JPS5962534A - 電導性液晶物質 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規な電導性液晶物質に関する。

液晶′物質は、その誘を率、磁化率若しくは屈折率等に
於いて大きな異方性を示す。この液晶物′Ｒ特有の性質
を通宜組み合せて、液晶物質を各種表示装置等に厄用し
ようとする試みが盛んに行われており、現に電卓等各種
製品が上布され、今後とも液晶物質の特徴を生かした各
種製品の実現化が活発に行われるものと推測される。

液晶物質については上記の如き応用的側面のみならず、
液晶物性等の基礎的な研究も盛んに行われているが、未
だ電導性を賦与した液晶物質はない。

本発明は液晶としての性格を備えるとともに電導性をも
賦与した従来にない新規電導性液晶物質を提供すること
を目的としたものである。

本発明の電導性液晶物質は次の一般式（１１又はｔｌｌ
で示される。

一般式 ％式％（１） （ Ｓ；スペーサーとなる原子又は原 子団 ＣＴ；電荷移動錯体 本発明の電導性液晶物質において液晶残基は公知の液晶
物質を利用して導入することができる。

本発すｊの？［導性液晶物質は液晶としての性格を備え
るとともに電導性をも賦与して成るものである。

液晶物質の導入（液晶残基）については液晶としての性
格な失わないようにすることが必要であり、又液晶残基
と電導性移動錯体との化学的結合に際しても液晶的性質
と電導性とを失わないような結合の仕方が必要であり、
これら液晶物質による液晶残基の導入等にっ（・ては当
梁者であれば適宜その知識を活用して実施、改変が可能
である。

液晶物質としては、ネマチック、スメクチック、コレス
テリック等各種構造のものが使用される。中でも、電荷
移動分子が立体的に、揃い易い等からスメクチック液晶
が好ましいが、ケースバイケースである。

それらの例として既に多（のものが提案されており、例
えば、昭和５６年１２月３０日（株）オーム社発行佐々
木昭夫編［液晶エレクトロニクスの基礎と応用」の２０
５〜２１７貞に多くの例が示されている。

本発明において使用される液晶物質とし℃ネマチック、
スメクチック液晶７例示すれは、（１）芳香族系化合物
として（ａ）アゾメチン系（−＠１−ＯＨ＝　Ｎ−＠−
）　　（ｂ）アゾ、アゾオキシ系ステル系（−（￥ＧＯ
Ｏ＋）（ｄ）スチルベン系（−（ヴＯＨ二ＯＨ−＠）−
）　　（ｅ）ビフェニル、ターフェニル糸＜−ｏ−（列
、べ）区）（訓）、吏Ｋ（２）トランス拳シクロヘキサ
ン系（−＜ゴ１１〕Σ−（（巨’Ｓ）−。

を挙げることができる。それらの具体的な化合物として
は、　Ｈ）（ａ）　Ｎ　−（４−エトキシベンジリデン
）−４−ｎ−へキシルアニリン、（ｂ）４−エトキシ−
４１−ｎ−ペンタノイルオキシアゾベンゼン、　（ｃ）
　４−　ｎ−へキンロベンゾイツクアシツト−４’−ｎ
　−ヘク）キシフェニルエステル、　（ｄ）４．４′−
ジェトキシ−トランス−スチルベン、　（ｅＪ４−ｎ−
へキシル−４７−ジアツビフエニル及ヒ（２＋　４−　
（）　ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゾニ
トリル、　（３１５−ｎ−へグチル−２−（４−シアノ
フェニル〕ピリミジｙ等を例示することができる。

又コレステリック液晶を例示１゛れば、コレステロール
誘導体、カイラル・メソーゲン物質等を挙げることがで
きる。それらの具体的な化合！Ｉ勿、！：しては、コレ
ステリルペンツ゛エイト、４−（６−メチルペンチル）
−４′−シアノビフェニル等を例示することができる。

この液晶物質は１独のみならず２種以上を使用してもよ
く、前記一般式中のＬの部分が、例えば り、−Ｌ２−　・・・＋１１１１ （但し、Ｌ４．Ｌ２は各液晶物質残基を示す）のように
結合していてもよい。

本発明の電導性液晶物質に於（・て電導性の賦与には電
荷移動錯体が関与する。即ち、前記液晶残基ＬＫ直接又
はスペーサーを介して結合しているホスト成分（分子を
含む〕及びゲスト成分（分子を含む）からなる電荷移動
錯体によって電導性が発現する。ホスト成分（分子）と
しては電子供与体（ドナー〕が、ゲスト成分（分子〕と
しては電子受容体（アクセプター）が用いられる場合と
その逆の場合もある。

電子供与体〔ドナー〕の例には次のものが挙げられる。

（１）芳香族炭化水素；ナフタジン、アンスラセン、フ
ェナンスレン、クリセン（Ｃｈｒｙｓｅｎθ）、ピレン
、ペリレン、１．２（又は３．４　）ベンズピレン、パ
ーリレン、コロネン（Ｃｏｒｏｎｅｎθ）、ピランスレ
ン、ビオランスレン（Ｖｉｏｌａｎｔｈｒｅｎｅ　）、
ビオランスロン、インビオランスレン、インビオランス
ロン、アズレン、　　４，６．８−トリメチルアズレン
、ヘキサメチルベンゼン・ジエトキシジナフトスチルペ
ン、フタロシアニンβ−カロチン等 （１１）　　脂肪族及び芳香族アミン；インドール、ア
クリジン、Ｎ−メチルアクリジン、Ｎ−メチルキノリン
、ベンジジン、１−メチル−２−ピコリニウムイオン、
テトラメチルアンモニウムイオン、トリメチルフエニル
アンモニウ共役塩基；　　ＧＮＨ＋ＮＨ２＋ （１ｖ）　　フルバレン誘導体 但し、ｚ１〜ｚ４；Ｓ又はＳｅ原子 Ｒ１〜Ｒ４；水素原子又は炭素数が５ 以下のアルキル基 具体例；デトラチオフルノくジン（ＴＴＦ）　、テトラ
メチルテトラチオフルバレン、 テトラセレノフルバラン、テトラ メチルテトラセノンフルバレン （Ｖ）　　フタロシアニン及びそのＡ＝［［（ｖＤ　　
その他 （ａ　６　Ｈ５）　ｓ　ｐ　（ｃ　Ｈ５）　　ｌ　（ｃ
　６　Ｈ５）　５　Ａ　８−　ｃ　Ｈｓ又心子受容体く
アク七プクー〕の５・りには次のものが挙げられる。

（１１ハロゲン；　Ｉ２．　Ｂｒ２．　ｌ−０Ｊ（１１
）　　金属ノ・ロゲン化物；　ＡｓＦ５．ＳｂＦ５．　
ＳｉＦ４゜Ｐｅｔ　　ＰＦ　　ＡｌＣｌ　　ＡｌＢｒ　
　ＳｎＣ／４５ν　　　　５１　　　　　　３１　　　
　　５ツ（ｉｉｉｌ　　テトラシアノキノジメクン（Ｔ
ＣＮＱ）及びその訪ｍ体 （１■）　　テトランアノエチレン（ＴＯＮＥ）及びそ
の誘導体 Ｍ　　置換ベンゾキノン類 ｐ−フルオロアニル、ｐ−クロロアニル、ｐ−ヨードク
ロロアニル、ａ、−フロモアニル、２．６−ジシアツー
５．（Ｓ　−ジクロロベンゾキノ７．２．３−ジンアノ
−５，６−ジブロモベンゾキノン （ｖｉ　　パークロレー）　（ＧＪＯ４）その他電荷移
動錯体とし、て昭晃堂刊土田英俊訳著「高分子有機半導
体」の１１３〜１７７頁に示されているものが使用され
る。電荷移動錯体の合成は予め液晶成分に結合させたド
ナー成分にアクセプター成分ン錯体化させても、予め液
晶成分に結合させたアクセグクー成分にトナー成分を錯
体化させても良いが、ｊ・め液晶成分に結合させたドナ
ー成分にアクセプター成分な錯体化させることが好まし
く・。

錯体化する方法としては化学的に錯体化する方法と電気
化学的に錯体化する方法があるが、いずれの方法で行っ
ても良い。これらの方法は従来公知の方法で行って良い
。電荷移動錯体の生成はドナー成分分子とアクセプター
成分分子の両溶液を混合するか又はドナー成分分子とア
クセプター成分分子を直接接触させることによって合成
されるが、本発明ではそれらの方法には特に制限はない
。

ドナー分子とアクセプター分子のモル比はドナー分子１
モルに対してアクセグクー分子０．１〜１０モル好まし
くは０．２５〜４モル特に好マしくは０．４〜３モルの
範囲である。

本発明電導性液晶物質に於ける前記一般式（Ｉ）中のス
ペーサー（８１０例としては、ＣＣＨ２）。１で表わさ
れるメチレン列炭化水素、−ｏ−（ａＨ２）。２で表わ
されるエーテル系メチジン列炭化水素、−０００−（Ｏ
Ｈ２）ｎ３で表わされるエステル系メチジン列炭化水素
、−５ｉ−０−骨格を有するシリコーン系化合物残基等
がある。これら式中のｎ、〜ｎ６は整数を示す。

本発明の電導性液晶物質は液晶物質と電荷移動錯体より
合成される。

合成例の一例を次に示す。この合成例は次のｆｆ）式の
化合物を合成する例を示す。

但し、Ｒは一〇−０，Ｄはドナー成分で芳香原炭１ 化水素例えば 即ち、上記（Ｖ）式の化合物は、４−メトキシ安息香酸
と次の反応式に従い得られる（ＶｉＪ式の化合物とのエ
ステル化反応忙より得ることができる。

上記に於いてＲを−Ｃｏｏ−（ＯＨ２）□−０００（但
し、従い行われる。

Ｈ この（イ）式化合物と４−メトキシ安息香酸により相当
するエステル化合物が得られる。このエステル化合物と
アクセプターの反応（４人）により電導性液晶物質が得
られる。

上記はエステル化により電導性液晶物質を合成する場合
について説明したが、エーテル化により合成する方法、
グリニヤール反応、フリーデルクラフト反応、ウルツ反
応等ン利用したアルキル化により合成する方法等も採用
できる。

本発明電導性液晶物質の電気伝導度は１ｏ−８Ω−１・
礪−１以上好ましくは１ｏ−６Ω−１・礪−１以上であ
る。

本発明によれば新しい電導性液晶物質が得られた。本発
明の電導性液晶物質は側鎖の電荷移動錯体（分子）を通
じて導電性が発現するもので全く新規なものであり、又
電荷移動分子（Ｃｈａｒｇｅ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ　ｍｏ
ｌｅｃｕｌｅｓ）の配列ヶ液晶物質特有の動作機構でコ
ントロール出来るのが大きな特徴の一つとなっている。

不発ＥＡ亀導性液晶物質は也導度が温度でコントロール
されるので、これン利用した温度センサーとして有用で
ある。即ち液晶の転移点（結晶相（→スメクチック相Ｓ
→ネマチック相Ｎ→等方性液体相１）と電導度とが相聞
関係をもち岨導度が温度でコントロールされるのでこれ
を活用した用途に向いている。

又亀導度が電場でコントロールされる即ち液晶の電場コ
ントロールに従って電導度が上るので増幅器やセンサー
として有用であること、光学的特性が電場でコントロー
ルされる点は液晶物質と同じだが、電導性の付与により
多様化されディスプレイ特に多様化ニーズに応じたディ
スプレイに使用できること、電気信号が記憶され、メモ
リーとして有用であること、その他ゲスト分子により電
導性が向上し、静電場によって電導性が変化するのでソ
フトコピーとして使用できること、又圧”厄素子、ガス
センサー、光起電力を利用した太陽電池、電極、ガスク
ロマトグラフィー、超電導等として有用であり、他に電
導性をさらに付与したこと罠伴５各種用途が期待できる
。従来の液晶分野においても電導性の伺与により新たな
効果が期待できる。

本発明電導性液晶物質を従来の有機電導体（低分子物）
と比較した場合、本発明電導性液晶物質は可撓性、強度
、接着性、透明性、機能性等に於いて優れており、又既
存の電導性高分子例えばポリアセチレン、ポリパラフェ
ニレン、ポリピロール等に比しても成型性、耐久性、機
能性、透明性に優れ、更に在来の液晶物質と比較しても
本発明の液晶物質それ自身が電導性の機能を有している
から、表示素子として用いた場合、従来の液晶物質の如
き電導性の電極が不要であるばかりでなく、その応答速
度も早いから工菓的に非常に有用である。

以下に本発明を実施例を以って説明する。

実施例１ クロラニル１００　、Ｐ　（０，４モル）と４〜（２−
ヒドロキシエトキシツーフェノール７７ｇ（０，５モル
〕をテトラヒドロフラン１．５１にとかし、窒素雰囲気
下で攪拌した。ナ）ＩＪウムノ・イドライド８１’４ｒ
：ｆトラヒドロフラン５０１ｔｔｌに溶かした溶液乞上
記の溶液に南下し、０℃で４時Ｉｔ−ＩＪ反応させた。

溶液からテトラヒドロフランを留去後、水で洗うことに
より未反応の４−（２〜ヒドロキシエトキシ〕−フェノ
ールおよびナトリウムハイドライドを除去し、下記＋１
１式で示される化合物Ｙ１６０．９得た。＋１１式であ
るこ との確認は、赤外吸収スペクトルで１６８０閤−’のク
ロラニルの特性吸収をボしたことがら確認した。

次に（１）式で示される化合物８０．９　（０，２モル
）とパラシアノ安息香酸５２．９（０，２モル）をテト
ラヒドロフラン１２にとかし、この溶液を０℃に冷却し
た。テトラヒドロフラン２０ｒｎｅとクロロフォルム２
０ｍ１の混合溶液中に溶解した５０＆のシンクロへキシ
ルカルボジイミドを前記浴液に撹拌下ゆっく９滴下した
。０℃で４時間反応させ室温で２４時間放置した後、沈
殿した白色固体（ジシクロへキシルウレア）ヲ捨てた。

その後溶液からテトラヒドロフランｔストリップした残
りの粗生成物を＾′「酸エチル１．２ノに溶かし一３０
″’Ｃ；に冷却して結晶させた。再結晶を（り返して（
２）式で示される化合物約１１０Ｉ！を得た。元素分析
値（炭素５５％　水素２．５％塩素２２％　象素６％）
より（２）式の確ｇをおこなった。

次に（２）式で示される化合物５０．９　（０，１モル
）ヲ酢酸エチルｓ＋ｏｒ＋ｇに溶かした。この溶液にピ
レン２０Ｊｉ’（０，１モル）を酢酸ｘｆ　ル８０１ｔ
ｌＫ溶かした溶液を室温で滴下した。１時間攪拌させた
後酢酸エチルを留去して（３）式で示される電導性液晶
物質を得た。元素分析からホスト成分ゲスト成分の比は
１対１であった。

実施例２ フルオラン七ン１１５　＃　（０，５モル）とｍ化アル
ミニウム２１をエーテル１−＃ＫｉＷかし、パラアミノ
安息香酸クロリド９３　＃　（０，６モル）のエーテル
溶液１１ン室温にて６時間にわたって部下した。１時１
ｉ４Ｊ反応させた後反応物’＆　２　ｋｌの氷の上にあ
け油層χ採取しエーテルン留去後、残査にエーテル・ベ
ンゼン混合物を加えエルチル層を分離した。再結晶をく
り返すことにより赤外線吸収スペクトルのケトンの特性
吸収（’　１６５０口　〕をもつ白色結晶１２０．？’
Ｙ得た。この化合物は（４）式で示される構造をもつ。

次に（４）式で示される化合物１００　Ｆ　（０，３モ
／Ｌ、　）　ト／＜ラエトキシベンズアルデヒ）−４５
、ｆ（０，６モル〕をアルコール８００ｒｎｅに溶かし
、８０℃でアルコールを還流させながら６時間反応させ
た。アルコール乞貿去し、残査をアルコールから再結晶
した。その結果（５）式で示される化合物を１６０ｇ得
た。確認は赤外吸収スベク入 トルのアゾメ、チンの特性吸収（１６４０ｍ　　）およ
び元素分析値（炭素８４％　水素５％窒素３％）から行
なった。

次に（５）式で示される化合物４５．９　（０，１モル
）をアルコール１００１＋１／に溶かした。この溶液に
テトラシアノエチレン１３＆　（０，１モル）をアルコ
ール８ｏｔｎｌＶＣ溶かした溶液Ｙ−２０℃で滴下した
。１時間撹拌した後アルコールヲ首去して（６）式で示
される′電導性液晶物質を得た。元素分析からホスト成
分ゲスト成分の比は１対１であった。

１人３ノ’ＫｕＶリ　６ フェナレノン１００　！？（０，５５モル〕及びナトリ
ウムボロハイドライド３Ｉ乞テトラヒドロフラン１２に
溶かし５０”Ｃで８時間反応させた。

カラムクロマト（ショーデックス’ｒ：　−Ｒ，ＪＭ　
したもの）Ｋより水酸基の吸収のあるフラクションを分
η又し、フエナレノール’に９０に’（０，５モル）得
た。

得られたフエナレノール９０９　（０，５モル〕とバラ
ヒドロキシ安息香酸１４０　ｊ／　（１，０モｚＪをテ
トラヒドロフラン１−ｅに溶解し濃硫酸１　ｍｌを加え
３時間還流した。テトラヒドロフラン留去後生放物ン水
で充分洗浄し未反応物乞除去した後テトラヒドロフラン
から再結晶した。赤外吸収スペクトルで１７２０ｒｙａ
−’および１２１０山−１のエステル基の特性吸収より
（７）式で示される化合物８０Ｆを得た。

次に（７）式で示される化合物８０　＆　（０，２６モ
ル）と４−ｎ−ブチル安息香酸４７　、Ｐ　（０，２’
６モル）をテトラヒドロンラン１！に溶かし溶液を０′
しに律動した。テトラヒドロフラン３ｏｍｅとクロロフ
ォルム３０ｍ１の混合溶液中に溶解した６０ｇのジシク
ロへキシルカルボジイミドを前記溶液に撹拌下ゆっくり
？釣下した。ｏ℃で４時間反応させ室温で２４時１ｉｉ
ｌ放置した後沈殿した白色固体（ジシクロへキシルウレ
ア〕を捨テた。その後溶液からオトラヒドロフランをス
トリップした後残りの粗生成物を酢酸エチル８００ｍ／
に溶かし一３０℃に冷却して結晶させた。再結晶ケ（り
返して（８）式で示される化合物約１０ＤＩを得た。元
素分析（炭素７９％、水素６％〕および質量分析より（
８）式の化合物であることを確認した。

次に（８）式で示される化合物４４　Ｉｉ（０，１モル
）を酢酸エチル１００＃ｌ／！に溶かした。この溶液に
クロラニル２５１１　（０，１モル）ヲ酢ｒＷｘチル８
０１ｎｅＶｃ浴かした溶液を室温で滴下した。１時ｌ１
４Ｊ　Ｊｆｒ、拌させたｆｆ１ｌ！ｌ）’酸エチルを留
去しく９）式で示される電導性液晶物質７得た。元素分
析よりホスト成分ゲスト成分の比は１対１であった。

実施例４ カルバソール６６　、Ｆ　（０，４モル〕トエチレンオ
キサイド１８　、ｆ　（０，４モル〕をアセトン８００
ｍ１に溶かし一１０℃に冷却した。水酸化カリウムｏ、
ｙｉｗアセトンと水の１０対１混合物に浴かした液１ｏ
ｍｔ’ｑ滴下しこの温度で５時間反応させた。ア七トン
ＹＭ去後水で十分洗浄し、エーテルから再結晶すること
によってＮ−（２−ヒドロキシエチル〕カルバゾールＶ
ａＯ＆得た。

また、パラニトロ安息香酸８０１（ロ、４８モル〕とバ
ラニトロアニンール８０．９　（０，４８モル）をメタ
ノール１．２２に浴かし水７５ｔｎｔに水酸化ナトリウ
ム３６．９　（０，９モル〕を溶かした溶液を加えた。

さらに亜鉛末′５１．９　（０，４８モル）乞加え１０
時間、（割流した。浴液火室温に戻し、静ｌ１ｆｆｉ後
反応物のナトリウムジンケートを捨て残りの溶液からメ
タノールをり１−ばして粗反応物を得た。この反応物中
の必要分でない４．４’−ジメトキンアゾベンゼンを除
（ため沸騰した石油エーテルで粗反応物を洗い、後に、
メタノールから再結晶することによりｕＯＪ式で示され
る化合物を１４ｏＩＩ得た。ｔｌ（１式の化合物の確認
はラマンスペクトルによる１５７５ｆ１ｍ　　のアゾ基
にもとづ（吸１１Ｍよりおこなった。

次に０１式で示される化合物９５　ｇ　（０，３７モル
）と先に作ったＮ−（２−ヒドロキシエチル）カルバゾ
ール８０　＆　（Ｑ、５７モル〕乞エーテル２−ｅに溶
力・し濃硫酸ケ２　ａｔ追加し溶液を還流した。反応物
の一部を採取し赤外吸収スペクトルでカルボン酸の吸収
がエステルの吸収になるまで反応を絖けた。尚、還流中
の脱水には熱水塩化マグネシウムを使用した。反応物か
らエルチルを留去し、残った粗生成物をアルコールから
再結晶することにより００式で示される化合物ン１６Ω
Ｉ傅た。元素分析（炭素７４％、水素５．６％、窒素９
．６％〕および質量分析により構造を確認した。

次に０１１式で示される化合物４４．Ｐ（０，１モル）
をアルコール１００ｍＪに溶かした。この溶液に、テト
ラシアノキノジメタン２０．９　（０，１モル）’にフ
ルコール１ｏｏｍｔに溶かした溶液を一２０℃で滴下し
た。１時間撹拌させた後アルコールを留去し０２式で示
される電導性液晶物質を得た。

元素分析によりゲスト成分ホスト成分の比は１対１であ
った。

０ 実施例５ 無水塩化マグネシウム５０．９’￥円筒ろ紙に入れたソ
ックスレー抽出器ｌ備えた６−８三つロフラスコに４−
＜１−ピレン）フクン９６０　、！ｉ’（０，２０モル
）と３−（）（ラヒドロキシフェニル）クロピオンｍ５
４１ｃＯ’、２０モル）Ｙ）／レニン１．５石に溶かし
て入れた。この溶液に濃硫酸４ｍ１ｑ加え約１１０℃で
還硫させた。完全にニスグル反応させた後トルエン乞留
去し粗生成物を酢酸エチルに溶かし再結晶乞（り返した
。

これにより０３式で示される化合物ｖａｏｙ得た。

次に０９式で示される化合物８０　、Ｐ　（０，１８モ
ル）とコレステロール７０．９　（０，１８モル）ｔト
ルエン１．５形に溶かして上記の装置に入れた。

この溶液に謎硫酸４　ｍｅ乞加え約１１０℃で還流させ
た。完全にエステル反応させγこ後トルエン乞留去し、
粗生成物馨酢酸エチルに溶かし再結晶をくり返した。こ
れにより０４１式で示される化合物１２０Ｊｉ’Ｙ得た
。元素分析（炭素８６％、水素８．１％）により生成を
確認した。

次Ｖｃａａ式で示される化合物４０．１Ｆ（０，０５モ
ル）？酢酸エチル１００Ｉｎｌに溶かした。この溶液に
精製した沃素６．５　、Ｐ　（０，０５モル）を酢酸エ
チル４ｏｍｅに溶かした溶液を滴下した。２時間攪拌さ
せた後酢酸エチル乞留去し、０５）式で示さｉする電導
性液晶物質を得た。元素分析よりゲスト成分ホスト成分
の比は０．９対１であった。

特許出願人　昭和電工株式会社 代理人弁理士　佐　　藤　　良　　博 東京都世田谷区玉川４丁目１９番 １４号 手続補正書（自発） 昭和５８年１　月２４日 １′１１許庁長官　途杉和夫殿 ］、事件の表示 ＩＩ／（ａ　５７　’＋ｔｒｉＩｔ’Ｆ　　　＆ｎ　第
１６９８８３　”ｔ２発明の名称　　電導性液晶Ｑ２ｔ
ｒ質：３　補正をする者 知性との関係　　特許出願人 フリガリ　　東京都港区芝大門−丁目１３企９号（）１
すｒ １、わ、□ｉ）　（２００）昭和１ヒエ株式会社代表者
　岸　本　泰　処 ４、代理人〒１０５ ６　補正により増加する発明の数　０ ７、補正の対象　　明ｉ！４１１書の発明の畦１ｈ１１
な説明の桐（１）　　Ｆ！Ａ細１１６頁４行「可撓性」
を削除（１）同１９頁下から１０へ　９　行［パラ」と
１−アミン」との間に「アセト」全挿入 （１ン　　同１９頁下から４行１分離した。」の次に１
アルカリで加水分解後」を加入 （１）同２６頁中央の（１１）式 ［ （１）　　同２７頁上部に記載の（１２）式「 Ｏ」 を 「 と訂正 （１）同２７頁下から５〜４行Ｆ行値濃硫酸４」を［塩
化チオニル２０ｒｎＪ　Ｊと訂正

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 次の一般式（１）又は（…）で示される電導性液晶物質
   。 一般式 ％式％（） （） Ｓ；スペーサーとなる原子又は原 子団 ＣＴ；′ｒｊＭ荷移動錯体