JPS5895606A - 窒化珪素粉末の製造方法 - Google Patents
窒化珪素粉末の製造方法Info
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- JPS5895606A JPS5895606A JP19208281A JP19208281A JPS5895606A JP S5895606 A JPS5895606 A JP S5895606A JP 19208281 A JP19208281 A JP 19208281A JP 19208281 A JP19208281 A JP 19208281A JP S5895606 A JPS5895606 A JP S5895606A
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- Japan
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- silicon nitride
- pipe
- nitride powder
- silicon
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、窒化珪素(sl、n4)粉末、特にα−窒化
珪素粉末の製造方法に関するものである。
珪素粉末の製造方法に関するものである。
窒化珪素粉末を出発原料とし、該粉末を焼成することに
よって得られる窒化珪素焼結体は、その優れた特性、た
とえば、耐熱性および高強度性ゆえに、高温下で使用さ
れるガスタービン部品などに活用されつつある。
よって得られる窒化珪素焼結体は、その優れた特性、た
とえば、耐熱性および高強度性ゆえに、高温下で使用さ
れるガスタービン部品などに活用されつつある。
ところで、窒化珪素焼結体を、上記優れた特性を有する
ものとして維持するためには、その出R鳳料である窒化
珪素粉末を高純度、かつ、活性に富んだものとして得な
けれはならない。
ものとして維持するためには、その出R鳳料である窒化
珪素粉末を高純度、かつ、活性に富んだものとして得な
けれはならない。
換言すれば、窒化珪素粉末が不純物を含有せず。
焼結性が良好であることを必要とする。従来。
窒化珪素粉末の製造方法としては以下に列配する種々の
方法が採用されている。すなわち、(1) 金属シリ
コンを直接窒化する方法:(381+ 21 →at、
m、 −(1) )(2)二酸化珪素をカーボンで還元
し、生成する一酸化珪素を窒化する方法: (3810,+ 6(! + 212→”s”a +6
00= (2) )(3) 四塩化珪素またはモノシ
ランをアンモニアまたは窒素ガスと高温(1500’O
以上)で反応させる気相法:たとえは、 (3810j4+ 4N!!、 −+ 81.I4+
12HOj ”・(3) )(4) 上記(3)の気
相反応を比較的低温で行なった彼、中間生成物であるv
9コンジイミ・ドな高温で熱分解する方法: (381(囲)、→at、N4+ jgII、 −(4
) )しかしながら、これらの方法は、それぞれ欠点を
有していた。すなわち、方法(1)は、aiの窒化が発
熱反応であるため、温度制御に工夫を要し、また得られ
る粉末が比較的粗粒状であるため、粉砕工程を必要とし
、その結果粉末内への不純物の混入が避けられない。方
法e2)は、原料として高純度の810.およびCを必
要とするほか、得られる粉末がα−Eii、M4. /
−813M4.シリコンオキシナイトライド(81,0
10□)および810などの混合物であるため、焼結体
にとって有用なα−81、I、の収車が低い、方法(3
)および(4)は、高純度の粉末が得られるが、ともに
気相反応であるため、ガス流量の制御が難しく、また反
応装置が複雑であるため、量産には適していない。
方法が採用されている。すなわち、(1) 金属シリ
コンを直接窒化する方法:(381+ 21 →at、
m、 −(1) )(2)二酸化珪素をカーボンで還元
し、生成する一酸化珪素を窒化する方法: (3810,+ 6(! + 212→”s”a +6
00= (2) )(3) 四塩化珪素またはモノシ
ランをアンモニアまたは窒素ガスと高温(1500’O
以上)で反応させる気相法:たとえは、 (3810j4+ 4N!!、 −+ 81.I4+
12HOj ”・(3) )(4) 上記(3)の気
相反応を比較的低温で行なった彼、中間生成物であるv
9コンジイミ・ドな高温で熱分解する方法: (381(囲)、→at、N4+ jgII、 −(4
) )しかしながら、これらの方法は、それぞれ欠点を
有していた。すなわち、方法(1)は、aiの窒化が発
熱反応であるため、温度制御に工夫を要し、また得られ
る粉末が比較的粗粒状であるため、粉砕工程を必要とし
、その結果粉末内への不純物の混入が避けられない。方
法e2)は、原料として高純度の810.およびCを必
要とするほか、得られる粉末がα−Eii、M4. /
−813M4.シリコンオキシナイトライド(81,0
10□)および810などの混合物であるため、焼結体
にとって有用なα−81、I、の収車が低い、方法(3
)および(4)は、高純度の粉末が得られるが、ともに
気相反応であるため、ガス流量の制御が難しく、また反
応装置が複雑であるため、量産には適していない。
また、これらの方法とは、異な◆る窒化珪素粉末の製造
方法が、米国特許第3959446号に開示されている
。この方法、いわゆる、空軍法は、上記方法(3)また
は(4)と同様に810J4およびME。
方法が、米国特許第3959446号に開示されている
。この方法、いわゆる、空軍法は、上記方法(3)また
は(4)と同様に810J4およびME。
を原料とするのであるが、その反応を気相ではなく液相
で行なうことを特徴としている。具体的には、n−へキ
チンを溶媒として使用して下記式: %式%(5) で表わされる反応を行ない、生成したシリコン胃ミドを
真空中にて1200〜1350℃まで加熱すること1:
より、熱分解を起こし、81.N4粉末を得るものであ
る。そのため、上記方法(3)または(4)などの気相
反応方法において生じていた種々の問題はすべて解消す
るのであるが%液相反応であることに起因する別の問題
が発生している。
で行なうことを特徴としている。具体的には、n−へキ
チンを溶媒として使用して下記式: %式%(5) で表わされる反応を行ない、生成したシリコン胃ミドを
真空中にて1200〜1350℃まで加熱すること1:
より、熱分解を起こし、81.N4粉末を得るものであ
る。そのため、上記方法(3)または(4)などの気相
反応方法において生じていた種々の問題はすべて解消す
るのであるが%液相反応であることに起因する別の問題
が発生している。
つまり、シリコンジイミドを熱分解させる場合、(フィ
ルタプレスによる)n−へキチンの除去、予備焼成およ
び(真空炉における)本焼成などの複雑な工程を必要と
するため、量意面において、またコスト的に不利である
。これは、V5コンジイミドとともに、溶媒としてのn
−へキチンが存在しているためである。
ルタプレスによる)n−へキチンの除去、予備焼成およ
び(真空炉における)本焼成などの複雑な工程を必要と
するため、量意面において、またコスト的に不利である
。これは、V5コンジイミドとともに、溶媒としてのn
−へキチンが存在しているためである。
本発明の目的は、空軍法を改嵐した簡便な窒化珪素粉末
の製造方法を提供することにあり。
の製造方法を提供することにあり。
その特徴とするところは、中間生成物であるシリコンジ
イミドを噴霧熱分解させることによって窒化珪素粉末を
得るこ七にある。
イミドを噴霧熱分解させることによって窒化珪素粉末を
得るこ七にある。
以下1本発明を実施例に従って詳細に説明する。なお1
図は本発明を実施するための装置の一例である。
図は本発明を実施するための装置の一例である。
高純度810j4(99j)5−以上)をn−へキチン
とともに反応容器1に入れ、該溶液中に0℃において配
管2からのMH,ガスを2〜3時間バブリングさせる。
とともに反応容器1に入れ、該溶液中に0℃において配
管2からのMH,ガスを2〜3時間バブリングさせる。
その結果、前記反応式(5)に基ずいて、 81(NH
)、および1114C1が生成する。
)、および1114C1が生成する。
この後、中間生成物である81(NH)、をn−ヘキサ
ンとともに、供給ポンプ3を作動させることによって、
反応容器1から主配管4へ流出させる0次いで81(M
ii)、等は配管5を矢印方向に送入してきた圧縮ガス
と一緒になって、主配管4の端部に位置する圧力ノズル
6に達し、該圧力ノズル6から加熱炉1内へ噴霧される
。この加熱炉7は1400〜1600℃の゛高温状態に
維持されているため、噴霧された液滴(81(1mり、
とn−へキチンからなるもの)は、瞬時に熱分解される
。また、加熱炉7へは配管8を通って高温ガスも送入さ
れており%該高温ガスの流れに応じて、熱分解された物
質(81,)i4および11H,からなるもの)は加熱
炉7下方へと移動し、さらには配管9を通ってサイクロ
ン10へ送り込まれ。
ンとともに、供給ポンプ3を作動させることによって、
反応容器1から主配管4へ流出させる0次いで81(M
ii)、等は配管5を矢印方向に送入してきた圧縮ガス
と一緒になって、主配管4の端部に位置する圧力ノズル
6に達し、該圧力ノズル6から加熱炉1内へ噴霧される
。この加熱炉7は1400〜1600℃の゛高温状態に
維持されているため、噴霧された液滴(81(1mり、
とn−へキチンからなるもの)は、瞬時に熱分解される
。また、加熱炉7へは配管8を通って高温ガスも送入さ
れており%該高温ガスの流れに応じて、熱分解された物
質(81,)i4および11H,からなるもの)は加熱
炉7下方へと移動し、さらには配管9を通ってサイクロ
ン10へ送り込まれ。
ここで81.M4とNli、に分離される。
この場合、前述したように数段階(n−ヘキサンの除去
→予備焼成→亨焼成)を経ることを必要しないのは、熱
分解すべきai(111り*を含んだn−へキチンが、
を滴となった状部で加熱されるためである。換言すれば
、液滴それぞれが加熱され易いため、該液滴を構成する
n−へキチンの除去および81(111)、の熱分解を
同時に行ないうるのである。
→予備焼成→亨焼成)を経ることを必要しないのは、熱
分解すべきai(111り*を含んだn−へキチンが、
を滴となった状部で加熱されるためである。換言すれば
、液滴それぞれが加熱され易いため、該液滴を構成する
n−へキチンの除去および81(111)、の熱分解を
同時に行ないうるのである。
次に、こうして熱分解された81−4粉末をサイクロン
10から回収し、生成相を1g粉末回折法で同定した。
10から回収し、生成相を1g粉末回折法で同定した。
その結果を、下記表に示す。
表
上記表かられかるように、本例においては、゛焼結にと
って都合嵐い生成相であるα−81,M4を得るために
は、加熱炉の温度、換言すれば、熱分解温度は160C
fO程度にするとよい、ま−た、該温度をより高温、た
とえば、200■にすると1.81−4の81−および
夏への分解までも生じてくるため、上記温度程度が最適
である。なお、得られた811M、 11末の粒度な、
光透過法によって測定したところ、その平均粒径は1、
θμであった。
って都合嵐い生成相であるα−81,M4を得るために
は、加熱炉の温度、換言すれば、熱分解温度は160C
fO程度にするとよい、ま−た、該温度をより高温、た
とえば、200■にすると1.81−4の81−および
夏への分解までも生じてくるため、上記温度程度が最適
である。なお、得られた811M、 11末の粒度な、
光透過法によって測定したところ、その平均粒径は1、
θμであった。
これは、勿論粉砕を必要としない粒径である。
また、上記例において使用される圧縮ガスおよび高温ガ
スとしては1通常の不活性ガスが挙げられるが、なかで
も窒素ガスが好適である。
スとしては1通常の不活性ガスが挙げられるが、なかで
も窒素ガスが好適である。
以上の如く、本発明によれはシリコンイミドの熱分解と
して噴−熱分解を採用したことから、窒′化珪素粉末の
製造工程を大幅に簡略化することができた。そのため量
産に非常に適したものである。また、得られた窒化珪素
扮末も、高純度で、かつ、焼結性に富んだものである。
して噴−熱分解を採用したことから、窒′化珪素粉末の
製造工程を大幅に簡略化することができた。そのため量
産に非常に適したものである。また、得られた窒化珪素
扮末も、高純度で、かつ、焼結性に富んだものである。
図は、本発明を実施するための装置の一例を示す簡略図
、 を表わす。 1−反応容器 6−加熱炉 10−サイクロン
、 を表わす。 1−反応容器 6−加熱炉 10−サイクロン
Claims (1)
- 四塩化珪素とアンモニアとを液相反応させてシリコンイ
ミドを得、該シリコンイミドを熱分解してなる窒化珪素
粉末の製造方法において、前記熱分解な噴霧熱分解ζ:
よって行なうことを特徴とする窒化珪素粉末の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19208281A JPS5895606A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 窒化珪素粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19208281A JPS5895606A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 窒化珪素粉末の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5895606A true JPS5895606A (ja) | 1983-06-07 |
Family
ID=16285338
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19208281A Pending JPS5895606A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 窒化珪素粉末の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5895606A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63112406A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-17 | Toa Nenryo Kogyo Kk | 窒化ケイ素の製造方法 |
US4788049A (en) * | 1986-03-21 | 1988-11-29 | Gte Products Corporation | Method for controlling the crystal morphology of silicon nitride |
CN102491291A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-06-13 | 合肥摩凯新材料科技有限公司 | 一种制备高纯度氮化硅微纳米粉体的方法 |
KR101535379B1 (ko) * | 2014-04-14 | 2015-07-27 | 오씨아이 주식회사 | 수평형 반응기를 이용한 질화규소 분말 제조장치 및 이를 이용한 질화규소 분말 제조방법 |
KR101535380B1 (ko) * | 2014-04-14 | 2015-07-27 | 오씨아이 주식회사 | 수직형 반응기를 이용한 질화규소 분말 제조장치 |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP19208281A patent/JPS5895606A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4788049A (en) * | 1986-03-21 | 1988-11-29 | Gte Products Corporation | Method for controlling the crystal morphology of silicon nitride |
JPS63112406A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-17 | Toa Nenryo Kogyo Kk | 窒化ケイ素の製造方法 |
CN102491291A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-06-13 | 合肥摩凯新材料科技有限公司 | 一种制备高纯度氮化硅微纳米粉体的方法 |
KR101535379B1 (ko) * | 2014-04-14 | 2015-07-27 | 오씨아이 주식회사 | 수평형 반응기를 이용한 질화규소 분말 제조장치 및 이를 이용한 질화규소 분말 제조방법 |
KR101535380B1 (ko) * | 2014-04-14 | 2015-07-27 | 오씨아이 주식회사 | 수직형 반응기를 이용한 질화규소 분말 제조장치 |
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