ＝4.6％Ｏ（残部）＝17.4 実施例３ −１４−（２−プロペノイルオキシ−エトキ
シ）−フエノールの合成

【化】ｐ−（ヒドロキシエトキシ）−フエノール50ｇ、
アクリル酸110ｇ、ｐ−トルエンスルフオン酸５
ｇおよび重合禁止剤としてハイドロキノン５ｇを
クロロホルム200ml中で、水分離器および還流冷
却器を取付けた500mlフラスコ中で５時間還流さ
せる。次いで冷却された反応溶液を約１のエー
テル中に導入し、200mlの水による洗滌を５回行
なう。エーテル相をNa₂SO₄で乾燥した後、溶媒
をストリツプし、生成物をエタノール中に溶解
し、石油エーテルを溶液がやつと透明を保つまで
加える。−15℃に冷却すると生成物が沈澱する。
薄層クロマト（シリカゲル、移動相として４：１
の酢酸エチル／ヘキサン混合液を用いる）で純粋
と見られるまで再結晶を繰返す。 −２４−（１−オキソ−3′−フルオランセニ
ルメチル）安息香酸の合成

【式】フルオランセン115ｇとAlCl₃2ｇをTHF1に
溶かし、テレフタール酸モノクロライドモノメチ
ルエステル184ｇのTHF溶液１を室温にて３時
間にわたつて滴下した。反応物を２Kgの氷の上に
あけ、油層を分離する、THFをエバポレーター
で留去し残査にエーテル／ベンゼン混合物を加え
る。エーテル層を分離しアルカリで加水分解後再
結晶をくりかえす。赤外線吸収スペクトルのケトンの特性吸収
（1650cm^-1）を持つ白色結晶103ｇ（フルオランセ
ン基準で約50％の収率）が得られた。 −３４−（２−プロペノイルオキシ−エトキ
シ）−フエノールと４−（１−オキソ−3′−フル
オランセニルメチル）−安息香酸のエステル化
反応

【化】常法によりエステル化反応を行い、実施例−
３、−３と同様に精製を行う。精製物の元素分析値は以下の通りで目的物が得
られていることが確認された。Ｃ＝77.4 Ｈ＝5.0 Ｏ（残部）＝17.6 実施例４ −１重合反応実施例１〜３で合成された重合性モノマーをそ
れぞれトルエン10％に溶解し、アゾイソブチロニ
トリルをフリーラジカル開始剤として酸素の不存
在下に60℃20時間溶液重合した。次いで生成ポリ
マーを重合溶液に対して10倍量のメタノールで沈
澱させ、遠心分離し、乾燥する。得られたポリマ
ーの収率は第２表の通りである。

【表】ここで得られたポリマーは、それぞれ150℃以
下で軟化し、50Kg／cm²程度の圧力でプレスするこ
とによりフイルム化することができる。 −２ゲスト分子との錯体化 −１で得られたポリマー（アゾイソブチロニ
トリル４％により重合したポリマー）をそれぞれ
を酢酸エチルに２％溶解し、ヨウ素（ゲスト分
子）の酢酸エチル10％溶液を滴下した。２時間撹
拌した後酢酸エチルを留去しそれぞれの電導性ポ
リマーを得た。このヨウ素処理をしたものも50Kg／cm²の圧力で
プレスしてフイルム化することができるが、プレ
スの際アクセプアターの一部が離脱するのでフイ
ルム化した後再度アクセプターを導入しておくこ
とが電導性を高くするには好ましい。

【表】

【表】ここで得られたC_I化ポリマーは空気中で安定で
あつて、加速テストの結果数年間は電導性の劣化
はないものと予想される。この錯体化されたポリ
マーの温度を上げていくと80〜120℃前後では電
導性が２桁〜３桁減少し、この温範囲以下におい
ては高い電導性を有する。またゲスト分子としてクロラニルとテトラシア
ノキノジメタンを使用したときは電導度は次のよ
うになる。

【表】実施例５ −１４−（２−プロペニルオキシ）−安息香酸
−4′−フエナレニル−フエニルエステルの合成

【化】４−ヒドロキシ−安息香酸を苛性ソーダの存在
下で臭化アリルと反応させた。粗生成物をエタノ
ールから再結晶した。得られた４−プロペニルオキシ安息香酸を過剰
の塩化チオニル中に溶解し、還流器を付けて煮沸
し、引続き未反応の塩化チオニルを真空蒸留し、
残留する酸クロリドをテトラヒドロフラン中にと
つた。 −２と同様な方法で製造した。１−フエナレ
ニル−４−ヒドロキシベンゾエートをテトラヒド
ロフラン中に溶解し、上記のテトラヒドロフラン
中の酸クロリドの等モル量を冷却しながら滴下し
た。反応温度は５℃であつた。添加終了後、更に
１時間煮沸還流した。引き続き反応生成物を氷水
中に入れ、中和し、沈澱として生ずる粗生成物を
ロ別した。得られた４−（２−プロペニルオキシ）−安息香
酸−4′−フエナレニルオキシカルボニルフエニル
エステルをエタノールから再結晶した。 −２メチル−水素−ポリシロキサンと−１
の生成物とのグラフトポリマー式

【式】のメチル−水素−ポリシロキサンおよび−１の
生成物の等モル量をテトラヒドロフラン中に溶か
した。引き続きヘキサクロロ白金酸を総量に対し
て10ppmの量で添加した。反応混合物を一夜50℃
に保持した。得られたオルガノポリシロキサングラフトポリ
マーをメタノールで沈澱させ、最後に真空中で乾
燥した。 −３ゲスト分子との錯体実施例−２と同様な方法でI₂をゲスト分子と
して錯体化した元素分析によるゲスト／ホスト比
は１：１であつた。このC_T化されたポリマーの電導性は３×
10^-5S・cm^-1、クロラニルでC_T化したときは１×
10^-5S・cm^-1、テトラシアノキノジメタンでC_T化
したときは８×10^-5S・cm^-1であつた。

Claims

【特許請求の範囲】

１エチレン性二重結合を有する化合物の側鎖に
スペーサーを有するかまたは有しない液晶性物質
を反応・結合させ、続いてこの部分に電荷移動錯
体部分を反応・結合させまたは逆の順に合成をし
て側鎖に少なくとも液晶物質部分と電荷移動錯体
部分（ポリマーとした後にゲスト成分を結合させ
て電荷移動錯体部分にできるものであつてもよ
い。）を有するモノマーを合成した後、該モノマ
ーを重合させ、電気伝導度が10^-8S・cm^-1以上の
電導性ポリマーの製造方法。