JP4451671B2 - SiOの製造方法及び製造装置 - Google Patents
SiOの製造方法及び製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4451671B2 JP4451671B2 JP2004034203A JP2004034203A JP4451671B2 JP 4451671 B2 JP4451671 B2 JP 4451671B2 JP 2004034203 A JP2004034203 A JP 2004034203A JP 2004034203 A JP2004034203 A JP 2004034203A JP 4451671 B2 JP4451671 B2 JP 4451671B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sio
- raw material
- vapor
- material powder
- continuously
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Description
2 炉床、
3 供給手段、
4 原料層、
5 加熱手段、
6 マッフル、
7 搬送パイプ、
8 冷却室、
9 冷却板、
10 スクレーパ、
11 搬出手段、
12 スクレーパ、
13 排出手段、
14 断熱材、
15 真空ポンプ、
16 真空ポンプ、
17 真空ポンプ、
18 真空ポンプ。
Claims (6)
- SiO2系原料及び還元剤からなる混合原料粉末を、回転する炉床を有する反応炉内に連続的に供給し、この炉床上に原料粉末の層を形成させ、減圧下で1300〜1800℃に加熱してSiO蒸気を発生させ、その後このSiO蒸気を1300〜1800℃に保温された搬送管を通して冷却室内に導入し、冷却板上に固体のSiOを析出させ、次いでこの固体のSiOを連続的に回収することを特徴とするSiOの製造方法。
- 混合原料粉末を上部から加熱することを特徴とする請求項1記載のSiOの製造方法。
- SiO蒸気を発生させた後に残る反応残留物を連続的に回収することを特徴とする請求項1記載のSiOの製造方法。
- SiO2系原料及び還元剤からなる混合原料粉末を連続的に供給する手段を備え、これら混合原料粉末を反応させてSiO蒸気を発生させるための回転する炉床を有する反応炉と、該反応炉内に設置された加熱手段と、該反応炉に接続されたSiO蒸気の搬送管と、該搬送管の他端に接続されたSiO蒸気を凝縮させる冷却板を有する冷却室とを少なくとも備えることを特徴とするSiOの製造装置。
- 前記加熱手段が回転炉床の上部に設置された請求項4記載のSiOの製造装置。
- さらに、反応炉から反応残留物を連続的に回収する手段を有する請求項4記載のSiOの製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004034203A JP4451671B2 (ja) | 2004-02-10 | 2004-02-10 | SiOの製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004034203A JP4451671B2 (ja) | 2004-02-10 | 2004-02-10 | SiOの製造方法及び製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005225690A JP2005225690A (ja) | 2005-08-25 |
JP4451671B2 true JP4451671B2 (ja) | 2010-04-14 |
Family
ID=35000700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004034203A Expired - Fee Related JP4451671B2 (ja) | 2004-02-10 | 2004-02-10 | SiOの製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4451671B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101612104B1 (ko) | 2013-05-16 | 2016-04-14 | 주식회사 엘지화학 | SiO 제조 장치 및 방법 |
CN107176609A (zh) * | 2017-07-04 | 2017-09-19 | 山西科德技术陶瓷有限公司 | 一种大产量低成本生产氧化亚硅的汽化沉积设备 |
CN109554687A (zh) * | 2017-09-27 | 2019-04-02 | 新特能源股份有限公司 | 化学气相沉积炉及生产氧化亚硅的方法 |
CN107601515B (zh) * | 2017-10-27 | 2023-06-16 | 北方民族大学 | 一种制备SiO粉末的装置 |
CN109956477A (zh) * | 2017-12-25 | 2019-07-02 | 新特能源股份有限公司 | 气相沉积炉及生产氧化亚硅的方法 |
CN109956478A (zh) * | 2017-12-25 | 2019-07-02 | 新特能源股份有限公司 | 气相沉积炉及生产氧化亚硅的方法 |
CN110066987B (zh) * | 2018-01-22 | 2021-06-04 | 新特能源股份有限公司 | 气相沉积装置及氧化亚硅的制备方法 |
WO2020045333A1 (ja) * | 2018-08-27 | 2020-03-05 | 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ | SiO粉末製造方法及び球形粒子状SiO粉末 |
CN109210930B (zh) * | 2018-09-26 | 2024-05-17 | 溧阳天目先导电池材料科技有限公司 | 一种生产一氧化硅的多室卧式真空炉及一氧化硅制备方法 |
JP7260516B2 (ja) * | 2020-09-16 | 2023-04-18 | 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ | 一酸化ケイ素(SiO)ガス連続発生方法 |
CN117802575B (zh) * | 2024-02-29 | 2024-06-11 | 深圳市美格真空科技有限公司 | 沉积炉、生产设备及气相沉积制备方法 |
-
2004
- 2004-02-10 JP JP2004034203A patent/JP4451671B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005225690A (ja) | 2005-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5096685A (en) | Method for manufacturing fine-grained silicon monoxide | |
JP3865033B2 (ja) | 酸化珪素粉末の連続製造方法及び連続製造装置 | |
CN1823404B (zh) | 半导体装置的制造方法及衬底处理装置 | |
JP5219051B2 (ja) | 流動層反応器を用いた多結晶シリコンの連続形成方法 | |
JP4451671B2 (ja) | SiOの製造方法及び製造装置 | |
JP2009536915A5 (ja) | ||
TW201400411A (zh) | 製造氧化矽沉積物的方法和系統 | |
JP2009149494A (ja) | 石英ガラスの製造方法及び製造装置 | |
TWI583442B (zh) | B2f4之製造程序 | |
TWI429792B (zh) | 製造固體產物的方法和設備 | |
JP4465206B2 (ja) | SiOの製造方法及び製造装置 | |
JP2007512949A (ja) | 気相から超微細な粒子を析出させるための装置および方法 | |
JPS63103815A (ja) | SiO微粉末等の連続製造装置 | |
JP2001220124A (ja) | 酸化珪素粉末の製造装置 | |
AU2020424483A1 (en) | A method and apparatus to condense magnesium vapor using a fluid-cooled heat exchanger | |
JP2011184243A (ja) | クロロシランの製造装置 | |
JP4680521B2 (ja) | SiO発生装置及びSiO製造装置 | |
CN108046267B (zh) | 一种合成高纯SiC粉料的系统及方法 | |
JPS63103814A (ja) | SiO微粉末の製造装置 | |
JPH028964B2 (ja) | ||
KR102688178B1 (ko) | 폴리테트라플루오르에틸렌의 상압 열분해 반응 장치 및 이를 이용한 테트라플루오르에틸렌의 제조방법 | |
KR940000105B1 (ko) | 일산화규소 미분말의 제조 방법 및 장치 | |
JP6028702B2 (ja) | 酸化珪素の製造方法 | |
JPH0680412A (ja) | 多結晶シリコンの製造方法 | |
CN113846237B (zh) | 一种减少海绵钛生产过程中夹镁的设备及方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20061127 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091224 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100105 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100128 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130205 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140205 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |