JP4515845B2 - ナフトキノン系化合物およびそれを用いた電子写真感光体 - Google Patents
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- 0 *C(C(c1c2cccc1)=O)=C(C(O*OC(C(C(C1=C3C=CCC1)=O)=C(*)C3=O)=O)=O)C2=O Chemical compound *C(C(c1c2cccc1)=O)=C(C(O*OC(C(C(C1=C3C=CCC1)=O)=C(*)C3=O)=O)=O)C2=O 0.000 description 3
- QRHVXJQEQJRMDC-UHFFFAOYSA-N CC(C1)C(Cc(cc2)ccc2OC(C(C(c2ccccc22)=O)=C(c3ccccc3)C2=O)=O)=CC=C1OC(C(C(c1ccccc11)=O)=C(c2ccccc2)C1=O)=O Chemical compound CC(C1)C(Cc(cc2)ccc2OC(C(C(c2ccccc22)=O)=C(c3ccccc3)C2=O)=O)=CC=C1OC(C(C(c1ccccc11)=O)=C(c2ccccc2)C1=O)=O QRHVXJQEQJRMDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGVRHZUQJPIGKO-UHFFFAOYSA-N CC(C1)C1N(C)C Chemical compound CC(C1)C1N(C)C NGVRHZUQJPIGKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSVFSIDJEHSEDU-UHFFFAOYSA-N CC(C1)C=CCC1(C)C(C(c1ccccc1C1=O)=O)=C1[NH+]([O-])Oc(cc1)ccc1O[NH+](C(C(c1ccccc11)=O)=C(c2ccccc2)C1=O)[O-] Chemical compound CC(C1)C=CCC1(C)C(C(c1ccccc1C1=O)=O)=C1[NH+]([O-])Oc(cc1)ccc1O[NH+](C(C(c1ccccc11)=O)=C(c2ccccc2)C1=O)[O-] JSVFSIDJEHSEDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N Oc1ccc(Cc(cc2)ccc2O)cc1 Chemical compound Oc1ccc(Cc(cc2)ccc2O)cc1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
本発明は、新規なナフトキノン系化合物と、そのナフトキノン系化合物を用いた電子写真感光体とに関する。
静電式複写機、ファクシミリ、レーザビームプリンタなどの画像形成装置に使用される電子写真感光体は、導電性基体上に、電荷発生剤と、電荷輸送剤と、バインダ樹脂とを含む感光層を形成した、いわゆる有機感光体（ＯＰＣ）が主流である。
有機感光体の感度特性を向上させることを目的として、従来、電荷輸送能に優れた種々の電荷輸送剤が開発されており、例えば、特許文献１には、電荷輸送能（電子輸送能）に優れた化合物として、下記一般式（２）に示すナフトキノン系化合物が挙げられている。
有機感光体の感度特性を向上させることを目的として、従来、電荷輸送能に優れた種々の電荷輸送剤が開発されており、例えば、特許文献１には、電荷輸送能（電子輸送能）に優れた化合物として、下記一般式（２）に示すナフトキノン系化合物が挙げられている。
（式中、ＲAは、置換基を有していてもよいアリール基を示す。ＲBは、置換基を有していてもよいアルキレン基、置換基を有していてもよいアリーレン基、−ＲC−Ｐｈ−ＲC−で表される基、または、−Ｐｈ−Ｏ−Ｐｈ−で表される基を示す。ＲCは、置換基を有していてもよいアルキレン基を示し、Ｐｈはフェニレン環を示す。）
特開平１０−２５１２０６号公報
近年、画像処理のさらなる高速化や高画質化が要求されているところ、従来公知の電子輸送剤では、このような要求に応え得る高感度な感光体を作製することが困難である。
また、現像剤として、パラフィン系溶媒などの電気絶縁性の高い溶剤中に着色剤、ポリマー粒子等を分散させてなる、いわゆる湿式現像剤を使用する液体現像法においては、感光層が湿式現像剤の溶剤と長時間にわたって接触することにより、感光層中の電荷輸送剤が上記溶剤中に溶出して、感度特性や耐久性が低下するという問題がある。
また、現像剤として、パラフィン系溶媒などの電気絶縁性の高い溶剤中に着色剤、ポリマー粒子等を分散させてなる、いわゆる湿式現像剤を使用する液体現像法においては、感光層が湿式現像剤の溶剤と長時間にわたって接触することにより、感光層中の電荷輸送剤が上記溶剤中に溶出して、感度特性や耐久性が低下するという問題がある。
そこで、本発明の目的は、高感度な電子写真感光体を提供することのできる新規なナフトキノン系化合物と、電子写真感光体の感度特性、感光層の耐久性および耐溶剤性に優れた電子写真感光体とを提供することである。
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、上記一般式（２）で示されるナフトキノン系化合物のＲBに相当する部位に、ジフェニルアルカンの二価基や、ベンゼン環とエーテル結合とを有する２価の炭化水素基を導入したときには、この化合物を電子写真感光体の電子輸送剤として使用することにより、従来のナフトキノン系化合物を使用した電子写真感光体に比べて、その感度特性や、感光層の耐久性および耐溶剤性を向上させることができるという知見を得て、さらに検討を重ねた結果、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、
（１） 下記一般式（１）で示されることを特徴とする、ナフトキノン系化合物、
（１） 下記一般式（１）で示されることを特徴とする、ナフトキノン系化合物、
（式中、Ｒ1およびＲ2は、独立して、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、炭素数６〜１８のアリール基、炭素数７〜１８のアラルキル基またはハロゲン原子を示す。Ａは、下記一般式（１−１）、一般式（１−２）、一般式（１−３）、一般式（１−４）または一般式（１−５）で示される２価基を示す。）
（式中、Ｒ3は、炭素数３〜８のシクロアルキレン基または炭素数３〜８のシクロアルキリデン基を示す。ａおよびｂは、独立して、０〜４の整数を示す。Ｒ4は、炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数２〜８のアルキリデン基、炭素数３〜８のシクロアルキレン基、炭素数３〜８のシクロアルキリデン基または炭素−炭素間単結合を示す。Ｒ5およびＲ6は、独立して、炭素数１〜６のアルキル基を示す。ｃおよびｄは、独立して、０〜４の整数を示す。Ｒ7、Ｒ8およびＲ9は、独立して、炭素数１〜６のアルキレン基を示す。ｅは１〜４の整数を示す。ｆは０〜４の整数を示す。Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12およびＲ13は、独立して、炭素数１〜６のアルキレン基を示す。ｇおよびｈは、独立して、０〜４の整数を示す。ただし、ｇとｈは、同時に０でないものとする。ｉおよびｋは、独立して、０〜４の整数を示す。Ｒ14は、ｉおよびｋが同時に０であるときに、炭素数１〜６のアルキレン基を示し、ｉおよびｋの少なくともいずれかが１〜４の整数であるときに、炭素−酸素間単結合を示す。ｍおよびｎは、独立して、０〜４の整数を示す。）
（２） 導電性基体上に感光層を備える電子写真感光体であって、前記感光層が、電荷発生剤と、下記一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物と、バインダ樹脂とを含むことを特徴とする、電子写真感光体、
（２） 導電性基体上に感光層を備える電子写真感光体であって、前記感光層が、電荷発生剤と、下記一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物と、バインダ樹脂とを含むことを特徴とする、電子写真感光体、
（式中、Ｒ1およびＲ2は、独立して、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、炭素数６〜１８のアリール基、炭素数７〜１８のアラルキル基またはハロゲン原子を示す。Ａは、下記一般式（１−１）、一般式（１−２）、一般式（１−３）、一般式（１−４）または一般式（１−５）で示される２価基を示す。）
（式中、Ｒ3は、炭素数３〜８のシクロアルキレン基または炭素数３〜８のシクロアルキリデン基を示す。ａおよびｂは、独立して、０〜４の整数を示す。Ｒ4は、炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数２〜８のアルキリデン基、炭素数３〜８のシクロアルキレン基、炭素数３〜８のシクロアルキリデン基または炭素−炭素間単結合を示す。Ｒ5およびＲ6は、独立して、炭素数１〜６のアルキル基を示す。ｃおよびｄは、独立して、０〜４の整数を示す。Ｒ7、Ｒ8およびＲ9は、独立して、炭素数１〜６のアルキレン基を示す。ｅは１〜４の整数を示す。ｆは０〜４の整数を示す。Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12およびＲ13は、独立して、炭素数１〜６のアルキレン基を示す。ｇおよびｈは、独立して、０〜４の整数を示す。ただし、ｇとｈは、同時に０でないものとする。ｉおよびｋは、独立して、０〜４の整数を示す。Ｒ14は、ｉおよびｋが同時に０であるときに、炭素数１〜６のアルキレン基を示し、ｉおよびｋの少なくともいずれかが１〜４の整数であるときに、炭素−酸素間単結合を示す。ｍおよびｎは、独立して、０〜４の整数を示す。）
（３） 前記感光層が単層型であることを特徴とする、前記（２）に記載の電子写真感光体
を提供するものである。
（３） 前記感光層が単層型であることを特徴とする、前記（２）に記載の電子写真感光体
を提供するものである。
本発明の上記一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物、および、それを含む本発明の電子写真感光体によれば、電子写真感光体の感度特性を向上させることができる。さらに、一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物は、バインダ樹脂との相溶性が優れていることから、感光層の耐磨耗性、耐ガス性といった耐久性を向上させることができ、しかも、湿式現像剤の溶剤に対する耐溶剤性が高いことから、液体現像法による画像形成処理に使用したときであっても、感光層からの溶出を抑制することができる。
また、本発明の上記一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物、および、それを含む本発明の電子写真感光体によれば、画像形成処理を繰り返し実施した場合であっても、電子写真感光体の感度特性の低下を抑制することができる。
本発明のナフトキノン系化合物は、上記一般式（１）で示される。
一般式（１）中、Ｒ1およびＲ2としては、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、炭素数６〜１８のアリール基、炭素数７〜１８のアラルキル基、ハロゲン原子が挙げられる。
炭素数１〜６のアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｓｅｃ−ペンチル、２−メチルペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、イソヘキシルなどが挙げられる。
一般式（１）中、Ｒ1およびＲ2としては、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、炭素数６〜１８のアリール基、炭素数７〜１８のアラルキル基、ハロゲン原子が挙げられる。
炭素数１〜６のアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｓｅｃ−ペンチル、２−メチルペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、イソヘキシルなどが挙げられる。
炭素数３〜８のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチルなどが挙げられる。
炭素数６〜１８のアリール基としては、例えば、フェニル、ｏ、ｍまたはｐ−トリル、２，３−、２，４−、２，５−、３，４−または３，５−キシリル、ｏ、ｍまたはｐ−クメニル、メシチル、ナフチル、ビフェニルなどが挙げられる。
炭素数６〜１８のアリール基としては、例えば、フェニル、ｏ、ｍまたはｐ−トリル、２，３−、２，４−、２，５−、３，４−または３，５−キシリル、ｏ、ｍまたはｐ−クメニル、メシチル、ナフチル、ビフェニルなどが挙げられる。
炭素数７〜１８のアラルキル基としては、例えば、ベンジル、１−フェニルエチル、フェネチル、１−フェニルプロピル、ベンズヒドリル、ｏ、ｍまたはｐ−メチルベンジル、２，３−、２，４−、２，５−、３，４−または３，５−ジメチルベンジルなどが挙げられる。
ハロゲン原子としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。
ハロゲン原子としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。
一般式（１）のＲ1およびＲ2としては、好ましくは、炭素数６〜１８のアリール基が挙げられ、より好ましくは、フェニルが挙げられる。
一般式（１）中、Ａで示される２価基としては、上記一般式（１−１）、一般式（１−２）、一般式（１−３）、一般式（１−４）または一般式（１−５）で示される二価基が挙げられる。
一般式（１）中、Ａで示される２価基としては、上記一般式（１−１）、一般式（１−２）、一般式（１−３）、一般式（１−４）または一般式（１−５）で示される二価基が挙げられる。
一般式（１−１）中、Ｒ3としては、炭素数３〜８のシクロアルキレン基または炭素数３〜８のシクロアルキリデン基が挙げられる。
炭素数３〜８のシクロアルキレン基としては、例えば、１，２−シクロプロピレン、１，２−シクロブチレン、１，３−シクロブチレン、１，２−シクロペンチレン、１，３−シクロペンチレン、１，２−シクロへキシレン、１，３−シクロへキシレン、１，４−シクロへキシレン、シクロヘプチレン、シクロオクチレンなどが挙げられ、好ましくは、１，２−シクロペンチレン、１，３−シクロペンチレン、１，２−シクロへキシレン、１，３−シクロへキシレン、１，４−シクロへキシレンなどが挙げられる。なかでも、炭素数５または６のシクロアルキレン基が好ましい。
炭素数３〜８のシクロアルキレン基としては、例えば、１，２−シクロプロピレン、１，２−シクロブチレン、１，３−シクロブチレン、１，２−シクロペンチレン、１，３−シクロペンチレン、１，２−シクロへキシレン、１，３−シクロへキシレン、１，４−シクロへキシレン、シクロヘプチレン、シクロオクチレンなどが挙げられ、好ましくは、１，２−シクロペンチレン、１，３−シクロペンチレン、１，２−シクロへキシレン、１，３−シクロへキシレン、１，４−シクロへキシレンなどが挙げられる。なかでも、炭素数５または６のシクロアルキレン基が好ましい。
炭素数３〜８のシクロアルキリデン基としては、例えば、シクロプロピリデン、シクロブチレン、シクロペンチリデン、シクロへキシリデンなどが挙げられる。
一般式（１−１）中、ａおよびｂとしては、独立して、０〜４の整数が挙げられる。なかでも、０、１または２が好ましく、０がより好ましい。
一般式（１−１）で示される２価基の具体例としては、例えば、１，２−シクロペンチレン、１，３−シクロペンチレン、１，２−シクロへキシレン、１，３−シクロへキシレン、１，４−シクロへキシレン、下記式（１−１ａ）で表される基、下記式（１−１ｂ）で表される基、下記式（１−１ｃ）で表される基、下記式（１−１ｄ）で表される基などが挙げられ、より好ましくは、１，３−シクロへキシレンが挙げられる。
一般式（１−１）中、ａおよびｂとしては、独立して、０〜４の整数が挙げられる。なかでも、０、１または２が好ましく、０がより好ましい。
一般式（１−１）で示される２価基の具体例としては、例えば、１，２−シクロペンチレン、１，３−シクロペンチレン、１，２−シクロへキシレン、１，３−シクロへキシレン、１，４−シクロへキシレン、下記式（１−１ａ）で表される基、下記式（１−１ｂ）で表される基、下記式（１−１ｃ）で表される基、下記式（１−１ｄ）で表される基などが挙げられ、より好ましくは、１，３−シクロへキシレンが挙げられる。
一般式（１−２）中、Ｒ4としては、炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数２〜８のアルキリデン基、炭素数３〜８のシクロアルキレン基、炭素数３〜８のシクロアルキリデン基または炭素−炭素間単結合が挙げられる。
炭素数１〜６のアルキレン基としては、例えば、メチレン、エチレン、トリメチレン、プロピレン、テトラメチレン、１−メチルトリメチレン、２−メチルトリメチレン、エチルエチレン、ペンタメチレン、１−メチルテトラメチレン、２−メチルテトラメチレン、１−エチルトリメチレン、２−エチルトリメチレン、ヘキサメチレンなどが挙げられ、好ましくは、メチレンが挙げられる。
炭素数１〜６のアルキレン基としては、例えば、メチレン、エチレン、トリメチレン、プロピレン、テトラメチレン、１−メチルトリメチレン、２−メチルトリメチレン、エチルエチレン、ペンタメチレン、１−メチルテトラメチレン、２−メチルテトラメチレン、１−エチルトリメチレン、２−エチルトリメチレン、ヘキサメチレンなどが挙げられ、好ましくは、メチレンが挙げられる。
炭素数１〜６のアルキリデン基としては、例えば、エチリデン、イソプロピリデンなどが挙げられ、好ましくは、イソプロピリデンが挙げられる。
炭素数３〜８のシクロアルキレン基および炭素数３〜８のシクロアルキリデン基としては、Ｒ3で示されるものと同様の基が挙げられ、好ましくは、シクロへキシリデン基が挙げられる。
炭素数３〜８のシクロアルキレン基および炭素数３〜８のシクロアルキリデン基としては、Ｒ3で示されるものと同様の基が挙げられ、好ましくは、シクロへキシリデン基が挙げられる。
一般式（１−２）中、Ｒ5およびＲ6としては、炭素数１〜６のアルキル基が挙げられる。この炭素数１〜６のアルキル基としては、Ｒ1およびＲ2で示されるものと同様のアルキル基が挙げられ、好ましくは、メチルが挙げられる。
一般式（１−２）中、ｃおよびｄとしては、独立して、０〜４の整数が挙げられる。なかでも、０または１が好ましい。
一般式（１−２）中、ｃおよびｄとしては、独立して、０〜４の整数が挙げられる。なかでも、０または１が好ましい。
一般式（１−２）で示される２価基の具体例としては、例えば、下記式（１−２ａ）で表される基、下記式（１−２ｂ）で表される基、下記式（１−２ｃ）で表される基などが挙げられる。
一般式（１−３）中、Ｒ7、Ｒ8およびＲ9としては、炭素数１〜６のアルキレン基が挙げられる。この炭素数１〜６のアルキレン基としては、Ｒ4で示されるものと同様のアルキレン基が挙げられ、好ましくは、エチレンが挙げられる。
一般式（１−３）中、ｅとしては、１〜４の整数が挙げられる。なかでも、１または２が好ましい。また、ｆとしては、０〜４の整数が挙げられる。なかでも、０または１が好ましい。
一般式（１−３）中、ｅとしては、１〜４の整数が挙げられる。なかでも、１または２が好ましい。また、ｆとしては、０〜４の整数が挙げられる。なかでも、０または１が好ましい。
一般式（１−３）で示される２価基の具体例としては、例えば、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−などが挙げられる。
一般式（１−４）中、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12およびＲ13としては、炭素数１〜６のアルキレン基が挙げられる。この炭素数１〜６のアルキレン基としては、Ｒ4で示されるものと同様のアルキレン基が挙げられ、好ましくは、エチレンが挙げられる。
一般式（１−４）中、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12およびＲ13としては、炭素数１〜６のアルキレン基が挙げられる。この炭素数１〜６のアルキレン基としては、Ｒ4で示されるものと同様のアルキレン基が挙げられ、好ましくは、エチレンが挙げられる。
一般式（１−４）中、ｇおよびｈとしては、独立して、０〜４の整数（ｇ＝ｈ＝０を除く。）が挙げられる。なかでも、ｇとｈの和が１であることが好ましい。また、ｉおよびｋとしては、独立して、０〜４の整数が挙げられる。なかでも、ｉとｋの和が１であることが好ましい。
一般式（１−４）中、Ｒ14としては、炭素数１〜６のアルキレン基または炭素−酸素間単結合が挙げられる。この炭素数１〜６のアルキレン基としては、Ｒ4で示されるものと同様のアルキレン基が挙げられ、好ましくは、エチレンが挙げられる。
一般式（１−４）中、Ｒ14としては、炭素数１〜６のアルキレン基または炭素−酸素間単結合が挙げられる。この炭素数１〜６のアルキレン基としては、Ｒ4で示されるものと同様のアルキレン基が挙げられ、好ましくは、エチレンが挙げられる。
一般式（１−４）で示される基としては、具体的には、下記一般式（１−４ａ）、一般式（１−４ｂ）、一般式（１−４ｃ）、一般式（１−４ｄ）、一般式（１−４ｅ）、一般式（１−４ｆ）で示される基などが挙げられる。好ましくは、下記一般式（１−４ａ）で示される基が挙げられる。
上記一般式（１−４ａ）〜（１−４ｆ）において、中心のベンゼン環に結合する２つの置換基は、一方の置換基に対して、他方の置換基がオルト（ｏ−）位、メタ（ｍ−）位およびパラ（ｐ−）位のいずれにあってもよい。好ましくは、一方の置換基に対して、他方の置換基がパラ位またはメタ位にある場合が挙げられる。
一般式（１−５）中、ｍおよびｎとしては、独立して、０〜４の整数が挙げられる。なかでも、０、１または２が好ましく、１がより好ましい。
一般式（１−５）中、ｍおよびｎとしては、独立して、０〜４の整数が挙げられる。なかでも、０、１または２が好ましく、１がより好ましい。
上記一般式（１−５）において、中心のテトラヒドロピラン環に結合する２つの置換基の置換位置は、２，３−、２，４−、２，５−、２，６−、３，４−、３，５−のいずれであってもよい。好ましくは、３，５−である。
本発明のナフトキノン系化合物は、具体的には、下記一般式（１１）、一般式（１２）、一般式（１３）、一般式（１４）または一般式（１５）で示される。
本発明のナフトキノン系化合物は、具体的には、下記一般式（１１）、一般式（１２）、一般式（１３）、一般式（１４）または一般式（１５）で示される。
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、ｉ、ｋ、ｍおよびｎは、上記と同じである。）
一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物の合成方法は、特に限定されないが、例えば、上記一般式（１４）で示されるナフトキノン系化合物は、下記の反応式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）に示すように、式（２１）で示されるジオール類を出発原料として合成することができる。
一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物の合成方法は、特に限定されないが、例えば、上記一般式（１４）で示されるナフトキノン系化合物は、下記の反応式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）に示すように、式（２１）で示されるジオール類を出発原料として合成することができる。
（式中、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、ｇ、ｈ、ｉおよびｋは、上記と同じである。）
上記反応式（Ｉ）に示す反応は、例えば、ディーンスタークトラップを取り付けた反応容器中で、還流下、反応により生成する水をトルエンなどの溶媒から除去しつつ、実施すればよい。
上記反応式（Ｉ）に示す反応は、例えば、ディーンスタークトラップを取り付けた反応容器中で、還流下、反応により生成する水をトルエンなどの溶媒から除去しつつ、実施すればよい。
（式中、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、ｇ、ｈ、ｉおよびｋは、上記と同じである。）
上記反応式（ＩＩ）に示す反応は、例えば、アルゴンなどの不活性ガスの雰囲気下、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）などの溶媒中で実施すればよい。
上記反応式（ＩＩ）に示す反応は、例えば、アルゴンなどの不活性ガスの雰囲気下、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）などの溶媒中で実施すればよい。
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、ｇ、ｈ、ｉおよびｋは、上記と同じである。）
上記反応式（ＩＩＩ）に示す反応は、例えば、アルゴンなどの不活性ガスの雰囲気下、ＴＨＦなどの溶媒中で実施すればよい。
さらに、上記反応式（ＩＩＩ）に示す反応で得られた式（２４）で示される化合物を、クロラニルなどで酸化することによって、上記式（１４）で示されるナフトキノン系化合物を得ることができる。
上記反応式（ＩＩＩ）に示す反応は、例えば、アルゴンなどの不活性ガスの雰囲気下、ＴＨＦなどの溶媒中で実施すればよい。
さらに、上記反応式（ＩＩＩ）に示す反応で得られた式（２４）で示される化合物を、クロラニルなどで酸化することによって、上記式（１４）で示されるナフトキノン系化合物を得ることができる。
上記一般式（１１）で示されるナフトキノン系化合物は、式（２１）で示されるジオール類に代えて、式（２５）で示されるジオールを出発原料とすること以外は、上記と同様にして合成することができる。
（式中、Ｒ3、ａおよびｂは、上記と同じである。）
上記一般式（１２）で示されるナフトキノン系化合物は、式（２１）で示されるジオール類に代えて、式（２６）で示されるジオールを出発原料とすること以外は、上記と同様にして合成することができる。
上記一般式（１２）で示されるナフトキノン系化合物は、式（２１）で示されるジオール類に代えて、式（２６）で示されるジオールを出発原料とすること以外は、上記と同様にして合成することができる。
（式中、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、ｃおよびｄは、上記と同じである。）
上記一般式（１３）で示されるナフトキノン系化合物は、式（２１）で示されるジオール類に代えて、式（２７）で示されるジオールを出発原料とすること以外は、上記と同様にして合成することができる。
上記一般式（１３）で示されるナフトキノン系化合物は、式（２１）で示されるジオール類に代えて、式（２７）で示されるジオールを出発原料とすること以外は、上記と同様にして合成することができる。
（式中、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、ｅおよびｆは、上記と同じである。）
上記一般式（１５）で示されるナフトキノン系化合物は、式（２１）で示されるジオール類に代えて、式（２８）で示されるジオールを出発原料とすること以外は、上記と同様にして合成することができる。
上記一般式（１５）で示されるナフトキノン系化合物は、式（２１）で示されるジオール類に代えて、式（２８）で示されるジオールを出発原料とすること以外は、上記と同様にして合成することができる。
（式中、ｍおよびｎは、上記と同じである。）
本発明のナフトキノン系化合物を、電子写真感光体の感光層に含有させる場合には、上記一般式（１）で示されるナフトキノン誘導体を単独で含有させてもよく、２種以上を混合して含有させてもよい。
本発明の電子写真感光体は、導電性基体上に、電荷発生剤と、上記一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物と、バインダ樹脂とを含む感光層を備えている。
本発明のナフトキノン系化合物を、電子写真感光体の感光層に含有させる場合には、上記一般式（１）で示されるナフトキノン誘導体を単独で含有させてもよく、２種以上を混合して含有させてもよい。
本発明の電子写真感光体は、導電性基体上に、電荷発生剤と、上記一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物と、バインダ樹脂とを含む感光層を備えている。
本発明の電子写真感光体において、導電性基体としては、特に限定されず、基体自体が導電性を有するか、または、基体の表面が導電性を有する種々の材料が挙げられる。具体的には、例えば、鉄、アルミニウム、銅、スズ、白金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス鋼、真鍮などの金属単体、例えば、上記金属が蒸着またはラミネートされたプラスチック材料、例えば、ヨウ化アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウムなどで被覆されたガラス、例えば、カーボンブラックなどの導電性微粒子を分散させた樹脂基体などが挙げられる。導電性基体の形状は、電子写真感光体を使用する画像形成装置の構造に合わせて、シート状、ドラム状などの種々の形状を採用することができる。
本発明の電子写真感光体において、感光層の層構成は、特に限定されず、同一の層内に電荷発生剤と、上記一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物とを含有させる、いわゆる単層型感光層と、電荷発生剤を含有する層（電荷発生層）と電荷輸送剤を含有する層（電荷輸送層）とを分離してなる、いわゆる積層型感光層のいずれであってもよい。
本発明の電子写真感光体において、電荷発生剤としては、特に限定されず、例えば、無金属フタロシアニン、チタニルフタロシアニン（ＴｉＯＰｃ）、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、例えば、ジスアゾ顔料、ジスアゾ縮合顔料、モノアゾ顔料、ペリレン系顔料、ジチオケトピロロピロール顔料、無金属ナフタロシアニン顔料、金属ナフタロシアニン顔料、スクアライン顔料、トリスアゾ顔料、インジゴ顔料、アズレニウム顔料、シアニン顔料、ピリリウム塩、アンサンスロン系顔料、トリフェニルメタン系顔料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリン系顔料、キナクリドン系顔料などが挙げられる。
本発明の電子写真感光体において、電荷発生剤としては、特に限定されず、例えば、無金属フタロシアニン、チタニルフタロシアニン（ＴｉＯＰｃ）、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、例えば、ジスアゾ顔料、ジスアゾ縮合顔料、モノアゾ顔料、ペリレン系顔料、ジチオケトピロロピロール顔料、無金属ナフタロシアニン顔料、金属ナフタロシアニン顔料、スクアライン顔料、トリスアゾ顔料、インジゴ顔料、アズレニウム顔料、シアニン顔料、ピリリウム塩、アンサンスロン系顔料、トリフェニルメタン系顔料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリン系顔料、キナクリドン系顔料などが挙げられる。
電荷発生剤は、電子写真感光体が所望の吸収波長域で感度を有するように、上記例示の中から種々選択すればよい。上記の電荷発生剤は、単独で使用してもよく、２種以上を混合して使用してもよい。
レーザビームプリンタなどのデジタル光学系の画像形成装置には、一般に、露光光源として、半導体レーザ（ＬＤ）や発光ダイオード（ＬＥＤ）が使用されており、その波長は６８０〜８３０ｎｍ前後の長波長領域（いわゆる「近赤外領域」）が主流である。従って、デジタル光学系の画像形成装置に用いられる電子写真感光体においては、電荷発生剤として、好ましくは、近赤外領域での感度に優れている無金属フタロシアニン、チタニルフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料が挙げられる。
レーザビームプリンタなどのデジタル光学系の画像形成装置には、一般に、露光光源として、半導体レーザ（ＬＤ）や発光ダイオード（ＬＥＤ）が使用されており、その波長は６８０〜８３０ｎｍ前後の長波長領域（いわゆる「近赤外領域」）が主流である。従って、デジタル光学系の画像形成装置に用いられる電子写真感光体においては、電荷発生剤として、好ましくは、近赤外領域での感度に優れている無金属フタロシアニン、チタニルフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料が挙げられる。
上記フタロシアニン系顔料の結晶形は、特に限定されるものではないが、例えば、無金属フタロシアニンはＸ型またはτ型であることが好ましく、チタニルフタロシアニンはα型（Ｘ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角（２θ±０．２°）７．６°および２８．６°に主たる回折ピークを有するもの）、または、Ｙ型（ブラッグ角（２θ±０．２°）２７．２°に主たる回折ピークを有するもの）であることが好ましく、ヒドロキシガリウムフタロシアニンはＶ型であることが好ましく、クロロガリウムフタロシアニンはＩＩ型であることが好ましい。
露光光源として、ハロゲンランプなどの白色光源を使用しているアナログ光学系の画像形成装置においては、電荷発生剤として、好ましくは、可視領域に感度を有するペリレン系顔料、ビスアゾ系顔料などが挙げられる。
本発明の電子写真感光体において、上記一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物は、電子輸送剤として感光層に含有される。このナフトキノン系化合物としては、本発明のナフトキノンについて例示したものと同様のものが挙げられる。
本発明の電子写真感光体において、上記一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物は、電子輸送剤として感光層に含有される。このナフトキノン系化合物としては、本発明のナフトキノンについて例示したものと同様のものが挙げられる。
本発明の電子写真感光体において、バインダ樹脂としては、特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡＤ型、ビスフェノールＺ型、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＣ型、ビスフェノールＺＣ型などのビスフェノールを用いてなるポリカーボネート、例えば、ポリエステル、ポリアリレート、ポリスチレンおよびポリ（メタ）アクリル酸エステル等が挙げられる。このなかでも、ポリカーボネートは、感光層の強度、耐磨耗性などをより一層良好なものにすることができ、とりわけ、感光層が単層型である場合に好適である。しかも、電荷輸送剤との相溶性に優れ、その分子内に、電荷輸送剤の電荷輸送能を妨害する部位を有しないものであることから、高感度な電子写真感光体を得る上でも好適である。
本発明の電子写真感光体においては、上記一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物とともに、任意の電子輸送剤として、他の電子輸送剤を含有させてもよい。
他の電子輸送剤としては、例えば、ベンゾキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、ジフェノキノン系化合物、ジナフトキノン系化合物、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド系化合物、フルオレノン系化合物、マロノニトリル系化合物、チオピラン系化合物、トリニトロチオキサントン系化合物、ジニトロアントラセン系化合物、ジニトロアクリジン系化合物、ニトロアントアラキノン系化合物、ジニトロアントラキノン系化合物などが挙げられる。
他の電子輸送剤としては、例えば、ベンゾキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、ジフェノキノン系化合物、ジナフトキノン系化合物、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド系化合物、フルオレノン系化合物、マロノニトリル系化合物、チオピラン系化合物、トリニトロチオキサントン系化合物、ジニトロアントラセン系化合物、ジニトロアクリジン系化合物、ニトロアントアラキノン系化合物、ジニトロアントラキノン系化合物などが挙げられる。
また、本発明の電子写真感光体においては、感光層に、上記一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物とともに、正孔輸送剤を含有させてもよい。
正孔輸送剤としては、特に限定されないが、例えば、ベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン、ビフェニル、ｏ−，ｍ−，ｐ−ターフェニル、ビナフタレン、スチルベン、スチリルスチルベンなどの芳香族炭化水素に、置換基を有していてもよいジアリールアミノ基を１、２または３個置換してなる化合物（具体的には、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジン系化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルフェニレンジアミン系化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルナフチレンジアミン系化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルフェナントリレンジアミン系化合物、例えば、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセンなどのスチリル系化合物など。）、例えば、２，５−ジ（４−メチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物、例えば、ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール系化合物、例えば、１−フェニル−３−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン等のピラゾリン系化合物、例えば、有機ポリシラン化合物、ヒドラゾン系化合物、インドール系化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物、トリアゾール系化合物が挙げられる。
正孔輸送剤としては、特に限定されないが、例えば、ベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン、ビフェニル、ｏ−，ｍ−，ｐ−ターフェニル、ビナフタレン、スチルベン、スチリルスチルベンなどの芳香族炭化水素に、置換基を有していてもよいジアリールアミノ基を１、２または３個置換してなる化合物（具体的には、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジン系化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルフェニレンジアミン系化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルナフチレンジアミン系化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルフェナントリレンジアミン系化合物、例えば、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセンなどのスチリル系化合物など。）、例えば、２，５−ジ（４−メチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物、例えば、ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール系化合物、例えば、１−フェニル−３−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン等のピラゾリン系化合物、例えば、有機ポリシラン化合物、ヒドラゾン系化合物、インドール系化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物、トリアゾール系化合物が挙げられる。
上記芳香族炭化水素は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アリールアルケニル基などの置換基を有していてもよい。
アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基としては、Ｒ1およびＲ2で示されるものと同様の基が挙げられる。
アルケニル基としては、例えば、ビニル、１−プロペニル、アリル、イソプロペニル、２−ブテニル、１，３−ブタジエニル、１−ペンテニル、２−ヘキセニルなどの炭素数が１〜６のアルケニル基が挙げられる。
アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基としては、Ｒ1およびＲ2で示されるものと同様の基が挙げられる。
アルケニル基としては、例えば、ビニル、１−プロペニル、アリル、イソプロペニル、２−ブテニル、１，３−ブタジエニル、１−ペンテニル、２−ヘキセニルなどの炭素数が１〜６のアルケニル基が挙げられる。
アリールアルケニル基としては、例えば、スチリル、シンナミルなどの炭素数が８〜１２のアリールアルケニル基が挙げられる。
置換基を有していてもよいジアリールアミノ基のジアリールアミノ基としては、例えば、ジフェニルアミノ、ジナフチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジスチリルアミノなどが挙げられる。
置換基を有していてもよいジアリールアミノ基のジアリールアミノ基としては、例えば、ジフェニルアミノ、ジナフチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジスチリルアミノなどが挙げられる。
置換基を有していてもよいジアリールアミノ基の置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アリールアルケニル基などが挙げられる。これらの置換基は、上記のものと同様の基が挙げられる。
本発明においては、感光層に、必須成分としての電荷発生剤と、上記一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物（電子輸送剤）と、バインダ樹脂と、さらに必要に応じて、任意成分としての他の電子輸送剤と、正孔輸送剤とを含有させること以外に、例えば、分散剤、増感剤、例えば、酸化防止剤、ラジカル捕捉剤、一重項クエンチャー、紫外線吸収剤などの劣化防止剤、例えば、軟化剤、可塑剤、表面改質剤、増量剤、増粘剤、分散安定剤、ワックス、アクセプター、ドナー、例えば、電荷輸送剤や電荷発生剤の分散性、感光層表面の平滑性を良くするための界面活性剤やレベリング剤などを含有させることができる。
本発明においては、感光層に、必須成分としての電荷発生剤と、上記一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物（電子輸送剤）と、バインダ樹脂と、さらに必要に応じて、任意成分としての他の電子輸送剤と、正孔輸送剤とを含有させること以外に、例えば、分散剤、増感剤、例えば、酸化防止剤、ラジカル捕捉剤、一重項クエンチャー、紫外線吸収剤などの劣化防止剤、例えば、軟化剤、可塑剤、表面改質剤、増量剤、増粘剤、分散安定剤、ワックス、アクセプター、ドナー、例えば、電荷輸送剤や電荷発生剤の分散性、感光層表面の平滑性を良くするための界面活性剤やレベリング剤などを含有させることができる。
分散剤としては、例えば、電荷発生剤のバインダ樹脂中での分散性を向上させるための分散剤として、ジスアゾイエロー、ジアニシジンオレンジ、ピラゾロンオレンジ、ピラゾロンレッドなどのアゾ系顔料が挙げられる。増感剤としては、例えば、テルフェニル、ハロナフトキノン類、アセナフチレンなどが挙げられる。
本発明の電子写真感光体のうち、感光層が単層型である電子写真感光体は、例えば、電荷発生剤と、上記一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物（電子輸送剤）と、バインダ樹脂と、さらに必要に応じて、他の電子輸送剤、正孔輸送剤および他の成分とを、分散媒に分散または溶解させて、こうして得られた感光層形成用塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥させることによって製造することができる。
本発明の電子写真感光体のうち、感光層が単層型である電子写真感光体は、例えば、電荷発生剤と、上記一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物（電子輸送剤）と、バインダ樹脂と、さらに必要に応じて、他の電子輸送剤、正孔輸送剤および他の成分とを、分散媒に分散または溶解させて、こうして得られた感光層形成用塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥させることによって製造することができる。
分散媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノールなどのアルコール類、例えば、ｎ−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサンなどの脂肪族系炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族系炭化水素類、例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素類、例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテルなどのエーテル類、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、例えば、酢酸エチル、酢酸メチルなどのエステル類、例えば、ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドが挙げられる。これらの分散媒は、単独で使用してもよく、２種以上を混合して使用してもよい。
上記感光層は、導電基体上に、直接に形成してもよく、または、下引き層（バリア層）を介して形成してもよい。また、感光体の表面には保護層を形成してもよい。
感光層形成用塗布液は、例えば、電荷発生剤、電荷輸送剤、バインダ樹脂などを、分散媒とともに、ロールミル、ボールミル、アトライタ、ペイントシェーカー、超音波分散機などを用いて分散混合することによって、調製することができる。
感光層形成用塗布液は、例えば、電荷発生剤、電荷輸送剤、バインダ樹脂などを、分散媒とともに、ロールミル、ボールミル、アトライタ、ペイントシェーカー、超音波分散機などを用いて分散混合することによって、調製することができる。
単層型感光層において、感光層の厚さは、特に限定されないが、好ましくは、５〜１００μｍであり、より好ましくは、１０〜５０μｍである。
単層型感光層において、電荷発生剤の含有割合は、特に限定されないが、バインダ樹脂１００重量部に対して、好ましくは、０．１〜５０重量部、より好ましくは、０．５〜３０重量部である。上記一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物の含有割合は、特に限定されないが、バインダ樹脂１００重量部に対して、好ましくは、５〜１００重量部、より好ましくは、１０〜８０重量部である。一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物と、他の電子輸送剤とを併用する場合において、両者の総量に占める一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物の割合は、好ましくは、５重量％以上であり、より好ましくは、２０重量％以上である。任意に正孔輸送剤を含有させる場合において、正孔輸送剤の含有割合は、特に限定されないが、バインダ樹脂１００重量部に対して、好ましくは、１０〜２００重量部、より好ましくは、２０〜１００重量部である。また、電子輸送剤と正孔輸送剤との総量は、特に限定されないが、バインダ樹脂１００重量部に対して、好ましくは、２０〜３００重量部、より好ましくは、３０〜２００重量部である。
単層型感光層において、電荷発生剤の含有割合は、特に限定されないが、バインダ樹脂１００重量部に対して、好ましくは、０．１〜５０重量部、より好ましくは、０．５〜３０重量部である。上記一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物の含有割合は、特に限定されないが、バインダ樹脂１００重量部に対して、好ましくは、５〜１００重量部、より好ましくは、１０〜８０重量部である。一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物と、他の電子輸送剤とを併用する場合において、両者の総量に占める一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物の割合は、好ましくは、５重量％以上であり、より好ましくは、２０重量％以上である。任意に正孔輸送剤を含有させる場合において、正孔輸送剤の含有割合は、特に限定されないが、バインダ樹脂１００重量部に対して、好ましくは、１０〜２００重量部、より好ましくは、２０〜１００重量部である。また、電子輸送剤と正孔輸送剤との総量は、特に限定されないが、バインダ樹脂１００重量部に対して、好ましくは、２０〜３００重量部、より好ましくは、３０〜２００重量部である。
本発明の電子写真感光体のうち、感光層が積層型である電子写真感光体は、例えば、まず、電荷発生剤と、バインダ樹脂と、さらに必要に応じて、正孔輸送剤および他の成分とを、分散媒に分散または溶解させて、こうして得られた電荷発生層形成用塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥させることによって、電荷発生層を形成する。次いで、上記一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物（電子輸送剤）と、バインダ樹脂と、さらに必要に応じて、他の電子輸送剤、正孔輸送剤および他の成分とを、分散媒に分散または溶解させて、こうして得られた電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層上に塗布し、乾燥させることによって、電荷輸送層を形成する。こうして、導電性基体上に電荷発生層と電荷輸送層とをこの順序で積層してなる電子写真感光体を製造することができる。電荷発生層と電荷輸送層の積層順序は、上記の場合と逆の順序であってもよいが、一般に、電荷発生層はその膜厚が薄く、強度が十分ではないことから、上記のとおりの積層順序とするのが好ましい。
分散媒としては、上記したものと同様のものが挙げられる。
上記電荷発生層または電荷輸送層は、導電基体上に、直接に形成してもよく、または、下引き層を介して形成してもよい。また、感光体の表面には保護層を形成してもよい。
電荷発生層形成用塗布液および電荷輸送層形成用塗布液は、例えば、電荷発生剤、電荷輸送剤、バインダ樹脂などの所定の成分を、分散媒とともに、ロールミル、ボールミル、アトライタ、ペイントシェーカー、超音波分散機などを用いて分散混合することによって、調製することができる。
上記電荷発生層または電荷輸送層は、導電基体上に、直接に形成してもよく、または、下引き層を介して形成してもよい。また、感光体の表面には保護層を形成してもよい。
電荷発生層形成用塗布液および電荷輸送層形成用塗布液は、例えば、電荷発生剤、電荷輸送剤、バインダ樹脂などの所定の成分を、分散媒とともに、ロールミル、ボールミル、アトライタ、ペイントシェーカー、超音波分散機などを用いて分散混合することによって、調製することができる。
積層型感光層において、感光層の厚さは、特に限定されないが、電荷発生層が、好ましくは、０．０１〜５μｍ、より好ましくは、０．１〜３μｍであり、電荷輸送層が、好ましくは、２〜１００μｍ、より好ましくは、５〜５０μｍである。
積層型感光層の電荷発生層において、電荷発生剤の含有割合は、特に限定されないが、バインダ樹脂１００重量部に対して、好ましくは、５〜１０００重量部であり、より好ましくは、３０〜５００重量部である。また、積層型感光層の電荷輸送層において、上記一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物の含有割合は、特に限定されないが、好ましくは、１０〜５００重量部、より好ましくは、２５〜２００重量部である。
積層型感光層の電荷発生層において、電荷発生剤の含有割合は、特に限定されないが、バインダ樹脂１００重量部に対して、好ましくは、５〜１０００重量部であり、より好ましくは、３０〜５００重量部である。また、積層型感光層の電荷輸送層において、上記一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物の含有割合は、特に限定されないが、好ましくは、１０〜５００重量部、より好ましくは、２５〜２００重量部である。
本発明の電子写真感光体は、静電式複写機、ファクシミリ、レーザビームプリンタなどの画像形成装置において、とりわけ、画像処理のさらなる高速化や高画質化が要求されている用途において、好適である。
次に、本発明を実施例に基づいてより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
合成例１
下記反応式（ｉ）〜（ｉｖ）に示す反応を経て、式（１４−１）で示されるナフトキノン系化合物を合成した。
合成例１
下記反応式（ｉ）〜（ｉｖ）に示す反応を経て、式（１４−１）で示されるナフトキノン系化合物を合成した。
まず、トルエン１５０ｍＬに、ブロモ酢酸１０６ｇ（０．７６ｍｏｌ）と、濃硫酸１滴とを加えた後、室温で還流しながら、トルエン１００ｍｍＬに懸濁させた１，４−ジ（２−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン（３１）７５．３ｇ（０．３８ｍｏｌ）を３０分間かけてゆっくりと滴下して、さらに２時間還流した。反応液を冷却して有機層を取り出し、水で十分に洗浄した後、無水硫酸ナトリウムと活性白土で乾燥した。こうして得られた残渣を、クロロホルム５０ｍＬ／メタノール２００ｍｍＬの混合溶媒で再結晶し、さらに、クロロホルム／ヘキサン混合溶媒で晶析して、得られた結晶をろ別し、乾燥することによって、式（３２）で示される化合物を得た（下記反応式（ｖｉｉ−１）参照）。
化合物（３２）：白色結晶、収量１０４．２ｇ、収率６２．３％。
次に、アルゴン雰囲気下、氷浴中にて、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｍＬに、２−フェニル−１，３−インダンジオン５０ｇ（０．２２５ｍｏｌ）と、水素化ナトリウム１１ｇ（０．２７ｍｏｌ）とを加え、さらに、ＴＨＦ１２０ｍＬに懸濁させた上記化合物（３２）４９．３ｇ（０．１１２ｍｏｌ）を加えて、４時間還流した。反応液を冷却した後、水１５００ｍＬを加えて、析出した結晶をろ別し、さらに、こうして得られた結晶をクロロホルム４００ｍＬに溶解して、水で十分に洗浄した後、無水硫酸ナトリウムと活性白土で乾燥した。こうして得られた残渣を、クロロホルム１００ｍＬ／メタノール３００ｍｍＬの混合溶媒で再結晶することによって、式（３３）で示される化合物を得た（下記反応式（ｉｉ）参照）。
化合物（３３）：白色結晶、収量６６．９ｇ、収率８２．７％。
次に、アルゴン雰囲気下、氷浴中にて、ＴＨＦ１５０ｍＬとＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）７０ｍＬとの混合溶媒に、上記化合物（３３）５７．８ｇ（０．０８ｍｏｌ）と、水素化ナトリウム７．６ｇ（０．１９１ｍｏｌ）とを加えて、３時間還流した。反応液を冷却した後、水５００ｍＬと希塩酸とを加え、ろ過により水層を除去して得られた残渣を、クロロホルム２００ｍＬ／ヘキサン２００ｍｍＬの混合溶媒で再結晶することによって、式（３４）で示される化合物を得た（下記反応式（ｉｉｉ）参照）。
化合物（３４）：白色結晶、収量４５．４ｇ、収率７８．６％。
次に、クロロホルム１５０ｍＬに、上記化合物（３４）４５．４ｇ（０．０６２９ｍｏｌ）と、クロラニル４０ｇ（０．１６３ｍｏｌ）とを加えて、室温で、終夜攪拌した後、反応液から固体をろ別して、有機溶媒を減圧留去した。こうして得られた残渣を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム）で精製して、下記式（１４−１）で示されるナフトキノン系化合物を得た（下記反応式（ｉｖ）参照）。
化合物（１４−１）：黄色結晶、融点１７０〜１７３℃、収率３４．３８％。
合成例１で得られたナフトキノン系化合物（１４−１）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図１に示し、ＩＲスペクトルを図２に示す。
合成例２
上記合成例１の反応式（ｉ）に示す反応において、１，４−ジ（２−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン（３１）に代えて、下記式（３５）で示される１，３−シクロヘキサンジオール４１．８ｇ（０．３８ｍｏｌ）を使用したこと以外は、合成例１の反応式（ｉ）〜（ｉｖ）と同様の合成反応を実施して、下記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物を得た。なお、合成例２における上記反応式（ｉｉ）〜（ｉｖ）に対応する反応において、各反応の出発物質である上記化合物（３２）〜（３４）に対応する化合物は、いずれも合成例１の場合と同モル量使用した。
合成例２
上記合成例１の反応式（ｉ）に示す反応において、１，４−ジ（２−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン（３１）に代えて、下記式（３５）で示される１，３−シクロヘキサンジオール４１．８ｇ（０．３８ｍｏｌ）を使用したこと以外は、合成例１の反応式（ｉ）〜（ｉｖ）と同様の合成反応を実施して、下記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物を得た。なお、合成例２における上記反応式（ｉｉ）〜（ｉｖ）に対応する反応において、各反応の出発物質である上記化合物（３２）〜（３４）に対応する化合物は、いずれも合成例１の場合と同モル量使用した。
化合物（１１−１）：黄色結晶、融点１２６〜１３０℃、収率３２．４％。
合成例２で得られたナフトキノン系化合物（１１−１）のＩＲスペクトルを図３に示す。
合成例３
上記合成例１の反応式（ｉ）に示す反応において、１，４−ジ（２−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン（３１）に代えて、下記式（３６）で示される４，４’−ジヒドロキシジフェニルベンゼン７．６１ｇ（０．３８ｍｏｌ）を使用したこと以外は、合成例１の反応式（ｉ）〜（ｉｖ）と同様の合成反応を実施して、下記式（１２−１）で示されるナフトキノン系化合物を得た。なお、合成例３における上記反応式（ｉｉ）〜（ｉｖ）に対応する反応において、各反応の出発物質である上記化合物（３２）〜（３４）に対応する化合物は、いずれも合成例１の場合と同モル量使用した。
合成例３
上記合成例１の反応式（ｉ）に示す反応において、１，４−ジ（２−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン（３１）に代えて、下記式（３６）で示される４，４’−ジヒドロキシジフェニルベンゼン７．６１ｇ（０．３８ｍｏｌ）を使用したこと以外は、合成例１の反応式（ｉ）〜（ｉｖ）と同様の合成反応を実施して、下記式（１２−１）で示されるナフトキノン系化合物を得た。なお、合成例３における上記反応式（ｉｉ）〜（ｉｖ）に対応する反応において、各反応の出発物質である上記化合物（３２）〜（３４）に対応する化合物は、いずれも合成例１の場合と同モル量使用した。
化合物（１２−１）：黄色結晶、収率３０．０％。
合成例４
上記合成例１の反応式（ｉ）に示す反応において、１，４−ジ（２−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン（３１）に代えて、下記式（３７）で示される２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン９７．４ｇ（０．３８ｍｏｌ）を使用したこと以外は、合成例１の反応式（ｉ）〜（ｉｖ）と同様の合成反応を実施して、下記式（１２−２）で示されるナフトキノン系化合物を得た。なお、合成例４における上記反応式（ｉｉ）〜（ｉｖ）に対応する反応において、各反応の出発物質である上記化合物（３２）〜（３４）に対応する化合物は、いずれも合成例１の場合と同モル量使用した。
上記合成例１の反応式（ｉ）に示す反応において、１，４−ジ（２−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン（３１）に代えて、下記式（３７）で示される２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン９７．４ｇ（０．３８ｍｏｌ）を使用したこと以外は、合成例１の反応式（ｉ）〜（ｉｖ）と同様の合成反応を実施して、下記式（１２−２）で示されるナフトキノン系化合物を得た。なお、合成例４における上記反応式（ｉｉ）〜（ｉｖ）に対応する反応において、各反応の出発物質である上記化合物（３２）〜（３４）に対応する化合物は、いずれも合成例１の場合と同モル量使用した。
化合物（１２−２）：黄色結晶、収率２７．６％。
合成例５
上記合成例１の反応式（ｉ）に示す反応において、１，４−ジ（２−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン（３１）に代えて、下記式（３８）で示される１，１−ジ（ｐ−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン１０２ｇ（０．３８ｍｏｌ）を使用したこと以外は、合成例１の反応式（ｉ）〜（ｉｖ）と同様の合成反応を実施して、下記式（１２−３）で示されるナフトキノン系化合物を得た。なお、合成例５における上記反応式（ｉｉ）〜（ｉｖ）に対応する反応において、各反応の出発物質である上記化合物（３２）〜（３４）に対応する化合物は、いずれも合成例１の場合と同モル量使用した。
上記合成例１の反応式（ｉ）に示す反応において、１，４−ジ（２−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン（３１）に代えて、下記式（３８）で示される１，１−ジ（ｐ−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン１０２ｇ（０．３８ｍｏｌ）を使用したこと以外は、合成例１の反応式（ｉ）〜（ｉｖ）と同様の合成反応を実施して、下記式（１２−３）で示されるナフトキノン系化合物を得た。なお、合成例５における上記反応式（ｉｉ）〜（ｉｖ）に対応する反応において、各反応の出発物質である上記化合物（３２）〜（３４）に対応する化合物は、いずれも合成例１の場合と同モル量使用した。
化合物（１２−３）：黄色結晶、収率３７．４％。
合成例６
上記合成例１の反応式（ｉ）に示す反応において、１，４−ジ（２−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン（３１）に代えて、下記式（３９）で示されるジエチレングリコール４０．３ｇ（０．３８ｍｏｌ）を使用したこと以外は、合成例１の反応式（ｉ）〜（ｉｖ）と同様の合成反応を実施して、下記式（１３−１）で示されるナフトキノン系化合物を得た。なお、合成例６における上記反応式（ｉｉ）〜（ｉｖ）に対応する反応において、各反応の出発物質である上記化合物（３２）〜（３４）に対応する化合物は、いずれも合成例１の場合と同モル量使用した。
上記合成例１の反応式（ｉ）に示す反応において、１，４−ジ（２−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン（３１）に代えて、下記式（３９）で示されるジエチレングリコール４０．３ｇ（０．３８ｍｏｌ）を使用したこと以外は、合成例１の反応式（ｉ）〜（ｉｖ）と同様の合成反応を実施して、下記式（１３−１）で示されるナフトキノン系化合物を得た。なお、合成例６における上記反応式（ｉｉ）〜（ｉｖ）に対応する反応において、各反応の出発物質である上記化合物（３２）〜（３４）に対応する化合物は、いずれも合成例１の場合と同モル量使用した。
化合物（１３−１）：黄色結晶、融点１４４〜１４８℃、収率４０．２％。
合成例６で得られたナフトキノン系化合物（１３−１）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図４に示し、ＩＲスペクトルを図５に示す。
す。
合成例７
上記合成例１の反応式（ｉ）に示す反応において、１，４−ジ（２−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン（３１）に代えて、下記式（４０）で示される３，６−ジオキサオクタン−１，８−ジオール５７．１ｇ（０．３８ｍｏｌ）を使用したこと以外は、合成例１の反応式（ｉ）〜（ｉｖ）と同様の合成反応を実施して、下記式（１３−２）で示されるナフトキノン系化合物を得た。なお、合成例７における上記反応式（ｉｉ）〜（ｉｖ）に対応する反応において、各反応の出発物質である上記化合物（３２）〜（３４）に対応する化合物は、いずれも合成例１の場合と同モル量使用した。
す。
合成例７
上記合成例１の反応式（ｉ）に示す反応において、１，４−ジ（２−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン（３１）に代えて、下記式（４０）で示される３，６−ジオキサオクタン−１，８−ジオール５７．１ｇ（０．３８ｍｏｌ）を使用したこと以外は、合成例１の反応式（ｉ）〜（ｉｖ）と同様の合成反応を実施して、下記式（１３−２）で示されるナフトキノン系化合物を得た。なお、合成例７における上記反応式（ｉｉ）〜（ｉｖ）に対応する反応において、各反応の出発物質である上記化合物（３２）〜（３４）に対応する化合物は、いずれも合成例１の場合と同モル量使用した。
化合物（１３−２）：黄色結晶、収率２７．７％。
合成例８
上記合成例１の反応式（ｉ）に示す反応において、１，４−ジ（２−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン（３１）に代えて、下記式（４１）で示される１，３−ジ（２−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン ７５．３ｇ（０．３８ｍｏｌ）を使用したこと以外は、合成例１の反応式（ｉ）〜（ｉｖ）と同様の合成反応を実施して、下記式（１４−２）で示されるナフトキノン系化合物を得た。なお、合成例８における上記反応式（ｉｉ）〜（ｉｖ）に対応する反応において、各反応の出発物質である上記化合物（３２）〜（３４）に対応する化合物は、いずれも合成例１の場合と同モル量使用した。
上記合成例１の反応式（ｉ）に示す反応において、１，４−ジ（２−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン（３１）に代えて、下記式（４１）で示される１，３−ジ（２−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン ７５．３ｇ（０．３８ｍｏｌ）を使用したこと以外は、合成例１の反応式（ｉ）〜（ｉｖ）と同様の合成反応を実施して、下記式（１４−２）で示されるナフトキノン系化合物を得た。なお、合成例８における上記反応式（ｉｉ）〜（ｉｖ）に対応する反応において、各反応の出発物質である上記化合物（３２）〜（３４）に対応する化合物は、いずれも合成例１の場合と同モル量使用した。
化合物（１４−２）：黄色結晶、収率３２．０％、融点８４〜９６℃。
合成例８で得られたナフトキノン系化合物（１４−２）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図６に示し、ＩＲスペクトルを図７に示す。
合成例９
上記合成例１の反応式（ｉ）に示す反応において、１，４−ジ（２−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン（３１）に代えて、下記式（４２）で示される３，５−ジヒドロキシメチルテトラヒドロピラニルエーテル ５５．５ｇ（０．３８ｍｏｌ）を使用したこと以外は、合成例１の反応式（ｉ）〜（ｉｖ）と同様の合成反応を実施して、下記式（１５−１）で示されるナフトキノン系化合物を得た。なお、合成例９における上記反応式（ｉｉ）〜（ｉｖ）に対応する反応において、各反応の出発物質である上記化合物（３２）〜（３４）に対応する化合物は、いずれも合成例１の場合と同モル量使用した。
合成例９
上記合成例１の反応式（ｉ）に示す反応において、１，４−ジ（２−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン（３１）に代えて、下記式（４２）で示される３，５−ジヒドロキシメチルテトラヒドロピラニルエーテル ５５．５ｇ（０．３８ｍｏｌ）を使用したこと以外は、合成例１の反応式（ｉ）〜（ｉｖ）と同様の合成反応を実施して、下記式（１５−１）で示されるナフトキノン系化合物を得た。なお、合成例９における上記反応式（ｉｉ）〜（ｉｖ）に対応する反応において、各反応の出発物質である上記化合物（３２）〜（３４）に対応する化合物は、いずれも合成例１の場合と同モル量使用した。
化合物（１５−１）：黄色結晶、収率２９．３％。
実施例１
Ｘ型無金属フタロシアニン（電荷発生剤）５重量部と、上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物（電子輸送剤）２０重量部と、下記式（ＨＴ−１）で示されるＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（３，４−キシリル）−１，３−フェニレンジアミン（正孔輸送剤）６０重量部と、ポリカーボネート（結着樹脂）１００重量部と、テトラヒドロフラン（溶剤）８００重量部とを配合して、ボールミルにて５０時間、混合分散させることにより、単層型感光層用の塗布液を得た。
Ｘ型無金属フタロシアニン（電荷発生剤）５重量部と、上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物（電子輸送剤）２０重量部と、下記式（ＨＴ−１）で示されるＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（３，４−キシリル）−１，３−フェニレンジアミン（正孔輸送剤）６０重量部と、ポリカーボネート（結着樹脂）１００重量部と、テトラヒドロフラン（溶剤）８００重量部とを配合して、ボールミルにて５０時間、混合分散させることにより、単層型感光層用の塗布液を得た。
次いで、この塗布液を、アルミニウム素管（導電性基材）上に、ディップコート法にて塗布し、１００℃で３０分間熱風乾燥することにより、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例２
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１２−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例３
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１２−２）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１２−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例３
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１２−２）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例４
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１２−３）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例５
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１３−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１２−３）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例５
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１３−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例６
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１３−２）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例７
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１４−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１３−２）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例７
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１４−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例８
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１４−２）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例９
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１５−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１４−２）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例９
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１５−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
比較例１
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、下記式（ＥＴ−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、下記式（ＥＴ−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
比較例２
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、下記式（ＥＴ−２）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、下記式（ＥＴ−２）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
比較例３
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、下記式（ＥＴ−３）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、下記式（ＥＴ−３）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
比較例４
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、下記式（ＥＴ−４）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、下記式（ＥＴ−４）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
感度特性試験
上記実施例１〜９および比較例１〜４で得られた電子写真感光体の感度を、ＧＥＮＴＥＣ社製のドラム感度試験機を用いて測定した。
この感度特性試験では、まず、感光体の表面に印加電圧を加えて、表面電位（初期表面電位Ｖ0）が＋７００Ｖとなるように帯電させた後、ハロゲンランプ（露光光源）の白色光からバンドパスフィルタを用いて取り出した波長７８０ｎｍの単色光（半値幅２０ｎｍ、光強度１．５μＪ・ｃｍ-2）を、感光体表面に照射した。次いで、露光開始から０．５秒経過した時点での表面電位を測定して、残留電位Ｖrとした。
上記実施例１〜９および比較例１〜４で得られた電子写真感光体の感度を、ＧＥＮＴＥＣ社製のドラム感度試験機を用いて測定した。
この感度特性試験では、まず、感光体の表面に印加電圧を加えて、表面電位（初期表面電位Ｖ0）が＋７００Ｖとなるように帯電させた後、ハロゲンランプ（露光光源）の白色光からバンドパスフィルタを用いて取り出した波長７８０ｎｍの単色光（半値幅２０ｎｍ、光強度１．５μＪ・ｃｍ-2）を、感光体表面に照射した。次いで、露光開始から０．５秒経過した時点での表面電位を測定して、残留電位Ｖrとした。
また、上記帯電および露光処理を、毎分１０サイクルで５００分間繰り返して実施し、５００分経過後における初期表面電位Ｖ0を測定した。こうして、上記帯電および露光処理を繰り返し実施する前の初期表面電位Ｖ0と、５００分間繰り返し実施した後の初期表面電位Ｖ0との差ΔＶ0（Ｖ）を求めた。
上記感度特性試験の測定結果を、表１に示す。
上記感度特性試験の測定結果を、表１に示す。
実施例１０
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（３，４−キシリル）−１，３−フェニレンジアミンに代えて、下記式（ＨＴ−２）で示されるビス−１，４−〔４’−〔Ｎ−（２''−エチル−６''−メチル）フェニル−Ｎ−ｍ−トリル〕アミノ−２’−メチルスチリル〕ベンゼン６０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（３，４−キシリル）−１，３−フェニレンジアミンに代えて、下記式（ＨＴ−２）で示されるビス−１，４−〔４’−〔Ｎ−（２''−エチル−６''−メチル）フェニル−Ｎ−ｍ−トリル〕アミノ−２’−メチルスチリル〕ベンゼン６０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例１１
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１２−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１０と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例１２
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１２−２）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１０と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１２−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１０と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例１２
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１２−２）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１０と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例１３
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１２−３）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１０と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例１４
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１３−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１０と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１２−３）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１０と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例１４
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１３−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１０と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例１５
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１３−２）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１０と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例１６
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１４−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１０と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１３−２）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１０と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例１６
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１４−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１０と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例１７
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１４−２）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１０と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例１８
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１５−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１０と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１４−２）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１０と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例１８
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１５−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１０と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
比較例５
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（ＥＴ−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１０と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
比較例６
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（ＥＴ−２）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１０と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（ＥＴ−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１０と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
比較例６
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（ＥＴ−２）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１０と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
比較例７
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（ＥＴ−３）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１０と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
比較例８
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（ＥＴ−４）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１０と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（ＥＴ−３）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１０と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
比較例８
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（ＥＴ−４）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１０と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
上記実施例１０〜１８および比較例５〜８で得られた電子写真感光体について、上記と同様にして、感度特性試験を実施した。その結果を表２に示す。
実施例１９
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（３，４−キシリル）−１，３−フェニレンジアミンに代えて、下記式（ＨＴ−３）で示されるビス−１，２−〔４’−〔Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）〕アミノスチリル〕ベンゼン６０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（３，４−キシリル）−１，３−フェニレンジアミンに代えて、下記式（ＨＴ−３）で示されるビス−１，２−〔４’−〔Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）〕アミノスチリル〕ベンゼン６０重量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例２０
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１２−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１９と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例２１
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１２−２）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１９と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１２−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１９と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例２１
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１２−２）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１９と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例２２
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１２−３）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１９と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例２３
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１３−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１９と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１２−３）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１９と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例２３
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１３−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１９と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例２４
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１３−２）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１９と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例２５
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１４−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１９と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１３−２）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１９と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例２５
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１４−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１９と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例２６
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１４−２）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１９と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例２７
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１５−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１９と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１４−２）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１９と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
実施例２７
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（１５−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例１９と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
比較例９
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（ＥＴ−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例７と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
比較例１０
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（ＥＴ−２）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例７と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（ＥＴ−１）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例７と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
比較例１０
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（ＥＴ−２）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例７と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
比較例１１
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（ＥＴ−３）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例７と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
比較例１２
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（ＥＴ−４）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例７と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（ＥＴ−３）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例７と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
比較例１２
上記式（１１−１）で示されるナフトキノン系化合物に代えて、上記式（ＥＴ−４）で示されるナフトキノン系化合物２０重量部を使用したこと以外は、実施例７と同様にして、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
上記実施例１９〜２７および比較例９〜１３で得られた電子写真感光体について、上記と同様にして、感度特性試験を実施した。その結果を表３に示す。
上記表１〜３より明らかなように、上記一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物を電子輸送剤として使用した場合には、電気特性に優れた電子写真感光体を得ることができた。
本発明は、以上の記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した事項の範囲において、種々の設計変更を施すことが可能である。
本発明は、以上の記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した事項の範囲において、種々の設計変更を施すことが可能である。
Claims (3)
- 下記一般式（１）で示されることを特徴とする、ナフトキノン系化合物。
- 導電性基体上に感光層を備える電子写真感光体であって、前記感光層が、電荷発生剤と、下記一般式（１）で示されるナフトキノン系化合物と、バインダ樹脂とを含むことを特徴とする、電子写真感光体。
- 前記感光層が単層型であることを特徴とする、請求項２に記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004214685A JP4515845B2 (ja) | 2004-07-22 | 2004-07-22 | ナフトキノン系化合物およびそれを用いた電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006036647A JP2006036647A (ja) | 2006-02-09 |
| JP4515845B2 true JP4515845B2 (ja) | 2010-08-04 |
Family
ID=35902027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2004214685A Expired - Fee Related JP4515845B2 (ja) | 2004-07-22 | 2004-07-22 | ナフトキノン系化合物およびそれを用いた電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4515845B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5347245B2 (ja) * | 2007-06-28 | 2013-11-20 | 三菱化学株式会社 | 電子写真感光体、電子写真感光体カートリッジ及び画像形成装置 |
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| JP2002014480A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Kyocera Mita Corp | 単層型電子写真感光体 |
| JP2004126136A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Canon Inc | 電子写真感光体、それを有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
| JP2004315383A (ja) * | 2003-04-14 | 2004-11-11 | Kawasaki Kasei Chem Ltd | ナフトキノン誘導体及びこれを含有する皮膚外用剤 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5938215B2 (ja) * | 1976-07-26 | 1984-09-14 | 川崎化成工業株式会社 | ２−ヒドロキシ−３−ハロゲノ−１，４−ナフトキノンの銅塩の製造法 |
| JPS60156610A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-16 | Otsuka Pharmaceut Co Ltd | アラキドン酸５−リポキシゲナ−ゼ阻害剤 |
| JPH0717575B2 (ja) * | 1989-11-22 | 1995-03-01 | 信越化学工業株式会社 | シュウ酸エステル化合物及びその製造方法並びに化学発光剤 |
| JP3445913B2 (ja) * | 1997-03-06 | 2003-09-16 | 京セラミタ株式会社 | ナフトキノン誘導体およびこれを用いた電子写真感光体 |
| JPH10330310A (ja) * | 1997-05-29 | 1998-12-15 | Nippon Rimefu Kk | 新規ビスナフトキノン誘導体及びその製造方法 |
-
2004
- 2004-07-22 JP JP2004214685A patent/JP4515845B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006036647A (ja) | 2006-02-09 |
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