JPS5959705A - 電導性液晶ポリマ− - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は眉−「規なｍｍ・性液晶ポリマーに関する。

液晶は、その訪屯率、磁化率若しくは屈折率等に於いて
大きな異方性を示す。この液晶特有の性質を適宜組み合
せて、液晶を各種表示装置６等に応用しようとする試み
が盛んに行われており、現に電卓等各種製品が上布され
、今後とも液晶の特徴を生かした各種製品の実現化が活
発に行われるものと推測される。

液晶については上記の如き応用的側面のみならず、液晶
物性等の基礎的な研死も盛んに行われているが、未だ′
電導性を賦与した液晶ポリマーはない。

本発明は液晶としての性格を備えるとともにｍ４性をも
賦与した従来にないｉ［規屯専性戒晶ポリマーを提供す
ることを目的としたものである。

本発明により提供される〃［却、な屯祷８性液晶ポリマ
ーは、ポリマーを構成するｆ′ｉｉ（分に液晶物質部分
と電荷移動錯体部分を何する屯青性液晶ポリマーである
。

本発明の電導性液晶ポリマーを倶式的に例示すると次の
第１表の辿りである。

上記第１表に於いてｎは重合度を示す。上記第１表では
液晶物質部分りかスペーサ−（１）を弁して幹モノマー
に結合しているん・、このスペーサーを介さず直接結合
していてもよい。又上記第１表では重荷移動錯体部分Ｃ
Ｔ　かスペーサー（２）を介し゛Ｃ液晶物質部分りに結
合しているか直接結合していても差支えない。更にこれ
らＬとＣとが逆に結合していてもよく、即ちＣＴ　が幹
モノマーに直（妾又はスベーザーを介して結合していて
もよい。ｎは上記の如く重合度を示し、上記で示される
繰り返し単位によりポリマーを構成する。本発明ポリマ
ーは、当該ポリマーを構成する部分にＬとＣＴ　　とを
有して成り、第１表には側鎖にＬとＣ１とを有して成る
例を示す。

本発明のポリマーの好ましいＷＩＪはＬとＯＴ　　とが
化学的に結合した側鎖を有する重心性液晶ポリマーであ
る。

本発明のポリマーの好ましい例２一般式で示すと次の（
ＩＪ式で示される。

一般式 但し、式中 ｎ：重合度 Ａ：幹ポリマーを構成する繰り返し単位Ｓ１：置換基 Ｓ°スベーザーとなる原子又は原子団 １１ Ｓ°スベーザーとなる原子又は原子団 ３１′ Ｌ：液晶物置部分 Ｃ０二電荷移励錯体部分 式中のＬは液晶物質残基であり、液晶物質（１１独のみ
ならず２種以上を使用してもよく、式のしの部分か、例
えば、 （但し、Ｌ　１＊　Ｌ２は各液晶物質残基を示す）のよ
うＶこ結合していてもよ０゜ 本発明の鑞尋性液晶ポリマーにお（・て／１０ｈ残基は
公知の液晶物質を利用して尋人すること力・できる。

本発明の電導性液晶ポリマーは液晶としての性格を伽え
るとともに電導性をも賦与して成るものである。

液晶物質の尋人（液晶残基）については液晶としての性
格を失わないようにすることが必要であり、又液晶物質
残基と電導性移＠錯体１（１５分との化学的結合に際し
ても液晶的性質と゛屯４に性とを失わないような結合の
仕方が必要であり、これら液晶物質による液晶残基の尋
人等については当業者であれば過室その知識を活用して
実施、改変が可能である。液晶物質としては、ネマチッ
ク、スメクチック、コレステリック等各種構造のものか
使用される。中でも、電荷移動分子が立体的に揃い易い
等からスメクチック１１ｉ晶が好ましいが、ケースバイ
ケースである。

それらの１刊として既に多くのものが提案されており、
レリえば、昭和５６年１２月６０日（抹）オーム社発行
佐々木昭夫編［液晶エレクトロニクスの基礎と応用」の
２０５〜２１７頁に多くの例が示されている。

本発明において使用される液晶物質としてネマチック、
スメクチック故晶を例７Ｊ＜ずれば、（１）更に（２）
トランス・シクロヘキザン系（−？ｅ（◇Ｘ→→及び（
３）ピリミジン糸（−ＣＺ＋）を挙げることができろ。

それらの具体＋ｊ’ｑ　２．Ｃ（ヒ合１勿としては、（
１）（ａ）　Ｎ　−（４−エトキシベンジリデン）−４
−ｎ−へキシルアニリン、（ｂ）４−工トキシ−４／−
〇−ペンタノイルオキシアゾベンゼン、（’）’ｓ　−
”−へキシロベンゾイソクア７ント゛−４７−ｎ−ヘフ
トキシフエニルエステル、　（ｄ）４．４’−シエトキ
シートランスースナルベン、（６）４−ｎ−へキシル−
４′−シアノビフェニル及ヒ（２１４−（トランス−４
−ペンチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル、（３１５
−ｎ−ヘプチル−２−（４−シアノノエニル）ピリミジ
ン等を例示することがでとる。又コレステリンク液晶を
例ン１’：　スＪしハ、ニゴレステロール誘導６Ｅ　、
力・イラン・メソーゲン物ヱ′ｆ浄を挙げることができ
る。それらの具体的な化合物としては、コレスフーリベ
ンゾエイト、４−（６−メチルペンチル）　−４７−シ
アノビンエニル等をｈｕ示′するこ、とができる。

木うｄ明の亀々１１・１ｃ夜晶ポリマーに於い′Ｃ電導
性の賦与には電荷移！ｉ！υ錯体が関与する。即ち、前
記ｔｔｋ晶残基りにｌ１１Ｌ接又はスペーサーを介］−
て結合しているホスト成分（分子を含む）及びゲスト成
分（分子を含む）からなる電荷移動錯体によって也導け
が元曳する。ポスト成分（分子）どしてはＦｔｉ子供与
イ１り（ドナー）が、ゲスト成分（分子）としてはＫ（
予覚ゼ体（アクセプター）が用いられる場合とその逆の
場合もある。

電子供与体（ドナー）の圀には次のものが挙げられる。

（１）芳香族炭化水素；ナンタレン、アンスラセン、フ
ェナンスレン、クリセン（Ｃｈｒｙｓｅｎａ）、ピレン
、ペリレン、１．２（Ｘはｓ、４　）ベンズピレン、パ
ーリレン、コロネン（Ｃｏｒｏｎｅｎｅ）、ピレンスレ
ン、ビオランスレン（Ｖｉｏｌａｎｔｂｒｅｎθ入ビオ
ランスロン、イソビオランスレン、インビオランスロン
、アズレン、４，６．８−１−リメチルアスレン、ヘキ
ザメチルベンセン、ジエＩ・キシジナフトスチルベン、
フタロシアニンβ−力ａチン等 （１１）　　脂肪族及び芳香族アミン；インドール、ア
クリジン、Ｎ−メチルアクリジン、Ｎ−メチルキノリン
、ベンジジン、１−メチル−２−ピコリニウムイオン、
テトラメチルアンモニウムイオン、トリメチルフェニル
アンモニウムイオン等 （Ｉｌｌ）　　へテロ芳香族アミン： Ｈ６０Ｈ６ −５ （１ｖ）　　フルバレン誘導体 但し、ｚ１〜Ｚ４；Ｓ又はＳｓ　　原子Ｒ１〜Ｒ４；水
素原子又は炭素数が５以下のアルキル基 具体例；テトラチオフルバレン（１゛ＴＦ）、テトラメ
チルテトラチオノルバレン、テ トラ−しレノフルパンツ、ブトラメチ ルテトラセノンフルバレン （Ｖ）　　フタロシアニン及びぞのｉ；’Ｉｊ　ｇ７．
　体又重子受容体（アクセプター）の１９１には次のも
のが挙げられる。

（１）ハロゲン；　Ｉ２．Ｂｒ、Ｉ−（１！ｊ？（１１
）金属ハロゲン化物；　ＡｓＦ３　＋　ＳｂＦ５　＋　
ＳＩＦθ、ｐｃｚ５゜ＰＦ　、ＡｌＣ１、ｋｌＢｒ　、
５ｎＣ１４５３３ （ｌｉｔ）　　テトラシアノキノジメタン（ＴＧＮＱ）
　　及びその誘４体 （１ｖ）　　テトラシアノエチレン（ＴＯＮＥ）　　及
びその誘導体 （Ｖ）　　置換ベンゾキノン類 ｐ−フルオロアニル　ｐ−クロロアニル、Ｊ）−ヨー１
’クロロアニル、０−ブロモアニル、２．３−ジシアノ
−５，６−シクロロペンゾキノン、２，３−ジシアノ−
５，６−ジフロモベンゾギノン ’Ｉ　　Ｘ Ｗ （Ｖｌ）　　トリニドｌ−１ベンゼン 例　　　；１０２ 位１１）　　バークロレート（Ｃ１０４）その他屯荷移
励錯体と（２て昭晃堂刊（１９７２年）土田英ｆ夕訳者
Ｕ高分子有機半導体」の１１３〜１７７頁に示されてい
るものが使用される。

電荷移動錯体の合成はポリマー化するモノマーの段階で
行っても艮いし、又はポリマー化した後の段１着でイｊ
つても良いが、ポリマー化し７こ後に行うのか好ましい
。電荷移動錯体の合成は予め液晶成分に結合させたドナ
ー成分にアク上１ブター成分な錯体化させても、予め液
晶成分に結付させたアクセプター成分にドナー成分な錯
体化させても良いが、予め液晶成分に結合させたドナー
成分にアクセプター成分を、Ｈｋ体化させることが好ま
しい。

錯体化する方法としては化学的に錯体化する方法とｕｔ
気化学的に錯体化’ｉ−／、）方１人かあるが、いずれ
の方法で行っても良い。これらの方法は従来公知の方法
で行って良い。

電荷移動錯体の生成＆１　トナー成分分子と１クセブタ
−成分分子の両ｍ液を混合づ−るか又（・末ドナー成分
分子とアクセプター成分分子を直接接触さゼーることに
よって合成されるが、本発明ではそれらの方法には特に
ｆｆ１Ｊ限はない。

ドナー分子とアクセプター分子のモル比はドナー分子１
モルに対してアクセプター分子０．１〜１０モル好まし
く　＋ｐ、０．２５〜４モル特に好ましくは０．４〜６
モルの範囲である。

本発明電導性液晶ポリマーに力分ける前記一般式（ｒ）
中の１置換Ｍ　Ｓｌ　　の例としては、水素原子、ハロ
ゲン原子、廁肋族炭化水素残基、芳香族炭化水系残基、
それらのエーテル屋【、エステル類、ケトン刈、アミド
類、ウレタン類残基又はこれらが尚１漠された基がある
。

本発明ｉＫ　６件敢晶ポリマーに於ける前記一般式（１
）中の８２　　スペーサーとなる原子又は原子団の例と
しては、（ＣＨ２）ｎｌで表わされるメチレン列炭化水
素、−０−（ＣＨ２）。２　で表わされるエーテル系メ
チレン列仄化水素、−ｃｏｏ−（ａＨ２）ｎ３　　で表
わされるニスデル系メチレン列灰化水素、〜Ｓ　ｉ　−
０−骨格を有するシリコーン系化は物残基等がある。Ｓ
３　　スペーサーとなる原ｆ−又は原子団の例としても
同様のものが挙げられる。但しｎ１〜ｎ６は整数である
。

本発明の電導性液晶ポリマーは、前記第１表に示す如き
、幹ポリマーに敢晶残基と電荷移動錯体とを共に有する
側鎖を結合して成るＥＵ、導性（（ｌ晶ポリマーで例示
される。

本発りｊ鑞心性液晶ポリマーに於けるｔｊｉＪ　ｒｆ：
　−１ｉ父式（Ｉ）中の幹ポリマーを構成する１（イ２
り返しＪ４を位への例としては、Ｃ＋　ｓｘ　＋　ｐ　
＋　Ｃｍ　（但し、ｍは２以上の企数であり垢を形成す
ることもある。）、ＭＪ記以外のノ猶肋歓炭化水素残基
、芳香族炭化水系残基、それらのエーテルカ１、エステ
ル団、ケへンシフ八　アミド類、ウレタンプＡ残基又は
こＪｔらが置換された基）、−Ｒ５−ＣＨ２−（但し、
Ｒ５は前記Ｒ５に同じ）がある。本発明電専性液晶ポリ
マーを構成する幹ポリマーの？ｌＪとして（よ、シリコ
ーン系ポリマー、アクリル糸ポリマー、メタアクリル系
ポリマー、スチレン系ポリマーかあり、他に組合系ポリ
マートリえはポリエーテル、ポリエステル、フェノール
ホルマリンイ’ｊ：ｌ　）ｋ　、ポリカーボネート、ポ
リアミドかある。又エボキシボリマー、５ン１／クンポ
リマー等の車ＩＪ加ポリマーであってもよい。ポリマー
の重合Ｊ！ｉ　（ｎ、）は好ましくは１０〜２万である
。

次に本発明の砲？、！ｊ性液晶ポリマーの製７ｈ方法の
ｉ＋’ｆ”１ｕｌｌ　”ｔ　ｉ況明−Ｊ−７，、。

リ　モノマー〇計成法 液晶部分令ｒ竹つ１（【付注七ツマ−の合成反応は、特
開昭５５−２１４７９号公報に記載の如き方法か知られ
ているか、木兄すｉ」の′電導性液晶ポリ本発明の亀碑
性液晶ポリマーを合成−「る際のモノマーのｊ・２法の
一例を上６ａで例示したモノマーにより説明する。但し
、上記に於いてＲ６は水素、メチル基等の有４１ハ　ｍ
ｌ　　は整数である。

又Ｒ，；−ｃ−ｏ−１Ｄｔ（ドナー成分）芳香族炭１ 化水紫残基例えば （Ｂ）成分の合成は例えは次式に従い行われる。

Ｒス 叉（０）成分の合成は例えば次式に従い行われる。

Ｈ 上記で得られ１こ〔１ｖ〕式化合物とＬＶＪ式化合物と
のエステル化により上記モノマーが４’４　’）　Ｊし
る。

又Ｒ７を〜ｃｏｏ−（ｃＨ２）、Ｒ２−ｃｏｏ　　（但
し、ｍ２はは次式に従い行われる。

Ｈ この（ｖ１］式化０りと１Ｊｖ１式化合物によりイ（］
尚するモノマーが得られる。

上記はエステル化により七ツマ−を合成する方法につい
゛Ｃ説明したが、エーテル化により合成す、５万級、グ
リニヤール反応、フリーデルクラフト反応、クルン反応
寺をオＵ用したアル；ｖ・ノ１／化により合成Ｉ−る方
・−ξ等も採用でさぁ。

２）ポリマーの合成法 上記の如（合）戎されたモノマーを便用して重合２行い
ポリマー化することができ七〕。束合方法としてはｌｒ
乎液液４４ｉ会塊止合、乳化、１び濁重合等の％＜：Ｍ
の方法が採用される。特開昭５６−７９１７５号公報に
記載の如きシリコーンポリマーとの高分子反↓１：、、
を利用してもよ（・。又縮重合、止イζＪ加も採ＪＩＪ
される。

ポリマー合成および電荷移〆１ｂ　ｋ’Ｗｉ体の合成（
ｆＬ入）の反応式を次に４に式的にポす。

■　Ｓｌ −Ａ　−＋（Ａｃ）−Ｎａ ５２−ｂ−ｓ３−ｃｚ Ｓ２−Ｌ−８３−（Ａｃ）　　５２−ｔ、−５３（Ａｃ
）　　５２−ｔ、−５３−ｃ。

但し、［Ａｃ］；アクセプター Ｓｌ、　Ａ、Ｓ２．Ｓ３．ｎ；前記一般式〔υに同じ〔
ＤＯ〕；　ドナー ＯＴ　　を電荷移動錯体 ■　ｓｌ Ａ　−＋　［Ｄｏ］−Ｎａ ５２−Ｌ−３３−Ｃｊ？ 但し、〔Ｄｏ〕；ドナー、　［Ａ、ｃ］；アクセプター
、ＣＴ；電荷移動錯体 Ｓ　１＋　Ａ　＋　３２　＋　ｂ　５　＋　ｎ　；前記
一般式（υに同じ不発ツｊ屯ｍ性液晶ポリマーの屯気伝
咄度は１０−８Ω−’−ｃｒｎ””’以上好ましくは１
０−’Ｍ−’・ｃｔｎ−’以上である。

本冗明にＪ、わ、は新しい砲４す件液晶ポリ７−が得ら
ｉｔ　７こ。従来有磯電導性ｄ’ｔ３分子としＣは、主
鎖の共役系をオリ用したポリマーｆｉｌえばポリアセチ
レン［（０１（）ｘ］やる２稿／よどとの複合体４：　
ｉｌ」用したものが提案さｉｃているが、本発明は側鎖
の電荷＃勤錯体（分子）を通じて４３屯注が元現するも
ので全く新規なものであり、又電荷移動分子（Ｃｈａｒ
ｇｅ　Ｔｒａｎｓｆ８ｒ　ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ）の配夕
１」を孜晶ポリマー儀有の動作４幾借でコントロール出
来るのが大きな％徴の一つとなっている。

本発明ポリマーを１−電冶度が温度でコントロールされ
るので、これを利用した温匿センザーとして有用である
。即ち液晶の転移点（結晶相（→スメクチック相Ｓ→ネ
１チンク相Ｎ−＋等方性液体相工）、幹ポリマーのガラ
ス転移点と電導度とが相聞関係をもち奄辱度が温度でコ
ントロールされるのでこれを活用した用ヵ１に向いてい
る。

又？（ｉ導度が電場でコントロールされる１、ＩＩＪち
液晶のｔｎ場コントロールに従って電導度が上るので増
１ｉｊΔ器やセンサーとして慣用であること、光掌的４
￥注が電場でコントロールされる点は液晶ポリマーと同
じだが、電導性の・１ζ４与により多（ｙ化されディス
プレイ特に多様化ニーズに応じ７こディスジ１／イに使
用できること、電気信号が記゛１、はされ、幹ポリマー
の転移点以下で凍結されるのでメモリーとし゛〔有用で
あること、その他ゲスト分子により電導性が同上し、静
電場によ−って電導性が変化するのでソフトコピーとし
テ使用できろこと、又圧箪累子、ガスセンサー、光起電
力を利用し１こ大同電池、電極、ガスクロマトグラフィ
ー、超電４等として何月であり、他に電導性をさらに付
与し７こことに伴う各イ重用定か期待できる。従来の液
晶分野においても′ｔＪＮ１性の付与により新たな効果
が期待できる。

本発明ポリマーを従来の好機電導体（低分子物）と比較
した場合、本発明ポリマーは可撓性、。

成膜性、強ＩＡ′〔、接）１イ性、透明性、機能性等に
於いて医れており、又既存の電導性高分子例えばホリア
ーヱチレン、ポリパラフェニレン、ポリピロール等に比
しても成型性、耐久性、機能性、透明性に汲れ、更に在
来の液晶ポリマーと比較してもポリマー自身か電導性の
機能を自しているから、表示素子として用いた場合、従
来の液晶ポリマーの如き７ｒｔ　ａ性の電極が不要であ
るばかりでなく、その応答速度も早いから工業的に非常
に有用である。

以下に本発明を実施例を以って説明する。

実施例１ ■−１４−（２−グロベノイルオキシ）−エトギシー安
息香ばの合成 ｐ−（２−ヒドロキシエトキシ）−々３　、ｌａ、香酸
５０１１アクリルＤシ１２ｏ１．ｐ−トルエンスルフォ
ン＞　５１’ｓおよび重合禁止剤としＣ−・イドロキノ
ン５Ｉをクロロフォルム２００ｍ１にとかし水分離器と
還流冷却器をとりつげた５００ｍ１フラスコ中で５時間
還流させる。反応溶液を冷却してからエーテル約１１！
中に注ぎ、毎回２０（Ｊｒｎｌの水を用いて５回洗滌す
る。Ｎａ２５ｏ４でエーテル相を乾燥した後、溶／Ｊ、
１＾をストリッツし、生成物を少量のエタノールに溶か
し、石油エーテルを溶液がやっと透明を保つまで加える
。

−１５°Ｃに冷却すると生成物が沈降する。薄層クロマ
ト（シリカゲル、移動相は４：１の酢酸エチル／ヘキサ
ン混合液）で純粋と一１怠められるまで再結晶を繰返す
。

■−２１−ツェナレニル−４−ヒドロキシベンゾエート
の合成 フェナレノン１００ｇおよびＮ’ａＢＨ４５ｆ／をテト
ラヒドロフラン（ＴＨＦ）　Ｉ　Ｉ！に溶かし、５０℃
で８時間反応さゼ、ンエナレノールを得た。

得られたツェナ１／ノール９０ｙとｐ−ヒドロキシ安息
香Ｈｒ２　ｔ　４０　ｉをＴＨＦ　１１に溶ｈ′γし、
濃硫酸１１ｎノを加え、３１１６間還流した。ＴＨＦを
留去後、生成物を水で充分洗滌し、赤外線吸収スペクト
ルのエステル基の特性吸収（１２００ｃｎｒ１、および
、１７２０　ｃＩＦｌ）により、１−７エナレニルー４
−ヒドロキシベンゾエートの８０９（フエナレノール基
準で収率５０％）が得ら牙またことを確認した。

■−５４−（２−グロベノイルメキゾ）−エトキシ−安
息香酸と１−フエ、ノーレニルー４−ヒドロキシベンゾ
エートのエス テル化反応 ４−（２−グロペノイルオキシ）−エトキシ安息香８６
．２ｇ、１−ツェナレニル−４−ヒドロキシベンゾエー
ト１５ｇおよび重合禁止剤として１，３−ジニトロベン
ゼン数ｍ９を滴下ロートおよび乾燥管（ｃａａＩ！２）
を備えた２　５０　ｍｌのフラスコ内で純テトラヒドロ
ンラン（無水ン６０ｍ１およびＣＨ２Ｃｌ２５０　ｍＪ
中に１８１１ｊした１１．６ｇのジシクロへキシルカル
ポジ・イミドを前記浴液に撹拌下にゆつ（すｉＦ４下す
る。混合５＋ｉ、Ｕ′Ｃで約５時間攪拌し、その後室温
で１晩置（。次いで沈降したジシクロへキシルウレアを
口別口、溶液を濃縮する。残置をアセトニトリル中にと
り、沈澱して来た尿累な再び口別する、その後アセトニ
トリルをストリップする。粗生成物を酢酸エチル中にと
り、−１５℃に冷却して結晶を生せしめる。沈降した生
成物を吸引日過する。再結晶をくり返して薄層クロマト
ゲランイーで不純物が検出されな（なるまで精製する。

精製物の元素分析値は以下の通りで目的物が得らノ′シ
ていることが確認されｌこ。

Ｃ＝７４．０％　　Ｈ＝４．５％　　Ｏ（残ｉｑｉ　）
　＝　２１．５％実施例２ ■−１４−［２−（２メチルグロペノイルオキシ）−エ
トギシ〕−安息香酸の合成 ｊ）−（２−ヒト゛ロギシエトキゾ）−安息香酸５０１
１メタクリル１ｇ１５Ｕ、９．ｐ−）ルエンスルホン前
５ｇ、および重合禁止剤として−・・イドロキノン５Ｉ
をＧＨＧ７？３２００　ｍｌ中に溶かし、溶液を水分１
’ｊｌＬ？ｊｉ？　ＩＪ’に　Ｊ−、び還流冷却器を取
イ・１けた５　００　ｍｔフラスコ中で約６　ｍｌの水
が分シＩトされるまで醸υ１′Ｌさせる（約２０時間）
。冷却したｆ＃液を約１でのニーデル中に尋人し、毎２
００　ｒｎｌの水で５回洗証する。Ｎａ２５ｏ４　　で
溶液を乾燥し１こ続、溶媒をストリングし、粗生成物は
（リ−１で述べたようにして４■Ｊ結晶する。

■−２４−（１−オキソ−６′−フルオランセニルノナ
ル）フェノールの合成 フルオランセン１１５Ｉとｋｌｃ１３２　ｇをエーテル
１で中に溶かしｐ−ヒドロキシ安却、査酸クロライドの
エーテル溶液１１ケ室温にて６時間にわたって滴下した
反応物を２　ｋｇの氷の上にあけ、油層を分店する。次
に残置にエーテル、ベンゼン混合物を加える。エーテル
層を分ト准し再結晶をくりかえす。赤外醐吸収スペクト
ルのケトンの特性吸収（１６５ｏｃ’ｍ−１）を付つ日
仏結晶１００＆（フルオランセン基準で約５０％の収率
）が得られ１こ。

■−５４−［２−（２メチルグロベノイルオキシンーエ
トキシ〕−安７０、香敏と４−（１−オキンーｙ−フル
オランセニル メチル）フェノールとのエステル化反 応 ζ ナトリウム４．６ｇを２ＤＤｍＩＶフラスコ中で無水ア
ルコール１００ｍ１中に溶層し、次いで５−フルオラン
セニル−ヒドロキシフェニルケトンの５ａｙを加えた。

渭液を一１５°Ｃまで冷：ＡｊＬ、４−［２−（２−メ
テルプ日ベノイルオギ／）−エトキシクー安息香［２２
，７，９と塩化チオニル４０廐とから１’＋−しれた酸
クロンイドを催拌ドにゆっくり簡加する。次いで溶液を
−１５”Ｃて４時間Ｊｉ１１．拌し、その後室温に１晩
置く。全体をエーテル５００　ｍｅ中にとり、Ｎａ　Ｈ
Ｃ０３水浴蔽で１朋洗ｆｆ６ｉ　Ｌ、水ｉｏｏｍｇでの
洗滌を３回行なう。

ＦＴ　ａ　２Ｓ　Ｏ４でＩｉ燥した後、浴媒をストリッ
プする。

粗生成物を顛・酸エテル中にと９、−１５℃に冷却して
結晶を生じせしめる。沈降しＬ化成物を吸引口過する。

再結晶をくり返して〜゛層クロマトゲランイーで不純物
が検出されなくなるまでｆ１゛１製する。

′！ｉＴ製物の光路分析１直は以下の連９でＬ１的物が
得られていることが確認された。

０＝７８．０％　　Ｈ＝　４．６％　　０（残部）＝１
７．４実施例３ ■−１４−（２−クロヘノイルオギシーエトｐ−（ヒド
ロキシエトキシ）−フェノールｓｏｇ、アク′リル酸１
１０’、９．ｐ−トルエンスルフォン酸５Ｉおよび重合
禁止剤としてハイドロキノン５ｇをクロロボルム２００
Ｍ１：１３で、水分附器および還流冷却器を取付けたｓ
ｏｏｉｇ７ラスコ中で５時間還流させる。次いで翰却さ
れた反応溶液を約１１！のエーテル中に尋人し、２ｒ）
ｆＪｍｌの水による？ｙｒ、滌を５回行なう。エーテル
相をＮ　ａ　２　Ｓ　Ｏ４で乾燥した後、７Ｇ奴をス）
　ＩＪッ７°し、生成物をエタノール中に溶層し、石油
エーテルを溶液がやっと透明を保づまで加える。

−１５℃に冷却すると生成物が沈＃Ｌする。薄層クロマ
ト（シリカゲル、移動相とし又４：１の酢酸エチル／ヘ
キサン混合液を用いる）でβＩ枠と見られるまで再結晶
を繰返ｆ。

■−２４−（１−オキソ−５−フルオランセニルメチル
）安息香酸の合成 ノルオランセフ　１１５　＆と１１０１５２　＆をＴＨ
Ｆｌｌに溶かし、テレフタール戯モノクロライド１８４
＆のｌ″ｆ（Ｆ浴液１７７を室温にて６時間にわたって
γ１８Ｆした。反応物１（２ｋｙの氷の土にあけ、油層
を分１’？ｌする。　ＴＨＦをエバポレーターで留去し
残部ｊ４Ｈにエーテル／ベンゼン混付物を〃目え４）０
工−テル層を分れｉＬＬ、再結晶をくりかえす。

赤外線吸収スペクトルのケトンの特性吸収（＋　６５　
Ｄ　ｏｌｔ　　）を持つ日仏結晶１０３．９（ンルオシ
ンセン基阜で約５０％の収率）が得られた。

■−３４−（２−７’ロベノイルオキシーエトキシ）−
フェノールと４−（＋−オキ ソーダーフルオランセニルメチル）− 安、θ、杏飲のエステル化反応 常法によりエステル化反応を行い、実施例■−６、■−
５と同様に精製を行う。

留製物の元素分析値シま以下のノ毒って目的物が得られ
ていることが確認されｆこ。

０＝７７．４　　　　Ｈ＝５．０　　　　０（残部）＝
１７．６実施例４ ■−１重合反応 実施ｉｌｌ　＋〜３で合成され７こ全台性モノマーをそ
れぞれトルエン１０％にｔｄ　Ｗｆし、アゾイノブチロ
ニトリルをフリーラジカル開始１１すとして叡Ｊ　ノ不
イＴ＆下に６０℃２０１Ｊ、Ｊ″間ｒｄ　７ＩＫ　Ｍ合
シ７コ。

次いで生成ポリマーを重合計故に列し−（１０倍」よの
メタノールで沈蕨゛さ→Ｌ、遠心分離し、９ｚ燥する。

得られたポリマーの収率（′１１．第２表の迫りである
。

第２表 扉番ご且注目膳 ■−２ゲスト分子との錯体化 ■−１で得られ定ポリマー（アゾインブチロニトリル４
％により止合し１こポリマー）をそれぞ」しをｒ非酸エ
チルに２％溶解し、ヨウ素（ゲスト分子）の酢酸エチル
１０％溶液をン凶下した。

２時１ｌ−ＩＪ撹拌した後酢酸エチルを留去しそれぞれ
の電導性液晶ポリマーを得１こ。

第５表 実〃出しＩＩ５ ■−＋　　４−（２−グロベニルオキシ）−’ＭＭｎ２
１液−４’−７エナレニルーンエニルエステルの合成 ４−ヒドロキシ−友息香酸を苛性ンーダの存在下で臭化
アリルと反応さぜ１こ。■生成物をエタノールから再結
晶し足。

得られた４−プロペン−２−オギシ訝息香岐を過剰の地
化チオニル中に浴解し、還流器を付けて煮沸し、引続き
未反応の塩化チオニルを真窒蒸留し、残留する１波クロ
リドをテトラヒドロフラン中にとった。

（リ−２と同様な方法で製造し１こ、１−ツェナレニル
−４−ヒドロキシベンラ°エートヲテトンヒドロンラン
中にｆＭＭし、上記のテトラヒドロフラン中の酸クロリ
ドの等モルｋを伶ｉｌｌ　Ｌ　７よがら簡ドした。反応
温度は５℃であった。添加終了後、更に１時間煮沸還流
し１こ。引ぎ軌き反応生成物を氷水中に入れ、中和し、
沈誠として生ずる柑生成物を日別した。

得うｈｒ＝　４−　（２−グロベニルオキシ）−安息−
ｕ　Ｉｇ　−４’−７エナレニルーフエニルエステルを
エタノールかＬ−）再結晶し１こ。

■−２メチル−水系−ボリシロキザンと（ｙ−１の生Ｉ
戊吻とのグラフトポリ゛７− のメチル−水系−ポリシロキサンおよＯ−■−１の生成
物の等モルｉｔｋテトラヒドロフラン中に浴かし１こ。

引き３元きヘキサクロロ日釜鹸ぞ総量に対してＩ　Ｏｐ
ｐｍの礒で（ｉミ加しｌこ。反応混合物を一色５０℃に
保荷し１こ〇 州られ１こオルガノポリシロキサングラフトポリマーを
メタノールで沈澱させ、最後に真空中で乾燥し几。

■−６ゲスト分子との感体 実施例■−２と同様な方法で工、をゲスト分子として諾
体化しに元素分析によるゲスト／ホスト比は１：１であ
った。

手続補正書（自発Ｊ 昭和５８イ■−１月２／１日 １も許庁長官　名杉和夫殿 １、事件の表示 昭和５１．ｑ：許　間第１６９８８２号２　発明の名称
　　’ｎＬ　４性７’ｊＷ、晶ポリマー３　補正をする
者 小イ／Ｉとの関係　ｌ持ｔ」出＆１人 （１１すｒ　　　　ＪｆＬ宗都港区芝大「１１ｊ−丁目
１３抽９１３氏　名（イ調）（２００）昭和Ｍｊ、工株
式会社代表者　岸　本　泰　帆 ４、　代　　理　　人　　〒１０５ ５、補正。対象　ゆ」測狽の光ツ」の１ｉｌＩｉｌｌ　
＆続開の４１４（１）　　明１ｔ（１１２１２９頁５〜
６杓１テレフタール酸モノクロンイト」と１１　）１４
　ｆ　Ｊとの間に「モノメーＴルエスフール」を挿入 （υ　同２９　Ｊ：ＪＩ　Ｏ杓「エーテル層を分１ηＩ
Ｉ　Ｌ、　Ｊと１４１Ｊ結晶」との間に１アルカリで加
水分解後」Ｋ　４申入

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ポリマーを４８成する側鎖に液晶物質部分と電荷移動錯
   体部分とを有する電導性液晶ホリマー。