JP4445448B2 - 回路基板の製造方法 - Google Patents

回路基板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4445448B2
JP4445448B2 JP2005271211A JP2005271211A JP4445448B2 JP 4445448 B2 JP4445448 B2 JP 4445448B2 JP 2005271211 A JP2005271211 A JP 2005271211A JP 2005271211 A JP2005271211 A JP 2005271211A JP 4445448 B2 JP4445448 B2 JP 4445448B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin layer
resin
layer
substrate
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005271211A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007087979A (ja
Inventor
敦子 飯田
浩一 石井
泰 真常
恭章 安本
直子 梁瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2005271211A priority Critical patent/JP4445448B2/ja
Priority to US11/443,282 priority patent/US20070065639A1/en
Publication of JP2007087979A publication Critical patent/JP2007087979A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4445448B2 publication Critical patent/JP4445448B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
    • H05K3/245—Reinforcing conductive patterns made by printing techniques or by other techniques for applying conductive pastes, inks or powders; Reinforcing other conductive patterns by such techniques
    • H05K3/246—Reinforcing conductive paste, ink or powder patterns by other methods, e.g. by plating
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/22—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern involving the combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20
    • G03G15/221—Machines other than electrographic copiers, e.g. electrophotographic cameras, electrostatic typewriters
    • G03G15/224—Machines for forming tactile or three dimensional images by electrographic means, e.g. braille, 3d printing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/65—Apparatus which relate to the handling of copy material
    • G03G15/6582—Special processing for irreversibly adding or changing the sheet copy material characteristics or its appearance, e.g. stamping, annotation printing, punching
    • G03G15/6585—Special processing for irreversibly adding or changing the sheet copy material characteristics or its appearance, e.g. stamping, annotation printing, punching by using non-standard toners, e.g. transparent toner, gloss adding devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/65—Apparatus which relate to the handling of copy material
    • G03G15/6588—Apparatus which relate to the handling of copy material characterised by the copy material, e.g. postcards, large copies, multi-layered materials, coloured sheet material
    • G03G15/6591—Apparatus which relate to the handling of copy material characterised by the copy material, e.g. postcards, large copies, multi-layered materials, coloured sheet material characterised by the recording material, e.g. plastic material, OHP, ceramics, tiles, textiles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1266—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by electrographic or magnetographic printing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H05K1/095—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks for polymer thick films, i.e. having a permanent organic polymeric binder
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0212—Resin particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0335—Layered conductors or foils
    • H05K2201/0347—Overplating, e.g. for reinforcing conductors or bumps; Plating over filled vias
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0502—Patterning and lithography
    • H05K2203/0517—Electrographic patterning
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/09—Treatments involving charged particles
    • H05K2203/095—Plasma, e.g. for treating a substrate to improve adhesion with a conductor or for cleaning holes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Textile Engineering (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

本発明は、半導体素子やチップ部品などの搭載、実装に適した微細な配線を有する回路基板の製造方法に関する。
従来、回路基板を製造する方法として、例えば、静電転写方式を用いた方法が採用されている。この方法を用いた回路基板の製造において、無電界メッキ浴に活性な触媒物質を付与したトナーを用い、乾式電子写真技術を応用して導体パターンを形成する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
この乾式電子写真技術を応用した回路基板を製造する方法では、まず、帯電器によるコロナ放電にて光導電層の表面全面に静電気を帯電させ、次に光学系を用いて導体パターンを光導電層表面に結像させて、導体パターンに対応する静電潜像を形成する。そして、この静電潜像に無電界メッキ浴に活性な触媒物質を付着させた微粉粉末を現像剤として吸着させ、感光ドラムの光導電層の表面に現像剤パターンを形成する。さらに、感光ドラムに対して基材側がプラスとなる電界を印加し、基材上に現像剤パターンを転写し、この基材を無電界銅メッキ槽に入れ、現像剤パターン上に無電界銅メッキ浴にて所定厚さの銅メッキを施して導体パターンを形成する。ここで、現像剤には、樹脂微粉末に粒径が数μｍの鉄の微粒子を付着させた、１０〜２０μｍの粒径を有するものが使用されている。
また、回路基板における配線幅の微細化を図るため、乾式電子写真方式に用いられる現像剤の小粒径化を図った技術が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。ここで用いられている現像剤は、粒径が５〜１０μｍ程度の微小な樹脂粉末に、１μｍ長さ程度の針形状の銅微粒子を付着させたものである。この技術では、回路基板におけるパターン幅を８０μｍ程度まで微細化することが可能である。
特開昭５８−５７７８３号公報 山口直子 他：Japan Hard Copy２００４論文集、ｐ１２１、２００４
上記した従来の乾式電子写真技術を応用した回路基板を製造する方法では、使用される現像剤の粒径が１０〜２０μｍであるため、現像剤で形成されるパターン幅には下限があり、近年における回路基板の微細化の要求には対応できないという問題点があった。また、無電界メッキ浴に活性な触媒物質として用いられている鉄の微粒子の粒径が数μｍと比較的大きいため、現像剤パターン上に形成されるメッキ析出膜と、現像剤パターンとの密着性に劣ることもあり、それによって好ましい機械的特性が得られないこともあった。
また、現像剤の小粒径化を図った従来の乾式電子写真方式を用いて形成されるパターンの幅は、８０μｍ程度まで微細化することが可能となっているが、近年、さらなるパターン幅の微細化の要求とともに、現像剤パターン上に形成されるメッキ析出膜と現像剤パターンとの密着性の向上をも要求されており、これまでの技術では対応できないという問題が生じている。
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、高精度で微細なパターンを形成し、メッキ析出膜とベースパターンとの密着性に優れ、実用に耐えうる機械的強度を備えた回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様によれば、感光体上に所定のパターンの静電潜像を形成する静電潜像形成工程と、前記静電潜像が形成された感光体上に、粒径が５ｎｍ〜１００ｎｍの金属微粒子を有する粒径が０．１μｍ〜１μｍの樹脂粒子を分散して含有した電気絶縁性の溶媒を付着させて可視像を形成する溶媒付着工程と、前記感光体上に付着した溶媒を乾燥させる乾燥工程と、前記乾燥された可視像を基材上に転写し、当該基材上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記基材上に形成された樹脂層の表面をプラズマにより表面処理することによって樹脂を選択的に除去し、当該表面に、前記樹脂層の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長をλｃとした場合に、基準長さ（ｌｒ＝λｃ）当りの最大高さ（Ｒｚ）が２０ｎｍ≦Ｒｚ≦５００ｎｍである凹凸面を形成する表面処理工程と、前記表面処理された樹脂層上に、前記樹脂層から露出する前記金属微粒子と接触させて導電金属層を形成する導電金属層形成工程とを具備することを特徴とする回路基板の製造方法が提供される。
また、本発明の一態様によれば、感光体上に所定のパターンの静電潜像を形成する静電潜像形成工程と、前記静電潜像が形成された感光体上に、粒径が５ｎｍ〜５００ｎｍの金属微粒子を有する粒径が４μｍ〜８μｍの樹脂粒子を付着させて可視像を形成する樹脂粒子付着工程と、前記可視像を構成する前記樹脂粒子を基材上に転写し、当該基材上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記基材上に形成された樹脂層の表面をプラズマにより表面処理することによって樹脂を選択的に除去し、当該表面に、前記樹脂層の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長をλｃとした場合に、基準長さ（ｌｒ＝λｃ）当りの最大高さ（Ｒｚ）が２０ｎｍ≦Ｒｚ≦１μｍである凹凸面を形成する表面処理工程と、前記表面処理された樹脂層上に、前記樹脂層から露出する前記金属微粒子と接触させて導電金属層を形成する導電金属層形成工程とを具備することを特徴とする回路基板の製造方法が提供される。
本発明の一態様による回路基板の製造方法によれば、高精度で微細なパターンを形成し、メッキ析出膜とベースパターンとの密着性に優れ、実用に耐えうる機械的強度を備えることができる。
以下、本発明の一実施の形態について図面を参照して説明する。
（第１の実施の形態）
第１の実施の形態では、湿式の現像器を用いて、導体パターンを形成する場合について説明する。
図１は、本発明の第１の実施の形態の回路基板１０の断面を模式的に示している。図２は、樹脂層１２と導電金属層１３との界面の断面を拡大して模式的に示している。
図１および図２に示すように、回路基板１０は、基板１１と、この基板１１上に選択的に形成され、金属微粒子１４を含有した非導電性の樹脂層１２と、この樹脂層１２上に、樹脂層１２から露出する金属微粒子１４と接触させて形成された導電金属層１３とから構成されている。ここでは、ベースパターンである樹脂層１２とメッキ析出膜である導電金属層１３とによって導体パターン１８が形成されている。
ここで、基板１１は、非導電性の材料で構成され、具体的には、例えば、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレイト）樹脂、ウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＰＥ（ポリフェニレンエチレン）樹脂、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）樹脂、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂や、ガラス繊維を分散させたガラエポ材の他、ガラス、シリコンウェハーなどで構成され、またはこれらのいずれかを主成分とした材料から構成される。
樹脂層１２を形成する樹脂は、例えば、熱可塑性樹脂などで構成され、具体的には、アクリル樹脂、スチレンアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂，塩化ビニル樹脂、ポリカーボネート樹脂などの材料が挙げられる。また、樹脂層１２を形成する樹脂は、例えば、熱硬化性樹脂などで構成してもよく、具体的には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、ビスマレイミドートリアジン樹脂、ベンジシクロブテン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ブタジエン樹脂、シリコン樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、ポリウレタン樹脂などの材料が挙げられる。また、熱硬化性樹脂において、常温で固体のＢステージの熱硬化性樹脂を用いてもよい。ここで、Ｂステージとは、熱硬化性樹脂の少なくとも一部が硬化していない半硬化の状態をいう。なお、樹脂層１２を形成する樹脂には、必要により帯電制御剤を添加してもよい。
金属微粒子１４は、樹脂層１２上に導電金属層１３を形成する際のメッキ核として、メッキ反応の進行に対して触媒的な作用を有する導電性の材料で構成される。金属微粒子１４を構成する材料として、具体的には、パラジウム、白金、金、銀、コバルト、ニッケル、銅などが挙げられる。さらに、金属微粒子１４は、導電性を有する、金属酸化物、金属窒化物、金属シリサイド、金属炭化物、導電性高分子などの材料で構成されてもよい。
例えば、メッキ触媒としてパラジウムを用いる場合、金属微粒子１４をパラジウムの微粒子で構成してもよいが、その他に、例えば、カーボンナノチューブからなる微粒子を塩化スズの溶液に浸漬した後、塩化パラジウム溶液に浸漬して攪拌し、乾燥させて表面にパラジウム層を有する金属微粒子１４を形成してもよい。また、カーボンナノチューブからなる微粒子の表面に、スパッタでパラジウム金属をコーティングして金属微粒子１４を形成してもよい。さらに、パラジウム金属と微粒子を機械的に強制攪拌して、カーボンナノチューブからなる微粒子の表面にパラジウムをコーティングして金属微粒子１４を形成してもよい。
この金属微粒子１４の粒径は、５ｎｍ〜１００ｎｍである。ここで、金属微粒子１４の粒径をこの範囲としたのは、粒径が５ｎｍより小さい場合には、樹脂粒子１６表面に対する付着力が弱くなるためであり、粒径が１００ｎｍより大きい場合には、金属付着樹脂粒子１７の現像特性が低下するためである。また、さらに好ましい粒径の範囲は、１０ｎｍ〜８０ｎｍである。
また、図２に示すように、樹脂層１２と導電金属層１３との界面において、樹脂層１２の表面は、表面処理が施されることによって凹凸を有している。この凹凸は、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）の規格に基づき定義したもので、樹脂層１２の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長（λｃ）が１μｍの場合に、基準長さ（ｌｒ）１μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）が２０ｎｍ〜５００ｎｍである。ここで、最大高さ（Ｒｚ）とは、基準長さ（ｌｒ）１μｍにおける山高さの最大値と、谷深さの最大値との和である。また、粗さ成分とは、断面における断面曲線の成分から、うねり成分より長い波長成分を除去したものである。ここで、粗さ成分とそれより短い波長成分との境界の波長（λｓ）を考慮しても、最大高さ（Ｒｚ）の範囲は変わらなかった。なお、横軸に波長域、縦軸に振幅伝達率（％）を取った場合の粗さ曲線において、λｓとλｃは、それぞれ振幅伝達率５０％に相当する波長の短波側をλｓ、長波側をλｃと定義される（ＪＩＳ B ０６０１（２００１）の３．１．１．１項記載）。また、断面における凹凸の測定は、例えば、走査電子顕微鏡ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）、微小な針を用いて表面の粗さ情報を検出する原子間力顕微鏡ＡＦＭ（Atomic Force Microscopy）、レーザ光を照射し光学的な位相差を利用して表面粗さを測定する光学顕微鏡を用いて測定される。また、これらの測定で得られた粗さ曲線は、画像処理によって、解析的に最大高さ（Ｒｚ）を求めることができる。
ここで、最大高さ（Ｒｚ）の範囲を２０ｎｍ〜５００ｎｍとしたのは、２０ｎｍより小さい場合には、表面処理を施す際、樹脂の選択的な除去が不十分で、金属微粒子１４の露出が少なくなり、良好なメッキ析出膜である導電金属層１３が得られないからである。また、５００ｎｍより大きい場合には、表面処理による樹脂の選択的除去により、樹脂が金属微粒子１４を保持することが困難になり、良好な導電金属層１３が得られないからである。また、さらに好ましい最大高さ（Ｒｚ）の範囲は、１５０ｎｍ〜５００ｎｍである。この１５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の最大高さ（Ｒｚ）を有することで、樹脂分もある程度残しながら、露出する金属微粒子１４を増加させることが可能となる。
また、樹脂層１２の断面において、基板１１の表面に平行な方向の長さ１μｍ、基板１１の表面に垂直な方向の長さ３００ｎｍで囲まれ、樹脂層１２の表面を含む矩形領域１５内に存在し、かつ導電金属層１３に少なくとも一部が接触している金属微粒子１４の個数（Ｎ）が、１０箇所における平均値で、２０個〜５００個であることが好ましい。この個数の範囲が好ましいのは、金属微粒子１４の個数（Ｎ）が２０個より小さい場合には、数十ｎｍオーダの金属微粒子１４を用いたときでも、表面処理後の金属微粒子１４の露出頻度が少なくなり、良好なメッキ析出膜である導電金属層１３が得られないからである。また、５００個より大きい場合には、数ｎｍオーダの微細な金属微粒子１４を用いたときでも、樹脂層１２に含まれている樹脂量が少なくなり、金属微粒子１４の保持が困難となるため、良好な導電金属層１３が得られないからである。さらに、導電金属層１３に少なくとも一部が接触している金属微粒子１４の個数（Ｎ）の好ましい範囲は、８０個〜２８０個である。この８０個〜２８０個の範囲の金属微粒子１４を有することで、金属微粒子１４の十分な個数を確保しながら、同時に樹脂の接着機能を生かすことが可能であり、良好な導電金属層１３が得られる。
次に、回路基板１０の形成工程の一例を図３〜図５を参照して説明する。
図３は、第１の実施の形態の回路基板１０の製造装置の全体を模式的に示した図である。図４は、パターン形成装置１００を模式的に示す図である。図５は、樹脂粒子１６表面に金属微粒子１４が付着された金属付着樹脂粒子１７を示す平面図である。
図３に示すように、回路基板１０の製造装置は、パターン形成装置１００、表面処理装置１５０、無電解メッキ装置２００、搬送手段２５０で構成され、搬送手段２５０によって、製作途中の回路基板１０が各装置に搬送される。
まず、図４を参照して、パターン形成装置１００について説明する。
図４に示すように、パターン形成装置１００は、感光体ドラム１０１、帯電器１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄ、レーザ露光装置１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ、１０３ｄ、現像器１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ、１０４ｄ、液体除去部材１０５、乾燥機構１０６、溶媒回収装置１０７、中間転写ローラ１０８、バックアップローラ１０９、中間体クリーニングローラ１１０、搬送ローラ１１１、基板クリーニングローラ１１２、感光体クリーナ１１３から主に構成されている。
ここで、湿式の現像器１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ、１０４ｄから供給される液体トナーについて説明する。
図５は、樹脂粒子１６の表面に前述した金属微粒子１４が付着された金属付着樹脂粒子１７を示す平面図である。
液体トナーは、図５に示す金属付着樹脂粒子１７を電気絶縁性の溶媒に分散させたものである。金属付着樹脂粒子１７を構成する樹脂粒子１６は、前述した樹脂層１２を形成する樹脂で形成されている。この樹脂粒子１６の粒径は、０.１〜１μｍである。ここで、樹脂粒子１６の粒径をこの範囲としたのは、粒径が０.１μｍより小さい場合には、電気絶縁性の溶媒中への分散特性が低下するためであり、粒径が１μｍより大きい場合には、 現像特性が低下し微細パターンの形成が困難になるためであるからである。また、より好ましい樹脂粒子１６の粒径の範囲は、０．１〜０．６μｍである。ここで、この樹脂粒子１６に表面に付着されている金属微粒子１４の樹脂粒子１６に対する割合は、２０〜６５ 重量％である。金属微粒子１４の割合をこの範囲としたのは、この割合が２０重量％より小さい場合には、樹脂層１２中に含有される金属微粒子１４の分布度数が不十分で、表面処理後に金属微粒子１４の露出が少なく、良好なメッキ析出膜である導電金属層１３が得られないからであり、６５重量％より大きい場合には、液体トナーによって感光体ドラム１０１に可視像を形成する際に、好適な可視像が形成されないことがあるからである。
溶媒は、電気絶縁性の溶液で構成され、具体的には、溶媒として、分枝型パラフィン溶媒混合物である、アイソパーＬ（商品名）（IsoparL、Exxon Corporation製）、アイソパーＧ（商品名）、アイソパーＨ（商品名）、アイソパーＫ（商品名）、アイソパーＭ（商品名）、アイソパーＶ（商品名）などが用いられる。また、溶媒として、脂肪族炭化水素（ｎ−ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等）、脂環族炭化水素（シクロペンタン、シクロヘキサン等）、芳香族炭化水素（ベンジン、トルエン、キシレン等）、ハロゲン化された炭化水素溶媒（塩素化されたアルカン、フッ素化されたアルカン、クロロフルオロカーボン等）、シリコンオイル類およびこれらの混合物などを用いてもよい。
溶媒中に金属付着樹脂粒子１７を分散させた液体トナーにおける金属付着樹脂粒子１７の含有率は、１．５〜４０重量％である。ここで、含有率をこの範囲としたのは、金属付着樹脂粒子１７の含有率が１．５重量％より小さい場合には、液体トナーによって感光体ドラム１０１に可視像を形成する際に、現像量が少なくなり好適な可視像が形成されないことがあるからであり、４０重量％より大きい場合には、非現像部への金属付着樹脂粒子１７の付着が発生し、やはり好適な可視像が形成されないことがあるからである。
次に、図４を参照して、パターン形成装置１００による導体パターン１８の形成工程について説明する。
導電性基体の上に有機系もしくはアモルファスシリコン系などの感光層を設けた感光体ドラム１０１は、コロナまたはスコロトロンの帯電器１０２ａによって均一に帯電される。その後、感光体ドラム１０１には、レーザ露光装置１０３ａにおいて画像変調されたレーザビームの露光を受け、その表面に静電潜像が形成される。その後、液体トナーを収納する現像器１０４ａによって静電潜像の可視像化が行われ、現像パターンが形成される。なお、図４に示すように、帯電器、レーザ露光装置および現像器をそれぞれ複数備え、現像器に必要に応じて異なる種類の液体トナーを収納し、パターン形成を行ってもよい。
続いて、静電潜像に付着した液体トナーからなる現像パターンに対して、液体除去部材１０５と乾燥機構１０６からなる乾燥処理が施される。液体除去部材１０５は、中空パイプにウレタンフォームの連泡状発泡体を巻きつけた構成で、中空パイプ内を吸引し、ウレタンフォーム表面を現像パターンに軽く押し当て、現像パターン上の余剰な溶媒を吸収して除去する。乾燥機構１０６は、スリットノズルから高圧・大容量の風を現像パターン上に吹き付け、現像パターン内に含まれた余剰な溶媒を除去する。吹き付けられた風は、溶媒回収装置１０７によって回収され、気体中の溶媒を除去する。
乾燥処理を経た感光体ドラム１０１上の現像パターンは、中間転写ローラ１０８の加圧接触によって、中間転写ローラ１０８の表面に転写される。続いて、中間転写ローラ１０８の表面に転写された現像パターンは、バックアップローラ１０９を介して、基板１１上に加圧転写され、金属微粒子１４を含有した樹脂層１２が形成される。
ここで、中間転写ローラ１０８は、例えば、ＳＵＳ製の中空ローラの表面に、弾性体フィルムを貼り付けて構成される。また、感光体ドラム１０１と回転の速度差が３％となるように、中間転写ローラ１０８を遅く回転させた。中間転写ローラ１０８に転写された現像パターンは、例えば、１００ｋｇの荷重でバックアップローラ１０９を押圧することによって、搬送された基板１１にオフセット転写される。バックアップローラ１０９は、例えば、ＳＵＳ製の中空ローラで、内部にハロゲンランプヒータを内蔵して構成されている。そのハロゲンランプヒータによって加熱された中空ローラの表面の温度は、１００℃程度となる。
転写処理の後、感光体ドラム１０１は、感光体クリーナ１１３を通過することで、表面をクリーニングされ、次のパターン形成動作に移る。また、中間転写ローラ１０８も、転写処理を経た後、中間体クリーニングローラ１１０によって、表面がクリーニングされる。また、基板１１は、転写位置に搬送されるまでに、搬送ローラ１１１と、それに対向して配置され、低粘着ゴム層が形成された基板クリーニングローラ１１２との間を通過することにより、表面のゴミやほこりが除去される。また、図示していないが、基板クリーニングローラ１１２の前後に基板１１表面に除電工程を加えることにより、表面にゴミやほこりが付着するのを防ぐ処理を行ってもよい。なお、図示していないが、基板１１の搬送路にヒータを配置して、予め十分に基板１１を加熱し、転写効率を高めるようにしてもよい。
続いて、図４に示すように、パターン形成装置１００によって、金属微粒子１４を含有した樹脂層１２が形成された基板１１は、搬送手段２５０によって、表面処理装置１５０に搬送される。
次に、この表面処理装置１５０における処理について説明する。
表面処理装置１５０は、プラズマを用いて樹脂層１２の表面処理を行うものである。ここでは、酸素ガスとフッ素系ガスの混合ガスによるプラズマ処理を行った。また、混合ガスを用いた場合、樹脂と無機物とのエッチングレイトの差は大きいため、本実施の形態の樹脂層１２と同様に、同一面内に樹脂と無機物とが混在する混合系塗膜に対して、樹脂を選択的にエッチング除去することができるという利点がある。これによって、図２に示すように、樹脂の領域が選択的にエッチング除去され、凹凸面を形成することができる。
この場合、酸素ガスとフッ素系ガスの混合比を変えることにより、樹脂のエッチングレイトの制御が容易であり、樹脂層１２中の樹脂の望ましい残渣量の制御に有効である。また、樹脂の種類に応じて、酸素ガスとフッ素系ガスの混合比を変えることにより、最適な樹脂の除去処理を行うことができる。なお、除去する対象となる樹脂や金属微粒子１４の種類に応じて、それぞれフッ素ガス、酸素ガス、アルゴンガス、塩素ガスなどのガス単体のプラズマ処理でも同様の効果を得ることができる。また、これらのガスを適宜組み合わせた混合ガスによるプラズマ処理でも同様の効果を得ることができる。
ここで、樹脂層１２は、樹脂と金属微粒子１４とが混在した状態であり、表面処理を施す前は、その表面は比較的平坦である。この表面を上記したように、メッキ処理工程の前に、樹脂層１２の表面において、樹脂の一部を選択的に除去する表面処理を施し、表面に微細な凹凸を形成するとともに、表面に露出した金属微粒子１４の個数と分布領域を増やすことにより、導電金属層１３が厚くなった場合でも十分な密着強度を確保することができる。
続いて、図３に示すように、表面処理装置１５０によって、樹脂層１２の表面が処理された基板１１は、搬送手段２５０によって、無電解メッキ装置２００に搬送される。
次に、この無電解メッキ装置２００における処理について説明する。
無電解メッキ装置２００において、例えば、無電解銅メッキを施し、金属微粒子１４がメッキ触媒として作用することにより、メッキによる導電金属層１３が樹脂層１２上に堆積される。これによって、導体パターン１８を得ることができる。ここで、無電解メッキは、無電解銅メッキに限られるものではなく、無電解金メッキや無電解ニッケルメッキのように、導電金属層１３を構成できるものであればよい。また、無電解メッキを行った後、電解メッキで厚付けして、さらなる低抵抗化を図ってもよい。
さらに、無電解メッキに限らず、電気メッキにより導電金属層１３を形成してもよい。この場合、無電解メッキの触媒であるパラジウム、ニッケル、コバルト、金、銀などを電気メッキの下地層として用いてもよい。また、触媒機能を発揮しない、クロム、亜鉛、鉛などの金属微粒子や、酸化銅、酸化ニッケルなどの金属酸化物、ＳｉＣなどの炭化物、導電性ポリマーなどからなる導電性微粒子などを適宜選択して下地層に含有させてもよい。
ここで、導体パターン１８を構成する、樹脂層１２の厚さ（Ｄ１）は、０．３〜２μｍであり、導電金属層１３の厚さ（Ｄ２）は、３〜３０μｍであり、Ｄ２とＤ１との比（Ｄ２／Ｄ１）は、１．５〜１００であることが好ましい。Ｄ２とＤ１との比（Ｄ２／Ｄ１）をこの範囲としたのは、Ｄ２とＤ１との比が、１．５より小さい場合には、導電金属層１３の厚みが小さく、配線抵抗が大きくなって、好適な回路基板を形成しない場合があるからであり、１００より大きい場合には、樹脂層１２の厚みが小さくなり、基板との密着強度が小さくなる場合があるからである。
上記した第１の実施の形態の回路基板１０によれば、金属微粒子１４を含有した樹脂層１２を形成した後に、プラズマを用いて樹脂層１２の表面処理を行い、樹脂の一部を選択的に除去して、基準長さ（ｌｒ）１μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）が２０ｎｍ〜５００ｎｍの微細な凹凸を形成することができる。また、微細な凹凸を形成すると同時に、樹脂層１２の表面に露出してメッキ触媒として機能する金属微粒子１４の個数と分布域を増加させることができる。これらの微細な凹凸の形成および露出する金属微粒子１４の個数と分布域の増加によって、樹脂層１２と導電金属層１３との強固な密着を確保することができる。さらに、樹脂層１２と導電金属層１３との界面において、樹脂と金属微粒子１４とが混在した領域の微細な凹凸面にほぼ追従した導電金属層１３が形成され、アンカー効果により樹脂層１２と導電金属層１３との密着がさらに強化される。
また、本実施の形態において、シアリング転写によって基板上にパターンを形成することができるので、金属付着樹脂粒子１７などの現像剤の飛び散りが非常に少なく、高解像度のパターンを形成することができる。ここで、液体トナーに含有される金属付着樹脂粒子１７の粒径は、大きくとも１μｍ程度であるため、高精度で微細なパターンを形成することが可能となる。湿式によりパターンを形成する本実施の形態において、約１２００ｄｐｉの精度を有するレーザ露光装置を用いることで、Ｌ（ライン）／Ｓ（スペース）＝３０μｍ／３０μｍの微細なパターンの形成が実現されている。
なお、上記した第１の実施の形態では、主に導体パターン１８が形成された回路基板１０について説明したが、例えば、パターン形成装置１００の現像器から、前述した金属付着樹脂粒子１７を構成する樹脂のみで形成された樹脂粒子を含有する液体トナーを供給することで、絶縁パターンを基板上に形成することができる。そして、パターン形成装置１００において、前述した金属付着樹脂粒子１７を含有する液体トナーを供給する現像器と、前述した金属付着樹脂粒子１７を構成する樹脂のみで形成された樹脂粒子を含有する液体トナーを供給する現像器との双方を備えることで、導体パターン１８および絶縁パターンの双方を備える回路基板１０を形成することができる。さらに、導体パターン１８および絶縁パターンの双方を備える回路上に、さらに導体パターン１８および絶縁パターンを形成することで、多層の回路を有する多層回路基板を形成することができる。
（第２の実施の形態）
第２の実施の形態では、乾式の現像器を用いて、導体パターンを形成する場合について説明する。
図６は、本発明の第２の実施の形態の回路基板５０の断面を模式的に示している。図７は、樹脂層５２と導電金属層５３との界面の断面を拡大して模式的に示している。
図６および図７に示すように、回路基板５０は、基板５１と、この基板５１上に選択的に形成され、金属微粒子５４を含有した非導電性の樹脂層５２と、この樹脂層５２上に、樹脂層５２から露出する金属微粒子５４と接触させて形成された導電金属層５３とから構成されている。ここでは、ベースパターンである樹脂層５２とメッキ析出膜である導電金属層５３とによって導体パターン５８が形成されている。
ここで、基板５１、樹脂層５２を形成する樹脂、金属微粒子５４を構成する材料は、それぞれ、第１の実施の形態における基板１１、樹脂層１２を形成する樹脂、金属微粒子１４を構成する材料と同じである。
また、乾式の現像器を用いる本実施の形態では、金属微粒子５４の粒径は、５ｎｍ〜５００ｎｍである。ここで、金属微粒子５４の粒径をこの範囲としたのは、粒径が５ｎｍより小さい場合には、樹脂粒子５６表面に対する付着力が弱くなるためであり、粒径が５００ｎｍより大きい場合には、金属付着樹脂粒子５７の現像特性が低下するためである。また、さらに好ましい粒径の範囲は、１０ｎｍ〜３００ｎｍである。
また、図７に示すように、樹脂層５２と導電金属層５３との界面において、樹脂層５２の表面は、表面処理が施されることによって凹凸を有している。この凹凸は、第１の実施の形態の場合と同様に、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）の規格に基づき定義したもので、樹脂層５２の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長（λｃ）が４μｍの場合に、基準長さ（ｌｒ）４μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）が２０ｎｍ〜１μｍである。
ここで、最大高さ（Ｒｚ）の範囲を２０ｎｍ〜１μｍとしたのは、２０ｎｍより小さい場合には、表面処理を施す際、樹脂の選択的な除去が不十分で、金属微粒子５４の露出が少なくなり、良好なメッキ析出膜である導電金属層１３が得られないからである。また、１μｍより大きい場合には、表面処理による樹脂の選択的除去により、樹脂が金属微粒子５４を保持することが困難になり、良好な導電金属層５３が得られないからである。また、さらに好ましい最大高さ（Ｒｚ）の範囲は、４００ｎｍ〜１μｍである。この４００ｎｍ〜１μｍの範囲の最大高さ（Ｒｚ）を有することで、樹脂分もある程度残しながら、露出する金属微粒子５４を増加させることが可能となる。
また、樹脂層５２の断面において、基板５１の表面に平行な方向の長さ１μｍ、基板５１の表面に垂直な方向の長さ３００ｎｍで囲まれ、樹脂層５２の表面を含む矩形領域５５内に存在し、かつ導電金属層５３に少なくとも一部が接触している金属微粒子５４の個数（Ｎ）が、１０箇所における平均値で、３個〜５００個であることが好ましい。この個数の範囲が好ましいのは、金属微粒子５４の個数（Ｎ）が３個より小さい場合には、数百ｎｍオーダの金属微粒子５４を用いたときでも、表面処理後の金属微粒子５４の露出頻度が少なくなり、良好なメッキ析出膜である導電金属層５３が得られないからである。また、５００個より大きい場合には、数ｎｍオーダの微細な金属微粒子５４を用いたときでも、樹脂層５２に含まれている樹脂量が少なくなり、金属微粒子５４の保持が困難となるため、良好な導電金属層５３が得られないからである。さらに、導電金属層５３に少なくとも一部が接触している金属微粒子５４の個数（Ｎ）の好ましい範囲は、１８個〜６０個である。この１８個〜６０個の範囲の金属微粒子５４を有することで、金属微粒子５４の十分な個数を確保しながら、同時に樹脂の接着機能を生かすことが可能であり、良好な導電金属層５３が得られる。
次に、回路基板５０の形成工程の一例を図８〜図１０を参照して説明する。
図８は、第２の実施の形態の回路基板５０の製造装置の全体を模式的に示した図である。図９は、パターン形成装置３００を模式的に示す図である。図１０は、樹脂粒子５６表面に金属微粒子５４が付着された金属付着樹脂粒子５７を示す平面図である。
図８に示すように、回路基板５０の製造装置は、パターン形成装置３００、表面処理装置１５０、無電解メッキ装置２００、搬送手段２５０で構成され、搬送手段２５０によって、製作途中の回路基板１０が各装置に搬送される。なお、表面処理装置１５０、無電解メッキ装置２００および搬送手段２５０は、第１の実施の形態の回路基板１０の製造装置と同じである。
まず、図９を参照して、パターン形成装置３００について説明する。
図９に示すように、パターン形成装置３００は、感光体ドラム３０１、帯電器３０２、レーザ露光装置３０３、現像器３０４、感光体クリーナ３０５、除電器３０６、中間転写媒体３０７、トナー像加熱器３０８、加圧ローラ３０９から主に構成されている。ここで、中間転写媒体３０７は、中間転写ベルト３１０、転写ローラ３１１、３１２から構成され、転写ローラ３１２内には、ハロゲンランプなどヒータ３１３が設けられている。なお、トナー像加熱器３０８は、図９に示すように、光で加熱する光照射手段を非接触に設けてもよいし、内部にヒータを有するヒートローラを中間転写ベルト３１０に接触させて設けてもよい。
ここで、乾式の現像器３０４から供給される粉体トナーである金属付着樹脂粒子５７について説明する。
図１０は、金属付着樹脂粒子５７を示す平面図である。図１０に示すように、金属付着樹脂粒子５７は、樹脂粒子５６の表面に前述した金属微粒子５４を付着させて構成されている。
この樹脂粒子５６の粒径は、４〜８μｍである。ここで、樹脂粒子５６の粒径をこの範囲としたのは、粒径が４μｍより小さい場合には、金属付着樹脂粒子５７の凝集のため現像特性が低下し、粒径が８μｍより大きい場合には、非現像部への金属付着樹脂粒子５７の飛び散りが多くなり、微細パターンの形成が困難となるためである。また、より好ましい樹脂粒子５６の粒径の範囲は、４〜６μｍである。ここで、この樹脂粒子５６に表面に付着されている金属微粒子５４の樹脂粒子５６に対する割合は、１．５〜５０重量％である。金属微粒子５４の割合をこの範囲としたのは、この割合が１．５重量％より小さい場合には、樹脂層５２中に含有される金属微粒子５４の分布度数が不十分で、表面処理後に金属微粒子５４の露出が少なく、良好なメッキ析出膜である導電金属層５３が得られないからであり、５０重量％より大きい場合には、金属付着樹脂粒子５７によって感光体ドラム３０１に可視像を形成する際に、好適な可視像が形成されないことがあるからである。
次に、図９を参照して、パターン形成装置３００による導体パターン５８の形成工程について説明する。
まず、感光体ドラム３０１を矢印方向に回転させながら、帯電器３０２により感光体ドラム３０１の表面電位を一定電位（例えばマイナス電荷）に均一に帯電させる。具体的な帯電方法としては、スコロトロン帯電法、ローラ帯電法、ブラシ帯電法などがある。次に、レーザ露光装置３０３により、画像信号に応じてレーザ光を感光体ドラム３０１に照射し、照射部分のマイナス電荷を除去し、感光体ドラム３０１の表面に所定パターンの電荷の像（静電潜像）を形成する。
次に、感光体ドラム３０１上の静電潜像に、現像器３０４により帯電した粉体トナーである金属付着樹脂粒子５７を静電的に付着させ、可視像である粉体トナー像３１４を形成する。現像器３０４には、公知の電子写真式複写システムにおける乾式のトナー転写技術を適用することができる。
転写ローラ３１１には、所定の転写電圧が印加されており、粉体トナー像３１４は、感光体ドラム３０１と中間転写ベルト３１０間に形成された電界により、中間転写ベルト３１０上へと転写される。なお、感光体ドラム３０１は、転写処理の後、感光体クリーナ３０５を通過することで、表面がクリーニングされ、さらに、除電器３０６を通過することで、帯電電荷が除去され、次のパターン形成動作に移る。
中間転写ベルト３１０上に転写された粉体トナー像３１４は、トナー像加熱器３０８を通過する際に熱供給を受けて、溶融しフィルム化される。フィルム化したトナー像３１５は、転写ローラ３１２と加圧ローラ３０９との間に印加される圧力の作用を受ける。これにより中間転写ベルト３１０上のトナー像３１５は、基板５１上に容易に転写され、金属微粒子５４を含有した樹脂層５２が形成される。
中間転写ベルト３１０に転写されたトナー画像は、例えば、１００ｋｇの荷重で加圧ローラ３０９を押圧することによって、搬送された基板１１にオフセット転写される。転写ローラ３１２の表面は、内部に設けられたハロゲンランプなどのヒータによって、１００℃程度に加熱されている。
粉体トナーを現像剤として用いた乾式による電子写真方式を採用したパターン形成装置３００においては、粉体トナー像３１４は、通常、基板５１上で熱定着されるまでは粉体の状態で処理されるが、本実施の形態のように途中の過程において熱溶融によりフィルム化することで、転写時のトナーの飛び散りによる画像乱れをなくすことができる。これによって、より高画質の画像を得ることが可能となる。
また、本実施の形態においては、中間転写媒体３０７として、中間転写ベルト３１０を用いた構成を示したが、第１の実施の形態と同様に、剛体ローラであるＳＵＳ製の中空ローラの表面に、弾性体フィルムを貼り付けて中間転写媒体３０７を構成してもよい。また、中間転写媒体３０７を用いずに、感光体ドラム３０１上の粉体トナー像３１４を直接基板５１に転写する構成を採用してもよい。この場合には、現像器３０４の下流にトナー像加熱器３０８を設け、感光体ドラム３０１上で粉体トナー像３１４を加熱溶融することでフィルム化し、基板５１に直接圧力と熱で転写する。なお、図示していないが、基板５１の搬送路にヒータを配置して、予め十分に基板５１を加熱し、転写効率を高めるようにしてもよい。
続いて、図８に示すように、パターン形成装置３００によって、金属微粒子５４を含有した樹脂層５２が形成された基板５１は、搬送手段２５０によって、表面処理装置１５０に搬送される。表面処理装置１５０において、樹脂層５２の表面が処理された基板５１は、搬送手段２５０によって、無電解メッキ装置２００に搬送され、無電解メッキ処理が施され、樹脂層５２上に導電金属層５３が形成される。ここで、表面処理装置１５０および無電解メッキ装置２００における処理は、第１の実施の形態におけるこれらの処理と同様である。
ここで、導体パターン５８を構成する、樹脂層５２の厚さ（Ｄ１）は、４〜２０μｍであり、導電金属層５３の厚さ（Ｄ２）は、３〜３０μｍであり、Ｄ２とＤ１との比（Ｄ２／Ｄ１）は、０．１５〜７．５であることが好ましい。Ｄ２とＤ１との比（Ｄ２／Ｄ１）をこの範囲としたのは、Ｄ２とＤ１との比が、０．１５より小さい場合には、導電金属層５３の厚みが小さく、配線抵抗が大きくなって、好適な回路基板を形成しない場合があるからであり、７．５より大きい場合には、導電金属層５３の厚みが大きくなり、導電金属層内の応力が大きくなって、樹脂層５２との界面において剥離が生じる場合があるからである。
上記した第２の実施の形態の回路基板５０によれば、金属微粒子５４を含有した樹脂層５２を形成した後に、プラズマを用いて樹脂層５２の表面処理を行い、樹脂の一部を選択的に除去して、基準長さ（ｌｒ）４μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）が２０ｎｍ〜１μｍの微細な凹凸を形成することができる。また、微細な凹凸を形成すると同時に、樹脂層５２の表面に露出してメッキ触媒として機能する金属微粒子５４の個数と分布域を増加させることができる。これらの微細な凹凸の形成および露出する金属微粒子１４の個数と分布域の増加によって、樹脂層５２と導電金属層５３との強固な密着を確保することができる。さらに、樹脂層５２と導電金属層５３との界面において、樹脂と金属微粒子５４とが混在した領域の微細な凹凸面にほぼ追従した導電金属層５３が形成され、アンカー効果により樹脂層５２と導電金属層５３との密着がさらに強化される。
また、本実施の形態において、シアリング転写によって基板上にパターンを形成することができるので、金属付着樹脂粒子５７などの現像剤の飛び散りが非常に少なく、高解像度のパターンを形成することができる。ここで、粉体トナーである金属付着樹脂粒子５７の粒径は、大きくとも８μｍ程度であるため、高精度で微細なパターンを形成することが可能となる。乾式によりパターンを形成する本実施の形態において、約１２００ｄｐｉの精度を有するレーザ露光装置を用いることで、Ｌ（ライン）／Ｓ（スペース）＝８０μｍ／８０μｍの微細なパターンの形成が実現されている。
なお、上記した第２の実施の形態では、主に導体パターン５８が形成された回路基板５０について説明したが、例えば、パターン形成装置３００の現像器３０４から、前述した金属付着樹脂粒子５７を構成する樹脂のみで形成された樹脂粒子を供給することで、絶縁パターンを基板上に形成することができる。そして、導体パターン５８の形成工程と、絶縁パターンの形成工程とを組み合わせることで、導体パターン５８および絶縁パターンの双方を備える回路基板５０を形成することができる。さらに、導体パターン５８および絶縁パターンの双方を備える回路上に、さらに導体パターン５８および絶縁パターンを形成することで、多層の回路を有する多層回路基板を形成することができる。
（第３の実施の形態）
ここでは、上記した第１または第２の実施の形態に示した回路基板の製造装置および製造方法に基づいて形成される多層回路基板およびその形成工程について、図１１、図１２Ａ〜図１２Ｇを参照して説明する。なお、ここでは、第１の実施の形態において回路基板１０を形成するのに用いられた製造装置を用いたときの一例を示す。
図１１は、多層回路基板４００の断面を模式的に示す図である。図１２Ａ〜図１２Ｇは、多層回路基板４００の各形成工程における断面を模式的に示す図である。なお、ここでは、第１または第２の実施の形態において、樹脂層と称した、金属微粒子を含有した非導電性の層を金属含有樹脂層と称する。また、樹脂のみで形成される非導電性の層を絶縁層と称する。
図１１に示すように、多層回路基板４００は、基板４０１上に、第１層として、第１の金属含有樹脂層４０２と、この第１の金属含有樹脂層４０２上に形成された第１の導電金属層４０３とからなる第１の導体パターンと、その第１の導体パターンに隣接して形成された第１の絶縁層４０４からなる第１の絶縁パターンとが形成されている。また、第１層上に、第２層として、第１の導体パターン上の所望の位置にスルーホール４０５が形成され、スルーホール４０５と同じ層には、第２の絶縁層４０６が形成されている。また、スルーホール４０５内には、その壁面に沿って第２の金属含有樹脂層４０７が形成され、第２の金属含有樹脂層４０７内を埋めるように導体層４０８が形成されている。さらに、第２層上に、第３層として、第３の金属含有樹脂層４０９と、この第３の金属含有樹脂層４０９上および導体層４０８上に形成された第２の導電金属層４１０とからなる第２の導体パターンが形成されている。
次に、多層回路基板４００の各形成工程の一例について説明する。
ここでは、図４に示すパターン形成装置１００を用い、このパターン形成装置１００には、現像器として、導体パターンを形成するための、溶媒に金属付着樹脂粒子１７を含有した導体用液体トナーを収納する現像器と、絶縁パターンを形成するための、溶媒に樹脂粒子を含有した絶縁用液体トナーを収納する現像器とが備えられている。
まず、感光体ドラム１０１上に、第１の金属含有樹脂層４０２を形成するための導体用液体トナーによる可視像化を行う。可視像化された導体用液体トナー像は、乾燥工程と転写工程を経て基板４０１に転写され、基板４０１上には、第１の金属含有樹脂層４０２が形成される。続いて、この第１の金属含有樹脂層４０２が形成された基板４０１を、図３に示す表面処理装置１５０に搬送し、第１の金属含有樹脂層４０２の表面を処理する（図１２Ａ）。表面処理後の第１の金属含有樹脂層４０２の表面には、凹凸が形成され、その凹凸面からは複数の金属微粒子１４の一部が露出している。
続いて、この基板をパターン形成装置１００に搬送し、前述した第１の金属含有樹脂層４０２を形成する工程と同様の工程で、絶縁用液体トナーを用いて第１の絶縁層４０４を形成する（図１２Ｂ）。
続いて、第１の絶縁層４０４が形成された基板４０１を無電解メッキ装置２００に搬送し、銅の無電解メッキ浴に浸漬し、第１の金属含有樹脂層４０２上に無電解銅メッキ層である第１の導電金属層４０３を析出させ、第１の導体パターンを形成するとともに、第１層が形成される（図１２Ｃ）。
次に、多層回路基板４００の第２層の形成工程に移る。第１層が形成された基板４０１をパターン形成装置１００に搬送する。そして、感光体ドラム１０１上で、スルーホール４０５の形成部を除いて、第２の絶縁層４０６を形成するための絶縁用液体トナーによる可視像化を行い、さらに、これと同時に、スルーホール４０５の内壁に沿って、第２の金属含有樹脂層４０７を形成するための導体用液体トナーによる可視像化を行う。可視像化された絶縁用液体トナー像および導体用液体トナー像は、乾燥工程と転写工程を経て基板４０１の第１層上に転写され、第２の絶縁層４０６および第２の金属含有樹脂層４０７が形成される。なお、この第２層の形成工程において、絶縁用液体トナー層および導体用液体トナー層の印刷を繰り返し行い、第２の絶縁層４０６および第２の金属含有樹脂層４０７を所望の厚みにすることもできる。
続いて、第２の絶縁層４０６および第２の金属含有樹脂層４０７が形成された基板４０１を、図３に示す表面処理装置１５０に搬送し、第２の金属含有樹脂層４０７の表面を処理する（図１２Ｄ）。表面処理後の第２の金属含有樹脂層４０７の表面には、凹凸が形成され、その凹凸面からは複数の金属微粒子１４の一部が露出している。
続いて、第２の金属含有樹脂層４０７が形成された基板４０１を無電解メッキ装置２００に搬送し、銅の無電解メッキ浴に浸漬し、第２の金属含有樹脂層４０７上に無電解銅メッキ層である導体層４０８を析出させ、第２層が形成される（図１２Ｅ）。
次に、多層回路基板４００の第３層の形成工程に移る。第１層および第２層が形成された基板４０１をパターン形成装置１００に搬送する。そして、感光体ドラム１０１上で、第３の金属含有樹脂層４０９を形成するための導体用液体トナーによる可視像化を行う。可視像化された導体用液体トナー像は、乾燥工程と転写工程を経て第２層上に転写され、第３の金属含有樹脂層４０９が形成される。続いて、この第３の金属含有樹脂層４０９が形成された基板４０１を、図３に示す表面処理装置１５０に搬送し、第３の金属含有樹脂層４０９の表面を処理する（図１２Ｆ）。表面処理後の第３の金属含有樹脂層４０９の表面には、凹凸が形成され、その凹凸面からは複数の金属微粒子１４の一部が露出している。
続いて、第３の金属含有樹脂層４０９が形成された基板４０１を無電解メッキ装置２００に搬送し、銅の無電解メッキ浴に浸漬し、第３の金属含有樹脂層４０９に無電解銅メッキ層である第２の導電金属層４１０を析出させ、第３層が形成される（図１２Ｇ）。
上記したように、導体パターンおよび絶縁パターンを繰り返し形成することで、任意の多層回路基板を形成することができる。また、金属微粒子を含有した金属含有樹脂層を形成した後に、プラズマを用いて金属含有樹脂層の表面処理を行い、樹脂の一部を選択的に除去して、微細な凹凸を形成することができる。また、微細な凹凸を形成すると同時に、金属含有樹脂層の表面に露出してメッキ触媒として機能する金属微粒子の個数と分布域を増加させることができる。これらの微細な凹凸の形成および露出する金属微粒子の個数と分布域の増加によって、金属含有樹脂層と導電金属層との強固な密着を確保することができる。さらに、金属含有樹脂層と導電金属層との界面において、樹脂と金属微粒子とが混在した領域の微細な凹凸面にほぼ追従した導電金属層が形成され、アンカー効果により金属含有樹脂層と導電金属層との密着がさらに強化される。
なお、上記した多層回路基板４００の構成は、一例を示すものであり、この構成に限られるものではない。また、ここでは、多層回路基板の形成工程について説明したが、この形成工程は、単層の回路基板を形成する際にも採用することができる。さらに、上記した多層回路基板の形成工程では、湿式現像によりパターンを形成する一例を示したが、第２の実施の形態で示した、湿式現像によるパターン形成工程を採用することもできる。
次に、本発明の具体的な実施例について説明する。
まず、湿式現像により形成された導体パターンについて、実施例１〜実施例７、比較例１〜比較例２に示す。なお、ここで試料基板として使用される基板の構成は、図１に示す回路基板の構成と同じであるので、図１を参照して説明する。また、ここで使用される液体トナー中に含有される金属付着樹脂粒子の構成は、図５に示す金属付着樹脂粒子の構成と同じであるので、図５を参照して説明する。
（実施例１）
実施例１では、液体トナーとして、周知の石油系絶縁性溶媒（商品名；アイソパーＬ、エクソン社製）中に金属付着樹脂粒子１７を含有したものを使用した。ここで、金属付着樹脂粒子１７は、平均粒径が０.１μｍの熱可塑性樹脂である、アクリル系の樹脂粒子１６の表面に、平均粒径が５ｎｍのＡｇ微粒子からなる金属微粒子１４を付着させたものである。また、金属微粒子１４の含有量は、樹脂粒子１６の重量に対して５０重量％とし、１個の樹脂粒子に対して、金属微粒子１４の被覆率は約２９％であった。なお、金属付着樹脂粒子１７の表面には帯電制御剤も添加した。
まず、第１の実施の形態で説明した樹脂層の形成工程と同様に、パターン形成装置１００によって、上記した液体トナーを用いて、ポリイミド樹脂から形成された基板１１上に、厚さが５００ｎｍ、幅が２０μｍで、スペースが２０μｍの樹脂層１２を形成した。
次に、図３に示すように、樹脂層１２が形成された基板１１は、搬送手段２５０によって表面処理装置１５０に搬送され、１０−４Ｐａに減圧された真空槽内に挿入された。そして、真空槽内に酸素ガスとフッ素系ガスの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、パワー５０Ｗで２０秒間、プラズマによる表面処理を施した。
この表面処理により、樹脂層１２の表面の凹凸は、樹脂層１２の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長（λｃ）が１μｍの場合に、基準長さ（ｌｒ）１μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）が３００ｎｍであった（ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）規定）。
次に、図３に示すように、樹脂層１２の表面処理が施された基板１１は、搬送手段２５０によって無電解メッキ装置２００に搬送され、Ｃｕの無電解メッキ浴に浸漬された。そして、樹脂層１２上に、無電解メッキ層である導電金属層１３が形成された。ここで、樹脂層１２および導電金属層１３からなる導体パターン１８の厚さは１０μｍであった。
上記したように形成された導体パターン１８に対して、１８０℃で２時間のアニール処理を施した。このアニール処理後における、導体パターン１８の体積抵抗率は、約１.７５×１０−６Ω・ｃｍであった。
また、インストロン型の引張試験機によって、導電金属層１３の樹脂層１２への密着度を測定した。その結果、引張強度は、１５０ＭＰａであった。
さらに、樹脂層１２と導電金属層１３との界面の断面について、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）で観察を行った。その結果、図２に示すように、樹脂層１２の表面の微細な凹凸にほぼ追従した状態で、凹部にもメッキ膜である導電金属層１３が形成されていることがわかった。また、樹脂層１２の微細な凹凸面から露出した金属微粒子１４が導電金属層１３と接触していることがわかった。そして、基板１１の表面に平行な方向の長さ１μｍ、基板１１の表面に垂直な方向の長さ３００ｎｍで囲まれ、樹脂層１２の表面を含む矩形領域内に存在し、かつこの樹脂層１２の微細な凹凸面から露出し、導電金属層１３に少なくとも一部が接触していた金属微粒子１４の個数（Ｎ）は、１０箇所における平均値で５００個であった。ここで、金属微粒子１４は、規定の矩形領域に一部が含まれた状態でも個数に勘定した。
また、樹脂層１２の厚さ（Ｄ１）は、５００ｎｍであり、導電金属層１３の厚さ（Ｄ２）は、９.５μｍであり、Ｄ２とＤ１との比（Ｄ２／Ｄ１）は１９であった。
さらに、基板１１上の導体パターン１８を、ポリイミドの樹脂フィルムで形成されたカバーレイヤをラミネートし、フレキシブル配線基板を形成した。この基板１１に対して、ＪＩＳ規格の曲げ試験を実施した結果、断線もなく、良好な配線基板が形成されていることが実証された。
ここで、上記した液体トナーにおいて、金属付着樹脂粒子１７におけるＡｇ微粒子の付着量を増加させ、基板１１の表面に平行な方向の長さ１μｍ、基板１１の表面に垂直な方向の長さ３００ｎｍで囲まれ、樹脂層１２の表面を含む矩形領域内に存在し、かつこの樹脂層１２の微細な凹凸面から露出し、導電金属層１３に少なくとも一部が接触していた金属微粒子１４の個数（Ｎ）を１０箇所における平均値で５００個を超える（５８０個） のものを試作して、導体パターン１８の形成を試みた。しかしながら、この条件では、帯電特性が安定せず、現像特性が不良となり、微細な樹脂層１２を形成することはできなかった。
（湿式電界転写の例）
ここで、上記の実施形態では、湿式の現像器を用いて、感光体上に形成した可視像を、電界を使わずに、加熱と加圧で中間転写体上に転写するシアリング転写について述べたが、パターンが比較的大きい場合、電界を用いて中間転写体に転写する工程を用いてもよい。例えばライン幅Ｌが５０μｍ以上でスペースＳも８０μｍ以上の場合などは、電界によるトナー粒子の飛び散りの影響が比較的小さいので、電界転写でも十分実用的なパターンの形成は可能である。湿式電界転写によるパターン形成装置は、湿式シアリング転写によるパターン形成装置と、中間転写ドラム１０８の構成が異なる他は、露光・現像・乾燥工程と、二次転写工程、およびクリーニング工程の構成は同じである。中間転写ローラの近傍には、転写後のトナー像を加熱するトナー像加熱器が設けられている。図４を用いて説明すると、中間転写ドラム１０８の中間体クリーニングローラ１１０とは反対側にトナー像加熱器としてヒータを付設すればよい。湿式電界転写のパターン形成装置の中間転写体は、剛体ローラであるＳＵＳ製の中空ローラの表面に、弾性体フィルムを貼り付けた構成で、弾性体フィルムは転写効率を上げるため、体積抵抗率が１０４〜１０１０Ω・ｃｍ程度の導電性を有していることが望ましい。中間転写ローラには、所定の転写電圧が印加されており、湿式トナー像は、感光体ドラム１０１上で所定の乾燥状態になるまで乾燥された後、感光体ドラム１０１と中間転写ローラ間に形成された電界により、中間転写ローラ上へと転写される。この時、シアリング転写のような感光体ドラム１０１と中間転写ローラ間の速度差は不要である。中間転写ローラ上に転写されたトナー像は、トナー像加熱器を通過する際に熱供給を受けて、溶融しフィルム化される。フィルム化したトナー像は、転写ローラと加圧ローラとの間に印加される圧力の作用を受け、基板５１上に容易に転写され、金属微粒子１４を含有した樹脂層１２が形成される。
基板上に形成された金属微粒子１４を含有した樹脂層１２は、表面処理工程と、メッキ工程を経て、導体パターンが形成され、それらの工程は、上記に述べた湿式シアリング転写の場合と同様である。
（湿式電界の直接転写の例）
上述したように、感光体と中間転写ローラの間に電界を加えてトナー像を転写し、トナー像を溶融した後、基板に転写するという二段転写方式を説明したが、比較的ライン幅とスペースが大きい場合には、中間転写ローラを用いず、感光体とバックアップローラとの間に電界を加えて転写する直接転写方式でも良い。この場合、中空の金属ローラをバックアップローラとして用い、感光体上でトナー像を適宜乾燥させ、バックアップローラと感光体との間に電界を印加した状態で、基板を挿入することにより、トナー像を直接基板に転写する。基板への転写後、必要に応じて加熱してもよく、これにより定着性が向上する。
（実施例２）
実施例２では、液体トナーとして、実施例１と同じ液体トナーを使用した。まず、第１の実施の形態で説明した樹脂層の形成工程と同様に、パターン形成装置１００によって、上記した液体トナーを用いて、ポリイミド樹脂から形成された基板１１上に、厚さが３００ｎｍ、幅が１０μｍで、スペースが１０μｍの樹脂層１２を形成した。
次に、図３に示すように、樹脂層１２が形成された基板１１は、搬送手段２５０によって表面処理装置１５０に搬送され、１０−４Ｐａに減圧された真空槽内に挿入された。そして、真空槽内に酸素ガスとフッ素系ガスの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、パワー２０Ｗで５秒間、プラズマによる表面処理を施した。
この表面処理により、樹脂層１２の表面の凹凸は、樹脂層１２の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長（λｃ）が１μｍの場合に、基準長さ（ｌｒ）１μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）が２０ｎｍであった（ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）規定）。
次に、図３に示すように、樹脂層１２の表面処理が施された基板１１は、搬送手段２５０によって無電解メッキ装置２００に搬送され、Ｃｕの無電解メッキ浴に浸漬された。そして、樹脂層１２上に、無電解メッキ層である導電金属層１３が形成された。ここで、樹脂層１２および導電金属層１３からなる導体パターン１８の厚さは１０μｍであった。
上記したように形成された導体パターン１８に対して、１８０℃で２時間のアニール処理を施した。このアニール処理後における、導体パターン１８の体積抵抗率は、約１.７５×１０−６Ω・ｃｍであった。
また、インストロン型の引張試験機によって、導電金属層１３の樹脂層１２への密着度を測定した。その結果、引張強度は、１００ＭＰａであった。
さらに、樹脂層１２と導電金属層１３との界面の断面について、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）で観察を行った。その結果、図２に示すように、樹脂層１２の表面の微細な凹凸にほぼ追従した状態で、凹部にもメッキ膜である導電金属層１３が形成されていることがわかった。また、樹脂層１２の微細な凹凸面から露出した金属微粒子１４が導電金属層１３と接触していることがわかった。そして、基板１１の表面に平行な方向の長さ１μｍ、基板１１の表面に垂直な方向の長さ３００ｎｍで囲まれ、樹脂層１２の表面を含む矩形領域内に存在し、かつこの樹脂層１２の微細な凹凸面から露出し、導電金属層１３に少なくとも一部が接触していた金属微粒子１４の個数（Ｎ）は、１０箇所における平均値で１２０個であった。ここで、金属微粒子１４は、規定の矩形領域に一部が含まれた状態でも個数に勘定した。
また、樹脂層１２の厚さ（Ｄ１）は、３００ｎｍであり、導電金属層１３の厚さ（Ｄ２）は、９.７μｍであり、Ｄ２とＤ１との比（Ｄ２／Ｄ１）は３２であった。
（実施例３）
実施例３では、液体トナーとして、実施例１と同様に、周知の石油系絶縁性溶媒（商品名；アイソパーＬ、エクソン社製）中に金属付着樹脂粒子１７を含有したものを使用した。ここで、金属付着樹脂粒子１７は、平均粒径が０.２μｍの熱可塑性樹脂である、アクリル系の樹脂粒子１６の表面に、平均粒径が１０ｎｍのＡｇ微粒子からなる金属微粒子１４を付着させたものである。また、金属微粒子１４の含有量は、樹脂粒子１６の重量に対して５０重量％とし、１個の樹脂粒子に対して、金属微粒子１４の被覆率は約２９％であった。なお、金属付着樹脂粒子１７の表面には帯電制御剤も添加した。
まず、第１の実施の形態で説明した樹脂層の形成工程と同様に、パターン形成装置１００によって、上記した液体トナーを用いて、ポリイミド樹脂から形成された基板１１上に、厚さが３００ｎｍ、幅が１０μｍで、スペースが１０μｍの樹脂層１２を形成した。
次に、図３に示すように、樹脂層１２が形成された基板１１は、搬送手段２５０によって表面処理装置１５０に搬送され、１０−４Ｐａに減圧された真空槽内に挿入された。そして、真空槽内に酸素ガスとフッ素系ガスの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、パワー５０Ｗで１０秒間、プラズマによる表面処理を施した。
この表面処理により、樹脂層１２の表面の凹凸は、樹脂層１２の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長（λｃ）が１μｍの場合に、基準長さ（ｌｒ）１μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）が１５０ｎｍであった（ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）規定）。
次に、図３に示すように、樹脂層１２の表面処理が施された基板１１は、搬送手段２５０によって無電解メッキ装置２００に搬送され、Ｃｕの無電解メッキ浴に浸漬された。そして、樹脂層１２上に、無電解メッキ層である導電金属層１３が形成された。ここで、樹脂層１２および導電金属層１３からなる導体パターン１８の厚さは１０μｍであった。
上記したように形成された導体パターン１８に対して、１８０℃で２時間のアニール処理を施した。このアニール処理後における、導体パターン１８の体積抵抗率は、約１.７５×１０−６Ω・ｃｍであった。
また、インストロン型の引張試験機によって、導電金属層１３の樹脂層１２への密着度を測定した。その結果、引張強度は、２００ＭＰａであった。
さらに、樹脂層１２と導電金属層１３との界面の断面について、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）で観察を行った。その結果、図２に示すように、樹脂層１２の表面の微細な凹凸にほぼ追従した状態で、凹部にもメッキ膜である導電金属層１３が形成されていることがわかった。また、樹脂層１２の微細な凹凸面から露出した金属微粒子１４が導電金属層１３と接触していることがわかった。そして、基板１１の表面に平行な方向の長さ１μｍ、基板１１の表面に垂直な方向の長さ３００ｎｍで囲まれ、樹脂層１２の表面を含む矩形領域内に存在し、かつこの樹脂層１２の微細な凹凸面から露出し、導電金属層１３に少なくとも一部が接触していた金属微粒子１４の個数（Ｎ）は、１０箇所における平均値で２８０個であった。ここで、金属微粒子１４は、規定の矩形領域に一部が含まれた状態でも個数に勘定した。
また、樹脂層１２の厚さ（Ｄ１）は、３００ｎｍであり、導電金属層１３の厚さ（Ｄ２）は、９.７μｍであり、Ｄ２とＤ１との比（Ｄ２／Ｄ１）は３２であった。
（実施例４）
実施例３では、液体トナーとして、実施例１と同様に、周知の石油系絶縁性溶媒（商品名；アイソパーＬ、エクソン社製）中に金属付着樹脂粒子１７を含有したものを使用した。ここで、金属付着樹脂粒子１７は、平均粒径が０.２μｍの熱可塑性樹脂である、アクリル系の樹脂粒子１６の表面に、平均粒径が３０ｎｍのＡｇ微粒子からなる金属微粒子１４を付着させたものである。また、金属微粒子１４の含有量は、樹脂粒子１６の重量に対して５０重量％とし、１個の樹脂粒子に対して、金属微粒子１４の被覆率は約１０％であった。なお、金属付着樹脂粒子１７の表面には帯電制御剤も添加した。
まず、第１の実施の形態で説明した樹脂層の形成工程と同様に、パターン形成装置１００によって、上記した液体トナーを用いて、ポリイミド樹脂から形成された基板１１上に、厚さが５００ｎｍ、幅が２０μｍで、スペースが２０μｍの樹脂層１２を形成した。
次に、図３に示すように、樹脂層１２が形成された基板１１は、搬送手段２５０によって表面処理装置１５０に搬送され、１０−４Ｐａに減圧された真空槽内に挿入された。そして、真空槽内に酸素ガスとフッ素系ガスの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、パワー５０Ｗで３０秒間、プラズマによる表面処理を施した。
この表面処理により、樹脂層１２の表面の凹凸は、樹脂層１２の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長（λｃ）が１μｍの場合に、基準長さ（ｌｒ）１μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）が４００ｎｍであった（ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）規定）。
次に、図３に示すように、樹脂層１２の表面処理が施された基板１１は、搬送手段２５０によって無電解メッキ装置２００に搬送され、Ｃｕの無電解メッキ浴に浸漬された。そして、樹脂層１２上に、無電解メッキ層である導電金属層１３が形成された。ここで、樹脂層１２および導電金属層１３からなる導体パターン１８の厚さは１０μｍであった。
上記したように形成された導体パターン１８に対して、１８０℃で２時間のアニール処理を施した。このアニール処理後における、導体パターン１８の体積抵抗率は、約１.７５×１０−６Ω・ｃｍであった。
また、インストロン型の引張試験機によって、導電金属層１３の樹脂層１２への密着度を測定した。その結果、引張強度は、２００ＭＰａであった。
さらに、樹脂層１２と導電金属層１３との界面の断面について、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）で観察を行った。その結果、図２に示すように、樹脂層１２の表面の微細な凹凸にほぼ追従した状態で、凹部にもメッキ膜である導電金属層１３が形成されていることがわかった。また、樹脂層１２の微細な凹凸面から露出した金属微粒子１４が導電金属層１３と接触していることがわかった。そして、基板１１の表面に平行な方向の長さ１μｍ、基板１１の表面に垂直な方向の長さ３００ｎｍで囲まれ、樹脂層１２の表面を含む矩形領域内に存在し、かつこの樹脂層１２の微細な凹凸面から露出し、導電金属層１３に少なくとも一部が接触していた金属微粒子１４の個数（Ｎ）は、１０箇所における平均値で１２０個であった。ここで、金属微粒子１４は、規定の矩形領域に一部が含まれた状態でも個数に勘定した。
また、樹脂層１２の厚さ（Ｄ１）は、５００ｎｍであり、導電金属層１３の厚さ（Ｄ２）は、９.５μｍであり、Ｄ２とＤ１との比（Ｄ２／Ｄ１）は１９であった。
（実施例５）
実施例５では、液体トナーとして、実施例１と同様に、周知の石油系絶縁性溶媒（商品名；アイソパーＬ、エクソン社製）中に金属付着樹脂粒子１７を含有したものを使用した。ここで、金属付着樹脂粒子１７は、平均粒径が０.５μｍの熱硬化性樹脂である、エポキシ系の樹脂粒子１６の表面に、平均粒径が５０ｎｍのＡｇ微粒子からなる金属微粒子１４を付着させたものである。この場合、金属付着樹脂粒子１７の母体であるエポキシ系の樹脂粒子１６は、半硬化の状態（いわゆるＢステージ状態）であった。また、金属微粒子１４の含有量は、樹脂粒子１６の重量に対して５０重量％とし、１個の樹脂粒子に対して、金属微粒子１４の被覆率は約１５％であった。なお、金属付着樹脂粒子１７の表面には帯電制御剤も添加した。
まず、第１の実施の形態で説明した樹脂層の形成工程と同様に、パターン形成装置１００によって、上記した液体トナーを用いて、ポリイミド樹脂から形成された基板１１上に、厚さが１μｍ、幅が３０μｍで、スペースが３０μｍの樹脂層１２を形成した。
次に、図３に示すように、樹脂層１２が形成された基板１１は、搬送手段２５０によって表面処理装置１５０に搬送され、１０−４Ｐａに減圧された真空槽内に挿入された。そして、真空槽内に酸素ガスとフッ素系ガスの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、パワー５０Ｗで６０秒間、プラズマによる表面処理を施した。
この表面処理により、樹脂層１２の表面の凹凸は、樹脂層１２の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長（λｃ）が１μｍの場合に、基準長さ（ｌｒ）１μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）が５００ｎｍであった（ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）規定）。
次に、図３に示すように、樹脂層１２の表面処理が施された基板１１は、搬送手段２５０によって無電解メッキ装置２００に搬送され、Ｃｕの無電解メッキ浴に浸漬された。そして、樹脂層１２上に、無電解メッキ層である導電金属層１３が形成された。ここで、樹脂層１２および導電金属層１３からなる導体パターン１８の厚さは２０μｍであった。
上記したように形成された導体パターン１８に対して、２５０℃で２時間のアニール処理を施した。このアニール処理後における、導体パターン１８の体積抵抗率は、約１.７３×１０−６Ω・ｃｍであった。
また、インストロン型の引張試験機によって、導電金属層１３の樹脂層１２への密着度を測定した。その結果、引張強度は、２５０ＭＰａであった。
さらに、樹脂層１２と導電金属層１３との界面の断面について、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）で観察を行った。その結果、図２に示すように、樹脂層１２の表面の微細な凹凸にほぼ追従した状態で、凹部にもメッキ膜である導電金属層１３が形成されていることがわかった。また、樹脂層１２の微細な凹凸面から露出した金属微粒子１４が導電金属層１３と接触していることがわかった。そして、基板１１の表面に平行な方向の長さ１μｍ、基板１１の表面に垂直な方向の長さ３００ｎｍで囲まれ、樹脂層１２の表面を含む矩形領域内に存在し、かつこの樹脂層１２の微細な凹凸面から露出し、導電金属層１３に少なくとも一部が接触していた金属微粒子１４の個数（Ｎ）は、１０箇所における平均値で８０個であった。ここで、金属微粒子１４は、規定の矩形領域に一部が含まれた状態でも個数に勘定した。
また、樹脂層１２の厚さ（Ｄ１）は、１μｍであり、導電金属層１３の厚さ（Ｄ２）は、１９μｍであり、Ｄ２とＤ１との比（Ｄ２／Ｄ１）は１９であった。
（実施例６）
実施例６では、液体トナーとして、実施例１と同様に、周知の石油系絶縁性溶媒（商品名；アイソパーＬ、エクソン社製）中に金属付着樹脂粒子１７を含有したものを使用した。ここで、金属付着樹脂粒子１７は、平均粒径が１μｍの熱硬化性樹脂である、エポキシ系の樹脂粒子１６の表面に、平均粒径が１００ｎｍのＡｇ微粒子からなる金属微粒子１４を付着させたものである。この場合、金属付着樹脂粒子１７の母体であるエポキシ系の樹脂粒子１６は、半硬化の状態（いわゆるＢステージ状態）であった。また、金属微粒子１４の含有量は、樹脂粒子１６の重量に対して５０重量％とし、１個の樹脂粒子に対して、金属微粒子１４の被覆率は約１５％であった。なお、金属付着樹脂粒子１７の表面には帯電制御剤も添加した。
まず、第１の実施の形態で説明した樹脂層の形成工程と同様に、パターン形成装置１００によって、上記した液体トナーを用いて、ポリイミド樹脂から形成された基板１１上に、厚さが２μｍ、幅が５０μｍで、スペースが５０μｍの樹脂層１２を形成した。
次に、図３に示すように、樹脂層１２が形成された基板１１は、搬送手段２５０によって表面処理装置１５０に搬送され、１０−４Ｐａに減圧された真空槽内に挿入された。そして、真空槽内に酸素ガスとフッ素系ガスの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、パワー５０Ｗで６０秒間、プラズマによる表面処理を施した。
この表面処理により、樹脂層１２の表面の凹凸は、樹脂層１２の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長（λｃ）が１μｍの場合に、基準長さ（ｌｒ）１μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）が５００ｎｍであった（ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）規定）。
次に、図３に示すように、樹脂層１２の表面処理が施された基板１１は、搬送手段２５０によって無電解メッキ装置２００に搬送され、Ｃｕの無電解メッキ浴に浸漬された。そして、樹脂層１２上に、無電解メッキ層である導電金属層１３が形成された。ここで、樹脂層１２および導電金属層１３からなる導体パターン１８の厚さは２０μｍであった。
上記したように形成された導体パターン１８に対して、２５０℃で２時間のアニール処理を施した。このアニール処理後における、導体パターン１８の体積抵抗率は、約１.７３×１０−６Ω・ｃｍであった。
また、インストロン型の引張試験機によって、導電金属層１３の樹脂層１２への密着度を測定した。その結果、引張強度は、１８０ＭＰａであった。
さらに、樹脂層１２と導電金属層１３との界面の断面について、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）で観察を行った。その結果、図２に示すように、樹脂層１２の表面の微細な凹凸にほぼ追従した状態で、凹部にもメッキ膜である導電金属層１３が形成されていることがわかった。また、樹脂層１２の微細な凹凸面から露出した金属微粒子１４が導電金属層１３と接触していることがわかった。そして、基板１１の表面に平行な方向の長さ１μｍ、基板１１の表面に垂直な方向の長さ３００ｎｍで囲まれ、樹脂層１２の表面を含む矩形領域内に存在し、かつこの樹脂層１２の微細な凹凸面から露出し、導電金属層１３に少なくとも一部が接触していた金属微粒子１４の個数（Ｎ）は、１０箇所における平均値で２０個であった。ここで、金属微粒子１４は、規定の矩形領域に一部が含まれた状態でも個数に勘定した。
また、樹脂層１２の厚さ（Ｄ１）は、２μｍであり、導電金属層１３の厚さ（Ｄ２）は、１９μｍであり、Ｄ２とＤ１との比（Ｄ２／Ｄ１）は９.５であった。
（実施例７）
実施例７では、液体トナーとして、実施例１と同様に、周知の石油系絶縁性溶媒（商品名；アイソパーＬ、エクソン社製）中に金属付着樹脂粒子１７を含有したものを使用した。ここで、金属付着樹脂粒子１７は、平均粒径が０.２μｍの熱可塑性樹脂である、アクリル系の樹脂粒子１６が凝集してほぼ１μｍの粒径になったものの表面に、平均粒径が１００ｎｍのＡｇ微粒子からなる金属微粒子１４を付着させたものである。また、金属微粒子１４の含有量は、樹脂粒子１６の重量に対して５０重量％とし、１個の樹脂粒子に対して、金属微粒子１４の被覆率は約１５％であった。なお、金属付着樹脂粒子１７の表面には帯電制御剤も添加した。
まず、第１の実施の形態で説明した樹脂層の形成工程と同様に、パターン形成装置１００によって、上記した液体トナーを用いて、ポリイミド樹脂から形成された基板１１上に、厚さが２μｍ、幅が５０μｍで、スペースが５０μｍの樹脂層１２を形成した。
次に、図３に示すように、樹脂層１２が形成された基板１１は、搬送手段２５０によって表面処理装置１５０に搬送され、１０−４Ｐａに減圧された真空槽内に挿入された。そして、真空槽内に酸素ガスとフッ素系ガスの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、パワー５０Ｗで４５秒間、プラズマによる表面処理を施した。
この表面処理により、樹脂層１２の表面の凹凸は、樹脂層１２の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長（λｃ）が１μｍの場合に、基準長さ（ｌｒ）１μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）が５００ｎｍであった（ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）規定）。
次に、図３に示すように、樹脂層１２の表面処理が施された基板１１は、搬送手段２５０によって無電解メッキ装置２００に搬送され、Ｃｕの無電解メッキ浴に浸漬された。そして、樹脂層１２上に、無電解メッキ層である導電金属層１３が形成された。ここで、樹脂層１２および導電金属層１３からなる導体パターン１８の厚さは２０μｍであった。
上記したように形成された導体パターン１８に対して、１８０℃で２時間のアニール処理を施した。このアニール処理後における、導体パターン１８の体積抵抗率は、約１.７５×１０−６Ω・ｃｍであった。
また、インストロン型の引張試験機によって、導電金属層１３の樹脂層１２への密着度を測定した。その結果、引張強度は、１５０ＭＰａであった。
さらに、樹脂層１２と導電金属層１３との界面の断面について、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）で観察を行った。その結果、図２に示すように、樹脂層１２の表面の微細な凹凸にほぼ追従した状態で、凹部にもメッキ膜である導電金属層１３が形成されていることがわかった。また、樹脂層１２の微細な凹凸面から露出した金属微粒子１４が導電金属層１３と接触していることがわかった。そして、基板１１の表面に平行な方向の長さ１μｍ、基板１１の表面に垂直な方向の長さ３００ｎｍで囲まれ、樹脂層１２の表面を含む矩形領域内に存在し、かつこの樹脂層１２の微細な凹凸面から露出し、導電金属層１３に少なくとも一部が接触していた金属微粒子１４の個数（Ｎ）は、１０箇所における平均値で２０個であった。ここで、金属微粒子１４は、規定の矩形領域に一部が含まれた状態でも個数に勘定した。
また、樹脂層１２の厚さ（Ｄ１）は、２μｍであり、導電金属層１３の厚さ（Ｄ２）は、１９μｍであり、Ｄ２とＤ１との比（Ｄ２／Ｄ１）は９.５であった。
（比較例１）
比較例１では、液体トナーとして、実施例１と同様に、周知の石油系絶縁性溶媒（商品名；アイソパーＬ、エクソン社製）中に金属付着樹脂粒子１７を含有したものを使用した。ここで、金属付着樹脂粒子１７は、平均粒径が０．２μｍの熱可塑性樹脂である、アクリル系の樹脂粒子１６の表面に、平均粒径が３０ｎｍのＡｇ微粒子からなる金属微粒子１４を付着させたものである。また、金属微粒子１４の含有量は、樹脂粒子１６の重量に対して５０重量％とし、１個の樹脂粒子に対して、金属微粒子１４の被覆率は約１０％であった。なお、金属付着樹脂粒子１７の表面には帯電制御剤も添加した。
まず、第１の実施の形態で説明した樹脂層の形成工程と同様に、パターン形成装置１００によって、上記した液体トナーを用いて、ポリイミド樹脂から形成された基板１１上に、厚さが３００ｎｍ、幅が１０μｍで、スペースが１０μｍの樹脂層１２を形成した。
次に、図３に示すように、樹脂層１２が形成された基板１１は、搬送手段２５０によって表面処理装置１５０に搬送され、１０−４Ｐａに減圧された真空槽内に挿入された。そして、真空槽内に酸素ガスとフッ素系ガスの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、パワー２０Ｗで３秒間、プラズマによる表面処理を施した。
この表面処理により、樹脂層１２の表面の凹凸は、樹脂層１２の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長（λｃ）が１μｍの場合に、基準長さ（ｌｒ）１μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）が１５ｎｍであった（ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）規定）。
次に、図３に示すように、樹脂層１２の表面処理が施された基板１１は、搬送手段２５０によって無電解メッキ装置２００に搬送され、Ｃｕの無電解メッキ浴に浸漬された。しかしながら、メッキ工程中に、析出膜が剥離し、良好なメッキ膜、つまり良好な導電金属層１３を形成することができなかった。メッキの剥離は、樹脂層１２とＣｕ析出膜の間で起きていて、樹脂層１２の凹凸面には金属微粒子１４が残ったままであった。
さらに、導電金属層１３が剥離した後の樹脂層１２の凹凸面の断面について、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）で観察を行った。その結果、基板１１の表面に平行な方向の長さ１μｍ、基板１１の表面に垂直な方向の長さ３００ｎｍで囲まれ、樹脂層１２の表面を含む矩形領域内に存在し、かつこの樹脂層１２の微細な凹凸面から露出していた金属微粒子１４の個数（Ｎ）は、１０箇所における平均値で１０個であった。ここで、金属微粒子１４は、規定の矩形領域に一部が含まれた状態でも個数に勘定した。
（比較例２）
比較例２では、液体トナーとして、比較例１と同じ液体トナーを使用した。まず、第１の実施の形態で説明した樹脂層の形成工程と同様に、パターン形成装置１００によって、上記した液体トナーを用いて、ポリイミド樹脂から形成された基板１１上に、厚さが６００ｎｍ、幅が２０μｍで、スペースが２０μｍの樹脂層１２を形成した。
次に、図３に示すように、樹脂層１２が形成された基板１１は、搬送手段２５０によって表面処理装置１５０に搬送され、１０−４Ｐａに減圧された真空槽内に挿入された。そして、真空槽内に酸素ガスとフッ素系ガスの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、パワー５０Ｗで６０秒間、プラズマによる表面処理を施した。
この表面処理により、樹脂層１２の表面の凹凸は、樹脂層１２の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長（λｃ）が１μｍの場合に、基準長さ（ｌｒ）１μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）が６００ｎｍであった（ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）規定）。
次に、図３に示すように、樹脂層１２の表面処理が施された基板１１は、搬送手段２５０によって無電解メッキ装置２００に搬送され、Ｃｕの無電解メッキ浴に浸漬された。しかしながら、メッキ工程中に、析出膜が剥離し、良好なメッキ膜、つまり良好な導電金属層１３を形成することができなかった。メッキの剥離は、樹脂層１２とＣｕ析出膜の間で起きていて、樹脂層１２の凹凸面には多数の金属微粒子１４が露出していた。
さらに、メッキ析出反応の極く初期で反応を止め、樹脂層１２と導電金属層１３との界面の断面について、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）で観察を行った。その結果、基板１１の表面に平行な方向の長さ１μｍ、基板１１の表面に垂直な方向の長さ３００ｎｍで囲まれ、樹脂層１２の表面を含む矩形領域内に存在し、かつこの樹脂層１２の微細な凹凸面から露出し、導電金属層１３に少なくとも一部が接触していた金属微粒子１４の個数（Ｎ）は、１０箇所における平均値で２００個であった。ここで、金属微粒子１４は、規定の矩形領域に一部が含まれた状態でも個数に勘定した。また、ＳＥＭによる観察において、ほとんど樹脂成分が観察されなかった。このことから、樹脂層１２では、金属微粒子１４どうし、あるいは金属微粒子１４と基板１１とを強固に接着するための樹脂成分がほとんど除去された状態となっていて、メッキの析出に伴いメッキ膜が剥離したことがわかった。
（実施例１〜実施例７、比較例１〜比較例２に基づくまとめ）
上記した実施例１〜実施例７、比較例１〜比較例２における結果から、湿式現像の場合、粗さ成分とうねり成分との境界の波長（λｃ）が１μｍの場合に、基準長さ（ｌｒ）１μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）は、２０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲が好ましいことがわかった。また、特に好ましい基準長さ（ｌｒ）１μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）の範囲は、金属微粒子１４の粒径や形成される樹脂層１２の膜厚にも依存するが、強固な密着強度が得られる１５０ｎｍ〜５００ｎｍであることがわかった。
また、基板１１の表面に平行な方向の長さ１μｍ、基板１１の表面に垂直な方向の長さ３００ｎｍで囲まれ、樹脂層１２の表面を含む矩形領域内に存在し、かつこの樹脂層１２の微細な凹凸面から露出し、導電金属層１３に少なくとも一部が接触していた金属微粒子１４の個数（Ｎ）は、２０個〜５００個の範囲が好ましいことがわかった。また、特に好ましい個数（Ｎ）の範囲は、金属微粒子１４の粒径や形成される樹脂層１２の膜厚にも依存するが、強固な密着強度が得られる８０個〜２８０個であることがわかった。
次に、乾式現像により形成された導体パターンについて、実施例８〜実施例１２、比較例３〜比較例４に示す。なお、ここで試料基板として使用される基板の構成は、図６に示す回路基板の構成と同じであるので、図６を参照して説明する。また、ここで使用される液体トナー中に含有される金属付着樹脂粒子の構成は、図１０に示す金属付着樹脂粒子の構成と同じであるので、図１０を参照して説明する。
（実施例８）
実施例８では、粉体トナーである金属付着樹脂粒子５７は、平均粒径が４μｍの熱可塑性樹脂である、ポリエステル系の樹脂粒子５６の表面に、平均粒径が５ｎｍのＡｇ微粒子からなる金属微粒子５４を付着させたものである。また、金属微粒子５４の含有量は、樹脂粒子５６の重量に対して１.６重量％とし、１個の樹脂粒子に対して、金属微粒子１４の被覆率は約８０％であった。なお、金属付着樹脂粒子５７の表面には帯電制御剤も添加した。
まず、第２の実施の形態で説明した樹脂層の形成工程と同様に、パターン形成装置３００によって、上記した金属付着樹脂粒子５７を用いて、ポリイミド樹脂から形成された基板５１上に、厚さが４μｍ、幅が８０μｍで、スペースが８０μｍの樹脂層５２を形成した。
次に、図８に示すように、樹脂層５２が形成された基板５１は、搬送手段２５０によって表面処理装置１５０に搬送され、１０−４Ｐａに減圧された真空槽内に挿入された。そして、真空槽内に酸素ガスとフッ素系ガスの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、パワー２０Ｗで５秒間、プラズマによる表面処理を施した。
この表面処理により、樹脂層５２の表面の凹凸は、樹脂層５２の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長（λｃ）が４μｍの場合に、基準長さ（ｌｒ）４μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）が２０ｎｍであった（ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）規定）。
次に、図８に示すように、樹脂層５２の表面処理が施された基板５１は、搬送手段２５０によって無電解メッキ装置２００に搬送され、Ｃｕの無電解メッキ浴に浸漬された。そして、樹脂層５２上に、無電解メッキ層である導電金属層５３が形成された。ここで、樹脂層５２および導電金属層５３からなる導体パターン５８の厚さは２０μｍであった。
上記したように形成された導体パターン５８に対して、１８０℃で２時間のアニール処理を施した。このアニール処理後における、導体パターン５８の体積抵抗率は、約１.７５×１０−６Ω・ｃｍであった。
また、インストロン型の引張試験機によって、導電金属層５３の樹脂層５２への密着度を測定した。その結果、引張強度は、１８０ＭＰａであった。
さらに、樹脂層５２と導電金属層５３との界面の断面について、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）で観察を行った。その結果、図７に示すように、樹脂層５２の表面の微細な凹凸にほぼ追従した状態で、凹部にもメッキ膜である導電金属層５３が形成されていることがわかった。また、樹脂層５２の微細な凹凸面から露出した金属微粒子５４が導電金属層５３と接触していることがわかった。そして、基板５１の表面に平行な方向の長さ１μｍ、基板５１の表面に垂直な方向の長さ３００ｎｍで囲まれ、樹脂層５２の表面を含む矩形領域内に存在し、かつこの樹脂層５２の微細な凹凸面から露出し、導電金属層５３に少なくとも一部が接触していた金属微粒子５４の個数（Ｎ）は、１０箇所における平均値で１２０個であった。ここで、金属微粒子５４は、規定の矩形領域に一部が含まれた状態でも個数に勘定した。
また、樹脂層５２の厚さ（Ｄ１）は、４μｍであり、導電金属層５３の厚さ（Ｄ２）は、１６μｍであり、Ｄ２とＤ１との比（Ｄ２／Ｄ１）は４であった。
ここで、上記した金属付着樹脂粒子１７におけるＡｇ微粒子の付着量を増加させ、基板５１の表面に平行な方向の長さ１μｍ、基板５１の表面に垂直な方向の長さ３００ｎｍで囲まれ、樹脂層５２の表面を含む矩形領域内に存在し、かつこの樹脂層５２の微細な凹凸面から露出し、導電金属層５３に少なくとも一部が接触していた金属微粒子５４の個数（Ｎ）を１０箇所における平均値で５００個を超える（６００個）のものを試作して、導体パターン５８の形成を試みた。しかしながら、この条件では、帯電特性が安定せず、現像特性が不良となり、微細な樹脂層５２を形成することはできなかった。
（乾式の直接転写の例）
上述したように、感光体と中間転写ベルト（あるいはローラ）の間に電界を加えてトナー像を転写し、トナー像を溶融した後、基板に転写するという二段転写方式を説明したが、比較的ライン幅とスペースが大きい場合には、電界転写によるトナー粒子の飛び散りに起因する微細化の阻害要因は低減されることから、中間転写ローラ（或いはローラ）を用いず、感光体とバックアップローラとの間に電界を加えて転写する直接転写方式でもよい。この場合、中空の金属ローラをバックアップローラとして用い、バックアップローラと感光体との間に電界を印加した状態で、基板を挿入することにより、トナー像を直接基板に転写する。基板への転写後、必要に応じて加熱してもよく、これにより定着性が向上する。
（実施例９）
実施例９では、粉体トナーである金属付着樹脂粒子５７は、実施例８と同じ金属付着樹脂粒子５７を使用した。まず、第２の実施の形態で説明した樹脂層の形成工程と同様に、パターン形成装置３００によって、上記した金属付着樹脂粒子５７を用いて、ポリイミド樹脂から形成された基板５１上に、厚さが４μｍ、幅が８０μｍで、スペースが８０μｍの樹脂層５２を形成した。
次に、図８に示すように、樹脂層５２が形成された基板５１は、搬送手段２５０によって表面処理装置１５０に搬送され、１０−４Ｐａに減圧された真空槽内に挿入された。そして、真空槽内に酸素ガスとフッ素系ガスの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、パワー５０Ｗで３０秒間、プラズマによる表面処理を施した。
この表面処理により、樹脂層５２の表面の凹凸は、樹脂層５２の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長（λｃ）が４μｍの場合に、基準長さ（ｌｒ）４μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）が４００ｎｍであった（ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）規定）。
次に、図８に示すように、樹脂層５２の表面処理が施された基板５１は、搬送手段２５０によって無電解メッキ装置２００に搬送され、Ｃｕの無電解メッキ浴に浸漬された。そして、樹脂層５２上に、無電解メッキ層である導電金属層５３が形成された。ここで、樹脂層５２および導電金属層５３からなる導体パターン５８の厚さは２０μｍであった。
上記したように形成された導体パターン５８に対して、１８０℃で２時間のアニール処理を施した。このアニール処理後における、導体パターン５８の体積抵抗率は、約１.７５×１０−６Ω・ｃｍであった。
また、インストロン型の引張試験機によって、導電金属層５３の樹脂層５２への密着度を測定した。その結果、引張強度は、２００ＭＰａであった。
さらに、樹脂層５２と導電金属層５３との界面の断面について、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）で観察を行った。その結果、図７に示すように、樹脂層５２の表面の微細な凹凸にほぼ追従した状態で、凹部にもメッキ膜である導電金属層５３が形成されていることがわかった。また、樹脂層５２の微細な凹凸面から露出した金属微粒子５４が導電金属層５３と接触していることがわかった。そして、基板５１の表面に平行な方向の長さ１μｍ、基板５１の表面に垂直な方向の長さ３００ｎｍで囲まれ、樹脂層５２の表面を含む矩形領域内に存在し、かつこの樹脂層５２の微細な凹凸面から露出し、導電金属層５３に少なくとも一部が接触していた金属微粒子５４の個数（Ｎ）は、１０箇所における平均値で５００個であった。ここで、金属微粒子５４は、規定の矩形領域に一部が含まれた状態でも個数に勘定した。
また、樹脂層５２の厚さ（Ｄ１）は、４μｍであり、導電金属層５３の厚さ（Ｄ２）は、１６μｍであり、Ｄ２とＤ１との比（Ｄ２／Ｄ１）は４であった。
（実施例１０）
実施例１０では、粉体トナーである金属付着樹脂粒子５７は、平均粒径が４μｍの熱硬化性樹脂である、半硬化状態のエポキシ系の樹脂粒子５６の表面に、平均粒径が５０ｎｍのＡｇ微粒子からなる金属微粒子５４を付着させたものである。また、金属微粒子５４の含有量は、樹脂粒子５６の重量に対して２０重量％とし、１個の樹脂粒子に対して、金属微粒子１４の被覆率は約４８％であった。なお、金属付着樹脂粒子５７の表面には帯電制御剤も添加した。
まず、第２の実施の形態で説明した樹脂層の形成工程と同様に、パターン形成装置３００によって、上記した金属付着樹脂粒子５７を用いて、ポリイミド樹脂から形成された基板５１上に、厚さが４μｍ、幅が８０μｍで、スペースが８０μｍの樹脂層５２を形成した。
次に、図８に示すように、樹脂層５２が形成された基板５１は、搬送手段２５０によって表面処理装置１５０に搬送され、１０−４Ｐａに減圧された真空槽内に挿入された。そして、真空槽内に酸素ガスとフッ素系ガスの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、パワー５０Ｗで３０秒間、プラズマによる表面処理を施した。
この表面処理により、樹脂層５２の表面の凹凸は、樹脂層５２の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長（λｃ）が４μｍの場合に、基準長さ（ｌｒ）４μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）が４００ｎｍであった（ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）規定）。
次に、図８に示すように、樹脂層５２の表面処理が施された基板５１は、搬送手段２５０によって無電解メッキ装置２００に搬送され、Ｃｕの無電解メッキ浴に浸漬された。そして、樹脂層５２上に、無電解メッキ層である導電金属層５３が形成された。ここで、樹脂層５２および導電金属層５３からなる導体パターン５８の厚さは２０μｍであった。
上記したように形成された導体パターン５８に対して、２５０℃で２時間のアニール処理を施した。このアニール処理後における、導体パターン５８の体積抵抗率は、約１.７３×１０−６Ω・ｃｍであった。
また、インストロン型の引張試験機によって、導電金属層５３の樹脂層５２への密着度を測定した。その結果、引張強度は、２３０ＭＰａであった。
さらに、樹脂層５２と導電金属層５３との界面の断面について、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）で観察を行った。その結果、図７に示すように、樹脂層５２の表面の微細な凹凸にほぼ追従した状態で、凹部にもメッキ膜である導電金属層５３が形成されていることがわかった。また、樹脂層５２の微細な凹凸面から露出した金属微粒子５４が導電金属層５３と接触していることがわかった。そして、基板５１の表面に平行な方向の長さ１μｍ、基板５１の表面に垂直な方向の長さ３００ｎｍで囲まれ、樹脂層５２の表面を含む矩形領域内に存在し、かつこの樹脂層５２の微細な凹凸面から露出し、導電金属層５３に少なくとも一部が接触していた金属微粒子５４の個数（Ｎ）は、１０箇所における平均値で６０個であった。ここで、金属微粒子５４は、規定の矩形領域に一部が含まれた状態でも個数に勘定した。
また、樹脂層５２の厚さ（Ｄ１）は、４μｍであり、導電金属層５３の厚さ（Ｄ２）は、１６μｍであり、Ｄ２とＤ１との比（Ｄ２／Ｄ１）は４であった。
（実施例１１）
実施例１１では、粉体トナーである金属付着樹脂粒子５７は、平均粒径が６μｍの熱硬化性樹脂である、エポキシ系の樹脂粒子５６の表面に、平均粒径が２００ｎｍのＡｇ微粒子からなる金属微粒子５４を付着させたものである。また、金属微粒子５４の含有量は、樹脂粒子５６の重量に対して３０重量％とし、１個の樹脂粒子に対して、金属微粒子１４の被覆率は約２６％であった。なお、金属付着樹脂粒子５７の表面には帯電制御剤も添加した。
まず、第２の実施の形態で説明した樹脂層の形成工程と同様に、パターン形成装置３００によって、上記した金属付着樹脂粒子５７を用いて、ポリイミド樹脂から形成された基板５１上に、厚さが１０μｍ、幅が８０μｍで、スペースが１２０μｍの樹脂層５２を形成した。
次に、図８に示すように、樹脂層５２が形成された基板５１は、搬送手段２５０によって表面処理装置１５０に搬送され、１０−４Ｐａに減圧された真空槽内に挿入された。そして、真空槽内に酸素ガスとフッ素系ガスの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、パワー５０Ｗで８０秒間、プラズマによる表面処理を施した。
この表面処理により、樹脂層５２の表面の凹凸は、樹脂層５２の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長（λｃ）が４μｍの場合に、基準長さ（ｌｒ）４μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）が１μｍであった（ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）規定）。
次に、図８に示すように、樹脂層５２の表面処理が施された基板５１は、搬送手段２５０によって無電解メッキ装置２００に搬送され、Ｃｕの無電解メッキ浴に浸漬された。そして、樹脂層５２上に、無電解メッキ層である導電金属層５３が形成された。ここで、樹脂層５２および導電金属層５３からなる導体パターン５８の厚さは３０μｍであった。
上記したように形成された導体パターン５８に対して、２５０℃で２時間のアニール処理を施した。このアニール処理後における、導体パターン５８の体積抵抗率は、約１.７３×１０−６Ω・ｃｍであった。
また、インストロン型の引張試験機によって、導電金属層５３の樹脂層５２への密着度を測定した。その結果、引張強度は、２５０ＭＰａであった。
さらに、樹脂層５２と導電金属層５３との界面の断面について、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）で観察を行った。その結果、図７に示すように、樹脂層５２の表面の微細な凹凸にほぼ追従した状態で、凹部にもメッキ膜である導電金属層５３が形成されていることがわかった。また、樹脂層５２の微細な凹凸面から露出した金属微粒子５４が導電金属層５３と接触していることがわかった。そして、基板５１の表面に平行な方向の長さ１μｍ、基板５１の表面に垂直な方向の長さ３００ｎｍで囲まれ、樹脂層５２の表面を含む矩形領域内に存在し、かつこの樹脂層５２の微細な凹凸面から露出し、導電金属層５３に少なくとも一部が接触していた金属微粒子５４の個数（Ｎ）は、１０箇所における平均値で１８個であった。ここで、金属微粒子５４は、規定の矩形領域に一部が含まれた状態でも個数に勘定した。
また、樹脂層５２の厚さ（Ｄ１）は、１０μｍであり、導電金属層５３の厚さ（Ｄ２）は、２０μｍであり、Ｄ２とＤ１との比（Ｄ２／Ｄ１）は２であった。
（実施例１２）
実施例１２では、粉体トナーである金属付着樹脂粒子５７は、平均粒径が８μｍの熱硬化性樹脂である、エポキシ系の樹脂粒子５６の表面に、平均粒径が５００ｎｍのＡｇ微粒子からなる金属微粒子５４を付着させたものである。また、金属微粒子５４の含有量は、樹脂粒子５６の重量に対して３０重量％とし、１個の樹脂粒子に対して、金属微粒子１４の被覆率は約１４％であった。なお、金属付着樹脂粒子５７の表面には帯電制御剤も添加した。
まず、第２の実施の形態で説明した樹脂層の形成工程と同様に、パターン形成装置３００によって、上記した金属付着樹脂粒子５７を用いて、ポリイミド樹脂から形成された基板５１上に、厚さが１５μｍ、幅が１５０μｍで、スペースが１５０μｍの樹脂層５２を形成した。
次に、図８に示すように、樹脂層５２が形成された基板５１は、搬送手段２５０によって表面処理装置１５０に搬送され、１０−４Ｐａに減圧された真空槽内に挿入された。そして、真空槽内に酸素ガスとフッ素系ガスの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、パワー５０Ｗで１００秒間、プラズマによる表面処理を施した。
この表面処理により、樹脂層５２の表面の凹凸は、樹脂層５２の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長（λｃ）が４μｍの場合に、基準長さ（ｌｒ）４μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）が１μｍであった（ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）規定）。
次に、図８に示すように、樹脂層５２の表面処理が施された基板５１は、搬送手段２５０によって無電解メッキ装置２００に搬送され、Ｃｕの無電解メッキ浴に浸漬された。そして、樹脂層５２上に、無電解メッキ層である導電金属層５３が形成された。ここで、樹脂層５２および導電金属層５３からなる導体パターン５８の厚さは３０μｍであった。
上記したように形成された導体パターン５８に対して、２５０℃で２時間のアニール処理を施した。このアニール処理後における、導体パターン５８の体積抵抗率は、約１.７３×１０−６Ω・ｃｍであった。
また、インストロン型の引張試験機によって、導電金属層５３の樹脂層５２への密着度を測定した。その結果、引張強度は、１５０ＭＰａであった。
さらに、樹脂層５２と導電金属層５３との界面の断面について、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）で観察を行った。その結果、図７に示すように、樹脂層５２の表面の微細な凹凸にほぼ追従した状態で、凹部にもメッキ膜である導電金属層５３が形成されていることがわかった。また、樹脂層５２の微細な凹凸面から露出した金属微粒子５４が導電金属層５３と接触していることがわかった。そして、基板５１の表面に平行な方向の長さ１μｍ、基板５１の表面に垂直な方向の長さ３００ｎｍで囲まれ、樹脂層５２の表面を含む矩形領域内に存在し、かつこの樹脂層５２の微細な凹凸面から露出し、導電金属層５３に少なくとも一部が接触していた金属微粒子５４の個数（Ｎ）は、１０箇所における平均値で３個であった。ここで、金属微粒子５４は、規定の矩形領域に一部が含まれた状態でも個数に勘定した。
また、樹脂層５２の厚さ（Ｄ１）は、１５μｍであり、導電金属層５３の厚さ（Ｄ２）は、１５μｍであり、Ｄ２とＤ１との比（Ｄ２／Ｄ１）は１であった。
（比較例３）
比較例３では、粉体トナーである金属付着樹脂粒子５７は、平均粒径が４μｍの熱可塑性樹脂である、ポリエステル系の樹脂粒子５６の表面に、平均粒径が２００ｎｍのＡｇ微粒子からなる金属微粒子５４を付着させたものである。また、金属微粒子５４の含有量は、樹脂粒子５６の重量に対して３０重量％とし、１個の樹脂粒子に対して、金属微粒子１４の被覆率は約１８％であった。なお、金属付着樹脂粒子５７の表面には帯電制御剤も添加した。
まず、第２の実施の形態で説明した樹脂層の形成工程と同様に、パターン形成装置３００によって、上記した金属付着樹脂粒子５７を用いて、ポリイミド樹脂から形成された基板５１上に、厚さが４μｍ、幅が８０μｍで、スペースが８０μｍの樹脂層５２を形成した。
次に、図８に示すように、樹脂層５２が形成された基板５１は、搬送手段２５０によって表面処理装置１５０に搬送され、１０−４Ｐａに減圧された真空槽内に挿入された。そして、真空槽内に酸素ガスとフッ素系ガスの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、パワー２０Ｗで３秒間、プラズマによる表面処理を施した。
この表面処理により、樹脂層５２の表面の凹凸は、樹脂層５２の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長（λｃ）が４μｍの場合に、基準長さ（ｌｒ）４μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）が１８ｎｍであった（ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）規定）。
次に、図８に示すように、樹脂層５２の表面処理が施された基板５１は、搬送手段２５０によって無電解メッキ装置２００に搬送され、Ｃｕの無電解メッキ浴に浸漬された。しかしながら、メッキ工程中に、析出膜が剥離し、良好なメッキ膜、つまり良好な導電金属層５３を形成することができなかった。メッキの剥離は、樹脂層５２とＣｕ析出膜の間で起きていて、樹脂層５２の凹凸面には金属微粒子５４が残ったままであった。
さらに、導電金属層５３が剥離した後の樹脂層５２の凹凸面の断面について、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）で観察を行った。その結果、基板５１の表面に平行な方向の長さ１μｍ、基板５１の表面に垂直な方向の長さ３００ｎｍで囲まれ、樹脂層５２の表面を含む矩形領域内に存在し、かつこの樹脂層５２の微細な凹凸面から露出していた金属微粒子５４の個数（Ｎ）は、１０箇所における平均値で３個であった。ここで、金属微粒子５４は、規定の矩形領域に一部が含まれた状態でも個数に勘定した。上記したように、個数（Ｎ）は３個であり、メッキ核となる金属微粒子数の絶対値が少ないため、銅メッキ膜の析出が進むにつれ、樹脂層５２から浮いた状態の銅メッキ膜が厚くなり、ある程度の膜厚まで析出したところで、銅メッキ膜が剥離したことがわかった。
（比較例４）
比較例４では、粉体トナーである金属付着樹脂粒子５７は、平均粒径が４μｍの熱可塑性樹脂である、ポリエステル系の樹脂粒子５６の表面に、平均粒径が５ｎｍのＡｇ微粒子からなる金属微粒子５４を付着させたものである。また、金属微粒子５４の含有量は、樹脂粒子５６の重量に対して１.６重量％とし、１個の樹脂粒子に対して、金属微粒子１４の被覆率は約８０％であった。なお、金属付着樹脂粒子５７の表面には帯電制御剤も添加した。
まず、第２の実施の形態で説明した樹脂層の形成工程と同様に、パターン形成装置３００によって、上記した金属付着樹脂粒子５７を用いて、ポリイミド樹脂から形成された基板５１上に、厚さが４μｍ、幅が８０μｍで、スペースが８０μｍの樹脂層５２を形成した。
次に、図８に示すように、樹脂層５２が形成された基板５１は、搬送手段２５０によって表面処理装置１５０に搬送され、１０−４Ｐａに減圧された真空槽内に挿入された。そして、真空槽内に酸素ガスとフッ素系ガスの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、パワー５０Ｗで１２０秒間、プラズマによる表面処理を施した。
この表面処理により、樹脂層５２の表面の凹凸は、樹脂層５２の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長（λｃ）が４μｍの場合に、基準長さ（ｌｒ）４μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）が１．８μｍであった（ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）規定）。
次に、図８に示すように、樹脂層５２の表面処理が施された基板５１は、搬送手段２５０によって無電解メッキ装置２００に搬送され、Ｃｕの無電解メッキ浴に浸漬された。しかしながら、メッキ工程中に、無電解メッキ浴中に金属微粒子５４が剥離して浮遊した状態になるとともに、良好なメッキ膜、つまり良好な導電金属層５３を形成することができなかった。メッキの剥離は、樹脂層５２とＣｕ析出膜の間で起きていて、樹脂層５２の凹凸面には多数の金属微粒子５４が露出していた。
さらに、導電金属層５３が剥離した後の樹脂層５２の凹凸面の断面について、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）で観察を行った。その結果、基板５１の表面に平行な方向の長さ１μｍ、基板５１の表面に垂直な方向の長さ３００ｎｍで囲まれ、樹脂層５２の表面を含む矩形領域内に存在し、かつこの樹脂層５２の微細な凹凸面から露出していた金属微粒子５４の個数（Ｎ）は、１０箇所における平均値で８個であった。ここで、金属微粒子５４は、規定の矩形領域に一部が含まれた状態でも個数に勘定した。この条件では、プラズマ処理により、金属付着樹脂粒子５７の内部に至るまで樹脂成分が除去されて、大きな凹凸が形成されていた。金属付着樹脂粒子５７表層のかなりな部分が除去され、内部の樹脂がほとんど露出した状態となり、金属付着樹脂粒子５７表面に保持されていた金属微粒子５４は、金属付着樹脂粒子５７表面での接着部分の樹脂を失い、露出した樹脂表面上に弱く付着しただけの状態となっていた。よって、メッキ浴中に浸漬した際に、樹脂表面から簡単に剥離し、良好なメッキが析出しなかったことがわかった。
（実施例８〜実施例１２、比較例３〜比較例４に基づくまとめ）
上記した実施例８〜実施例１２、比較例３〜比較例４における結果から、乾式現像の場合、粗さ成分とうねり成分との境界の波長（λｃ）が４μｍの場合に、基準長さ（ｌｒ）４μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）は、２０ｎｍ〜１μｍの範囲が好ましいことがわかった。また、特に好ましい基準長さ（ｌｒ）４μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）の範囲は、金属微粒子５４の粒径や形成される樹脂層５２の膜厚にも依存するが、強固な密着強度が得られる４００ｎｍ〜１μｍであることがわかった。
また、基板５１の表面に平行な方向の長さ１μｍ、基板５１の表面に垂直な方向の長さ３００ｎｍで囲まれ、樹脂層５２の表面を含む矩形領域内に存在し、かつこの樹脂層５２の微細な凹凸面から露出し、導電金属層５３に少なくとも一部が接触していた金属微粒子５４の個数（Ｎ）は、３個〜５００個の範囲が好ましいことがわかった。また、特に好ましい個数（Ｎ）の範囲は、金属微粒子５４の粒径や形成される樹脂層５２の膜厚にも依存するが、強固な密着強度が得られる１８個〜６０個であることがわかった。
次に、樹脂層の表面処理を、薬液または機械研磨によって行った場合における、樹脂層の表面粗さ、メッキ析出層である導電金属層の形成について、比較例５〜比較例６で説明し、表面処理装置１５０によって樹脂層の表面をプラズマ処理することが好適であることについて説明する。図１３は、薬液による表面粗化を行った際の樹脂層１２の断面を拡大して模式的に示している。
（比較例５）
比較例５では、上記した実施例１で基板１１上に形成された厚さが５００ｎｍ、幅が２０μｍで、スペースが２０μｍの樹脂層１２を用いて、薬液による表面粗化を行った。具体的には、樹脂層１２が形成された基板１１を、過マンガン酸カリウムを主成分とする水溶液に５分間浸漬し、その後中和処理を施した。
この表面処理により、樹脂層１２の表面の凹凸は、樹脂層１２の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長（λｃ）が１μｍの場合に、基準長さ（ｌｒ）１μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）が１５ｎｍであった（ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）規定）。
次に、図３に示すように、樹脂層１２の表面処理が施された基板１１は、搬送手段２５０によって無電解メッキ装置２００に搬送され、Ｃｕの無電解メッキ浴に浸漬された。しかしながら、メッキ工程中に、析出膜が剥離し、良好なメッキ膜、つまり良好な導電金属層１３を形成することができなかった。
さらに、導電金属層１３が剥離した後の樹脂層１２の凹凸面の断面について、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）で観察を行った。その結果、基板１１の表面に平行な方向の長さ１μｍ、基板１１の表面に垂直な方向の長さ３００ｎｍで囲まれ、樹脂層１２の表面を含む矩形領域内に存在し、かつこの樹脂層１２の微細な凹凸面から露出していた金属微粒子１４の個数（Ｎ）は、１０箇所における平均値で１８個であった。ここで、金属微粒子１４は、規定の矩形領域に一部が含まれた状態でも個数に勘定した。
図１３に示すように、薬液の処理による表面粗化では、上記した実施例１におけるプラズマ処理の場合に比べて、樹脂層１２の表面が比較的平坦であり、基準長さ（ｌｒ）１μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）は小さく、凹凸面の表面に露出した金属微粒子１４の個数は少なかった。これにより、メッキ工程の際に、強固な密着が得られず、途中でメッキ析出膜が剥離することがわかった。
（比較例６）
比較例６では、上記した実施例１で基板１１上に形成された厚さが５００ｎｍ、幅が２０μｍで、スペースが２０μｍの樹脂層１２を用いて、機械研磨による表面粗化を行った。具体的には、樹脂層１２の表面に対して、３μｍ以下の球形セラミック微粉を用いたサンドブラスト処理を施した。
この表面処理により、樹脂層１２の表面の凹凸は、樹脂層１２の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長（λｃ）が１μｍの場合に、基準長さ（ｌｒ）１μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）が２ｎｍであった（ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）規定）。
次に、図３に示すように、樹脂層１２の表面処理が施された基板１１は、搬送手段２５０によって無電解メッキ装置２００に搬送され、Ｃｕの無電解メッキ浴に浸漬された。しかしながら、メッキ工程中に、析出膜が剥離し、良好なメッキ膜、つまり良好な導電金属層１３を形成することができなかった。
さらに、導電金属層１３が剥離した後の樹脂層１２の凹凸面の断面について、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）で観察を行った。その結果、基板１１の表面に平行な方向の長さ１μｍ、基板１１の表面に垂直な方向の長さ３００ｎｍで囲まれ、樹脂層１２の表面を含む矩形領域内に存在し、かつこの樹脂層１２の微細な凹凸面から露出していた金属微粒子１４の個数（Ｎ）は、１０箇所における平均値で５個であった。ここで、金属微粒子１４は、規定の矩形領域に一部が含まれた状態でも個数に勘定した。
機械研磨の処理による表面粗化では、上記した実施例１におけるプラズマ処理の場合に比べて、樹脂層１２の表面が極めて平坦であり、基準長さ（ｌｒ）１μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）は小さく、研磨により表面に露出した金属微粒子１４も同時に削り取られてしまうため、金属微粒子１４の個数が極めて少なかった。これにより、メッキ工程の際に、強固な密着が得られず、途中でメッキ析出膜が剥離することがわかった。
（比較例５〜比較例６に基づくまとめ）
上記した比較例５および比較例６から、樹脂層１２の表面処理をプラズマ処理で行う場合には、薬液処理または機械研磨処理で行う場合よりも、基準長さ（ｌｒ）１μｍ当りの最大高さ（Ｒｚ）は大きく、また、樹脂層１２の凹凸面における金属微粒子１４の個数も多くなることがわかった。これによって、表面処理をプラズマ処理で行う場合には、樹脂層１２と強固に密着した導電金属層１３を形成することができるので、樹脂層の表面処理を、薬液処理または機械研磨処理で行うよりも、好適であることが明らかとなった。
なお、ここで示した実施の形態は、これらに限るものではなく、本発明の技術的思想の範囲で拡張、変更することができ、この拡張、変更した実施の形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
本発明の第１の実施の形態の回路基板の断面を模式的に示す図。 第１の実施の形態の回路基板における樹脂層と導電金属層との界面の断面を拡大して模式的に示した図。 第１の実施の形態の回路基板の製造装置の全体を模式的に示した図。 パターン形成装置を模式的に示す図。 樹脂粒子表面に金属微粒子が付着された金属付着樹脂粒子を示す平面図。 本発明の第２の実施の形態の回路基板の断面を模式的に示す図。 第２の実施の形態の回路基板における樹脂層と導電金属層との界面の断面を拡大して模式的に示した図。 第２の実施の形態の回路基板の製造装置の全体を模式的に示した図。 パターン形成装置を模式的に示す図。 樹脂粒子表面に金属微粒子が付着された金属付着樹脂粒子を示す平面図。 多層回路基板の断面を模式的に示す図。 多層回路基板の一形成工程における断面を模式的に示す図。 多層回路基板の一形成工程における断面を模式的に示す図。 多層回路基板の一形成工程における断面を模式的に示す図。 多層回路基板の一形成工程における断面を模式的に示す図。 多層回路基板の一形成工程における断面を模式的に示す図。 多層回路基板の一形成工程における断面を模式的に示す図。 多層回路基板の一形成工程における断面を模式的に示す図。 薬液による表面粗化を行った際の樹脂層の断面を拡大して模式的に示した図。
符号の説明
１０…回路基板、１１…基板、１２…樹脂層、１３…導電金属層、１４…金属微粒子、１５…矩形領域、１８…導体パターン。

Claims (6)

  1. 感光体上に所定のパターンの静電潜像を形成する静電潜像形成工程と、
    前記静電潜像が形成された感光体上に、粒径が５ｎｍ〜１００ｎｍの金属微粒子を有する粒径が０．１μｍ〜１μｍの樹脂粒子を分散して含有した電気絶縁性の溶媒を付着させて可視像を形成する溶媒付着工程と、
    前記感光体上に付着した溶媒を乾燥させる乾燥工程と、
    前記乾燥された可視像を基材上に転写し、当該基材上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
    前記基材上に形成された樹脂層の表面をプラズマにより表面処理することによって樹脂を選択的に除去し、当該表面に、前記樹脂層の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長をλｃとした場合に、基準長さ（ｌｒ＝λｃ）当りの最大高さ（Ｒｚ）が２０ｎｍ≦Ｒｚ≦５００ｎｍである凹凸面を形成する表面処理工程と、
    前記表面処理された樹脂層上に、前記樹脂層から露出する前記金属微粒子と接触させて導電金属層を形成する導電金属層形成工程と
    を具備することを特徴とする回路基板の製造方法。
  2. 前記樹脂層形成工程で、前記乾燥された可視像を中間転写体上に転写し、当該中間転写体上に転写された可視像を前記基材上に転写することを特徴とする請求項１記載の回路基板の製造方法。
  3. 前記表面処理工程後の前記樹脂層の断面において、前記基板の表面に平行な方向の長さ１μｍ、前記基板の表面に垂直な方向の長さ３００ｎｍで囲まれた矩形領域内に存在し、かつ前記導電金属層に接触すべく少なくとも一部を露出させた前記金属微粒子の個数（Ｎ）が、２０個≦Ｎ≦５００個であることを特徴とする請求項１または２記載の回路基板の製造方法。
  4. 感光体上に所定のパターンの静電潜像を形成する静電潜像形成工程と、
    前記静電潜像が形成された感光体上に、粒径が５ｎｍ〜５００ｎｍの金属微粒子を有する粒径が４μｍ〜８μｍの樹脂粒子を付着させて可視像を形成する樹脂粒子付着工程と、
    前記可視像を構成する前記樹脂粒子を基材上に転写し、当該基材上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
    前記基材上に形成された樹脂層の表面をプラズマにより表面処理することによって樹脂を選択的に除去し、当該表面に、前記樹脂層の断面の粗さ曲線において、粗さ成分とうねり成分との境界の波長をλｃとした場合に、基準長さ（ｌｒ＝λｃ）当りの最大高さ（Ｒｚ）が２０ｎｍ≦Ｒｚ≦１μｍである凹凸面を形成する表面処理工程と、
    前記表面処理された樹脂層上に、前記樹脂層から露出する前記金属微粒子と接触させて導電金属層を形成する導電金属層形成工程と
    を具備することを特徴とする回路基板の製造方法。
  5. 前記樹脂層形成工程で、前記感光体と中間転写体との間に形成された電界により、前記可視像を構成する前記樹脂粒子を前記中間転写体上に転写し、当該中間転写体上に転写された当該樹脂粒子を前記基材上に転写することを特徴とする請求項４記載の回路基板の製造方法。
  6. 前記表面処理工程後の前記樹脂層の断面において、前記基板の表面に平行な方向の長さ１μｍ、前記基板の表面に垂直な方向の長さ３００ｎｍで囲まれた矩形領域内に存在し、かつ前記導電金属層に接触すべく少なくとも一部を露出させた前記金属微粒子の個数（Ｎ）が、３個≦Ｎ≦５００個であることを特徴とする請求項４または５記載の回路基板の製造方法。
JP2005271211A 2005-09-16 2005-09-16 回路基板の製造方法 Expired - Fee Related JP4445448B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005271211A JP4445448B2 (ja) 2005-09-16 2005-09-16 回路基板の製造方法
US11/443,282 US20070065639A1 (en) 2005-09-16 2006-05-31 Circuit board and manufacturing method of the circuit board

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005271211A JP4445448B2 (ja) 2005-09-16 2005-09-16 回路基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007087979A JP2007087979A (ja) 2007-04-05
JP4445448B2 true JP4445448B2 (ja) 2010-04-07

Family

ID=37884528

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005271211A Expired - Fee Related JP4445448B2 (ja) 2005-09-16 2005-09-16 回路基板の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20070065639A1 (ja)
JP (1) JP4445448B2 (ja)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4464990B2 (ja) 2007-05-22 2010-05-19 トヨタ自動車株式会社 配線基板及びその製造方法
US20100155128A1 (en) * 2008-12-22 2010-06-24 Tombs Thomas N Printed electronic circuit boards and other articles having patterned coonductive images
KR101189081B1 (ko) 2010-12-16 2012-10-10 엘지이노텍 주식회사 웨이퍼 기판 접합 구조, 이를 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법
KR101175892B1 (ko) * 2011-02-14 2012-08-23 삼성전기주식회사 절연 필름 구조체 및 이의 제조 방법
US9221684B2 (en) * 2011-05-03 2015-12-29 Imec Hierarchical carbon nano and micro structures
TWI480469B (zh) * 2011-12-19 2015-04-11 Delta Electronics Inc 薄型風扇及其製造方法
JP2013234345A (ja) * 2012-05-07 2013-11-21 Denshi Giken Co Ltd メッキ方法およびメッキ配線
JP2014074745A (ja) * 2012-10-02 2014-04-24 Fuji Xerox Co Ltd 画像形成装置及び画像形成プログラム
JP5995662B2 (ja) * 2012-11-07 2016-09-21 アキレス株式会社 パターン化されためっき物
JP6090655B2 (ja) * 2013-02-12 2017-03-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光導波路用ドライフィルム、それを用いた光導波路及び光電気複合配線板、並びに光電気複合配線板の製造方法
CN104948476B (zh) 2014-03-31 2020-06-02 台达电子工业股份有限公司 薄型风扇、电子系统及薄型风扇的制造方法
JP5778332B1 (ja) * 2014-12-26 2015-09-16 古河電気工業株式会社 耐曲げ加工性に優れる絶縁電線、それを用いたコイルおよび電子・電気機器
JP5778331B1 (ja) * 2014-12-26 2015-09-16 古河電気工業株式会社 絶縁電線およびコイル
KR20180041655A (ko) * 2015-08-19 2018-04-24 가부시키가이샤 니콘 배선 패턴의 제조 방법, 도전막의 제조 방법, 및 트랜지스터의 제조 방법
JP6672756B2 (ja) * 2015-12-04 2020-03-25 株式会社村田製作所 電子部品および電子部品の製造方法
KR102225504B1 (ko) * 2015-12-24 2021-03-10 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법
KR102283084B1 (ko) * 2015-12-24 2021-07-30 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법
JP6312766B2 (ja) * 2016-09-23 2018-04-18 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 金属膜の積層構造
JP7243065B2 (ja) * 2017-07-27 2023-03-22 Tdk株式会社 シート材、メタルメッシュ、配線基板及び表示装置、並びにそれらの製造方法
JP6812492B2 (ja) * 2019-04-26 2021-01-13 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 ナノ構造基板
JP6782996B1 (ja) 2019-07-08 2020-11-11 株式会社ワールドメタル 接合基材と金属層の接合体
US11079671B2 (en) * 2019-08-23 2021-08-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Fabricating method of photomask, photomask structure thereof, and semiconductor manufacturing method using the same
JP7310753B2 (ja) * 2020-08-20 2023-07-19 新東工業株式会社 接合強度の推定方法、及び接合強度の推定装置
JP7494947B2 (ja) * 2021-01-27 2024-06-04 株式会社村田製作所 電界効果トランジスタ
JP7716927B2 (ja) * 2021-08-03 2025-08-01 メクテック株式会社 電子部品付きプリント基板の製造方法、及び、電子部品付きプリント基板
KR102583277B1 (ko) * 2021-09-30 2023-09-27 해성디에스 주식회사 다층 회로 기판 제조장치
JP7729765B2 (ja) * 2021-10-11 2025-08-26 マクセル株式会社 回路部品及び回路部品の製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2990788B2 (ja) * 1990-11-08 1999-12-13 ミノルタ株式会社 表面が微細に粗面化された有機系感光体
JP3697271B2 (ja) * 1994-03-15 2005-09-21 株式会社東芝 回路基板の製造方法
AU2001266998A1 (en) * 2000-06-23 2002-01-08 Honeywell International, Inc. Method to restore hydrophobicity in dielectric films and materials
US6838750B2 (en) * 2001-07-12 2005-01-04 Custom One Design, Inc. Interconnect circuitry, multichip module, and methods of manufacturing thereof
US20050236182A1 (en) * 2002-06-04 2005-10-27 Noriki Hayashi Board for printed wiring, printed wiring board, and method for manufacturing them
JP2004048030A (ja) * 2002-07-15 2004-02-12 Toshiba Corp 電子回路の製造方法および電子回路の製造装置
JP4220227B2 (ja) * 2002-12-11 2009-02-04 株式会社リコー 配線基板およびその製造方法
JP4277976B2 (ja) * 2002-12-17 2009-06-10 株式会社アルバック メッキ用シードパターン及び導電膜パターンの形成方法
JP2005050992A (ja) * 2003-07-28 2005-02-24 Toshiba Corp 配線基板および多層配線基板
TW200521171A (en) * 2003-12-26 2005-07-01 Toshiba Kk Resin particles and resin layer containing metal micro particles, its forming method and circuit base board
JP2005197007A (ja) * 2003-12-26 2005-07-21 Toshiba Corp 金属微粒子含有樹脂粒子および金属微粒子含有樹脂層の形成方法
JP2005203396A (ja) * 2004-01-13 2005-07-28 Toshiba Corp 電子部品の製造装置、電子部品の製造方法および電子部品
JP4196108B2 (ja) * 2004-01-27 2008-12-17 パナソニック株式会社 フレキシブルプリント基板及びフレキシブルプリント基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20070065639A1 (en) 2007-03-22
JP2007087979A (ja) 2007-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4445448B2 (ja) 回路基板の製造方法
CN111258197B (zh) 显影构件、电子照相处理盒和电子照相图像形成设备
US20070235647A1 (en) Nano-structure coated coronodes for low voltage charging devices
KR100612170B1 (ko) 금속 미립자 함유 수지 입자, 금속 미립자 함유 수지층,금속 미립자 함유 수지층의 형성 방법 및 전자 회로 기판
TWI243435B (en) Electronic component manufacturing apparatus, electronic component manufacturing method, and electronic component
JP4166686B2 (ja) 金属微粒子含有樹脂粒子、金属微粒子含有樹脂層および金属微粒子含有樹脂層の形成方法
JP4745025B2 (ja) 電子回路基板の製造方法
KR100645407B1 (ko) 화상 형성 장치와 그것을 이용한 전자 회로의 제조 방법
JP2001117462A (ja) 電子写真装置に用いる転写方法
JP2010219242A (ja) 回路パターン形成装置
CN100421533C (zh) 电子电路的制造方法和电子电路基板
CN1316860C (zh) 含有金属的树脂颗粒、树脂颗粒、电路基板和电路的制造方法
JP2008116607A (ja) トナー供給ローラ
US8374530B2 (en) Methods and apparatus for developing an electrostatic latent image using conductive particles
JP7358207B2 (ja) 現像部材、電子写真プロセスカートリッジ及び電子写真画像形成装置
JP4327133B2 (ja) 電子回路の製造方法
JP5550490B2 (ja) 放電装置
JP4343033B2 (ja) 電子回路の製造装置
JP2010014793A (ja) 像保持体装置及び画像形成装置
JP2000029284A (ja) 画像形成装置
JP2006222324A (ja) 配線基板の製造方法
JP2003270907A (ja) 帯電部材
JPH11344864A (ja) 現像スリーブおよび現像装置
JP2002372866A (ja) 現像装置およびこれを備えた画像形成装置
JPH06301266A (ja) 帯電装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090424

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090507

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090706

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20091222

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100115

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140122

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees