JPS63103815A - SiO微粉末等の連続製造装置 - Google Patents
SiO微粉末等の連続製造装置Info
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- JPS63103815A JPS63103815A JP24559986A JP24559986A JPS63103815A JP S63103815 A JPS63103815 A JP S63103815A JP 24559986 A JP24559986 A JP 24559986A JP 24559986 A JP24559986 A JP 24559986A JP S63103815 A JPS63103815 A JP S63103815A
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- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims description 13
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 17
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 9
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 8
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 abstract description 8
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000011027 product recovery Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000011300 coal pitch Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 2
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011001 backwashing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000010000 carbonizing Methods 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000002006 petroleum coke Substances 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010456 wollastonite Substances 0.000 description 1
- 229910052882 wollastonite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、SiO微粉末等の連続製造に関するもので、
主として0.1μm以下の微細アモルファス状の810
粉末を連続的に製造し、併せて副次的にZrO2粉末な
どを得るための装置に関するものである。
主として0.1μm以下の微細アモルファス状の810
粉末を連続的に製造し、併せて副次的にZrO2粉末な
どを得るための装置に関するものである。
かかるSin粉末は、Si3N4. SiCといった近
年非常に注目されているファインセラミックス粉末の原
料となり得るものであり、とりわけ本発明の装置で得ら
れるようなSiO粉末は0.1 μm以下という微細な
もので、極めて活性に富み、セラミックス合成用原料と
して工業的利用価値が非常に高い。
年非常に注目されているファインセラミックス粉末の原
料となり得るものであり、とりわけ本発明の装置で得ら
れるようなSiO粉末は0.1 μm以下という微細な
もので、極めて活性に富み、セラミックス合成用原料と
して工業的利用価値が非常に高い。
(従来の技術)
SiO微粉末等の製造に関する従来技術として、例えば
特公昭59−50601号公報に開示されているような
、いわゆるSiO□と炭素、あるいは、5i02と金属
Siの混合物を1500℃以上の高温度の減圧下で反応
させてSiO蒸気を発生させ、該slo蒸気を還元窒化
また、還元炭化もしくは減圧した酸素雲囲気内に断熱膨
張で噴射させることにより、粒径0.1μm以下のアモ
ルファス状SiO微粉末を得る方法およびそのための装
置が知られている。
特公昭59−50601号公報に開示されているような
、いわゆるSiO□と炭素、あるいは、5i02と金属
Siの混合物を1500℃以上の高温度の減圧下で反応
させてSiO蒸気を発生させ、該slo蒸気を還元窒化
また、還元炭化もしくは減圧した酸素雲囲気内に断熱膨
張で噴射させることにより、粒径0.1μm以下のアモ
ルファス状SiO微粉末を得る方法およびそのための装
置が知られている。
(発明が解決しようとする問題点)
上述したSiO微粉末等の製造に関する従来技術は、少
量生産の場合であれば良いが、多量に製造しようとする
と、SiO蒸気を搬送するための搬送用パイプが凝縮し
たSiOによって閉塞したりする。
量生産の場合であれば良いが、多量に製造しようとする
と、SiO蒸気を搬送するための搬送用パイプが凝縮し
たSiOによって閉塞したりする。
しかも、断熱膨張で噴射させるためのノズルがSiO蒸
気によって侵食されてノズルとしての役割を果たさなく
なったり、反応物がノズルの部分に蓄積して閉塞してし
まう場合もあり、この技術は真の意味で工業化・量産化
に適した製造装置を提供するものとは云えない。
気によって侵食されてノズルとしての役割を果たさなく
なったり、反応物がノズルの部分に蓄積して閉塞してし
まう場合もあり、この技術は真の意味で工業化・量産化
に適した製造装置を提供するものとは云えない。
そこで、本発明者らは、SiO微粉末等を製造する技術
に関しての上記従来技術のもつ問題点が克服できると共
に0.1 μm以下という極めて微細なSiO微粉末の
量産化に適した製造技術を、先に特願昭60−1656
76号として提案した。この発明の要旨を紹介すると、 第1に、SiO□系原料と炭素含有物および/または金
属珪素粉末との混合物を、0.1気圧以下に減圧した非
酸化性雰囲気中の1300〜2000℃の温度域で熱処
理し、SiOの蒸気を発生させ、該SiO蒸気を前記非
酸化性ガスにより凝縮させかつ搬送し、SiO粉末とし
て回収することにより、0.1 μm以下のSIO微粉
末を製造すること、 第2に、SiO□系原料と炭素含有物および/または金
属珪素粉末との混合物を、0.1気圧以下に減圧した非
酸化性雰囲気中の1300〜2000℃の温度域で熱処
理し、SiOの蒸気を発生させ、該SiO蒸気を前記非
酸化性ガスにより凝縮させかつ搬送し、SiO粉末とし
て回収する一方で、減圧熱処理された原料の残部をも別
に回収すること、 そして第3に、上記各製造方法に適した製造装置を提供
する点にあった。
に関しての上記従来技術のもつ問題点が克服できると共
に0.1 μm以下という極めて微細なSiO微粉末の
量産化に適した製造技術を、先に特願昭60−1656
76号として提案した。この発明の要旨を紹介すると、 第1に、SiO□系原料と炭素含有物および/または金
属珪素粉末との混合物を、0.1気圧以下に減圧した非
酸化性雰囲気中の1300〜2000℃の温度域で熱処
理し、SiOの蒸気を発生させ、該SiO蒸気を前記非
酸化性ガスにより凝縮させかつ搬送し、SiO粉末とし
て回収することにより、0.1 μm以下のSIO微粉
末を製造すること、 第2に、SiO□系原料と炭素含有物および/または金
属珪素粉末との混合物を、0.1気圧以下に減圧した非
酸化性雰囲気中の1300〜2000℃の温度域で熱処
理し、SiOの蒸気を発生させ、該SiO蒸気を前記非
酸化性ガスにより凝縮させかつ搬送し、SiO粉末とし
て回収する一方で、減圧熱処理された原料の残部をも別
に回収すること、 そして第3に、上記各製造方法に適した製造装置を提供
する点にあった。
本発明の目的はかかる本発明者らの提案にかかる特願昭
60−165676号で提案したSiO粉末等の製造装
置に関して、装入から排出までが減圧系で統一された連
続化プロセスを提案することにより、SiO微粉末のみ
ならずジルコニア粉末を連続的かつ効率的に製造し得る
という要請に応えられる装置を提供することにある。
60−165676号で提案したSiO粉末等の製造装
置に関して、装入から排出までが減圧系で統一された連
続化プロセスを提案することにより、SiO微粉末のみ
ならずジルコニア粉末を連続的かつ効率的に製造し得る
という要請に応えられる装置を提供することにある。
(問題点を解決するための手段)
上述した要請に応えられる装置の開発を目指し、本発明
者らは、5iO7粉末または5i02系酸化物原料と炭
素含有物、および/または金属珪素粉末との原料混合物
から310微粉末および2rO7粉末などの副製品を連
続的に効率良く製造するための装置について種々検討し
た結果、竪型炉の形式を踏襄した次の事項を要旨構成と
する手段が有効であることがわかった。
者らは、5iO7粉末または5i02系酸化物原料と炭
素含有物、および/または金属珪素粉末との原料混合物
から310微粉末および2rO7粉末などの副製品を連
続的に効率良く製造するための装置について種々検討し
た結果、竪型炉の形式を踏襄した次の事項を要旨構成と
する手段が有効であることがわかった。
主としてSiO□系酸化物粉末からなる原料混合物を、
減圧非酸化性雰囲気中で熱処理することによりSiO蒸
気を発生させ、その後このSiO蒸気を気相中で凝縮さ
せてSiO粉末として回収する装置であって、 上・下にそれぞれ原料供給系、副製品取出し系を接続し
てなる主反応塔内に、上下方向が予熱帯、均熱帯、冷却
帯として作用するマツフルを設け、このマツフルの中央
部均熱帯からは水平方向に突出するSiO蒸気搬送用パ
イプを配設すると共にその搬送用パイプの他端にはSi
O粉未回収室を配設し、そして前記マツフルおよび搬送
用パイプのまわりには発熱体を配設した構成を有するS
iO微粉末等の連続製造装置。
減圧非酸化性雰囲気中で熱処理することによりSiO蒸
気を発生させ、その後このSiO蒸気を気相中で凝縮さ
せてSiO粉末として回収する装置であって、 上・下にそれぞれ原料供給系、副製品取出し系を接続し
てなる主反応塔内に、上下方向が予熱帯、均熱帯、冷却
帯として作用するマツフルを設け、このマツフルの中央
部均熱帯からは水平方向に突出するSiO蒸気搬送用パ
イプを配設すると共にその搬送用パイプの他端にはSi
O粉未回収室を配設し、そして前記マツフルおよび搬送
用パイプのまわりには発熱体を配設した構成を有するS
iO微粉末等の連続製造装置。
次に、上記装置について具体的に説明する。第1図は、
本発明の代表的な構成例であり、原料の供給から主製品
の反応残材である副製品の排出に至るまでが竪型炉の形
式を有し、主反応塔が予熱帯、均熱帯、冷却帯となって
いて、本発明で回収しようとするSiO微粉末は前記均
熱帯から水平方向に1以上、より好ましくは複数個のS
iO蒸気(般送用バイブを具えているものである。
本発明の代表的な構成例であり、原料の供給から主製品
の反応残材である副製品の排出に至るまでが竪型炉の形
式を有し、主反応塔が予熱帯、均熱帯、冷却帯となって
いて、本発明で回収しようとするSiO微粉末は前記均
熱帯から水平方向に1以上、より好ましくは複数個のS
iO蒸気(般送用バイブを具えているものである。
図において、図示の符号1は、竪形減圧熱処理炉である
主反応塔であって、この塔内軸方向(上下方向)には上
部から予熱帯A、均熱帯B、冷却帯Cとなっているマツ
フル2が貫通するように配設しである。このマツフル2
の上端塔外には、2個の装入用バルブ3a、 3bを介
在させた上・下原料ホッパー4a、 4bからなる原料
供給系が接続され、また該マツフル2の下端塔外には、
副製品取出しシュート5、シールバルブ6、副製品回収
室7からなる副製品取出し系が接続されている。
主反応塔であって、この塔内軸方向(上下方向)には上
部から予熱帯A、均熱帯B、冷却帯Cとなっているマツ
フル2が貫通するように配設しである。このマツフル2
の上端塔外には、2個の装入用バルブ3a、 3bを介
在させた上・下原料ホッパー4a、 4bからなる原料
供給系が接続され、また該マツフル2の下端塔外には、
副製品取出しシュート5、シールバルブ6、副製品回収
室7からなる副製品取出し系が接続されている。
上記主反応塔1内には、マツフル2のまわり、特に予熱
帯Aと均熱帯Bの領域、および該マツフル2の均熱帯B
部から水平方向に突設した発生Sin蒸気の搬出用パイ
プ8.9のまわりに発熱帯10が配設しである。
帯Aと均熱帯Bの領域、および該マツフル2の均熱帯B
部から水平方向に突設した発生Sin蒸気の搬出用パイ
プ8.9のまわりに発熱帯10が配設しである。
蒸気Sin蒸気の搬送用パイプ8.9の遊端部には、そ
れぞれSiO粉未回収室11.12が気密に接続されて
おり、この回収室11.12下部にはSiO微粉末を外
に抜き出すための排出用バルブ13が設けである。なお
、図示の14.はバグフィルタ−115は排気用配管で
、16.は排出用バルブである。
れぞれSiO粉未回収室11.12が気密に接続されて
おり、この回収室11.12下部にはSiO微粉末を外
に抜き出すための排出用バルブ13が設けである。なお
、図示の14.はバグフィルタ−115は排気用配管で
、16.は排出用バルブである。
上記マツフル2の下端には、内部に充填しておく原料混
合物を支持するための可動開閉ストッパー21があり、
このストッパーを退避させると、マツフル2内に残留す
るSin蒸気を抜き出した後の残材である副製品が落下
し、シールバルブ6、副製品回収室7を通ってジルコニ
ア粉末等の該副製品を抜き出すことができる。
合物を支持するための可動開閉ストッパー21があり、
このストッパーを退避させると、マツフル2内に残留す
るSin蒸気を抜き出した後の残材である副製品が落下
し、シールバルブ6、副製品回収室7を通ってジルコニ
ア粉末等の該副製品を抜き出すことができる。
なお、図示の符号17.18は、非酸化性ガス注入口で
、Sin蒸気のキャリアガスとなり、最終的にはフィル
ターを通り排気用配管15を経てロークリ−ポンプ等を
用いる真空排気装置に吸引される。
、Sin蒸気のキャリアガスとなり、最終的にはフィル
ターを通り排気用配管15を経てロークリ−ポンプ等を
用いる真空排気装置に吸引される。
また、上記マツフル2は発生したSiO蒸気から発熱体
lOを保護するのに有効であり、19は発熱体空間部分
の排気用配管、20はバクフィルターの逆洗用のガス注
入口である。
lOを保護するのに有効であり、19は発熱体空間部分
の排気用配管、20はバクフィルターの逆洗用のガス注
入口である。
上述した説明において、発熱体10は黒鉛質の棒状のも
のを配設する形式を好適例とし、主反応室を構成する炉
体は水冷ジャケットを配設した形式、マツフル2および
Si01M送用パイプ8,9の材質としては黒鉛系、S
iC系のものが好適であり、さらに炉壁には黒鉛系等の
断熱材を用いるのが好適である。
のを配設する形式を好適例とし、主反応室を構成する炉
体は水冷ジャケットを配設した形式、マツフル2および
Si01M送用パイプ8,9の材質としては黒鉛系、S
iC系のものが好適であり、さらに炉壁には黒鉛系等の
断熱材を用いるのが好適である。
(作 用)
さて、課題解決のために採用した上記製造装置によって
、SiO微粉末を製造する方法について以 ′下
にその具体的内容を説明する。
、SiO微粉末を製造する方法について以 ′下
にその具体的内容を説明する。
本発明製造装置に使用するSiO□系原料粉末としては
、特に限定されないが、SiO蒸気を効率良(発生させ
るために、微細な粉末の方が望ましい。
、特に限定されないが、SiO蒸気を効率良(発生させ
るために、微細な粉末の方が望ましい。
また、得られるSiO微粉末を高純度に維持するために
、使用する5i02扮末も高純度のものの方が良い。例
えば天然の高純度石英粉末や水ガラスに酸あるいは炭酸
ガスを反応させて製造される:いわゆる湿式法によるS
iO□粉末などが好適である。その他、5in2を含む
酸化物粉末が原料として有効である。例えば、SiO2
を含む酸化物としては、ジルコン(ZrO7・SiO2
)粉末、ムライト(3A1203 ・2SiO2)粉末
、ワラストナイト(CaO−5in2)粉末などがある
。さらにはこうした成分を含有する酸化物のガラス粉末
も使用可能である。
、使用する5i02扮末も高純度のものの方が良い。例
えば天然の高純度石英粉末や水ガラスに酸あるいは炭酸
ガスを反応させて製造される:いわゆる湿式法によるS
iO□粉末などが好適である。その他、5in2を含む
酸化物粉末が原料として有効である。例えば、SiO2
を含む酸化物としては、ジルコン(ZrO7・SiO2
)粉末、ムライト(3A1203 ・2SiO2)粉末
、ワラストナイト(CaO−5in2)粉末などがある
。さらにはこうした成分を含有する酸化物のガラス粉末
も使用可能である。
上記SiO□系原料に対しては炭素含有物を混合するが
、炭素含有物としては石油コークスや石炭ピッチ、カー
ボンブラック、各種有機樹脂などいずれを用いてもよい
。また、炭素含有物のかわりに金属珪素粉末を用いても
同様であり、そして炭素含有物と金属珪素粉末を同時に
混合しても同様である。
、炭素含有物としては石油コークスや石炭ピッチ、カー
ボンブラック、各種有機樹脂などいずれを用いてもよい
。また、炭素含有物のかわりに金属珪素粉末を用いても
同様であり、そして炭素含有物と金属珪素粉末を同時に
混合しても同様である。
これらの原料混合粉は、上記原料ホッパー4aから装入
用バルブ3a、 3bを介してガス置換室となる下部原
料ホッパー4bを経て、マツフル2内に連続的に装入さ
れ、マツフル2内に充填された状態となる。
用バルブ3a、 3bを介してガス置換室となる下部原
料ホッパー4bを経て、マツフル2内に連続的に装入さ
れ、マツフル2内に充填された状態となる。
次に、マツフル2内に充填されたSi[l□系原料と炭
素含有物物および/または金属珪素粉末との混合粉末、
又はそれらの成形体は0.1気圧以下の非酸化性雰囲気
の減圧下に保持され、発熱体10の作用により1300
〜2000℃の温度範囲に加熱する熱処理を受ける。マ
ツフル2内の雰囲気圧力は、効率的にSin蒸気を発生
させるために、0.1気圧以下にするのが好適である。
素含有物物および/または金属珪素粉末との混合粉末、
又はそれらの成形体は0.1気圧以下の非酸化性雰囲気
の減圧下に保持され、発熱体10の作用により1300
〜2000℃の温度範囲に加熱する熱処理を受ける。マ
ツフル2内の雰囲気圧力は、効率的にSin蒸気を発生
させるために、0.1気圧以下にするのが好適である。
かようにして熱処理を行うと、SiO2粉末と炭素含有
物、あるいは金属S1粉末とを混合しているため、下記
(1)、 (2)式により、それぞれ反応が進行し、S
in蒸気が発生する。
物、あるいは金属S1粉末とを混合しているため、下記
(1)、 (2)式により、それぞれ反応が進行し、S
in蒸気が発生する。
Sin□(Cs)+C(s) −Sin(g)+CO
(g) −(1)SiO□(j!、s)+5i(s)
= 23iO(g) ・” (2)(
1)式の反応を1気圧−q、m続して進行させるために
必要な熱力学的温度は、1750℃以上である。ところ
が、上記したように原料の供給から排出までのプロセス
を減圧雰囲気にすれば、(1)式の反応を進行させるた
めに必要な熱力学的な温度は、例えば0.1気圧下では
1640℃、0.O1気圧下では1540℃となり、圧
ノJを1桁下げれば、反応に必要な熱処理温度は100
℃前後低下する。このことから(1)。
(g) −(1)SiO□(j!、s)+5i(s)
= 23iO(g) ・” (2)(
1)式の反応を1気圧−q、m続して進行させるために
必要な熱力学的温度は、1750℃以上である。ところ
が、上記したように原料の供給から排出までのプロセス
を減圧雰囲気にすれば、(1)式の反応を進行させるた
めに必要な熱力学的な温度は、例えば0.1気圧下では
1640℃、0.O1気圧下では1540℃となり、圧
ノJを1桁下げれば、反応に必要な熱処理温度は100
℃前後低下する。このことから(1)。
(2)式の反応を減圧下で行えば、低温度、短時間で熱
処理ができ、SiO蒸気を効率良く発生させることがで
きる。
処理ができ、SiO蒸気を効率良く発生させることがで
きる。
上述の如き減圧熱処理条件下の主反応塔のマツフル2内
で810蒸気を発生させるが、さらに本発明装置は、熱
処理の際に、ガス注入口17.18から非酸化性ガスを
減圧熱処理のための炉の中に導入し、炉内で発生したS
iO蒸気を気相中で凝縮させると同時に気密下で加熱保
温された状態の搬送用パイプ8・・・を経て、SIO粉
未回収室11内へ搬送し、SiO粉末として回収する。
で810蒸気を発生させるが、さらに本発明装置は、熱
処理の際に、ガス注入口17.18から非酸化性ガスを
減圧熱処理のための炉の中に導入し、炉内で発生したS
iO蒸気を気相中で凝縮させると同時に気密下で加熱保
温された状態の搬送用パイプ8・・・を経て、SIO粉
未回収室11内へ搬送し、SiO粉末として回収する。
このときガス注入口17゜18を通り外部より炉内に導
入する非酸化性ガスとしては、N2. 八r、 co、
82などのガスが好適である。
入する非酸化性ガスとしては、N2. 八r、 co、
82などのガスが好適である。
こうした非酸化性ガスを外部から導入する理由には以下
の三つの目的がある。
の三つの目的がある。
■ SiO蒸気を効率良く被熱処理物から搬送除去させ
る。
る。
■ SIO蒸気を急冷することによって気を目から急速
に凝縮させてSiOを超微粉化させる。
に凝縮させてSiOを超微粉化させる。
■ 生成したSiO微粉末を気流に乗せて粉末回収装置
まで搬送させる。
まで搬送させる。
このSiO微粉末の製造方法に関しての従来技術である
特公昭59−50601号公報によれば、SiO蒸気を
先細ノズノベまたは末広ノズルを用いて0.6〜数マツ
ハの速度でノズルから噴射し、断熱膨張させることによ
って急冷し、SiO微粉末を得るとある。しかし、本発
明装置によると、かような製造技術および製造装置上の
繁雑さなしに、単に外部から炉内に非酸化性ガスを導入
することにより、発生したSiO蒸気を気相中でそのま
ま凝縮・搬送させ、容易にSiO微粉末を製造すること
が可能である。
特公昭59−50601号公報によれば、SiO蒸気を
先細ノズノベまたは末広ノズルを用いて0.6〜数マツ
ハの速度でノズルから噴射し、断熱膨張させることによ
って急冷し、SiO微粉末を得るとある。しかし、本発
明装置によると、かような製造技術および製造装置上の
繁雑さなしに、単に外部から炉内に非酸化性ガスを導入
することにより、発生したSiO蒸気を気相中でそのま
ま凝縮・搬送させ、容易にSiO微粉末を製造すること
が可能である。
なお、非酸化性ガス責注入する目的は、前述の■〜■が
上げられるが、SiO蒸気からのSiO粉末の生成の過
程については、SiO蒸気の被熱処理物からの発生と同
時に、注入した非酸化性ガスの急冷作用によりSiO微
粉末が気相中凝縮により生成すると考えられる。そして
、以上の過程で発生したSiO微粉末は前記非酸化性ガ
スの気流に乗せてSiO粉未回収室11まで順送させた
後、排出用バルブ13. 16から取出し、一方ガスに
ついてはバグフィルタ−14を経由させて排気用配管1
5を通じて排気する。
上げられるが、SiO蒸気からのSiO粉末の生成の過
程については、SiO蒸気の被熱処理物からの発生と同
時に、注入した非酸化性ガスの急冷作用によりSiO微
粉末が気相中凝縮により生成すると考えられる。そして
、以上の過程で発生したSiO微粉末は前記非酸化性ガ
スの気流に乗せてSiO粉未回収室11まで順送させた
後、排出用バルブ13. 16から取出し、一方ガスに
ついてはバグフィルタ−14を経由させて排気用配管1
5を通じて排気する。
一方、マツフル2下端からはストッパー21を進退させ
ながらジルコニア粉末等の副製品を取出す。
ながらジルコニア粉末等の副製品を取出す。
(実施例)
SiO2含有199.5%のSiO2¥A末およびZr
O□とSiO□の合計含有量が99.0%のジルコン粉
末と石炭ピッチとから、SiO□と石炭ピッチ中の固定
炭素量との混合モル比(C/5IG2)が1.0 とな
るように均一に混合し、原料混合物を得た。これらの原
料混合物を第1図に示した装置を用いて第2図に示した
温度・圧カバターンにて熱処理を行った。その結果、S
iO粉未回収室からは粒径が0.1 μm以下のSiO
微粉末が収率70%以上で大量に得られた。
O□とSiO□の合計含有量が99.0%のジルコン粉
末と石炭ピッチとから、SiO□と石炭ピッチ中の固定
炭素量との混合モル比(C/5IG2)が1.0 とな
るように均一に混合し、原料混合物を得た。これらの原
料混合物を第1図に示した装置を用いて第2図に示した
温度・圧カバターンにて熱処理を行った。その結果、S
iO粉未回収室からは粒径が0.1 μm以下のSiO
微粉末が収率70%以上で大量に得られた。
一方、副製品回収室には、99%以上の高純度ジルコニ
ア粉末が高収率で大量に製造できた。
ア粉末が高収率で大量に製造できた。
(発明の効果)
以上述べたように本発明製費装置によれば、5i02系
原料と、炭素含有物または金属珪素粉末とからなる原料
混合物から、SiO微粉末のみならびSiO微粉末と原
料中に含まれる成分である酸化物粉末(例えばジルコニ
ア粉末)を、連続的に効率良く区別して取出しfW、る
形で製造できる。
原料と、炭素含有物または金属珪素粉末とからなる原料
混合物から、SiO微粉末のみならびSiO微粉末と原
料中に含まれる成分である酸化物粉末(例えばジルコニ
ア粉末)を、連続的に効率良く区別して取出しfW、る
形で製造できる。
第1図は、本発明装置の断面図、
第2図は、実施例で採用した熱処理時のヒートパターン
の説明図である。 ■・・・主反応塔 2・・・マツフル3a、 3
b・・・装入用バルブ 4a・・・上原料ホッパー 4b・・・下原料ホッパー 5・・・排出シュート 6・・・シールバルブ7・・
・副製品回収室 8.9・・・搬送用パイプ(Sin蒸気)lO・・・発
熱体 11.12・・・SiO粉未回収室13
、16・・・排出用バルブ 14、14 ’・・・バルブフィルター15・・・排気
用配管 17、18・・・ガス注入口(非酸化性)19・・・排
気用配管 20・・・逆洗用ガス注入口 21・・・ストッパー
の説明図である。 ■・・・主反応塔 2・・・マツフル3a、 3
b・・・装入用バルブ 4a・・・上原料ホッパー 4b・・・下原料ホッパー 5・・・排出シュート 6・・・シールバルブ7・・
・副製品回収室 8.9・・・搬送用パイプ(Sin蒸気)lO・・・発
熱体 11.12・・・SiO粉未回収室13
、16・・・排出用バルブ 14、14 ’・・・バルブフィルター15・・・排気
用配管 17、18・・・ガス注入口(非酸化性)19・・・排
気用配管 20・・・逆洗用ガス注入口 21・・・ストッパー
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、主としてSiO_2系酸化物粉末からなる原料混合
物を減圧非酸化性雰囲気中で熱処理することによりSi
O蒸気を発生させ、その後このSiO蒸気を気相中で凝
縮させてSiO粉末として回収する装置であって、 上・下にそれぞれ原料供給系、副製品取出 し系を接続してなる主反応塔内に、上下方向が予熱帯、
均熱帯、冷却帯として作用するマッフルを設け、このマ
ッフルの中央部均熱帯からは水平方向に突出するSiO
蒸気搬送用パイプを配設すると共にその搬送用パイプの
他端にはSiO粉末回収室を配設し、そして前記マッフ
ルおよび搬送用パイプのまわりには発熱体を配設した構
成を有するSiO微粉末等の連続製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24559986A JPS63103815A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | SiO微粉末等の連続製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24559986A JPS63103815A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | SiO微粉末等の連続製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63103815A true JPS63103815A (ja) | 1988-05-09 |
Family
ID=17136117
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24559986A Pending JPS63103815A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | SiO微粉末等の連続製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63103815A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6395249B1 (en) | 1997-12-25 | 2002-05-28 | Nippon Steel Corporation | Production process and apparatus for high purity silicon |
US6821495B2 (en) | 2000-02-04 | 2004-11-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for the continuous production of silicon oxide powder |
JP2005247654A (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Nippon Steel Corp | SiO発生装置及びSiO製造装置 |
US7794681B2 (en) | 2006-04-24 | 2010-09-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing silicon oxide powder |
WO2013141024A1 (en) * | 2012-03-22 | 2013-09-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method and system for the production of silicon oxide deposit |
CN103395836A (zh) * | 2013-08-15 | 2013-11-20 | 蚌埠中恒新材料科技有限责任公司 | 用电弧炉熔制锆英砂时生成一氧化硅的收集装置 |
US20140106221A1 (en) * | 2012-10-16 | 2014-04-17 | Lg Chem, Ltd. | Silicon oxide for anode active material of secondary battery |
WO2014126272A1 (ko) * | 2013-02-13 | 2014-08-21 | 한국에너지기술연구원 | 슬라이딩 타입의 출탕 구조를 갖는 실리콘 용융 도가니를 구비하는 SiOx 나노 분말 제조 장치 및 이를 이용한 SiOx 나노 분말 제조 방법 |
KR20200009943A (ko) | 2018-07-20 | 2020-01-30 | 대주전자재료 주식회사 | 규소-이산화규소계 소결체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 제조되는 가스 배리어 필름 |
-
1986
- 1986-10-17 JP JP24559986A patent/JPS63103815A/ja active Pending
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US7431899B2 (en) | 2000-02-04 | 2008-10-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Apparatus for the continuous production of silicon oxide powder |
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JP4680521B2 (ja) * | 2004-03-05 | 2011-05-11 | 新日鉄マテリアルズ株式会社 | SiO発生装置及びSiO製造装置 |
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KR20140138109A (ko) | 2012-03-22 | 2014-12-03 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 산화규소 석출체의 연속 제조 방법 및 연속 제조 장치 |
US9790095B2 (en) | 2012-03-22 | 2017-10-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method and system for the production of silicon oxide deposit |
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CN103395836A (zh) * | 2013-08-15 | 2013-11-20 | 蚌埠中恒新材料科技有限责任公司 | 用电弧炉熔制锆英砂时生成一氧化硅的收集装置 |
KR20200009943A (ko) | 2018-07-20 | 2020-01-30 | 대주전자재료 주식회사 | 규소-이산화규소계 소결체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 제조되는 가스 배리어 필름 |
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