JP4467259B2 - 高初透磁率Mn−Znフェライト - Google Patents

高初透磁率Mn−Znフェライト Download PDF

Info

Publication number
JP4467259B2
JP4467259B2 JP2003195168A JP2003195168A JP4467259B2 JP 4467259 B2 JP4467259 B2 JP 4467259B2 JP 2003195168 A JP2003195168 A JP 2003195168A JP 2003195168 A JP2003195168 A JP 2003195168A JP 4467259 B2 JP4467259 B2 JP 4467259B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ppm
ferrite
initial permeability
mol
grain size
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003195168A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005032927A (ja
Inventor
由紀子 中村
聡志 後藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Chemical Corp
Original Assignee
JFE Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JFE Chemical Corp filed Critical JFE Chemical Corp
Priority to JP2003195168A priority Critical patent/JP4467259B2/ja
Publication of JP2005032927A publication Critical patent/JP2005032927A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4467259B2 publication Critical patent/JP4467259B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Magnetic Ceramics (AREA)
  • Soft Magnetic Materials (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、通信用パルストランス等の変成器磁心に用いて好適な高い初透磁率μi を有する酸化物磁性材料、特にμi ≧26000 という高い初透磁率と優れた機械的強度を兼ね備える高初透磁率Mn−Znフェライトに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
電子機器の小型・軽量化および高機能化に伴い、これらの機器の回路部品として用いられる酸化物磁性材料についても、一層の小型化、高性能化が要求されている。
例えば、通信用パルストランスには、従来から高透磁率Mn−Znフェライトが使用されているが、部品をより一層小型化するために、さらに高い初透磁率μi を有するMn−Znフェライトが求められている。
【0003】
従来、Mn−Znフェライトの初透磁率μi を大きくするには、
(1) できるだけ純度の高い原料を使用する、
(2) Bi2O3, V205 などの粒成長促進効果のある添加物を微量添加する、
(3) 高温で焼成して焼結後の平均結晶粒径Dを50〜200 μm 程度に大きくする
等の手段が用いられてきた。
【0004】
例えば、特許文献1および特許文献2では、Mn−Znフェライトの結晶粒径を50〜200 μm まで粗大化させることによって、μi ≧15000 とい高い初透磁率を得ることを提案している。
しかしながら、一般に焼結体の機械的強度は、結晶粒径が大きくなるほど低下し、50μm を超える結晶粒径の焼結体では、部品の製造時やハンドリング時における衝撃や長期間の使用で割れや欠けが発生し易いため、部品に対する信頼性が極めて低いという問題があった。
【0005】
【特許文献1】
特開2000−150223号公報
【特許文献2】
特開2001−85217 号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の実状に鑑み開発されたもので、その目的は、高い初透磁率μi と優れた機械的強度を併せ持つ高初透磁率Mn−Znフェライトを提案することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
さて、発明者らは、上述の目的を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、被焼成物の焼成に際し、粒界成分であるSiやCa,Bi等を適量含有させた雰囲気中で焼成することにより、平均結晶粒径がが50μm 未満でも高い初透磁率μi を有するMn−Znフェライトが得られ、またこのMn−Znフェライトは、従来の高μi 材に比べて平均結晶拉径Dが50μm 未満と小さいために、従来よりも械械的強度が向上することが判明した。
【0008】
すなわち、従来から、Mn−Znフェライトの原料製造過程で、原料粉中にBi2O3、CaCO3 、SiO2などの低融点物質を微量添加すると、焼成中に粒界に液相が生成し、焼結体の緻密化および結晶粒成長が促進されることが知られている。また、これらの成分のうちSiO2, CaCO3 は、焼成後の焼結体の粒界に存在して、結晶粒子と粒界の間に発生する応力を緩和する作用もある。一方、Bi2O3 は、高温で焼成する過程で粒界から蒸発し、焼成後の焼結体中には殆ど残留しないが、Bi2O3の蒸気を介して結晶粒子と粒界の間に発生する応力を緩和する作用がある。
従って、これらの相乗効果により、低融点物質を微量添加することで初透磁率μi を大きく改善できると考えられる。
【0009】
しかしながら、上記したような添加法では、これらの低融点物質を粒界に均一に分散させることができないので、所期したほどの初透磁率μi の改善は達成できなかった。
とはいえ、上記の問題を解決すべく、低融点物質の添加量を増大させた場合には、異常粒が発生し易くなり磁気特性を著しく低下させる原因となる。なお、この異常粒は、添加した低融点物質の分散が不十分な場合に、高濃度に偏析した低融点物質の周辺で液相が多量に生成するために発生するものと考えられる。
【0010】
そこで、本発明者らは、低融点物質を均一に粒界に供給することに着目して、原料製造過程で粉末の状態で添加するのではなく、焼成中に気相を介して供給することを試みた。
すなわち、被焼成物の周囲の雰囲気中のBi,Si,Ca濃度を高めることによって、高温で焼成する過程で粒界を拡散経路として、これらの成分を均一かつ高速で拡散させるようにした。
【0011】
その結果、上記の方法によれば、焼成中に被焼成物の表層から内部までの全域にわたって、BiやSi,Ca成分を粒界に薄く均一に分布させることが可能となり、粒界応力の低減効果がより均一化されるために、17μm 以上、50μm 未満の比較的小さな平均結晶粒経でも 26000を超える高い初透磁率μi を得ることができ、しかもこのフェライトは、従来の高透磁率Mn−Znフェライトと比較して結晶粒径が小さいので、機械的強度の著しい改善も併せて達成さることが究明されたのである。
本発明は、上記の知見に立脚するものである。
【0012】
すなわち、本発明の要旨構成は次のとおりである。
1.酸化第二鉄(Fe2O3):50〜55 mol%、酸化マンガン(MnO):22〜27 mol%および酸化亜鉛(ZnO):20〜25 mol%を主成分とする被焼成物の周囲を、SiO 2 :20〜300 ppm 、CaO:10〜600 ppm および Bi 2 O 3 :10〜600 ppm を含有するMn−Znフェライト成形物で囲んだ状態で焼成して得たMn−Znフェライトであって、周波数:1kHz 、温度:23℃における初透磁率μiが 26000以上で、かつ平均結晶粒径Dが17μm 以上、50μm 未満であることを特徴とする高初透磁率Mn−Znフェライト。
【0013】
2.初透磁率μi と平均結晶粒径D(μm )が、次式
750×D≦μi ≦1500×D
の関係を満足することを特徴とする上記1記載の高初透磁率Mn−Znフェライト。
【0014】
.酸化第二鉄(Fe2O3):50〜55 mol%、酸化マンガン(MnO):22〜27 mol%および酸化亜鉛(ZnO):20〜25 mol%を主成分として含み、かつ副成分として二酸化珪素、炭酸カルシウムおよび酸化ビスマスをそれぞれ、SiO2換算で20〜150ppm、CaO換算で50〜500ppm、Bi2O3換算で100〜500ppmの範囲で含有する被焼成物の周囲を、SiO2:20〜300 ppm 、CaO:10〜600 ppm および Bi2O3:10〜600 ppm を含有するMn−Znフェライト成形物で囲んだ状態で焼成して得たことを特徴とする上記1または2記載の高初透磁率Mn−Znフェライト。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体的に説明する。
本発明のMn−Znフェライトは、焼成中の粒界層にSiやCa,Bi成分を均一に拡散させ、焼成後の粒界層に適量存在させることで、50μm 未満という比較的小さな平均結晶粒径でも26000 を超える高い初透磁率μi を得ることができ、その結果、高初透磁率と高強度という従来相反する性質と言われていた両者を兼備させることに成功したものである。
なお、平均結晶粒径が17μm 未満では、μi ≧26000 という高い初透磁率を得ることが難しいので、本発明では、平均結晶粒径については17μm 以上、50μm未満の範囲に限定した。
【0016】
本発明のMn−Znフェライトにおいて、特に好適には、初透磁率μi および平均結晶粒径Dについて、図1に示すように、次式
750×D≦μi ≦1500×D
の関係を満足させることである。
というのは、上掲式の関係を満足させることによって、初透磁率μi および平均結晶粒径Dの両者が特にバランスよく得られるからである。なお、平均結晶粒径Dが 750×D>μi では、結晶粒径が大きいきらいにあるため、良好な機械的強度を得ることができず、一方平均結晶粒径Dがμi >1500×Dでは結晶粒径が小さすぎるため、高い初透磁率μi を得ることが難しくなる。
【0017】
Si,Ca,Biなどの粒界層を構成する成分を含有する雰囲気中で焼成する具体的な方法としては、例えば上記成分を比較的高濃度で含有する容器に被焼成物を密閉した状態で焼成する方法が挙げられる。
特に、かような容器として、被焼成物と同一組成のMn−Znフェライト原料にSi,Ca,Bi酸化物を添加した原料を用いてプレス成形した成形物を用いると、焼成中のZnの蒸発を抑制する効果も同時に期待でき、好適である。この場合、成形物のSi,Ca,Bi含有量はそれぞれ、SiO2換算で20〜300ppm、CaO換算で10〜600ppm、Bi2O3 換算で10〜600ppm程度とすることが好ましい。というのは、この範囲未満では、気相中に十分な濃度のSi,Ca,Biを供給することができず、一方この範囲を超えると気相中のSi,Ca,Bi濃度が高くなり過ぎて、被焼成物の異常粒発生の原因となるからである。
【0018】
焼成条件については、大気と窒素ガスを用い酸素濃度を制御した雰囲気(好適には、酸素濃度:50 ppm〜21%(体積率))中にて、1370〜1480℃の温度範囲で 0.5〜10時間程度の保持時間とすることが好ましい。
上記の条件で焼成することにより、1kHz 、23℃における初透磁率が 26000以上で、かつ平均結晶粒径Dが17μm 以上、50μm 未満の高初透磁率Mn−Znフェライトを得ることができる。また、平均結晶粒径Dを安定して17μm 以上とするには、上記と同じ雰囲気および温度範囲において2時間以上保持することが好適である。
なお、平均結晶粒径は、試料の研磨面を酸エッチング後、光学顕微鏡にて観察される各結晶粒を円換算した場合の平均直径として求めたものである。
【0019】
以下、本発明の高初透磁率Mn−Znフェライトの好適製造方法について説明する。
本発明のMn−Znフェライトを製造するには、まず主成分として、酸化鉄、酸化マンガンおよび酸化亜鉛を用意する。
本発明は、初透磁率の向上という観点からは、広範囲の組成のMn−Znフェライトに適用して効果を得ることができるが、26000 を超える高い初透磁率μiを得るためには、Fe2O3:50〜55 mol%、MnO:22〜27 mol%、ZnO:20〜25 mol%とする必要がある。上記の範囲を外れると1kHz 、23℃における初透磁率μi が低下する傾向にある。
【0020】
また、本発明のMn−Znフェライトでは、炭酸カルシウム、二酸化珪素、酸化ビスマスなどを副成分として原料製造過程で添加することもできる。これらの副成分の添加量は、それぞれSiO2換算で20〜150ppm、CaO換算で50〜500ppm、Bi2O3換算で 100〜500ppm程度とすることが好ましい。添加量が上記の好適範囲を逸脱するとむしろ初透磁率μi の低下を招く傾向にある。
その他、V2O5, PbO, MoO3, Sb2O3等の融点の低い酸化物なども副成分として添加することができる。これらの副成分の好適添加量はそれぞれ10〜300 ppm 程度である。
【0021】
さらに、本発明のMn−Znフェライト原料混合物の平均粒子径は 0.6〜1.3 μm(空気透過法)程度とすることが好ましい。というのは、平均粒子径が 0.6μm未満では後の成形工程でラミネーションなどの欠陥が発生し易く、一方 1.3μmを超えると焼成中の緻密化および粒成長が抑制されるために、高い初透磁率が得られ難いからである。
【0022】
上述したような、主成分および副成分を混合して原料混合物を作製したのち、適当なバインダー例えばポリビニルアルコールを 0.1〜1.0 mass%添加し、スプレードライヤー等で80〜500 μm 程度の径の顆粒とした後、プレス成形する。
ついで、この成形体を焼成する。焼成条件については、前述した条件で行えばよい。
以上の工程により、本発明の高初透磁率Mn−Znフェライトを得ることができる。
【0023】
【実施例】
実施例1
主成分として Fe2O3:52.3 mol%、MnO:24.9 mol%およびZnO:22.8 mol%をボールミルで湿式混合したのち、900 ℃で仮焼し、ついで副成分として CaCO3、SiO2およびBi2O3 を主原料中の不純物の含有量と合わせてそれぞれ、 CaCO3:200 ppm(CaO:112 ppm)、SiO2:100 ppm 、Bi2O3 :200 ppm となるように添加したのち、ボールミルで湿式粉砕して平均粒径:1.1 μm (空気透過法)の原料粉体Aを得た。ついで、これに、バインダーとしてポリビニルアルコール:0.6mass%を加え、目開き:500 μm の篩を通して造粒したのち、外径:7mmのリング型試料(焼結後の外径:6mm)を成形した。
同様の方法で、上記と同一の主成分組成で、副成分含有量がそれぞれ CaCO3:400 ppm(CaO:224 ppm)、SiO2:150 ppm 、Bi2O3 :350 ppm の原料粉体Bを作製し、上記のリング型試料が5段重ねで入る大きさの筒型容器およびこれに蓋するための円板を成形した。
【0024】
ついで、図2に示すように、アルミナセッター1の上に円板2を置き、その上に筒型容器3を置き、その中にリング型試料4を5段積みにして入れたのち、さらに上から円板5で蓋をした状態で、電気炉内に設置し、酸素濃度を5%(体積率)に制御した(空気+窒素)雰囲気中で1465℃,6時間の焼成を行った。
LCRメータを用いて焼成後の試料について、周波数:1kHz 、温度:23℃における初透磁率μi を測定すると共に、研磨面を酸エッチングしたのち顕微鏡写真を撮影して平均結晶粒径Dを求めた。
1kHz 、23℃における初透磁率μi および平均結晶粒径Dの測定結果を表1に示す。
なお、表1には、比較例として、原料粉末Aより作製したリング型試料3個を、原料粉末Bの造粒粉中に埋め込み、同じ焼成パターンで焼成した試料の初透磁率μi および平均結晶粒径Dについての調査結果も併せて示す。
【0025】
【表1】
Figure 0004467259
【0026】
同表から明らかなように、本発明に従う好適焼成条件で処理した場合には、5段重ねの全ての試料で、D<50μm を満足し、かつμi >30000 という高初透磁率Mn−Znフェライトを得ることができた。
これに対し、造粒粉に埋め込んだ場合には、焼成中に蒸発したBi,Ca,Si等の成分が炉外に排気され、Bi,Ca,Siを含有する気相中で焼成することができなかったために、26000 を超える高い初透磁率μi を得ることはできなかった。
【0027】
実施例2
主成分として Fe2O3:52.8 mol%、MnO:24.2 mol%およびZnO:23.0 mol%をボールミルで湿式混合したのち、850 ℃で仮焼し、ついで副成分として CaCO3、SiO2およびBi2O3 を主原料中の不純物の含有量と合わせてそれぞれ、 CaCO3:100 ppm 、SiO2:30 ppm、Bi2O3 :350 ppm となるように添加したのち、ボールミルで湿式粉砕して平均粒径:1.0 μm (空気透過法)の原料粉体Cを得た。ついで、これに、バインターとしてポリビニルアルコール:0.5 mass%を加え、目開き:500 μm の篩を通して造粒したのち、外径:7mmのリング型試料(焼結後の外径:6mm)を成形した。
また、実施例1と同じ原料Bを用いて、同型の筒型容器および蓋用の円板を成形した。
【0028】
ついで、アルミナセッターの上に筒型容器を置き、リング型試料を3段積みにして入れ、円板で蓋をした状態で、電気炉内に設置し、酸素濃度を0.1 %(体積率)に制御した(空気+窒素)雰囲気中で1455℃,5時間の焼成を行った。
実施例1と同様の方法で初透磁率μi および平均結晶粒径Dを測定した結果ならびにリング型試料の圧環強度を測定した結果を表2に示す。
なお、表2には、比較例として、原料粉末Cより作製したリング型試料3個を、原料粉末Bの造粒粉中に埋め込み、1470℃,20時間で焼成した試料の初透磁率μi :平均結晶粒径Dおよび圧環強度についての調査結果も併せて示す。
【0029】
【表2】
Figure 0004467259
【0030】
同表より明らかなように、本発明のMn−Znフェライトは、30000 を超える高いμi と65 MPa以上という高い圧環強度が得られたが、比較例はいずれも、そこそこの初透磁率μi は得られたものの、高い圧環強度を得ることはできなかった。
【0031】
【発明の効果】
かくして、本発明によれば、26000 を超える高い初透磁率μi と優れた機械的強度を併せ持つ高透磁率Mn−Znフェライトを得ることができる。
従って、本発明の高透磁率Mn−Znフェライトを用いれば、従来よりも小型・軽量でかつ耐久性および信頼性の高い電子部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に従う初透磁率μi と平均結晶粒径Dの好適範囲を示した図である。
【図2】 Mn−Znフェライト生成物(円筒容器および蓋)を利用した焼成方法の解説図である。
【符号の説明】
1 アルミナセッター
2 円板
3 筒型容器
4 リング型試料
5 円板(蓋)

Claims (3)

  1. 酸化第二鉄(Fe2O3):50〜55 mol%、酸化マンガン(MnO):22〜27 mol%および酸化亜鉛(ZnO):20〜25 mol%を主成分とする被焼成物の周囲を、SiO 2 :20〜300 ppm 、CaO:10〜600 ppm および Bi 2 O 3 :10〜600 ppm を含有するMn−Znフェライト成形物で囲んだ状態で焼成して得たMn−Znフェライトであって、周波数:1kHz 、温度:23℃における初透磁率μiが 26000以上で、かつ平均結晶粒径Dが17μm 以上、50μm 未満であることを特徴とする高初透磁率Mn−Znフェライト。
  2. 初透磁率μi と平均結晶粒径D(μm)が、次式
    750×D≦μi ≦1500×D
    の関係を満足することを特徴とする請求項1記載の高初透磁率Mn−Znフェライト。
  3. 酸化第二鉄(Fe2O3):50〜55 mol%、酸化マンガン(MnO):22〜27 mol%および酸化亜鉛(ZnO):20〜25 mol%を主成分として含み、かつ副成分として二酸化珪素、炭酸カルシウムおよび酸化ビスマスをそれぞれ、SiO2換算で20〜150ppm、CaO換算で50〜500ppm、Bi2O3換算で100〜500ppmの範囲で含有する被焼成物の周囲を、SiO2:20〜300 ppm 、CaO:10〜600 ppm および Bi2O3:10〜600 ppm を含有するMn−Znフェライト成形物で囲んだ状態で焼成して得たことを特徴とする請求項1または2記載の高初透磁率Mn−Znフェライト。
JP2003195168A 2003-07-10 2003-07-10 高初透磁率Mn−Znフェライト Expired - Fee Related JP4467259B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003195168A JP4467259B2 (ja) 2003-07-10 2003-07-10 高初透磁率Mn−Znフェライト

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003195168A JP4467259B2 (ja) 2003-07-10 2003-07-10 高初透磁率Mn−Znフェライト

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005032927A JP2005032927A (ja) 2005-02-03
JP4467259B2 true JP4467259B2 (ja) 2010-05-26

Family

ID=34206099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003195168A Expired - Fee Related JP4467259B2 (ja) 2003-07-10 2003-07-10 高初透磁率Mn−Znフェライト

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4467259B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008094663A (ja) * 2006-10-12 2008-04-24 Nec Tokin Corp MnZnフェライト
JP5716709B2 (ja) * 2012-07-13 2015-05-13 Tdk株式会社 フェライト基板及びその製造方法
CN112094115A (zh) * 2020-09-21 2020-12-18 临沂春光磁业有限公司 超高磁导率锰锌铁氧体材料及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005032927A (ja) 2005-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101540516B1 (ko) 페라이트 소결체
JP2011213578A (ja) フェライト組成物および電子部品
JP2017075085A (ja) MnZnLi系フェライト、磁心およびトランス
JP2004217452A (ja) フェライト材料およびその製造方法
JP6596829B2 (ja) フェライト焼結磁石及びそれを備えるモータ
JP2005132715A (ja) Ni−Cu−Zn系フェライト材料及びその製造方法
JP3635410B2 (ja) マンガン−亜鉛系フェライトの製造方法
JP2004161593A (ja) フェライト材料
JP4467259B2 (ja) 高初透磁率Mn−Znフェライト
JP2008290893A (ja) Ni−Cu−Zn系フェライト
JP2007297232A (ja) 酸化物磁性材料の製造方法
JPH11307336A (ja) 軟磁性フェライトの製造方法
JP2012204637A (ja) 電波吸収体用フェライト組成物および電波吸収体用フェライトコア
JP2006165479A (ja) フェライトコア、およびラインフィルタ
JP5742358B2 (ja) 電波吸収体用フェライト組成物および電波吸収体用フェライトコア
JP2012124216A (ja) フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP2005194134A (ja) フェライトコアおよびその製造方法
JP3856898B2 (ja) ラインフィルタ用フェライトコアおよびその製造方法
JP5183856B2 (ja) Mn−Zn系フェライトの製造方法
JP2005289667A (ja) MnZn系フェライト及びその製造方法
WO2023182133A1 (ja) MnZn系フェライト
JP2007197253A (ja) MnZnフェライトの製造方法
JPH09205031A (ja) 積層型インダクタンス素子の製造方法
JPH09270313A (ja) フエライト材料及びフェライト及びその製造方法
JP2000091114A (ja) 高透磁率酸化物磁性材料

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060526

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081021

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081028

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081226

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20081226

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20090129

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20090129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091110

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100107

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100202

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100223

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4467259

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140305

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees