JP2000091114A - 高透磁率酸化物磁性材料 - Google Patents
高透磁率酸化物磁性材料Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 結晶粒径を均一に大きくし、高抵抗の粒界層
を形成して、高透磁率で低損失なＭｎ−Ｚｎ系の酸化物
磁性材料を得る。 【解決手段】 主成分として、Ｆｅ2Ｏ3５２〜５３ｍｏ
ｌ％、ＭｎＯ２４〜２８ｍｏｌ％、ＺｎＯ１９〜２４ｍ
ｏｌ％とし、かつ、不純物ＳｉＯ2を０.０１ｗｔ％以下
に抑え、副成分として、０.０１〜０.１０ｗｔ％のＣａ
Ｏ，０.００５〜０.０８ｗｔ％のＴａ2Ｏ5を含有する高
透磁率酸化物磁性材料にて、平均結晶粒径を１３〜３２
μｍとし、かつ平均気孔径を０.８〜１.７μｍとする。
を形成して、高透磁率で低損失なＭｎ−Ｚｎ系の酸化物
磁性材料を得る。 【解決手段】 主成分として、Ｆｅ2Ｏ3５２〜５３ｍｏ
ｌ％、ＭｎＯ２４〜２８ｍｏｌ％、ＺｎＯ１９〜２４ｍ
ｏｌ％とし、かつ、不純物ＳｉＯ2を０.０１ｗｔ％以下
に抑え、副成分として、０.０１〜０.１０ｗｔ％のＣａ
Ｏ，０.００５〜０.０８ｗｔ％のＴａ2Ｏ5を含有する高
透磁率酸化物磁性材料にて、平均結晶粒径を１３〜３２
μｍとし、かつ平均気孔径を０.８〜１.７μｍとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スピネル型Ｍｎ−
Ｚｎフェライトにおける高透磁率で低損失な酸化物磁性
材料に関するものである。
Ｚｎフェライトにおける高透磁率で低損失な酸化物磁性
材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化、高性能化の技
術革新が著しく、それに伴い、使用されるＭｎ−Ｚｎフ
ェライトの高性能化、例えば、高透磁率化、及び低損失
化が求められている。
術革新が著しく、それに伴い、使用されるＭｎ−Ｚｎフ
ェライトの高性能化、例えば、高透磁率化、及び低損失
化が求められている。
【０００３】一般に、高透磁率を有するＭｎ−Ｚｎフェ
ライトの主成分組成として、５２〜５３ｍｏｌ％Ｆｅ2
Ｏ3、２４〜２８ｍｏｌ％ＭｎＯ、残部ＺｎＯ付近の組
成とされており、現在、市販されているものも、ほぼこ
の範囲である。
ライトの主成分組成として、５２〜５３ｍｏｌ％Ｆｅ2
Ｏ3、２４〜２８ｍｏｌ％ＭｎＯ、残部ＺｎＯ付近の組
成とされており、現在、市販されているものも、ほぼこ
の範囲である。
【０００４】Ｍｎ−Ｚｎフェライトは、副成分として、
ＳｉＯ2，ＣａＯ，Ｂｉ2Ｏ3等を含有させる場合があ
る。これは、高抵抗の粒界層を形成することにより、渦
電流損失を低減させ、特に、初透磁率（μｉ）の周波数
特性を良好とする目的と粒成長をコントロールすること
を目的として成されている。
ＳｉＯ2，ＣａＯ，Ｂｉ2Ｏ3等を含有させる場合があ
る。これは、高抵抗の粒界層を形成することにより、渦
電流損失を低減させ、特に、初透磁率（μｉ）の周波数
特性を良好とする目的と粒成長をコントロールすること
を目的として成されている。
【０００５】高μｉを達成するためには、上記のような
組成を吟味して、最適な組成を選択することのみなら
ず、結晶粒径を比較的大きくし、均一にすることが必要
である。
組成を吟味して、最適な組成を選択することのみなら
ず、結晶粒径を比較的大きくし、均一にすることが必要
である。
【０００６】更に、高μｉを達成するためには、前述し
たごとく、組成及び結晶粒径を吟味し、また、不純物の
少ない高純度な原料を使用する必要がある。
たごとく、組成及び結晶粒径を吟味し、また、不純物の
少ない高純度な原料を使用する必要がある。
【０００７】通常のＭｎ−Ｚｎフェライトは、混合、仮
焼、解砕、造粒、成形、焼成の工程を経て製造される。
この中で、結晶粒径を制御するためには、解砕後の粉末
粒径、及び、焼成条件、特に焼成温度を適切な条件に設
定することが不可欠である。
焼、解砕、造粒、成形、焼成の工程を経て製造される。
この中で、結晶粒径を制御するためには、解砕後の粉末
粒径、及び、焼成条件、特に焼成温度を適切な条件に設
定することが不可欠である。
【０００８】粉末粒径に関しては、通常、０.５〜２.０
μｍ程度、そして焼成温度については、１３００〜１４
５０℃の行われているのが通例であり、この焼成温度の
範囲のなかで、なるべく高い温度で焼成することが高い
透磁率を得るための必須条件となる。
μｍ程度、そして焼成温度については、１３００〜１４
５０℃の行われているのが通例であり、この焼成温度の
範囲のなかで、なるべく高い温度で焼成することが高い
透磁率を得るための必須条件となる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、焼成温
度をあまり高くしすぎると、種々の弊害が現れる。その
１つとして、異常粒成長が挙げられる。異常粒が発生す
ると、結晶粒径分布がブロードとなるのみならず、結晶
粒内にポアが取り残される。
度をあまり高くしすぎると、種々の弊害が現れる。その
１つとして、異常粒成長が挙げられる。異常粒が発生す
ると、結晶粒径分布がブロードとなるのみならず、結晶
粒内にポアが取り残される。
【００１０】また、本来、粒界層の構成成分となる微量
添加物も、粒界層の切断等により結晶粒内に取り残され
る。その結果、粒界層の形成が不十分となり、比抵抗が
低下し損失の増大を招く。周波数特性を良好とするため
には、高周波数で支配的な渦電流損失を低減することが
必須であり、高抵抗の粒界層を形成する必要がある。
添加物も、粒界層の切断等により結晶粒内に取り残され
る。その結果、粒界層の形成が不十分となり、比抵抗が
低下し損失の増大を招く。周波数特性を良好とするため
には、高周波数で支配的な渦電流損失を低減することが
必須であり、高抵抗の粒界層を形成する必要がある。
【００１１】そのため、ＳｉＯ2，ＣａＯ等の微量添加
物を添加するのが一般的である。しかしながら、ＳｉＯ
2は、異常粒発生を促進する因子であることより、高抵
抗化と組織制御を同時に実現不可能となっており、高性
能なＭｎ−Ｚｎフェライトを得るためには、これまでの
ＣａＯとＳｉＯ2を主体とした粒界層ではなく、全く新
規な粒界層を形成させることが不可欠と考えた。
物を添加するのが一般的である。しかしながら、ＳｉＯ
2は、異常粒発生を促進する因子であることより、高抵
抗化と組織制御を同時に実現不可能となっており、高性
能なＭｎ−Ｚｎフェライトを得るためには、これまでの
ＣａＯとＳｉＯ2を主体とした粒界層ではなく、全く新
規な粒界層を形成させることが不可欠と考えた。
【００１２】そこで、本発明の技術的な課題は、上記欠
点を解消し、結晶粒径を均一に大きくし、かつ、高比抵
抗の粒界層を形成可能とし、高透磁率で、低損失なＭｎ
−Ｚｎフェライトからなる酸化物磁性材料を提供するこ
とにある。
点を解消し、結晶粒径を均一に大きくし、かつ、高比抵
抗の粒界層を形成可能とし、高透磁率で、低損失なＭｎ
−Ｚｎフェライトからなる酸化物磁性材料を提供するこ
とにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者は、種々の検討
を行った結果、主成分として、Ｆｅ2Ｏ3５２〜５３ｍｏ
ｌ％、ＭｎＯ２４〜２８ｍｏｌ％、ＺｎＯ１９〜２４ｍ
ｏｌ％からなり、かつ、ＳｉＯ2を０.０１ｗｔ％以下、
好ましくは０.０７ｗｔ％以下の組成からなる高透磁率
酸化物磁性材料において、副成分として、０.０２〜０.
１０ｗｔ％のＣａＯ、０.００５〜０.０８ｗｔ％のＴａ
2Ｏ5を含有させ、平均結晶粒径を１３〜３２μｍとし、
かつ平均気孔径を０.８〜１.７μｍとすることにより、
高透磁率で低損失な酸化物磁性材料を得ることができる
ことを見出した。
を行った結果、主成分として、Ｆｅ2Ｏ3５２〜５３ｍｏ
ｌ％、ＭｎＯ２４〜２８ｍｏｌ％、ＺｎＯ１９〜２４ｍ
ｏｌ％からなり、かつ、ＳｉＯ2を０.０１ｗｔ％以下、
好ましくは０.０７ｗｔ％以下の組成からなる高透磁率
酸化物磁性材料において、副成分として、０.０２〜０.
１０ｗｔ％のＣａＯ、０.００５〜０.０８ｗｔ％のＴａ
2Ｏ5を含有させ、平均結晶粒径を１３〜３２μｍとし、
かつ平均気孔径を０.８〜１.７μｍとすることにより、
高透磁率で低損失な酸化物磁性材料を得ることができる
ことを見出した。
【００１４】これは、異常粒成長促進の要因であるＳｉ
Ｏ2をほとんど含まないＣａＯとＴａ2Ｏ5を主成分とし
た新規な粒界層が形成され、この粒界層と前記範囲の平
均径を有する気孔により、異常粒成長が抑制され、より
高温で焼結可能となったため、高透磁率な酸化物磁性材
料が得られることを見いだしたものである。
Ｏ2をほとんど含まないＣａＯとＴａ2Ｏ5を主成分とし
た新規な粒界層が形成され、この粒界層と前記範囲の平
均径を有する気孔により、異常粒成長が抑制され、より
高温で焼結可能となったため、高透磁率な酸化物磁性材
料が得られることを見いだしたものである。
【００１５】更に、この新規な粒界層は、高電気抵抗な
粒界層であるために、渦電流損失を低減され、透磁率の
周波数特性が良好となる。
粒界層であるために、渦電流損失を低減され、透磁率の
周波数特性が良好となる。
【００１６】本発明において、主成分組成の範囲をＦｅ
2Ｏ3５２〜５３ｍｏｌ％、ＭｎＯ２４〜２８ｍｏｌ％、
ＺｎＯ１９〜２４ｍｏｌ％としたのは、Ｆｅ2Ｏ3が５２
ｍｏｌ％以下、ＭｎＯが２８ｍｏｌ％以上であると、キ
ュリー温度が低いため、実用的でなく、また、Ｆｅ2Ｏ3
が５３ｍｏｌ％以上、ＭｎＯが２４ｍｏｌ％以下である
と、十分な透磁率が得られないためである。
2Ｏ3５２〜５３ｍｏｌ％、ＭｎＯ２４〜２８ｍｏｌ％、
ＺｎＯ１９〜２４ｍｏｌ％としたのは、Ｆｅ2Ｏ3が５２
ｍｏｌ％以下、ＭｎＯが２８ｍｏｌ％以上であると、キ
ュリー温度が低いため、実用的でなく、また、Ｆｅ2Ｏ3
が５３ｍｏｌ％以上、ＭｎＯが２４ｍｏｌ％以下である
と、十分な透磁率が得られないためである。
【００１７】更に、ＣａＯを０.０１〜０.１０ｗｔ％、
Ｔａ2Ｏ5を０.００５〜０.０８ｗｔ％としたのは、Ｃａ
Ｏが０.０１ｗｔ％以下、Ｔａ2Ｏ5が０.００５ｗｔ％以
下では、粒界層がほとんど形成されず、比抵抗が著しく
低下するためであり、ＣａＯが０.１０ｗｔ％以上、Ｔ
ａ2Ｏ5が０.０８ｗｔ％以上では、十分な透磁率が得ら
れないためである。
Ｔａ2Ｏ5を０.００５〜０.０８ｗｔ％としたのは、Ｃａ
Ｏが０.０１ｗｔ％以下、Ｔａ2Ｏ5が０.００５ｗｔ％以
下では、粒界層がほとんど形成されず、比抵抗が著しく
低下するためであり、ＣａＯが０.１０ｗｔ％以上、Ｔ
ａ2Ｏ5が０.０８ｗｔ％以上では、十分な透磁率が得ら
れないためである。
【００１８】ＳｉＯ2量を０.０１ｗｔ％以下としたの
は、原料中及び製造過程において、ＳｉＯ2の混入がさ
けられず、ＳｉＯ2の量の管理が必要であり、０.０１ｗ
ｔ％を越える範囲では、焼結体の組織制御が困難となる
ためである。この時、ＳｉＯ2が０.００７ｗｔ％以下の
含有量の方が、容易に高透磁率化がはかれるため、望ま
しい。
は、原料中及び製造過程において、ＳｉＯ2の混入がさ
けられず、ＳｉＯ2の量の管理が必要であり、０.０１ｗ
ｔ％を越える範囲では、焼結体の組織制御が困難となる
ためである。この時、ＳｉＯ2が０.００７ｗｔ％以下の
含有量の方が、容易に高透磁率化がはかれるため、望ま
しい。
【００１９】平均結晶粒径が１３〜３２μｍであり、か
つ、平均気孔径が０.８〜１.７μｍとしたのは、平均結
晶粒径が１３μｍより小さくなると、十分な透磁率が得
られないためであり、３０μｍより大きくなると、組織
制御が困難となるためであり、この結晶粒径範囲で気孔
径が０.８μｍより小さくなると、組織制御が困難とな
るためであり、１.７μｍより大きくなると、十分な透
磁率が得られないためである。
つ、平均気孔径が０.８〜１.７μｍとしたのは、平均結
晶粒径が１３μｍより小さくなると、十分な透磁率が得
られないためであり、３０μｍより大きくなると、組織
制御が困難となるためであり、この結晶粒径範囲で気孔
径が０.８μｍより小さくなると、組織制御が困難とな
るためであり、１.７μｍより大きくなると、十分な透
磁率が得られないためである。
【００２０】即ち、本発明は、主成分として、Ｆｅ2Ｏ3
５２〜５３ｍｏｌ％、ＭｎＯ２４〜２８ｍｏｌ％、Ｚｎ
Ｏ１９〜２４ｍｏｌ％からなり、かつ、不純物ＳｉＯ2
を０.０１ｗｔ％以下に抑えた高透磁率酸化物磁性材料
において、副成分として、０.０１〜０.１０ｗｔ％のＣ
ａＯ、０.００５〜０.０８ｗｔ％のＴａ2Ｏ5とした高透
磁率酸化物磁性材料である。
５２〜５３ｍｏｌ％、ＭｎＯ２４〜２８ｍｏｌ％、Ｚｎ
Ｏ１９〜２４ｍｏｌ％からなり、かつ、不純物ＳｉＯ2
を０.０１ｗｔ％以下に抑えた高透磁率酸化物磁性材料
において、副成分として、０.０１〜０.１０ｗｔ％のＣ
ａＯ、０.００５〜０.０８ｗｔ％のＴａ2Ｏ5とした高透
磁率酸化物磁性材料である。
【００２１】また、本発明は、前記組成を有する高透磁
率酸化物磁性材料において、平均結晶粒径を１３〜３２
μｍとし、かつ平均気孔径を０.８〜１.７μｍとした高
透磁率酸化物磁性材料である。
率酸化物磁性材料において、平均結晶粒径を１３〜３２
μｍとし、かつ平均気孔径を０.８〜１.７μｍとした高
透磁率酸化物磁性材料である。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態による高透磁
率酸化物磁性材料について、以下、実施例にて説明す
る。
率酸化物磁性材料について、以下、実施例にて説明す
る。
【００２３】
【実施例】（実施例１）高純度の市販されている原料
で、５２.５Ｆｅ2Ｏ3−２６.０ＭｎＯ−２１.５ＺｎＯ
（ｍｏｌ％）となるよう、Ｆｅ2Ｏ3、Ｍｎ3Ｏ4及びＺｎ
Ｏを秤量し、ボールミルで混合し、これら得られた各混
合粉末を９５０℃の大気中で２時間予焼した。
で、５２.５Ｆｅ2Ｏ3−２６.０ＭｎＯ−２１.５ＺｎＯ
（ｍｏｌ％）となるよう、Ｆｅ2Ｏ3、Ｍｎ3Ｏ4及びＺｎ
Ｏを秤量し、ボールミルで混合し、これら得られた各混
合粉末を９５０℃の大気中で２時間予焼した。
【００２４】次に、これら各予焼粉末に対して、ＣａＯ
を０.０１〜０.１５ｗｔ％、Ｔａ2Ｏ5を０〜０.１ｗｔ
％添加し、ボールミルで解砕を行った。また、この時の
焼結体中の不純物ＳｉＯ2の含有量は、０.００７ｗｔ％
であった。
を０.０１〜０.１５ｗｔ％、Ｔａ2Ｏ5を０〜０.１ｗｔ
％添加し、ボールミルで解砕を行った。また、この時の
焼結体中の不純物ＳｉＯ2の含有量は、０.００７ｗｔ％
であった。
【００２５】更に、バインダーを０.５ｗｔ％添加し、
スプレードライヤーで乾燥・造粒した。得られた造粒体
を３０φ×２０φ×１０ｔ（ｍｍ）のトロイダル形状に
加圧成形した後、１３７０℃で窒素と酸素の混合気流中
で酸素分圧：Ｐｏ2＝５％となるよう焼成した。
スプレードライヤーで乾燥・造粒した。得られた造粒体
を３０φ×２０φ×１０ｔ（ｍｍ）のトロイダル形状に
加圧成形した後、１３７０℃で窒素と酸素の混合気流中
で酸素分圧：Ｐｏ2＝５％となるよう焼成した。
【００２６】また、同様な方法により、同主成分組成
で、ＳｉＯ2，ＣａＯの含有量が、０.０１３，０.０４
ｗｔ％である従来粉末を作製し、比較サンプルとした。
で、ＳｉＯ2，ＣａＯの含有量が、０.０１３，０.０４
ｗｔ％である従来粉末を作製し、比較サンプルとした。
【００２７】表１に、ＣａＯ量の添加量が０.０６ｗｔ
％のときのＴａ2Ｏ5の添加量と１００ｋＨｚの透磁率、
比抵抗の関係を、また、表２に、Ｔａ2Ｏ5の添加量が
０.０６ｗｔ％の時のＣａＯの添加量と１００ｋＨｚの
透磁率、比抵抗の関係を示す。
％のときのＴａ2Ｏ5の添加量と１００ｋＨｚの透磁率、
比抵抗の関係を、また、表２に、Ｔａ2Ｏ5の添加量が
０.０６ｗｔ％の時のＣａＯの添加量と１００ｋＨｚの
透磁率、比抵抗の関係を示す。
【００２８】
【００２９】表１より、Ｔａ2Ｏ5の添加量が、０.００
５〜０.０８ｗｔ％の範囲で透磁率及び比抵抗が改善さ
れているのがわかる。
５〜０.０８ｗｔ％の範囲で透磁率及び比抵抗が改善さ
れているのがわかる。
【００３０】
【００３１】また、表２より、ＣａＯの添加量が０.０
１〜０.１０ｗｔ％の範囲で、透磁率及び比抵抗が改善
されているのが分かる。
１〜０.１０ｗｔ％の範囲で、透磁率及び比抵抗が改善
されているのが分かる。
【００３２】また、Ｔａ2Ｏ5＝０.０６ｗｔ％の時の透
磁率の周波数特性を図１に示す。図１より、本発明品の
方の透磁率の方が、より高周波数まで一定となっている
のが分かる。
磁率の周波数特性を図１に示す。図１より、本発明品の
方の透磁率の方が、より高周波数まで一定となっている
のが分かる。
【００３３】（実施例２）市販されている原料で、実施
例１と同様な方法により、同主成分組成でＳｉＯ2、Ｃ
ａＯ、Ｔａ2Ｏ5の含有量が０.００７，０.０６，０.０
６ｗｔ％の粉末を作製した。この粉末を実施例１と同形
状に加圧成形した後、１３００〜１３７０で窒素と酸素
の混合気流中で酸素分圧：Ｐｏ2＝０.１％〜２０％とな
るよう焼成した。
例１と同様な方法により、同主成分組成でＳｉＯ2、Ｃ
ａＯ、Ｔａ2Ｏ5の含有量が０.００７，０.０６，０.０
６ｗｔ％の粉末を作製した。この粉末を実施例１と同形
状に加圧成形した後、１３００〜１３７０で窒素と酸素
の混合気流中で酸素分圧：Ｐｏ2＝０.１％〜２０％とな
るよう焼成した。
【００３４】表３と表４に、この時の平均結晶粒径と１
００ｋＨｚの透磁率及び比抵抗を示す。
００ｋＨｚの透磁率及び比抵抗を示す。
【００３５】
【００３６】
【００３７】また、表５に、この時の平均気孔径と１０
０ｋＨｚの透磁率及び比抵抗を示す。
０ｋＨｚの透磁率及び比抵抗を示す。
【００３８】
【００３９】表３、表４、表５より、平均結晶粒径が１
３〜３２μｍ、かつ、平均気孔径が０.８〜１.７μｍの
範囲で透磁率及び比抵抗が改善されていることが分か
る。
３〜３２μｍ、かつ、平均気孔径が０.８〜１.７μｍの
範囲で透磁率及び比抵抗が改善されていることが分か
る。
【００４０】（実施例３）市販されている原料で、実施
例１と同様な方法により、主成分組成が、 ５２.０Ｆｅ2Ｏ3−２８.０ＭｎＯ−１９.０ＺｎＯ
（ｍｏｌ％） ５２.５Ｆｅ2Ｏ3−２６.０ＭｎＯ−２１.５ＺｎＯ
（ｍｏｌ％） ５３.０Ｆｅ2Ｏ3−２４.０ＭｎＯ−２４.０ＺｎＯ
（ｍｏｌ％） で、ＣａＯ，Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2の含有量が０.０６，
０.００７ｗｔ％の粉末を作製し、１３７０℃で窒素と
酸素の混合気流中で酸素分圧：Ｐｏ2＝５％となるよう
焼成した。
例１と同様な方法により、主成分組成が、 ５２.０Ｆｅ2Ｏ3−２８.０ＭｎＯ−１９.０ＺｎＯ
（ｍｏｌ％） ５２.５Ｆｅ2Ｏ3−２６.０ＭｎＯ−２１.５ＺｎＯ
（ｍｏｌ％） ５３.０Ｆｅ2Ｏ3−２４.０ＭｎＯ−２４.０ＺｎＯ
（ｍｏｌ％） で、ＣａＯ，Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2の含有量が０.０６，
０.００７ｗｔ％の粉末を作製し、１３７０℃で窒素と
酸素の混合気流中で酸素分圧：Ｐｏ2＝５％となるよう
焼成した。
【００４１】実施例１，２と同形状に成形し、１３７０
℃で窒素と酸素の混合気流中で酸素分圧：Ｐｏ2＝５％
となるよう焼成した。
℃で窒素と酸素の混合気流中で酸素分圧：Ｐｏ2＝５％
となるよう焼成した。
【００４２】表５に、この時の組成と１００ｋＨｚの透
磁率及び比抵抗を示す。表５より、本発明の主成分組成
のＦｅ2Ｏ3＝５２.０〜５３.０ｍｏｌ％，ＭｎＯ＝２
４.０〜２８.０ｍｏｌ％の範囲では、透磁率及び比抵抗
が改善されているのが分かる。
磁率及び比抵抗を示す。表５より、本発明の主成分組成
のＦｅ2Ｏ3＝５２.０〜５３.０ｍｏｌ％，ＭｎＯ＝２
４.０〜２８.０ｍｏｌ％の範囲では、透磁率及び比抵抗
が改善されているのが分かる。
【００４３】
【発明の効果】以上、述べた如く、本発明によれば、Ｍ
ｎ−Ｚｎフェライトを得る場合において、ＳｉＯ2の含
有量が０.０１ｗｔ％以下、好ましくは０.００７ｗｔ％
以下の範囲で、０.０１〜０.１ｗｔ％の酸化カルシウム
（ＣａＯ）及び０.００５〜０.０８ｗｔ％の五酸化タン
タル（Ｔａ2Ｏ5）を含有させることにより、ＳｉＯ2を
ほとんど含まないＣａＯとＴａ2Ｏ5を主成分とした新規
な粒界層が形成され、更に結晶粒径を１３〜３２μｍ、
かつ気孔径を０.８〜１.７μｍとすることにより、異常
粒が抑制され，高電気抵抗を有する高透磁率で周波数特
性に優れた酸化物磁性材料が得られるものである。
ｎ−Ｚｎフェライトを得る場合において、ＳｉＯ2の含
有量が０.０１ｗｔ％以下、好ましくは０.００７ｗｔ％
以下の範囲で、０.０１〜０.１ｗｔ％の酸化カルシウム
（ＣａＯ）及び０.００５〜０.０８ｗｔ％の五酸化タン
タル（Ｔａ2Ｏ5）を含有させることにより、ＳｉＯ2を
ほとんど含まないＣａＯとＴａ2Ｏ5を主成分とした新規
な粒界層が形成され、更に結晶粒径を１３〜３２μｍ、
かつ気孔径を０.８〜１.７μｍとすることにより、異常
粒が抑制され，高電気抵抗を有する高透磁率で周波数特
性に優れた酸化物磁性材料が得られるものである。
【図１】本発明の実施の形態による高透磁率酸化物磁性
材料の透磁率の周波数特性を示す図。
材料の透磁率の周波数特性を示す図。
Claims (2)
- 【請求項１】 主成分としてＦｅ2Ｏ3５２〜５３ｍｏｌ
％、ＭｎＯ２４〜２８ｍｏｌ％、ＺｎＯ１９〜２４ｍｏ
ｌ％からなる高透磁率酸化物磁性材料において、副成分
として、０.０１〜０.１０ｗｔ％のＣａＯ、０.００５
〜０.０８ｗｔ％のＴａ2Ｏ5を含有し、かつ不純物Ｓｉ
Ｏ2を０.０１ｗｔ％以下に抑えたことを特徴とする高透
磁率酸化物磁性材料。 - 【請求項２】 前記高透磁率酸化物磁性材料において、
平均結晶粒径を１３〜３２μｍとし、かつ平均気孔径を
０.８〜１.７μｍとすることを特徴とする請求項１記載
の高透磁率酸化物磁性材料。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10276675A JP2000091114A (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 高透磁率酸化物磁性材料 |
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|---|---|---|---|
| JP10276675A JP2000091114A (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 高透磁率酸化物磁性材料 |
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|---|---|
| JP2000091114A true JP2000091114A (ja) | 2000-03-31 |
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ID=17572760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10276675A Pending JP2000091114A (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 高透磁率酸化物磁性材料 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000091114A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005272229A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Jfe Ferrite Corp | 高飽和磁束密度Ｍｎ−Ｚｎ−Ｎｉ系フェライト |
| JP2006160560A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Nitto Denko Corp | 球状焼結フェライト粒子およびそれを用いた半導体封止用樹脂組成物ならびにそれを用いて得られる半導体装置 |
| JP2008094663A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Nec Tokin Corp | ＭｎＺｎフェライト |
-
1998
- 1998-09-11 JP JP10276675A patent/JP2000091114A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2005272229A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Jfe Ferrite Corp | 高飽和磁束密度Ｍｎ−Ｚｎ−Ｎｉ系フェライト |
| JP2006160560A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Nitto Denko Corp | 球状焼結フェライト粒子およびそれを用いた半導体封止用樹脂組成物ならびにそれを用いて得られる半導体装置 |
| JP4651004B2 (ja) * | 2004-12-07 | 2011-03-16 | 戸田工業株式会社 | 球状焼結フェライト粒子およびそれを用いた半導体封止用樹脂組成物ならびにそれを用いて得られる半導体装置 |
| JP2008094663A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Nec Tokin Corp | ＭｎＺｎフェライト |
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