JP4408598B2 - カード型記録媒体 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくともベース基板の一方の面にメモリチップが実装され他方の面にメモリチップを動作制御するＩＣチップが実装されるカード型記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種のカード型記録媒体の一例として、フラッシュメモリなどの半導体メモリチップを有する小型メモリカードが知られている。このような小型メモリカードは、携帯性に優れているため携帯機器に特に多用される傾向があり、携帯機器間で通信する静止画、動画、音楽などを記録させることが望まれている。このため、小型メモリカードとしては、より大きなメモリ容量を持つことが望まれてきている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、一般に、小型メモリカードは、そのパッケージサイズや厚みが規格で定められているため、小型メモリカード内のメモリチップ制御用ＩＣチップを実装する基板にメモリチップを実装するだけでは、上記メモリ容量を大幅に増加させることが困難であった。上記メモリ容量を大幅に増加させるとき、小型メモリカードとしては携帯機器に出し入れすることから、ある程度の剛性が必要であり、かつ、耐衝撃性も要求されるため、これらの要求をも満足させる必要もあった。
【０００４】
従って、本発明の目的は、上記問題を解決することにあって、メモリ容量を大きくすることができ、かつ、剛性に優れ、耐衝撃性も良いカード型記録媒体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
【００２２】
本発明の第１態様によれば、メモリ用基板に複数のメモリチップが実装されて構成されるメモリモジュールをベース基板の一方の面に実装するとともに、上記ベース基板の他方の面に、上記複数のメモリチップを動作制御するＩＣチップを実装し、全体をパッケージ内に収納するようにしたカード型記録媒体であって、
上記メモリモジュールは、積層される複数のメモリモジュールから構成され、上記複数のメモリモジュールのうちの一方のメモリモジュールのメモリ用基板に配置されたメモリチップの長手方向と、上記複数のメモリモジュールのうちの他方のメモリモジュールのメモリ用基板に配置されたメモリチップの長手方向とが交差するようにしたカード型記録媒体を提供する。
【００２３】
本発明の第２態様によれば、メモリ用基板に複数のメモリチップが実装されて構成されるメモリモジュールをベース基板の一方の面に実装するとともに、上記ベース基板の他方の面に、上記複数のメモリチップを動作制御するＩＣチップを実装し、全体をパッケージ内に収納するようにしたカード型記録媒体であって、
上記メモリモジュールは、積層される複数のメモリモジュールから構成され、上記複数のメモリモジュールのうちの上側のメモリモジュールのメモリ用基板に配置されたメモリチップの厚さが、上記複数のメモリモジュールのうちの下側のメモリモジュールのメモリ用基板に配置されたメモリチップの厚さよりも大きいようにしたカード型記録媒体を提供する。
【００２４】
本発明の第３態様によれば、上記メモリ用基板の電極と上記ベース基板の電極との間には、上記メモリ用基板の電極と上記ベース基板の電極とを上記ベース基板のメモリ用基板実装面に直交する方向に電気的に接続する導体により電気的に接続されるようにした第１又は２態様に記載のカード型記録媒体を提供する。
本発明の第４態様によれば、上記導体は、導電性ボールである第３態様に記載のカード型記録媒体を提供する。
本発明の第５態様によれば、上記メモリモジュールは、第１メモリモジュールと第２メモリモジュールとを備え、
上記導体は、上記第１メモリモジュールの上記メモリ用基板の電極として機能する貫通孔を貫通する導電性ボールであり、かつ、上記導電性ボールの上部は上記第２メモリモジュールの上記メモリ用基板の電極に電気的に接続され、上記導電性ボールの下部は上記ベース基板モジュールの上記ベース基板の電極に電気的に接続される第３態様に記載のカード型記録媒体を提供する。
【００２５】
本発明の第６態様によれば、上記メモリ用基板と上記ベース基板との間に配置された絶縁性補強樹脂の補強部をさらに備えるようにした第１〜４のいずれか１つの態様に記載のカード型記録媒体を提供する。
【００２６】
本発明の第７態様によれば、上記複数のメモリモジュールの上記メモリ用基板間に配置された絶縁性補強樹脂の補強部をさらに備えるようにした第１〜４，６のいずれか１つの態様に記載のカード型記録媒体を提供する。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明にかかる実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、図面において、理解しやすくするため、ＩＣチップ又はメモリチップと各基板との接合部分を断面にて示しているが、実際には、接合部分は全て封止樹脂で封止することが望ましい。
【００３４】
まず、本発明にかかる種々の実施の形態にかかるカード型記録媒体の一例としての小型メモリカードの具体的な基本的な構成を図２３〜図２５に示す。
【００３５】
図において、１１０は基板、１１３は基板１１０の裏面（図２３では上側の面、図２４では下側の面）に実装されるＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）のコントローラＬＳＩチップ（ＡＳＩＣ用ＩＣチップ）、１１４は基板１１０の裏面に実装されるマイクロプロセッサ用ＩＣチップ、１１５は基板１１０の表面（図２３では下側の面、図２４では上側の面）に実装されるＣＳＰ（Chip Size Package）であるフラッシュメモリチップ、１１６は基板１１０の電極、１１８は基板１１０の表面に実装されるチップコンデンサ、１１９は基板１１０の表面に実装されるチップ抵抗、１３０は基板１１０の表面を覆う上ケース、１３１は上ケース１３０に固着されて基板１１０の裏面を覆う下ケース、１３１ａは下ケース１３１の電極用開口、１３２はライトプロテクト用切換えスイッチである。
【００３６】
このような小型メモリカードの規格の例としては、図２５に示すように、上ケース１３０に下ケース１３１が固着された状態の製品としての小型メモリカードでは、幅２４ｍｍ×高さ３２ｍｍ×厚さ２．１ｍｍとなることが要求される。なお、図２４では、上ケース１３０の厚さは１．４ｍｍ、下ケース１３１の厚さは０．７ｍｍとなっている。また、フラッシュメモリのＩＣチップは、一例として、厚さ８０μｍで短辺７．８ｍｍ×長辺１６ｍｍの長方形薄板状に構成されている。
【００３７】
このような規格に従った小型メモリカードにおいて、メモリの容量を増加させる本発明の様々な実施形態について、以下に詳細に説明する。ただし、この規格は、理解しやすくするための一例として述べるものであって、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３８】
（第１実施形態）
本発明の第１の実施形態にかかるカード型記録媒体の一例としての小型メモリカードは、図１〜図３に示すように、ベース基板モジュール２１０と、ベース基板モジュール２１０上に実装された第１メモリモジュール２２１と、第１メモリモジュール２２１上に実装された第２メモリモジュール２２２とを備えて、図２４の上記コントローラＬＳＩチップ１１３とマイクロプロセッサ用ＩＣチップ１１４とフラッシュメモリチップ１１５とが実装された基板１１０を構成し、上ケース３０と下ケース３１内に、各ケース３０，３１との間にはそれぞれ所定の隙間を空けて収納されるようにしている。
【００３９】
ベース基板モジュール２１０は、長方形板状のベース基板１０の下面に、マイクロプロセッサ用ＩＣチップ１４とＡＳＩＣ用ＩＣチップ１３とを所定間隔あけて実装されて構成されている。マイクロプロセッサ用ＩＣチップ１４の各電極と各基板の各電極、及び、ＡＳＩＣ用ＩＣチップ１３の各電極と各基板の各電極とは、バンプなどを介して直接的に接合すなわちフリップチップ実装されたのち、接合部分が絶縁性の封止樹脂で封止されている。ベース基板１０の上面には、その一端部に、チップコンデンサ１８及びチップ抵抗１９をベース基板１０の長手方向沿いの長辺とは直交する短辺沿いに実装している。ベース基板１０の長手方向沿いの長辺の近傍には、ベース基板１０の回路パターンと電気的に接続され、かつ、他のメモリ用基板２１，２２と接続するための電極として機能するように、貫通孔１０ａが多数形成されており、各貫通孔１０ａ内にはクリーム半田１２が配置されている。長手方向の両端の貫通孔１０ａは小型メモリカードの製造の際に位置決め孔１０ｚとして使用されることもある。なお、１６は小型メモリカードのカード電極、１８はチップコンデンサ、１９はチップ抵抗である。
【００４０】
第１メモリモジュール２２１は、ベース基板１０よりも小さい長方形の第１メモリ用基板２１の表裏両面（上下両面）に、合計４個のフラッシュＥＥＰＲＯＭなどの不揮発性メモリチップなどのメモリチップ１５を実装して構成されている。各メモリチップ１５の各電極と第１メモリ用基板２１の各電極とはバンプなどを介して直接的に接合すなわちフリップチップ実装されたのち、接合部分が絶縁性の封止樹脂で封止されている。第１メモリ用基板２１の長手方向沿いの長辺の近傍には、第１メモリ用基板２１の回路パターンと電気的に接続され、かつ、ベース基板１０及び第２メモリ用基板２２と接続するための電極として機能するように、貫通孔２１ａが多数形成されており、各貫通孔２１ａ内にはクリーム半田１２が配置されている。長手方向の両端の貫通孔２１ａは小型メモリカードの製造の際に位置決め孔２１ｚとして使用されることもある。
【００４１】
第２メモリモジュール２２２は、第１メモリモジュール２２１と同一構造であって、ベース基板１０よりも小さい長方形の第２メモリ用基板２２の表裏両面（上下両面）に、合計４個のフラッシュメモリなどのメモリチップ１５を実装して構成されている。各メモリチップ１５の各電極と第２メモリ用基板２２の各電極とはバンプなどを介して直接的に接合すなわちフリップチップ実装されたのち、接合部分が絶縁性の封止樹脂で封止されている。第２メモリ用基板２２の長手方向沿いの長辺の近傍には、第２メモリ用基板２２の回路パターンと電気的に接続され、かつ、ベース基板１０及び第１メモリ用基板２１と接続するための電極として機能するように、貫通孔２２ａが多数形成されており、各貫通孔２２ａ内にはクリーム半田１２が配置されている。長手方向の両端の貫通孔２２ａは小型メモリカードの製造の際に位置決め孔２２ｚとして使用されることもある。
【００４２】
ベース基板１０の各貫通孔１０ａ、第１メモリ用基板２１の各貫通孔２１ａ、及び、第２メモリ用基板２２の各貫通孔２２ａを、上記ベース基板１０のメモリ用基板実装面に直交する方向に基板間を電気的に接続する導体の一例としての導電性ワイヤ１１がそれぞれ貫通して、各貫通孔内のクリーム半田１２に接触して、ベース基板１０の各貫通孔１０ａ内のクリーム半田１２と、第１メモリ用基板２１の各貫通孔２１ａ内のクリーム半田１２と、第２メモリ用基板２２の各貫通孔２２ａ内のクリーム半田１２とを導電性ワイヤ１１により電気的に接続する。具体的な例として、各貫通孔は、各基板の回路に接続されかつ直径０．５０μｍで内周面が金メッキされたスルーホールとし、導電性ワイヤ１１としては、直径０．２０μｍの銅ワイヤとする。各貫通孔については、ベース基板１０の各貫通孔１０ａのみをベース基板１０の回路に接続されかつ直径０．５０μｍで内周面が金メッキされたスルーホールとし、第１メモリ用基板２１の各貫通孔２１ａ及び第２メモリ用基板２２の各貫通孔２２ａはそれぞれ各メモリ用基板基板の回路にそれぞれ接続されかつ直径０．５０μｍで内周面が金メッキされたスルーホールを半分カットした大略半円形状（図１参照）とすることもできる。
【００４３】
このように、ベース基板１０と第１メモリ用基板２１と第２メモリ用基板２２とを導電性ワイヤ１１により接続することができるため、ベース基板１０の上に、それぞれ両面にメモリチップ１５を実装可能な２層のメモリ用基板２１，２２を狭い間隔で小スペース内に配置することができるとともに、各基板間の電極を導電性ワイヤ１１により接続することにより、電極間での接続強度を向上させることができる。このような構成することにより、ベース基板１０のいずれか一方の面にメモリを実装する場合と比較して、メモリの実装可能な面積は、第１メモリ用基板２１の表裏両面、第２メモリ用基板２２の表裏両面の４倍に増加し、最大で４倍までメモリ容量を増加させることができる。よって、例えば、１個のメモリチップ１５が３２ＭＢのとき、２個のメモリチップ１５しか実装できないときは２×３２ＭＢ＝６４ＭＢであったのが、最大で８×３２ＭＢ＝２５６ＭＢとすることができる。また、１個のメモリチップ１５が６４ＭＢのときには、最大で８×６４ＭＢ＝５１２ＭＢとすることができる。さらに、１個のメモリチップ１５が１２８ＭＢのときには、最大で８×１２８ＭＢ＝約１ＧＢとすることができる。
【００４４】
また、各メモリ用基板２１，２２の表裏両面に２個ずつ全く同一位置に同一サイズ及び厚みのメモリチップ１５を実装することができるため、各メモリ用基板２１，２２に熱的又は機械的応力が作用したとき、例えば、封止樹脂の硬化収縮などにより各基板が片側に反ることが防止できる。また、上記各メモリ用基板２１，２２には、上記複数のメモリチップ１５が上記メモリ用基板２１，２２の長手方向の中心に対して対称に配置することができて、各メモリ用基板２１，２２全体として、応力の偏った分布を防止することができる。
【００４５】
また、メモリチップ１５が実装されたメモリモジュール２２１，２２２をベース基板１０とは別部品として別個に構成することができ、バーンイン時にメモリチップ１５が不良と判断された場合には、そのメモリモジュールのみを廃棄すればよく、ＩＣチップ１３，１４が実装されたベース基板１０まで廃棄する必要がなくなる。
【００４６】
また、各メモリチップ１５を各基板に対してアウターリード無しに直接実装すなわちフリップチップ実装するため、言いかえれば、各メモリチップ１５の各電極と各基板の各電極とをバンプなどを介して直接的に接合するため、各メモリチップ１５の外側にアウターリードを引き出して各基板に接合するスペースや手間を省くことができて、小スペース化、工程の短縮化を図ることができる。
【００４７】
なお、図２３〜図２５の小型メモリカードの規格に対応するようにするため、一例として、図２に示すように、ベース基板１０の厚さは０．２ｍｍ、第１メモリ用基板２１の厚さは０．１５ｍｍ、第２メモリ用基板２２の厚さは０．１５ｍｍ、第２メモリ用基板２２の下面に実装されたメモリチップ１５と第１メモリ用基板２１の上面に実装されたメモリチップ１５との隙間は０．４１ｍｍ、第１メモリ用基板２１の下面に実装されたメモリチップ１５とベース基板１０の上面との隙間は０．４１ｍｍである。また、第２メモリ用基板２２の上面に実装されたメモリチップ１５の上面とベース基板１０の下面との距離は１．１２ｍｍ、ベース基板１０の下面とベース基板１０の下面に実装されたマイクロプロセッサ用ＩＣチップ１４とＡＳＩＣ用ＩＣチップ１３の上面との距離は０．３５ｍｍ、よって、第２メモリ用基板２２の上面に実装されたメモリチップ１５の上面とベース基板１０の下面に実装されたマイクロプロセッサ用ＩＣチップ１４とＡＳＩＣ用ＩＣチップ１３の上面との距離は１．４７ｍｍとなるようにしている。
【００４８】
なお、各基板、すなわち、ベース基板１０、第１メモリ用基板２１、第２メモリ用基板２２は単層基板、多層基板いずれの形態でもよい。
【００４９】
以下に、上記小型メモリカードの製造方法について説明する。
【００５０】
図４（Ａ）に示すように、ベース基板１０の下面側には、マイコン用ＩＣチップであるマイクロプロセッサ用ＩＣチップ１４とコントローラ用ＩＣチップであるＡＳＩＣ用ＩＣチップ１３の２つのＩＣチップがベアチップ実装されて、ベース基板モジュール２１０を１個形成する。なお、このとき、具体的には図示しないが、ベース基板１０の下面には小型メモリカードのカード電極１６を形成しておくとともに、ベース基板１０の上面にはチップコンデンサ１８、チップ抵抗１９も実装しておく。
【００５１】
また、図４（Ｂ），図４（Ｃ）に示すように、２枚のメモリ用基板２１，２２の上下両面のそれぞれにフラッシュメモリなどのメモリチップ１５を２個ずつフリップチップ実装して、第１及び第２メモリモジュール２２１，２２２を２個形成する。
【００５２】
これらの図４（Ａ），図４（Ｂ），図４（Ｃ）に示すそれぞれの工程は、同時に行っても良いし、任意の順に行うようにしてもよい。また、多数の小型メモリカードを製造する場合には、図４（Ａ），図４（Ｂ），図４（Ｃ）に示す工程をそれぞれ多数回行って、予め多数の第１及び第２メモリモジュール２２１，２２２及びベース基板モジュール２１０を製造しておいてもよい。
【００５３】
次に、図５（Ａ）に示すように、ベース基板１０の各貫通孔１０ａ内にクリーム半田１２をディスペンサ５１により供給する。同様に、図５（Ｂ）及び（Ｃ）にそれぞれ示すように、第１及び第２メモリ基板２１，２２の各貫通孔２１ａ，２２ａ内にもクリーム半田１２をディスペンサ５１によりそれぞれ供給する。なお、各基板１０，２１，２２において、長手方向両端の同一箇所にある貫通孔を位置決め孔１０ｚ，２１ｚ，２２ｚとして使用するため、基板接続用の電極としての機能を果たさないようにしており、クリーム半田１２は挿入しないようにする。また、上記位置決め孔１０ｚ，２１ｚ，２２ｚの代わりに、各基板に位置決め用マークを設けたり、又は、各基板の回路パターンの一部を位置決め用マークとして使用することにより、基板同士の位置決めに利用するようにしてもよい。
【００５４】
次いで、図５（Ｄ）に示すように、第１メモリモジュール２２１と第２メモリモジュール２２２とを仮固定する。すなわち、第１メモリ用基板２１の上に第２メモリ用基板２２を載置して、各端部の位置決め孔２１ｚ，２２ｚ同士が互いに同一に位置するように位置決め調整したのち、絶縁性の仮固定用接着剤５２により、第１メモリ用基板２１の上面に実装した２個のメモリチップ１５，１５の上面と、第２メモリ用基板２２の下面に実装した２個のメモリチップ１５，１５の下面とを接着して、第１メモリモジュール２２１と第２メモリモジュール２２２とを仮固定する。このとき、第１メモリ用基板２１と第２メモリ用基板２２とは大略平行になるようにする。これは、小型メモリカード全体の寸法を規格内の寸法にするためである。
【００５５】
次いで、図６（Ａ）に示すように、仮固定された第１メモリモジュール２２１と第２メモリモジュール２２２をベース基板モジュール２１０に仮固定する。すなわち、第１メモリモジュール２２１の下面に実装された２個のメモリチップ１５とベース基板モジュール２１０の上面とを絶縁性の仮固定用接着剤５２により接着して、ベース基板モジュール２１０の上に、仮固定された第１メモリモジュール２２１と第２メモリモジュール２２２を仮固定する。このとき、第１メモリ用基板２１と第２メモリ用基板２２とベース基板１０とは互いに大略平行になるようにする。これは、小型メモリカード全体の寸法を規格内の寸法にするためである。
【００５６】
次いで、図６（Ｂ）に示すように、モジュール間の電極同士を導電性ワイヤ１１で個別に接続する。すなわち、ベース基板モジュール２１０の各位置決め孔１０ｚと第１メモリモジュール２２１の各位置決め孔２１ｚと第２メモリモジュール２２２の各位置決め孔２２ｚとを一致させるように位置決めした状態で、ベース基板モジュール２１０の各貫通孔１０ａ内のクリーム半田１２の電極と第１メモリモジュール２２１の各貫通孔２１ａ内のクリーム半田１２の電極と第２メモリモジュール２２２の各貫通孔２２ａ内のクリーム半田１２の電極とを、導電性ワイヤ１１で個別に接続する。
【００５７】
その後、リフロー炉内に入れることにより、又は、ホットエアなどの熱風を吹き付けることにより、各クリーム半田１２を溶融して各クリーム半田１２と導電性ワイヤ１１とを完全に固着させることにより、確実に電気的に接続する。
【００５８】
次いで、ベース基板モジュール２１０のベース基板１０と第１メモリモジュール２２１の第１メモリ用基板２１との間、第１メモリモジュール２２１の第１メモリ用基板２１と第２メモリモジュール２２２の第２メモリ用基板２２との間、第２メモリ用基板２２の上面の２個のメモリチップ１５間を、それぞれ、絶縁性の封止樹脂２００で封止する。
【００５９】
次いで、これを上下ケース３０，３１内に収納して上記小型メモリカードを得る。
【００６０】
上記小型メモリカードの製造方法によれば、図１の小型メモリカードにおいてをベース基板モジュール２１０に実装する前に、予め第１メモリモジュール２２１と第２メモリモジュール２２２とを実装してバーンイン試験などによりメモリモジュール全体としての機能を検査することができ、不良の場合には、メモリモジュールのみを廃棄すればよく、メモリモジュールに比較して高価なベース基板モジュール２１０を廃棄する必要がなくなり、コストダウンを図ることができる。
【００６１】
なお、上記第１実施形態においては、図６（Ｂ）に示すように上記ベース基板モジュール２１０の各貫通孔１０ａ内のクリーム半田１２の電極と第１メモリモジュール２２１の各貫通孔２１ａ内のクリーム半田１２の電極と第２メモリモジュール２２２の各貫通孔２２ａ内のクリーム半田１２の電極とを、多数の導電性ワイヤ１１で個別に接続する代わりに、図６（Ｃ）に示すように、モジュール間の電極同士を、導体の別の例としての連続した１本又は数本の導電性ワイヤ５３で接続するようにしてもよい。
【００６２】
すなわち、ベース基板モジュール２１０と第１メモリモジュール２２１と第２メモリモジュール２２２とが上下に重なるように位置する３個のクリーム半田１２の電極、すなわち、導電性ワイヤ５３を、第２メモリモジュール２２２の各貫通孔２２ａ内のクリーム半田１２の電極と、第１メモリモジュール２２１の各貫通孔２１ａ内のクリーム半田１２の電極と、ベース基板モジュール２１０の各貫通孔１０ａ内のクリーム半田１２の電極とを貫通させる。次いで、Ｕ字状に折り曲げたのち、導電性ワイヤ５３を、隣接するベース基板モジュール２１０の各貫通孔１０ａ内のクリーム半田１２の電極と、第１メモリモジュール２２１の各貫通孔２１ａ内のクリーム半田１２の電極と、第２メモリモジュール２２２の各貫通孔２２ａ内のクリーム半田１２の電極とを貫通させる。次いで、再び、Ｕ字状に折り曲げたのち、例えば、隣接する第２メモリモジュール２２２の各貫通孔２２ａ内のクリーム半田１２の電極と、第１メモリモジュール２２１の各貫通孔２１ａ内のクリーム半田１２の電極と、ベース基板モジュール２１０の各貫通孔１０ａ内のクリーム半田１２の電極とを貫通させる。このようにして、接続すべき全てのクリーム半田１２の電極を接続する。
【００６３】
次いで、リフロー炉内に上記モジュールを搬入してリフロー工程を行うことにより、または、ホットエアなどの熱風を吹き付けることにより、各クリーム半田１２を溶融して各クリーム半田１２と導電性ワイヤ５３とを導通状態のまま完全に固着させることにより、確実に電気的に接続する。
【００６４】
次いで、上記導電性ワイヤ５３の上記Ｕ字状に折り曲げた部分を切断して除去することにより、ベース基板１０と第１及び第２メモリ用基板２１，２２の上下に重なるように位置する３個のクリーム半田１２の電極を互に個別的に導通させ、かつ、３個の接続部毎に独立的に導通させる導通用柱部材として機能させることができる。
【００６５】
このような構成によれば、多数の導電性ワイヤ１１を予め用意する必要がなく、用意すべき部品点数を削減することができるとともに、多数の導電性ワイヤ１１を一本ずつ接続するよりも連続した導電性ワイヤ５３を半田１２に貫通させる方が接続しやすく、作業の軽減を図ることができる。
【００６６】
上記第１実施形態において、ベース基板１０と第１メモリ用基板２１と第２メモリ用基板２２とを同時に位置決めして仮固定するようにしてもよい。また、仮固定は、接着剤の代わりに両面粘着テープを使用することもできる。さらには、接着剤を使用せずに、他の部材又は半田の粘着力を利用して上記三枚の基板を位置決め保持するようにしてもよい。
【００６７】
（第２実施形態）
図７は、本発明の第２実施形態にかかる小型メモリカードの完成状態での一部断面側面図である。図７では、導電性ワイヤ５３の代わりに、銅などの導電性ボール７１を使用するものである。すなわち、ベース基板１０の各貫通孔１０ａ内のクリーム半田１２と第１メモリ用基板２１の各貫通孔１０ａ内のクリーム半田１２との間に導電性ボール７１を介在させて、ベース基板１０と第１メモリ用基板２１との間を大略平行に保持するとともに、第１メモリ用基板２１の各貫通孔２１ａ内のクリーム半田１２と第２メモリ用基板２２の各貫通孔２２ａ内のクリーム半田１２との間に導電性ボール７１を介在させて第１メモリ用基板２１と第２メモリ用基板２２との間を大略平行に保持するようにしている。この場合、導電性ボール７１の直径よりも各貫通孔１０ａ，２１ａ，２２ａのクリーム半田１２の外径を大きくして、導電性ボール７１が各クリーム半田１２の電極上に若干入り込みつつ安定して保持されるようにするのが好ましい。
【００６８】
導電性ボール７１の一例としては、直径０．３μｍの銅ボールを使用することができる。導電性ボール７１の材料としては、銅以外に、スズ−亜鉛系、スズ−銀系、スズ−銅系も使用することができる。
【００６９】
第２実施形態によれば、第１実施形態と同様な作用効果を奏することができる上に、ベース基板１０と第１メモリ用基板２１、及び、第１メモリ用基板２１と第２メモリ用基板２２との間に導電性ボール７１を介在させることにより、各基板の間隔を容易に均等にすることができて、各基板を大略平行に配置することができる。また、導電性ボール７１を銅などの半田よりも融点が高い材料より構成すれば、後工程でリフローやエアブローにより半田を溶融するときでも導電性ボール７１が溶融せず、基板間隔を導電性ボール７１により確実に確保することができ、高い精度で基板間の大略平行度を保持することができる。よって、また、基板間が導電性ボール７１で支持されるため、機械的な応力が作用しても導電性ボール７１は容易に変形しない。従って、熱的な応力及び機械的な応力に抗して、基板間の大略平行度を確実に保持することができるとともに、隣接する導電性ボール７１との接触も防止することができてショートを防止できる。さらに、導電性ボール７１の直径を小さくすることにより、より狭いピッチでの配置が可能となり、配線の自由度が増し、各メモリチップ１５への個別配線が可能となり、メモリチップ１５とＩＣチップ１３，１４間での処理速度の向上を図ることができる。
【００７０】
以下に、図７の上記小型メモリカードの製造方法について説明する。
【００７１】
まず、図１などの上記小型メモリカードの製造方法と同様に、図４（Ａ），図４（Ｂ），図４（Ｃ）に示すように、第１及び第２メモリモジュール２２１，２２２及びベース基板モジュール２１０を製造する。なお、このとき、具体的には図示しないが、ベース基板１０の下面には小型メモリカードのカード電極１６を形成しておくとともに、ベース基板１０の上面にはチップコンデンサ１８、チップ抵抗１９も実装しておく。
【００７２】
次いで、図８（Ａ）に示すように、ベース基板モジュール２１０にクリーム半田を印刷供給する。すなわち、ベース基板１０の各貫通孔１０ａに対応する貫通孔すなわちクリーム半田挿入孔５４ａを有するステンシル５４を、ベース基板モジュール２１０のベース基板１０上に重ねて、ステンシル５４上をクリーム半田１２を移動させながらスキージ５５を移動させて、ステンシル５４の各クリーム半田挿入孔５４ａからベース基板１０の各貫通孔１０ａ内にクリーム半田１２を押し込むように挿入する。このとき、ベース基板１０ の各貫通孔１０ａにおいて、クリーム半田１２がベース基板１０からベース基板１０の厚み方向に若干はみ出るようにする。これは、後の工程で、導電性ボール７１を各クリーム半田１２上にクリーム半田１２自体の粘着力により安定して保持できるようにするためである。
【００７３】
次いで、図８（Ｂ）に示すように、ベース基板モジュール２１０の各クリーム半田１２の電極上に導電性ボール７１を１個ずつ供給する。すなわち、ベース基板１０の各貫通孔１０ａのクリーム半田１２に対応する貫通孔すなわち導電性ボール挿入孔５６ａを有する導電性ボール挿入用板５６を、ベース基板モジュール２１０のベース基板１０上に、好ましくはクリーム半田１２に接触しないように、重ねて、導電性ボール挿入用板５６上を多数の導電性ボール７１を移動させながらスキージ５７を移動させて、導電性ボール挿入用板５６の各導電性ボール挿入孔５６ａからベース基板１０の各貫通孔１０ａ内のクリーム半田１２上に導電性ボール７１を１個ずつ載せる。各導電性ボール７１は、クリーム半田１２に載せられるとき、スキージ５７からの圧力によりクリーム半田１２内に若干入り込んだ状態となり、クリーム半田１２自体の粘着力により位置保持される。各クリーム半田１２上に導電性ボール７１を１個ずつ確実に載せるため、導電性ボール挿入用板５６の厚みは導電性ボール７１の直径と同等か上記直径より若干小さくして、１つの導電性ボール挿入孔５６ａ内に複数個の導電性ボール７１が入り込まず、１個の導電性ボール７１しか入らないようにする。一例として、導電性ボール挿入用板５６の厚さは０．２μｍとして、直径０．３μｍの銅ボールが各導電性ボール挿入孔５６ａに対して１個のみ入るようにする。
【００７４】
次いで、図８（Ｃ）に示すように、ベース基板モジュール２１０上に載置すべき第１メモリモジュール２２１の第１メモリ用基板２１の各貫通孔２１ａ内にクリーム半田１２をディスペンサ５１などにより塗布供給する。この工程は、図８（Ｂ）の工程と同時又は図８（Ｂ）の工程より先に行うようにしてもよい。
【００７５】
次いで、図９（Ａ）に示すように、ベース基板モジュール２１０の各クリーム半田１２の電極上の導電性ボール７１を介して、ベース基板モジュール２１０上に第１メモリモジュール２２１を実装する。すなわち、ベース基板１０の両端の位置決め孔１０ｚと第１メモリ用基板２１の両端の位置決め孔２１ｚとを一致させた状態で、ベース基板１０の各クリーム半田１２上の導電性ボール７１の上に、第１メモリ用基板２１の各貫通孔２１ａ内のクリーム半田１２が載置されるように、ベース基板１０の上に第１メモリ用基板２１を重ね合わせある程度の圧力を作用させて、第１メモリ用基板２１の各貫通孔２１ａ内のクリーム半田１２内に各導電性ボール７１の上部の一部が入り込むようにする。これにより、ベース基板１０と第１メモリ用基板２１とが大略平行に位置決め保持される。なお、ベース基板１０の上に第１メモリ用基板２１を重ね合わせてある程度の圧力を作用させるとき、ベース基板１０の上面と第１メモリ用基板２１の下面の２個のメモリチップ１５の下面とを仮固定用絶縁性接着剤５２により接着させるようにしてもよい。このように、第１メモリ用基板２１とベース基板１０とを互いに大略平行になるようにするのは、小型メモリカード全体の寸法を規格内の寸法にするためである。
【００７６】
次いで、図９（Ｂ）に示すように、第１メモリモジュール２２１上に載置すべき第２メモリモジュール２２２の第２メモリ用基板２２の各貫通孔２２ａ内にクリーム半田１２をディスペンサ５１などにより塗布供給する。この工程は、次の図１０（Ａ）の工程と同時又は図１０（Ａ）の工程より後に行うようにしてもよい。
【００７７】
次いで、図１０（Ａ）に示すように、ベース基板モジュール２１０上の第１メモリモジュール２２１の第１メモリ用基板２１の各クリーム半田１２の電極上に導電性ボール７１を１個ずつ供給する。すなわち、図８（Ｂ）と同様に、第１メモリ用基板２１の各貫通孔２１ａのクリーム半田１２に対応する貫通孔すなわち導電性ボール挿入孔５８ａを有する導電性ボール挿入用板５８を、第１メモリモジュール２２１の第１メモリ用基板２１上に、好ましくはクリーム半田１２に接触しないように、重ねて、導電性ボール挿入用板５８上を多数の導電性ボール７１を移動させながらスキージ５９を移動させて、導電性ボール挿入用板５８の各導電性ボール挿入孔５８ａから第１メモリ用基板２１の各貫通孔２１ａ内のクリーム半田１２上に導電性ボール７１を１個ずつ載せる。各導電性ボール７１は、クリーム半田１２に載せられるとき、スキージ５９からの圧力によりクリーム半田１２内に若干入り込んだ状態となり、クリーム半田１２自体の粘着力により位置保持される。各クリーム半田１２上に導電性ボール７１を１個ずつ確実に載せるため、導電性ボール挿入用板５８の厚みは導電性ボール７１の直径と同等か上記直径より若干小さくして、１つの導電性ボール挿入孔５８ａ内に複数個の導電性ボール７１が入り込まないようにする。
【００７８】
次いで、図１０（Ｂ）に示すように、第１メモリモジュール２２１の各クリーム半田１２の電極上の導電性ボール７１を介して第１メモリモジュール２２１上に第２メモリモジュール２２２を実装する。すなわち、ベース基板１０の両端の位置決め孔１０ｚと第１メモリ用基板２１の両端の位置決め孔２１ｚと第２メモリ用基板２２の両端の位置決め孔２２ｚとを一致させた状態で、第１メモリ用基板２１の各クリーム半田１２上の導電性ボール７１の上に、第２メモリ用基板２２の各貫通孔２２ａ内のクリーム半田１２が載置されるように、第１メモリ用基板２１の上に第２メモリ用基板２２を重ね合わせある程度の圧力を作用させて、第２メモリ用基板２２の各貫通孔２２ａ内のクリーム半田１２内に各導電性ボール７１の上部の一部が入り込むようにする。これにより、ベース基板１０と第１メモリ用基板２１と第２メモリ用基板２２とが大略平行に位置決め保持される。なお、第１メモリ用基板２１の上に第２メモリ用基板２２を重ね合わせてある程度の圧力を作用させるとき、第１メモリ用基板２１の上面の２個のメモリチップ１５の上面と第２メモリ用基板２２の下面の２個のメモリチップ１５の下面とを仮固定用絶縁性接着剤５２により接着させるようにしてもよい。このように、第１メモリ用基板２１と第２メモリ用基板２２とを互いに大略平行になるようにするのは、小型メモリカード全体の寸法を規格内の寸法にするためである。
【００７９】
次いで、リフロー炉内に上記モジュールを搬入してリフロー工程を行うことにより、または、ホットエアなどの熱風を吹き付けることにより、各クリーム半田１２を溶融して各クリーム半田１２と各導電性ボール７１とを導通状態のまま固着させることにより、確実に電気的に接続する。
【００８０】
次いで、ベース基板モジュール２１０のベース基板１０と第１メモリモジュール２２１の第１メモリ用基板２１との間、第１メモリモジュール２２１の第１メモリ用基板２１と第２メモリモジュール２２２の第２メモリ用基板２２との間、第２メモリ用基板２２の上面の２個のメモリチップ１５間を、それぞれ、絶縁性の封止樹脂２００で封止する。
【００８１】
次いで、これを上下ケース３０，３１内に収納して上記小型メモリカードを得る。
【００８２】
なお、導電性ボール７１の直径は、ベース基板モジュール２１０と第１メモリモジュール２２１との間に配置される導電性ボール７１と、第１メモリモジュール２２１と第２メモリモジュール２２２との間に配置される導電性ボール７１とを図７のように異ならせるようにしてもよいが、同一としてもよい（図示せず）。
【００８３】
なお、上記工程において、第１メモリモジュール２２１をベース基板モジュール２１０に実装する前に第１メモリモジュール２２１の第１メモリ用基板２１の各貫通孔２１ａ内にクリーム半田１２を供給するようにしたが、第１メモリモジュール２２１をベース基板モジュール２１０に実装した後に、第１メモリモジュール２２１の第１メモリ用基板２１の各貫通孔２１ａ内にクリーム半田１２を供給するようにしてもよい。同様に、第２メモリモジュール２２２を第１メモリモジュール２２１に実装する前に第２メモリモジュール２２２の第２メモリ用基板２２の各貫通孔２２ａ内にクリーム半田１２を供給するようにしたが、第２メモリモジュール２２２を第１メモリモジュール２２１に実装した後に、第２メモリモジュール２２２の第２メモリ用基板２２の各貫通孔２２ａ内にクリーム半田１２を供給するようにしてもよい。
【００８４】
上記製造方法によれば、基板間の間隔を導電性ボール７１により一定に保持しやすく、基板相互の平行度も確保しやすい。
【００８５】
上記第２実施形態において、導電性ボール７１は上記したように印刷により供給するものに限らず、導電性ボール７１を１個ずつ又は複数個同時に吸着して供給するようにしてもよい。
【００８６】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その他種々の態様で実施できる。以下の種々の実施形態について説明する。
【００８７】
（第３実施形態）
図１１は、本発明の第３実施形態にかかる小型メモリカードの一部断面側面図である。第１及び第２実施形態では、ベース基板モジュール２１０上に第１メモリモジュール２２１と第２メモリモジュール２２２とを重ねて配置しているが、第２メモリモジュール２２２を省略して、図１１に示すように、ベース基板モジュール２１０上に導電性ワイヤ１１を介して第１メモリモジュール２２１のみを配置するようにしてもよい。第１メモリモジュール２２１の第１メモリ用基板２１には、その上下両面に２個ずつメモリチップ１５を実装するとともに、第１メモリ用基板２１の下面の２個のメモリチップ１５の下面をベース基板１０の上面に接触させるようにしている。しかしながら、第１メモリ用基板２１の下面の２個のメモリチップ１５の下面とベース基板１０の上面との間に隙間を形成するようにしてもよい（図示せず）。また、導電性ワイヤ１１の代わりに、半田又は導電性ボールを使用してもよい（図示せず）。
【００８８】
このように構成すれば、ベース基板１０の上面にのみメモリを実装するものと比較して、高い容量のメモリチップ１５を図１又は図７の小型メモリカードより小さなスペースに配置することができる。
【００８９】
（第４実施形態）
図１２は、図１１の小型メモリカードにおいて、第１メモリモジュール２２１を２分割した本発明の第４実施形態である。すなわち、ベース基板モジュール２１０上に導電性ワイヤ１１を介して分割型第１メモリモジュール２２１Ａと分割型第１メモリモジュール２２１Ｂとをそれぞれ個別に実装するものである。分割型第１メモリモジュール２２１Ａと分割型第１メモリモジュール２２１Ｂは、それぞれ、第１メモリ用基板２１を２分割したサイズ又はそれ以下のサイズの分割型第１メモリ用基板２１Ａ，２１Ｂの上下両面にメモリチップ１５を１個ずつ実装したものである。
【００９０】
このような構成によれば、ベース基板モジュール２１０上で、分割型第１メモリモジュール２２１Ａと分割型第１メモリモジュール２２１Ｂとの配置にそれぞれ自由度を持たせることができる。また、メモリチップ１５が実装されたメモリモジュールのバーンイン時に１個のメモリチップ１５が不良と判断された場合には、第１メモリモジュール２２１では残りの３個の正常なメモリも廃棄することになるが、分割型第１メモリモジュール２２１Ａ又は２２１Ｂでは残りの１個のメモリチップ１５を廃棄することになるため、メモリチップ１５をより効率的に使用することができる。
【００９１】
（第５実施形態）
図１３は、本発明の第５実施形態の小型メモリカードの一部であって、図１１の小型メモリカードにおいて、第１メモリモジュール２２１の上下両面にメモリチップ１５を実装するのではなく、第１メモリモジュール２２１の第１メモリ用基板２１の上面には２個のメモリチップ１５を実装するが、下面には実装せずに、この下面に対向するベース基板１０の上面に２個のメモリチップ１５を実装するようにしたものである。
【００９２】
（第６実施形態）
図１４は、本発明の第６実施形態の小型メモリカードの一部であって、図１３の小型メモリカードにおいて、第１メモリモジュール２２１と同様に、第１メモリモジュール２２１の上に実装する第２メモリモジュール２２２でも第２メモリ用基板２２の上面にのみ２個のメモリチップ１５を実装するが、下面には実装しないとともに、さらに、第２メモリモジュール２２２の上に第３メモリモジュール２７０を実装するようにしたものである。第３メモリモジュール２７０でも、第１メモリモジュール２２１と同様に、第３メモリ用基板７０の上面にのみ２個のメモリチップ１５を実装するが、下面には実装しないようにしている。
【００９３】
好ましくは、上記第１メモリモジュール２２１、第２メモリモジュール２２２、第３メモリモジュール２７０の各メモリチップ１５の中心位置、さらにはベース基板モジュール２１０のＩＣチップ１３，１４の中心位置を一致させるようにすれば、小型メモリカード全体として、メモリ用基板の長手方向の中心に対して、ほぼ対称にメモリなどの部品を実装することができ、機械的応力又は熱的応力に対して、メモリ用基板の長手方向の中心に関してバランス良く対抗することができて、ベース基板と比較して厚さの薄い各メモリ基板の反りを防止することができる。
【００９４】
（第７実施形態）
図１５は、本発明の第７実施形態の小型メモリカードの一部であって、図１及び図７の小型メモリカードにおいて、マイクロプロセッサ用ＩＣチップ１４とＡＳＩＣ用ＩＣチップ１３の２つのＩＣチップの機能を１つのＩＣチップ６０にまとめたワンチップ型マイコンに適用する場合の実施形態であり、ベース基板１０の下面のＩＣチップを実装しない空いたスペースに、さらに、追加のメモリモジュール６１を配置するようにしたものである。追加のメモリモジュール６１は、第４メモリ用基板２４の上下両面にメモリチップ１５が実装されているとともに、メモリ用基板２４自体を導電性ワイヤ１１などによりベース基板１０に実装するようにしている。これにより、さらに、メモリ容量を大きくすることができる。
【００９５】
また、図１３２は、上記本発明の第７実施形態の変形例にかかる小型メモリカードの一部断面側面図であり、第１メモリモジュール２２１が２つの第１メモリ用基板２１，２１に分かれており、第２メモリモジュール２２２が２つの第２メモリ用基板２２，２２に分かれている例である。なお、このように、各モジュールを２つ以上の複数のメモリ用基板に分割することは、他の実施形態にも適用可能である。
【００９６】
（第８実施形態）
図１６は、本発明の第８実施形態の小型メモリカードの一部であって、メモリ用基板を、単層又は積層基板ではなく、より一層薄いフィルム基板とするものである。すなわち、四角形枠状のフィルム基板６３であって、絶縁体樹脂の枠部６３ｂ内にリード端子６３ａが配置され、リード端子６３ａの上下両面にメモリチップ１５の電極が半田７５を介してそれぞれ直接的に実装されている。フィルム基板６３間の間隔は、半田などの柱状の導電性体６２により確保できるようにしている。もちろん、半田などの柱状の導電性体６２に代えて、導電性ボールやワイヤを使用することもできる（図示せず）。このように、フィルム基板６３の両面にメモリチップ１５を直接実装することができて、さらに小型化及び薄型化を図ることができるとともに、メモリチップ１５の外部に大きくリードを張り出させてベース基板１０などに接続させる必要がなくなり、さらに、小型化を図ることができる。
【００９７】
（第９実施形態）
図１７は、本発明の第９実施形態の小型メモリカードの一部であって、２枚のフィルム基板６５，６５を上記第１及び第２メモリ用基板２１，２２の代わりに使用する別の実施形態であって、より薄型化を図ることができる。６６はフィルム基板６５，６５間及びベース基板１０との間での電気的接続を行う半田又は銅ボールなどの導電体である。
【００９８】
（第１０実施形態）
図１８は、本発明の第１０実施形態の小型メモリカードの一部であって、絶縁体の合成樹脂シート内に金線などの導電ピン６７ａを多数配置した導電性シート６７であって、これをメモリ用基板２１，２２の電極間、又は、メモリ用基板２１の電極とベース基板１０の電極との間に配置して、電気的接続及び両基板間の間隔保持を兼用することができる。
【００９９】
また、導電ピン６７ａの代わりに、導電性ペーストとしてもよい。さらには、絶縁性樹脂シート内に導電性粒子が配置された異方性導電性シートを導電性シート６７の代わりに使用するようにしてもよい。
【０１００】
（第１１実施形態）
図１９は、本発明の第１１実施形態の小型メモリカードの一部であって、ベース基板１０と第１メモリ用基板２１とを別々の基板から構成するのではなく、１枚の細長いフレキシブル基板８１より構成する実施形態である。すなわち、細長いフレキシブル基板８１の一方の端部の両面に２個ずつメモリチップ１５を実装し、他方の端部の一方の面に２つのＩＣチップ、すなわち、マイクロプロセッサ用ＩＣチップ１４とＡＳＩＣ用ＩＣチップ１３とを実装したのち、図１９に示すように、Ｕ字状に湾曲させてケース内に収納させるものである。
【０１０１】
この例では、第１メモリ用基板２１及びベース基板１０をフレキシブル基板８１とすることができて、薄型化及び軽量化を図ることができるとともに、１枚の基板で構成するため、複数の基板を相互に接続させる工程が不要となる。また、さらに、フレキシブル基板８１を長くしてメモリチップ１５をさらに実装することにより、第２メモリ用基板２２も兼用するようにしてもよい。この例を本発明の第１１実施形態の変形例にかかる小型メモリカードとして図１３３に示す。
【０１０２】
（第１２実施形態）
図２０は、本発明の第１２実施形態の小型メモリカードの一部であって、導電性ワイヤ又は導電性ボールに代えて直方体の電子部品を使用する実施形態である。すなわち、各基板の各端部の上下面の電極８０ａ，８０ｂが互に電気的に接続されている、受動部品、具体的には、コンデンサやチップ抵抗のような直方体のチップ電子部品８０を、ベース基板１０の電極と上記第１基板２１の電極、又は、上記第１基板２１の電極と上記第２基板２２の電極との間、又は、両方の間に介在させて、ベース基板１０と上記第１メモリ用基板２１との隙間、又は、上記第１メモリ用基板２１と上記第２メモリ用基板２２との隙間、又は、両方の隙間を上記直方体のチップ電子部品８０の厚みで確保するとともに、ベース基板１０の電極と上記第１メモリ用基板２１の電極、又は、上記第１メモリ用基板２１の電極と上記第２メモリ用基板２２の電極、又は、ベース基板１０の電極１０ｄと上記第１メモリ用基板２１の電極２１ｄと上記第２メモリ用基板２２の電極２２ｄとを上記直方体のチップ電子部品８０の少なくとも一方の端部の上下面の電極８０ａ又は８０ｂにより接続させる。上記直方体のチップ電子部品８０の各端部には、その上下両面及び両側面の４面にわたって互いに連続した電極８０ａ，８０ｂをそれぞれ形成されており、上下面の電極８０ａ，８０ｂは通常は，互いに導通しているため、これを、導電性ワイヤ１１又は導電性ボール７１の代わりに使用することができる。なお、図２０において、２１ｅ及び２２ｅはメモリチップ実装予定領域である。
【０１０３】
なお、チップコンデンサやチップ抵抗８０を本来の機能として使用する場合には、両端部の電極８０ａ，８０ｂを、ベース基板１０の電極と上記第１メモリ用基板２１の電極、又は、上記第１メモリ用基板２１の電極と上記第２メモリ用基板２２の電極とにそれぞれ接続する。チップコンデンサやチップ抵抗８０を本来の機能として使用しない場合には、一方の端部の電極８０ａ又は８０ｂのみを、ベース基板１０の電極と上記第１メモリ用基板２１の電極、又は、上記第１メモリ用基板２１の電極と上記第２メモリ用基板２２の電極とにそれぞれ接続する。
【０１０４】
（第１３，１４実施形態）
図２１及び図２２は、本発明の第１３，１４実施形態の小型メモリカードの一部であって、記録媒体のみの機能ではなく、記録媒体としての機能に他の機能を付加する実施形態の一例として、ブルートゥース（Bluetooth）対応の多機能型の小型メモリカードの例である。図２１では、第１メモリ用基板２１の下面側に、メモリを実装する代わりに、ＲＦ用ＬＳＩチップ７８とベースバンドＬＳＩチップ７９を実装して、ワイヤレス通信を行うことができるようにするものである。また、図２２では、図１の小型メモリカードのベース基板１０の上面に、ＲＦ用ＬＳＩチップ７８とベースバンドＬＳＩチップ７９を実装して、ワイヤレス通信を行うことができるようにするものである。例えば、携帯機器例えば携帯電話器にこのブルートゥース対応の多機能型メモリカードを差し込むことにより、携帯電話機をダウンロード端末器として使用することができるようになる。この結果、転送距離１０ｍのワイヤレス通信により、音楽や画像などを携帯電話機にダウンロード可能とするものである。また、ブルートゥース対応の多機能型メモリカードをそれぞれ差し込んだ携帯機器（例えば音楽プレーヤやデジタルスチルカメラなど）間で、一方の携帯機器から他方の携帯機器に対して、音楽や画像などのデータを転送することも可能となる。ここで、ブルートゥース（Bluetooth）とは、携帯電話機などのモバイル、パーソナルコンピュータ、デジタルカメラ、ＡＶ（Audio Visual）機器をはじめとする家電製品、ゲーム機などを無線で接続し、画像や音声などのデータをやりとりするためのワイヤレスのデータ通信技術のことである。
【０１０５】
（第１５実施形態）
図２６は、本発明の第１５実施形態にかかる小型メモリカードの概略側面図である。図７のようにベース基板１０と第１メモリ用基板２１との間に導電性ボール７１を配置するとともに第１メモリ用基板２１と第２メモリ用基板２２との間に導電性ボール７１を配置するのではなく、この実施形態では、第１メモリ用基板２１を貫通する導電性ボール７１Ａにより、ベース基板１０と第２メモリ用基板２２との間の間隔を保持するようにしたものである。すなわち、ベース基板１０の厚み方向において、ベース基板１０と第１メモリ用基板２１との間に導電性ボール７１Ａを１個のみ配置するようにしている。具体的には、直径例えば０．７μｍ程度の各導電性ボール７１Ａを第１メモリ用基板２１の各貫通孔２１ａ内のクリーム半田１２を貫通させて、上記各導電性ボール７１Ａの上部を第２メモリ用基板２２の貫通孔２２ａ内のクリーム半田１２に電気的に接合するとともに、上記各導電性ボール７１Ａの下部をベース基板１０の貫通孔１０ａ内のクリーム半田１２に電気的に接合するようにしている。このようにすれば、図７の実施形態と比較して、導電性ボールの個数を半分にすることができる。
【０１０６】
（第１６実施形態）
図２７は、本発明の第１６実施形態にかかる小型メモリカードのケースを除いた状態での平面図である。図６１及び図６２は、長方形の小型メモリカード用の長方形のメモリ用基板の斜視図、該メモリ用基板に長方形のメモリチップが２枚実装された状態の斜視図である。図８６及び図８７は上記長方形のメモリチップが２枚実装されたメモリ用基板が２層配置された小型メモリカードのケースを除いた状態での分解斜視図及び側面図である。
【０１０７】
図２７、図６１、及び図６２に示すように、長方形の小型メモリカード用の長方形のメモリ用基板２１Ｅの短辺２１ｘと、長方形のメモリチップ１５の長辺１５ｙとが大略平行となるように、メモリ用基板２１Ｅにメモリチップ１５が装着されている。言い替えれば、メモリ用基板２１Ｅの長手方向とメモリチップ１５の長手方向とが交差するように、例えば直交するように、メモリ用基板２１Ｅにメモリチップ１５が装着されている。そして、メモリ用基板２１Ｅの対向する一対の短辺２１ｘ，２１ｘのそれぞれの内側に、短辺沿いに接合用電極４１，…，４１が１列に配置されて、他のメモリ用基板２１Ｅ、ベース基板１０の対応する位置に配置された電極１０ｄ，…，１０ｄと接合されるようにしている。
【０１０８】
このように、長方形のメモリ用基板２１の短辺沿いにのみ電極４１，…，４１が配置され、長辺沿いには電極が配置されていない。従って、長方形の小型メモリカードに作用した捻れなどにより応力が長方形のメモリ用基板２１の長辺２１ｙ，２１ｙに作用しても、図２８に示すように長辺２１ｙ沿いに電極４１，…，４１が配置されていないので、導通不良や接続不良が発生することがなく、信頼性をさらに向上させることができる。
【０１０９】
もし、図２９（Ａ）のようにメモリチップ１５，…，１５が実装されたメモリ用基板２１の曲げ又はねじり強度が不充分であると、図２９（Ｂ）に示すように、メモリチップ１５の電極１５ｐとメモリ用基板２１の電極２１ｐとを接合する半田接合部１２ｐに応力が集中してクラック１２ｗが発生し、電極間１５ｐ，２１ｐの接合がオープンになってしまい、電気的接続が不良となってしまう。また、図２９（Ａ）に示すように、メモリチップ１５に割れ１５ｒが生じてしまい、動作不良、特に、メモリチップ１５の一部の読み取り不良又は書き込み不良の原因となってしまう。
【０１１０】
そこで、長方形のメモリ用基板２１の短辺沿いにのみ電極４１，…，４１が配置された上記第１６実施形態のメモリ用基板２１について、曲げテスト及びねじりテストを行って、上記不具合の有無について検討する。
【０１１１】
曲げテストは、図３０に示すように、メモリチップ１５，…，１５が実装されたメモリ用基板２１の両側の短辺側の端部を固定し、例えば短辺側の端部の中央に、６０秒間、２ｋｇの外力をメモリチップの長手方向沿いに互に接近する方向に３回作用させて、メモリ用基板２１を撓ませてることにより行う。また、ねじりテストは、図３１に示すように、メモリチップ１５，…，１５が実装されたメモリ用基板２１の一方の短辺側の端部を固定し、他方の短辺側の端部を一方の短辺側の端部に対して３ｋｇの外力で３回ねじることにより行う。両テストの結果判定は、電気的接続の状態、データの書き込み及び読み込みの状態、外観の状態より判定される。
【０１１２】
曲げテスト及びねじりテストの結果、長方形のメモリ用基板２１の短辺２１ｘ沿いにのみ電極４１，…，４１が配置されメモリ用基板２１には、メモリチップ１５，…，１５の電極とメモリ用基板２１の電極とを接合する半田接合部に応力が集中してクラックが発生することがなく、電極間の接合は確実に維持できて、電気的接続も確実に維持できる。また、メモリチップ１５，…，１５に割れも生じず、動作不良、特に、メモリチップ１５，…，１５の一部のリード不良又はライト不良も生じない。
【０１１３】
上記第１６実施形態の変形例として、図３２に示すように、メモリ用基板２１Ｆの対向する一対の短辺２１ｘ，２１ｘのうちの一方の短辺２１ｘののみの内側に、短辺２１ｘ沿いに接合用電極４１，…，４１が２列に配置されて、他のメモリ用基板２１、ベース基板１０と接合されるようにしてもよい。
【０１１４】
また、上記第１６実施形態の別の変形例として、図３３に示すように、メモリ用基板２１Ｇの短辺２１ｘに大略平行に、かつ、長辺２１ｙの中央付近に、接合用電極４１，…，４１が２列に配置されて、他のメモリ用基板２１、ベース基板１０と接合されるようにしてもよい。
【０１１５】
このように構成すれば、２枚のメモリチップ１５，１５を１枚のメモリ用基板２１に配置するとき、２枚のメモリチップ１５，１５の互に近接している長辺１５ｙ，１５ｙの近傍に、当該長辺１５ｙ沿いに電極４１，…，４１が配置されることになり、２枚のメモリチップ１５，１５のそれぞれの対応電極４１，…，４１への配線長さが互に大略等しくなる。さらに、２枚のメモリチップ１５，１５をベース基板１０の制御用ＩＣ、例えば、マイクロプロセッサ用ＩＣチップ１４、又は、ＡＳＩＣ用ＩＣチップ１３、又は、マイクロプロセッサ用ＩＣチップ１４とＡＳＩＣ用ＩＣチップ１３の２つのＩＣチップの機能を１つのＩＣチップ６０にまとめたワンチップ型マイコンへ接続するための、メモリ用基板２１からベース基板１０の上記制御用ＩＣへの配線長さが互に大略等しくなる。この結果、２枚のメモリチップ１５，１５の応答速度を大略同一にすることができる。なお、ここでは説明を簡略化するために、メモリ用基板の一方の面について２枚のメモリチップ１５，１５を実装する場合について述べたが、メモリ用基板２１の表裏両面のそれぞれの面について２枚のメモリチップ１５，１５を実装する場合についても同様な作用効果を奏することができる。すなわち、４枚のメモリチップ１５，…，１５の応答速度を大略同一にすることができる。
【０１１６】
なお、第１６実施形態及び変形例さらには以下の実施形態において、メモリ用基板２１の表裏両面のそれぞれの面について２枚のメモリチップ１５，１５を実装する場合について記載しているが、これに限られるものではなく、いずれか一方の面に２枚のメモリチップ１５，１５を実装したり、いずれか一方の面に１枚のメモリチップ１５を実装するものでもよい。
【０１１７】
（第１７実施形態）
図３４及び図３５は、本発明の第１７実施形態にかかる小型メモリカードの上側のメモリ用基板の概略側面図、及び、ケースを除いた状態での小型メモリカードの概略側面図である。
【０１１８】
本発明の第１７実施形態にかかる小型メモリカードの下側のメモリ用基板２１としては、図２７に示す第１６実施形態のメモリ用基板２１Ｅを使用する。すなわち、メモリ用基板２１Ｅは、長方形の小型メモリカード用の長方形のメモリ用基板２１Ｅの短辺２１ｘと、長方形のメモリチップ１５の長辺１５ｙとが大略平行となるように、メモリ用基板２１Ｅにメモリチップ１５が装着されている。
【０１１９】
また、上記小型メモリカードの上側のメモリ用基板２１としては、図３４に示すように、長方形のメモリ用基板２１Ｈの短辺２１ｘと、長方形のメモリチップ１５Ｌの短辺１５ｘとが大略平行となるように、メモリ用基板２１Ｈにメモリチップ１５，…，１５が装着されている。
【０１２０】
これら２枚のメモリ用基板２１Ｅ，２１Ｈのそれぞれの対向する一対の短辺２１ｘ，２１ｘ沿いには接合用電極４１，…，４１がそれぞれ１列に配置されている。そして、図３５に示されるように、ベース基板１０の上に図２７のメモリ用基板２１Ｅを実装し、さらにその上に図３４のメモリ用基板２１Ｈを実装することにより、図３３に示すように積層している。このとき、上側のメモリ用基板２１Ｈ及び下側のメモリ用基板２１Ｅのそれぞれの電極４１，…，４１は、それぞれの対向する長辺の近傍な長辺沿いに配置された電極４１，…，４１と、電気的に接続する導体の一例としての半田部１１ｘ，…，１１ｘによりそれぞれ接続されている。また、下側のメモリ用基板２１Ｅ及びベース基板１０のそれぞれの電極４１，…，４１及び１０ｘ，…，１０ｘは、それぞれの対向する長辺の近傍な長辺沿いに配置された電極４１，…，４１と、電気的に接続する導体の一例としての半田部１１ｘ，…，１１ｘによりそれぞれ接続されている。
【０１２１】
このような構成にすれば、ベース基板１０に積層される２枚のメモリ用基板２１Ｅ，２１Ｈでそれぞれに実装されているメモリチップ１５，…，１５の長手方向が交差することになり、小型メモリカードに曲げ応力又は撓み応力が作用したとき、同一方向にメモリチップ１５，…，１５が配置されているものと比較して、小型メモリカード全体としての機械的強度、曲げ、及びねじり強度をより向上させることができる。
【０１２２】
（第１８実施形態）
図３６、図３７、及び、図３８は、本発明の第１８実施形態にかかる、ケースを除いた状態での小型メモリカードの下側の２層のメモリ用基板２１Ｅ，２１Ｅの概略側面図、下側の２層のメモリ用基板をベース基板１０に実装した状態の概略側面図、及び、ベース基板１０に実装された下側の２層のメモリ用基板２１Ｅ，２１Ｅにさらに最上層のメモリ用基板２１Ｊを実装した状態の概略側面図である。
【０１２３】
本発明の第１８実施形態にかかる小型メモリカードの下側の２層のメモリ用基板２１Ｅ，２１Ｅにそれぞれ実装した各メモリチップ１５の厚さより厚いメモリチップ１５ｔが、上記最上層のメモリ用基板２１Ｊの表裏両面に、メモリ用基板２１Ｅと同様に、図３８に示すように、合計４個装着されて配置されている。すなわち、最上層のメモリ用基板２１Ｊの裏面（下面）では、メモリ用基板２１Ｅと同様に、長方形のメモリ用基板２１Ｊの短辺と、大きい厚みの長方形の２枚のメモリチップ１５ｔ，１５ｔのそれぞれの長辺とが大略平行となるように、メモリ用基板２１Ｊに２枚のメモリチップ１５ｔ，１５ｔがそれぞれ装着されている。また、最上層のメモリ用基板２１Ｊの表面（上面）では、長方形のメモリ用基板２１Ｊの短辺２１ｘと、上記裏面の長方形のメモリチップ１５ｔより幅（短辺）が狭い長方形のメモリチップ１５ｔの短辺とが大略平行となるように、メモリ用基板２１Ｊに２枚のメモリチップ１５ｔ，…，１５ｔがそれぞれ装着されている。最上層のメモリ用基板２１Ｊとその下の２層のメモリ用基板２１Ｅ，２１Ｅのそれぞれの対向する一対の短辺２１ｘ，２１ｘのそれぞれの内側に、短辺２１ｘ沿いに接合用電極４１，…，４１が１列に配置されて、他のメモリ用基板２１Ｅ又はベース基板１０の対応する位置に配置された電極４１，…，４１又は１０ｘ，…，１０ｘと接合されるようにしている。
【０１２４】
このように構成することにより、ベース基板の上記一方の面に、同一厚みのメモリチップ１５，…，１５のモジュール２１，…，２１を３個重ねて配置するのてはなく、ベース基板１０の上記一方の面に、厚さの小さいメモリチップ１５，…，１５のモジュール２１Ｅ，２Ｅを２個重ねて配置し、さらにその上に、厚さの大きいメモリチップ１５ｔ，…，１５ｔのモジュール２１Ｊを１個配置することにより、小型メモリカードの機械的強度、曲げ、及びねじり強度を向上させることができる。
（第１９実施形態）
図３９は、本発明の第１９実施形態にかかる、ケースを除いた状態での小型メモリカードの概略側面図である。この第１９実施形態では、ベース基板１０の表面側にメモリ用基板２１Ｅを配置するのみならず、裏面側にも、ベース基板１０の表面側と同様に、配置するようにしたものである。すなわち、ベース基板１０の表面には、２層のメモリ用基板２１Ｅ，２１Ｅが積層配置されている。一方、ベース基板１０の裏面には、１層のメモリ用基板２１Ｅが配置されている。なお、ベース基板１０の電極１０ｘ，…，１０ｘとベース基板１０の裏面の１層のメモリ用基板２１Ｅの電極４１，…，４１とは半田部１１ｘ，…，１１ｘによりそれぞれ接続されている。
【０１２５】
このように構成すれば、ベース基板１０の一方の面にのみ、メモリチップ１５，…，１５のモジュールを配置するのではなく、ベース基板１０の表裏両面でのメモリチップ１５，…，１５のモジュールを配置することができ、モジュール配置のバランスを取ることができて、小型メモリカード全体としての機械的強度、曲げ、及びねじり強度を向上させることができる。
【０１２６】
（第２０実施形態）
次に、本発明の第２０実施形態にかかる小型メモリカードでは、メモリ用基板２１Ｅと上ケース３０との間、メモリ用基板２１Ｅ，２１Ｅ間、メモリ用基板２１Ｅとベース基板１０との間、メモリ用基板２１Ｅと上ケース３０との間、又は、ベース基板１０と上ケース３０との間などに、絶縁性の補強樹脂、例えば熱硬化性エポキシ樹脂、を配置することにより、小型メモリカードの補強を行うことができ、特に、小型メモリカードの機械的強度、曲げ、及びねじり強度を向上させることができるものである。なお、この第２０実施形態において、絶縁性の補強樹脂をメモリチップ１５の側部に配置する場合には、メモリチップ１５とメモリ用基板２１との間に電気的接合部分の隙間内にも注入して、電気的接合部分の封止を行うことにより、電気的接合部分の保護を行うようにするのが好ましい。よって、絶縁性の補強樹脂は封止樹脂としての機能をも補強機能に併せて有するものが好ましい。
【０１２７】
なお、この第２０実施形態は、ベース基板１０の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に、メモリ用基板２１Ｅが１層配置されている場合、メモリ用基板２１Ｅが２層配置されている場合、メモリ用基板２１Ｅが３層以上配置されている場合などに適用できるものである。
【０１２８】
具体的には、ベース基板１０の表面にメモリ用基板２１Ｅが１層配置されている場合において、絶縁性の補強樹脂を塗布する塗布装置の一例としての塗布ノズル５０により、ベース基板１０の表面の一端部のチップコンデンサ１８及びチップ抵抗１９が実装された部分に、絶縁性の補強樹脂を図４０に示すように塗布して、図４１に示すように、絶縁性の補強部４４の一例としての一端部補強部４４ａを形成する。また、メモリ用基板２１Ｅのメモリチップ１５と上記一端部補強部４４ａとの間、及び、メモリ用基板２１Ｅの隣接するメモリチップ１５，１５間に絶縁性の補強樹脂を塗布などにより供給して、図４１に示すように、最上層補強部４４ｃ，４４ｃを形成する。上記最上層補強部４４ｃ，４４ｃは、メモリ用基板２１Ｅのメモリチップ１５の厚み以下の厚さに塗布などしたのち、熱硬化時に、図４２に示すように、メモリチップ１５の厚みより大きくなり、上記一端部補強部４４ａの上面と大略同じ高さまで厚くなるようにしてもよい。又は、上記最上層補強部４４ｃ，４４ｃは、熱硬化前に、メモリ用基板２１Ｅのメモリチップ１５の厚み以上に塗布などして形成してもよい。これにより、メモリチップ１５の保護機能を増すことができる。
【０１２９】
このように構成すれば、上記一端部補強部４４ａがベース基板１０の表面の一端部のチップコンデンサ１８及びチップ抵抗１９が実装された部分に配置されているので、特に、小型メモリカードのカード電極１６側の部分の機械的強度、曲げ、及びねじり強度を向上させることができる。また、最上層補強部４４ｃ，４４ｃがメモリ用基板２１Ｅのメモリチップ１５，１５の隙間などに配置されているので、特に、メモリ用基板２１Ｅの機械的強度、曲げ、及びねじり強度を向上させることができる。また、最上層補強部４４ｃ，４４ｃの厚みが、メモリ用基板２１Ｅの表面側のメモリチップ１５，１５の厚みより大きいため、上ケース３０Ａ側からメモリチップ１５，１５に対して外力が作用しても、最上層補強部４４ｃ，４４ｃで上ケース３０Ａの内面を支えることにより、メモリチップ１５，１５に対して外力が作用しにくくなり、メモリチップ１５，１５の保護機能を奏することができる。
【０１３０】
また、上記第２０実施形態の第１変形例として、図４３及び図４４に示すように、メモリ用基板２１Ｅの各メモリチップ１５の両側に、絶縁性の補強樹脂を塗布などにより供給して、最上層補強部４４ｃ，４４ｃを形成するようにしてもよい。具体的には、一端部側のメモリ用基板２１Ｅのメモリチップ１５と上記一端部補強部４４ａとの間、及び、メモリ用基板２１Ｅの隣接するメモリチップ１５，１５間、及び、上記一端部補強部４４ａとは反対側の他端部側のメモリ用基板２１Ｅとメモリ用基板２１Ｅの他端部の電極４１，…，４１との間に、絶縁性の補強樹脂を塗布などによりそれぞれ供給して、最上層補強部４４ｃ，４４ｃ，４４ｃを形成するようにしてもよい。さらに、メモリ用基板２１Ｅとベース基板１０との間にも、絶縁性の補強樹脂を塗布などにより供給して、層状のメモリ用基板補強部４４ｄを形成するようにしてもよい。このメモリ用基板補強部４４ｄは、メモリ用基板２１Ｅの電極４１，…，４１とベース基板１０の電極１０ｘ，…，１０ｘとを接続する半田部１１ｘ，…，１１ｘの周囲までも覆うように配置して、電極接合部分の保護も行えるようにしている。よって、一端部補強部４４ａと、メモリ用基板補強部４４ｄと、最上層補強部４４ｃとにより、上記補強部４４を構成するようにしている。なお、メモリ用基板補強部４４ｄの厚みは、半田部１１ｘの厚みと大略同等、言い替えれば、メモリ用基板２１Ｅとベース基板１０との隙間と大略同等とする。なお、３０Ａは小型メモリカードの上ケース、３１Ａは小型メモリカードの下ケースである。
【０１３１】
このように構成すれば、メモリ用基板２１Ｅとベース基板１０との間にメモリ用基板補強部４４ｄが配置されているので、メモリ用基板２１Ｅとベース基板１０とが一体化され、小型メモリカード全体としての機械的強度、曲げ、及びねじり強度をより向上させることができる。もちろん、この例でも、上記一端部補強部４４ａ及び各最上層補強部４４ｃによる補強効果を奏することができる。
【０１３２】
また、上記第２０実施形態の第２変形例として、図４５に示すように、図４４の小型メモリカードの簡略型であって、一端部補強部４４ａを省略するとともに、層状のメモリ用基板補強部４４ｄをその短辺側の電極４１，…，４１を露出させるように短くした層状の第２メモリ用基板補強部４４ｅとして、この第２メモリ用基板補強部４４ｅと最上層補強部４４ｃとにより、上記補強部４４を構成するようにしてもよい。なお、層状の第２メモリ用基板補強部４４ｅの厚みは、半田部１１ｘの厚みと大略同等、言い替えれば、メモリ用基板２１Ｅとベース基板１０との隙間と大略同等とする。
【０１３３】
このように構成すれば、メモリ用基板２１Ｅの各メモリチップ１５の両側に配置された３つの最上層補強部４４ｃ，４４ｃ，４４ｃと、第２メモリ用基板補強部４４ｅとが配置されているので、メモリ用基板２１Ｅとベース基板１０とが大略一体化され、小型メモリカード全体としての機械的強度、曲げ、及びねじり強度をより向上させることができる。
【０１３４】
また、上記第２０実施形態の第３変形例として、図４６に示すように、図４４の小型メモリカードのさらに簡略された形式であって、一端部補強部４４ａ及び第２メモリ用基板補強部４４ｅを省略して、３つの最上層補強部４４ｃのみにより、上記補強部４４を構成するようにしてもよい。
【０１３５】
このように構成すれば、メモリ用基板２１Ｅの表面側の各メモリチップ１５の両側に最上層補強部４４ｃが配置されているので、メモリ用基板２１Ｅの表面側の各メモリチップ１５を保護及び補強することができて、小型メモリカードの機械的強度、曲げ、及びねじり強度をより向上させることができる。
【０１３６】
また、上記第２０実施形態の第４変形例として、図４７に示すように、図４６の小型メモリカードに対して一端部補強部４４ａを加えて、一端部補強部４４ａと３つの最上層補強部４４ｃ，…，４４ｃとにより、上記補強部４４を構成するようにしてもよい。
【０１３７】
このように構成すれば、３つの最上層補強部４４ｃ，…，４４ｃに加えて一端部補強部４４ａが配置されているので、メモリ用基板２１Ｅの表面側の各メモリチップ１５を保護及び補強することができる上に、小型メモリカードのカード電極１６側の部分の機械的強度、曲げ、及びねじり強度を向上させることができる。
【０１３８】
また、上記第２０実施形態の第５変形例として、図４８に示すように、図４５の小型メモリカードにおいて層状のメモリ用基板補強部４４ｄの代わりに、棒状のメモリ用基板補強部４４ｆとして、最上層補強部４４ｃと棒状のメモリ用基板補強部４４ｆとにより、上記補強部４４を構成するようにしてもよい。なお、棒状のメモリ用基板補強部４４ｆの厚みは、半田部１１ｘの厚みと大略同等、言い替えれば、メモリ用基板２１Ｅとベース基板１０との隙間と大略同等とする。
【０１３９】
このように構成すれば、メモリ用基板２１Ｅを挟んで各最上層補強部４４ｃの下方にすなわちベース基板側に、棒状のメモリ用基板補強部４４ｆが配置されているので、メモリ用基板２１の保護及び補強がより安定して確実に行うことができ、小型メモリカード全体としての機械的強度、曲げ、及びねじり強度をより向上させることができる。
【０１４０】
また、上記第２０実施形態の第６変形例として、図４９に示すように、図４６の簡略型で、３つの最上層補強部４４ｃ，…，４４ｃを繋げて１つの層状の最上層補強部４４ｇとして、この層状の最上層補強部４４ｇにより上記補強部４４を構成するようにしてもよい。なお、上記層状の最上層補強部４４ｇの厚みはメモリ用基板２１Ｅの表面側のメモリチップ１５の厚み以上とすることにより、各メモリチップ１５を確実に保護及び補強できるようにするのが好ましい。
【０１４１】
このように構成すれば、メモリ用基板２１Ｅの表面側の２つのメモリチップ１５，１５を覆うように１つの層状の最上層補強部４４ｇが配置されているので、メモリ用基板２１Ｅの表面側の２つのメモリチップ１５，１５の保護及び補強をより安定として確実に行うことができて、小型メモリカード全体としての機械的強度、曲げ、及びねじり強度をより向上させることができる。なお、この変形例において、一端部補強部４４ａをさらに加えて配置するようにしてもよい。
【０１４２】
また、以下の上記第２０実施形態の変形例では、ベース基板１０の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に、メモリ用基板２１Ｅが２層配置されている場合について説明する。
【０１４３】
まず、上記第２０実施形態の第７変形例として、図５０に示すように、最上層のメモリ用基板２１Ｅの表面に配置される３つの最上層補強部４４ｃ，…，４４ｃと、最上層のメモリ用基板２１Ｅとその下層のメモリ用基板２１Ｅとの間に配置されかつ層状のメモリ用基板補強部４４ｄと同様な層状の第３メモリ用基板補強部４４ｉと、下層のメモリ用基板２１Ｅとベース基板１０との間に配置される層状のメモリ用基板補強部４４ｄとにより、上記補強部４４を構成するようにしてもよい。なお、層状の第３メモリ用基板補強部４４ｉの厚みは、半田部１１ｘの厚みと大略同等、言い替えれば、最上層のメモリ用基板２１Ｅとその下層のメモリ用基板２１Ｅとの隙間と大略同等とする。層状の第３メモリ用基板補強部４４ｉは、層状のメモリ用基板補強部４４ｄと同様に、２つのメモリ用基板２１Ｅ，２１Ｅの電極４１，…，４１間を接続する半田部１１ｘ，…，１１ｘの周囲までも覆うように配置して、電極接合部分の保護も行えるようにしている。
【０１４４】
このように構成すれば、３つの最上層補強部４４ｃ，…，４４ｃと、層状の第３メモリ用基板補強部４４ｉと、層状のメモリ用基板補強部４４ｄが配置されているので、２枚のメモリ用基板２１Ｅ，２１Ｅとベース基板１０とが一体化され、小型メモリカード全体としての機械的強度、曲げ、及びねじり強度をより向上させることができる。
【０１４５】
また、上記第２０実施形態の第８変形例として、図５１に示すように、図５０の小型メモリカードの層状のメモリ用基板補強部４４ｄをその短辺側の電極４１，…，４１を露出させるように短くした層状の第２メモリ用基板補強部４４ｅとし、同様に、層状の第３メモリ用基板補強部４４ｉをその短辺側の電極４１，…，４１を露出させるように短くした層状の第４メモリ用基板補強部４４ｊとするようにしてもよい。この結果、３つの最上層補強部４４ｃ，…，４４ｃと、層状の第２メモリ用基板補強部４４ｅと、層状の第４メモリ用基板補強部４４ｊとにより上記補強部４４を構成するようにしてもよい。
【０１４６】
このように構成すれば、３つの最上層補強部４４ｃ，…，４４ｃと、層状の第２メモリ用基板補強部４４ｅと、層状の第４メモリ用基板補強部４４ｊとが配置されているので、２枚のメモリ用基板２１Ｅ，２１Ｅとベース基板１０とが一体化され、小型メモリカード全体としての機械的強度、曲げ、及びねじり強度をより向上させることができる。
【０１４７】
また、上記第２０実施形態の第９変形例として、図５２に示すように、図４６と類似して、２層のメモリ用基板２１Ｅ，２１Ｅのうちの最上層のメモリ用基板２１Ｅにのみ、３つの最上層補強部４４ｃ，…，４４ｃを配置することにより、３つの最上層補強部４４ｃ，…，４４ｃにより上記補強部４４を構成するようにしてもよい。
【０１４８】
このように構成すれば、最上層のメモリ用基板２１Ｅの表面側の各メモリチップ１５の両側に最上層補強部４４ｃが配置されているので、最上層のメモリ用基板２１Ｅの表面側の各メモリチップ１５を保護及び補強することができて、小型メモリカードの機械的強度、曲げ、及びねじり強度をより向上させることができる。
【０１４９】
また、上記第２０実施形態の第１０変形例として、図５３に示すように、図４７と類似して、図５２の小型メモリカードに対して一端部補強部４４ａを加えて、一端部補強部４４ａと３つの最上層補強部４４ｃ，…，４４ｃとにより、上記補強部４４を構成するようにしてもよい。
【０１５０】
このように構成すれば、３つの最上層補強部４４ｃ，…，４４ｃに加えて一端部補強部４４ａが配置されているので、最上層のメモリ用基板２１Ｅの表面側の各メモリチップ１５を保護及び補強することができる上に、小型メモリカードのカード電極１６側の部分の機械的強度、曲げ、及びねじり強度を向上させることができる。
【０１５１】
また、上記第２０実施形態の第１１変形例として、図５４に示すように、図４８と類似して、図５１の小型メモリカードにおいて層状のメモリ用基板補強部４４ｅ，４４ｊの代わりに、それぞれ、棒状のメモリ用基板補強部４４ｆ，４４ｋとして、最上層補強部４４ｃと棒状のメモリ用基板補強部４４ｆ，４４ｋとにより、上記補強部４４を構成するようにしてもよい。なお、棒状のメモリ用基板補強部４４ｆの厚みは、半田部１１ｘの厚みと大略同等、言い替えれば、メモリ用基板２１Ｅとベース基板１０との隙間と大略同等とする。また、棒状のメモリ用基板補強部４４ｋの厚みは、半田部１１ｘの厚みと大略同等、言い替えれば、２層のメモリ用基板２１Ｅ，２１Ｅとの隙間と大略同等とする。
【０１５２】
このように構成すれば、２つのメモリ用基板２１Ｅ，２１Ｅを挟んで各最上層補強部４４ｃの下方にすなわちベース基板側に、棒状のメモリ用基板補強部４４ｆ，４４ｋが配置されているので、２つのメモリ用基板２１Ｅ，２１Ｅの保護及び補強がより安定して確実に行うことができ、小型メモリカード全体としての機械的強度、曲げ、及びねじり強度をより向上させることができる。
【０１５３】
また、上記第２０実施形態の第１２変形例として、図５５に示すように、図４９と類似して、図５２の簡略型で、３つの最上層補強部４４ｃ，…，４４ｃを繋げて１つの層状の最上層補強部４４ｇとして、この層状の最上層補強部４４ｇにより上記補強部４４を構成するようにしてもよい。なお、上記層状の最上層補強部４４ｇの厚みは最上層のメモリ用基板２１Ｅの表面側のメモリチップ１５の厚み以上とし、かつ、上ケース３０Ａの内面との間には隙間があって、上ケース３０Ａとは別体となるように配置することにより、各メモリチップ１５を確実に保護及び補強できるようにするのが好ましい。
【０１５４】
このように構成すれば、メモリ用基板２１Ｅの表面側の２つのメモリチップ１５，１５を覆うように１つの層状の最上層補強部４４ｇが配置されているので、最上層のメモリ用基板２１Ｅの表面側の２つのメモリチップ１５，１５の保護及び補強をより安定として確実に行うことができて、小型メモリカード全体としての機械的強度、曲げ、及びねじり強度をより向上させることができる。
【０１５５】
また、上記第２０実施形態の第１３変形例として、図５６に示すように、図５５の改良型で、３つの最上層補強部４４ｃ，…，４４ｃを繋げて形成した１つの層状の最上層補強部４４ｇを上ケース３０Ａの内面に接触させて、この層状の最上層補強部４４ｇにより上記補強部４４を構成するようにしてもよい。なお、上記層状の最上層補強部４４ｇの厚みは最上層のメモリ用基板２１Ｅの表面側のメモリチップ１５の厚み以上で、かつ、上ケース３０Ａの内面に接触するような寸法とすることにより、各メモリチップ１５を確実に保護及び補強できるようにするのが好ましい。
【０１５６】
このように構成すれば、メモリ用基板２１Ｅの表面側の２つのメモリチップ１５，１５を覆うように１つの層状の最上層補強部４４ｇが配置され、かつ、この層状の最上層補強部４４ｇが上ケース３０Ａの内面に接触しているので、層状の最上層補強部４４ｇにより、最上層のメモリ用基板２１Ｅが上ケース３０Ａと一体化されつつ、最上層のメモリ用基板２１Ｅの表面側の２つのメモリチップ１５，１５の保護及び補強をより安定として確実に行うことができて、小型メモリカード全体としての機械的強度、曲げ、及びねじり強度をより向上させることができる。
また、上記第２０実施形態の第１４変形例として、図５７に示すように、図５５の改良型で、３つの最上層補強部４４ｃ，…，４４ｃを繋げる１つの層状の最上層補強部４４ｇに対して、一端部補強部４４ａをさらに加えて、層状の最上層補強部４４ｇと一端部補強部４４ａとにより上記補強部４４を構成するようにしてもよい。
【０１５７】
このように構成すれば、メモリ用基板２１Ｅの表面側の２つのメモリチップ１５，１５を覆うように１つの層状の最上層補強部４４ｇが配置されている上に、一端部補強部４４ａが配置されているので、最上層のメモリ用基板２１Ｅの表面側の２つのメモリチップ１５，１５の保護及び補強をより安定として確実に行うことができ、かつ、小型メモリカードのカード電極１６側の部分の機械的強度、曲げ、及びねじり強度を向上させることができて、小型メモリカード全体としての機械的強度、曲げ、及びねじり強度をより向上させることができる。
【０１５８】
また、上記第２０実施形態の第１５変形例として、図５８に示すように、図５５１の改良型で、３つの最上層補強部４４ｃ，…，４４ｃと、層状の第３メモリ用基板補強部４４ｉと、層状のメモリ用基板補強部４４ｄとのほかに、一端部補強部４４ａをさらに加えて、上記補強部４４を構成するようにしてもよい。
【０１５９】
このように構成すれば、３つの最上層補強部４４ｃ，…，４４ｃと、層状の第３メモリ用基板補強部４４ｉと、層状のメモリ用基板補強部４４ｄと、一端部補強部４４ａとが配置されているので、２枚のメモリ用基板２１Ｅ，２１Ｅとベース基板１０とが一体化されて、小型メモリカード全体としての機械的強度、曲げ、及びねじり強度をより向上させることができる上に、小型メモリカードのカード電極１６側の部分の機械的強度、曲げ、及びねじり強度を向上させることができる。
【０１６０】
また、上記第２０実施形態の第１６変形例として、図５９及び図６０に示すように、図５８のさらに改良型であって、３つの最上層補強部４４ｃ，…，４４ｃと、層状の第３メモリ用基板補強部４４ｉと、層状のメモリ用基板補強部４４ｄと、一端部補強部４４ａとを一体的に絶縁性補強樹脂で形成して、上記補強部４４を構成するようにしてもよい。すなわち、図５９に平面図として示すように、ベース基板１０の対向する一対の短辺の内側の短辺沿いの部分（言い替えれば、ベース基板１０の一端側である小型メモリカードのカード電極１６側の部分、及び、ベース基板１０の他端側の部分）に大きな幅の幅広の補強部４４ｂ，４４ｂを形成するとともに、ベース基板１０の対向する一対の長辺の内側の長辺沿いの部分に細長の補強部４４ｎ，４４ｎを形成して、小型メモリカード全体としての機械的強度、曲げ、及びねじり強度をさらに一層向上させることができる。特に、対向する一対の短辺の内側の短辺沿いの部分は、電極４１，…，４１の近傍部分であり、電極４１，…，４１の近傍部分の補強部４４ｂ，４４ｂの幅を広くすることにより、電極４１，…，４１の近傍部分の補強をより確実に行えるようにしている。
【０１６１】
また、上記第２０実施形態の第１７変形例として、図６３及び図６４に示すように、図５０において最上層のメモリ用基板２１Ｅの表面に配置される３つの最上層補強部４４ｃ，…，４４ｃの代わりに、最上層補強部４４ｃ，…，４４ｃよりも厚く、かつ、各メモリチップ１５よりも厚い３つの最上層補強部４４ｔ，…，４４ｔを配置するようにしてもよい。すなわち、３つの最上層補強部４４ｔ，…，４４ｔと、層状の第３メモリ用基板補強部４４ｉと、層状のメモリ用基板補強部４４ｄとにより、上記補強部４４を構成するようにしてもよい。
【０１６２】
このように構成すれば、３つの最上層補強部４４ｔ，…，４４ｔと、層状の第３メモリ用基板補強部４４ｉと、層状のメモリ用基板補強部４４ｄが配置されているので、２枚のメモリ用基板２１Ｅ，２１Ｅとベース基板１０とが一体化され、小型メモリカード全体としての機械的強度、曲げ、及びねじり強度をより向上させることができる。また、３つの最上層補強部４４ｔ，…，４４ｔの厚みが、メモリ用基板２１Ｅの表面側のメモリチップ１５，１５の厚みより大きいため、上ケース３０Ａ側からメモリチップ１５，１５に対して外力が作用しても、最上層補強部４４ｔ，…，４４ｔで上ケース３０Ａの内面を支えることにより、メモリチップ１５，１５に対して外力が作用しにくくなり、メモリチップ１５，１５の保護機能を奏することができる。
【０１６３】
また、上記第２０実施形態の第１８変形例として、図６５に示すように、図５１において最上層のメモリ用基板２１Ｅの表面に配置される３つの最上層補強部４４ｃ，…，４４ｃの代わりに、最上層補強部４４ｃ，…，４４ｃよりも厚く、かつ、各メモリチップ１５よりも厚い３つの最上層補強部４４ｔ，…，４４ｔを配置するようにしてもよい。すなわち、３つの最上層補強部４４ｔ，…，４４ｔと、層状の第２メモリ用基板補強部４４ｅと、層状の第４メモリ用基板補強部４４ｊとにより上記補強部４４を構成するようにしてもよい。
【０１６４】
このように構成すれば、３つの最上層補強部４４ｔ，…，４４ｔと、層状の第２メモリ用基板補強部４４ｅと、層状の第４メモリ用基板補強部４４ｊとが配置されているので、２枚のメモリ用基板２１Ｅ，２１Ｅとベース基板１０とが一体化され、小型メモリカード全体としての機械的強度、曲げ、及びねじり強度をより向上させることができる。また、３つの最上層補強部４４ｔ，…，４４ｔの厚みが、メモリ用基板２１Ｅの表面側のメモリチップ１５，１５の厚みより大きいため、上ケース３０Ａ側からメモリチップ１５，１５に対して外力が作用しても、最上層補強部４４ｔ，…，４４ｔで上ケース３０Ａの内面を支えることにより、メモリチップ１５，１５に対して外力が作用しにくくなり、メモリチップ１５，１５の保護機能を奏することができる。
【０１６５】
また、上記第２０実施形態の第１９変形例として、図６６に示すように、図５２において最上層のメモリ用基板２１Ｅの表面に配置される３つの最上層補強部４４ｃ，…，４４ｃの代わりに、最上層補強部４４ｃ，…，４４ｃよりも厚く、かつ、各メモリチップ１５よりも厚い３つの最上層補強部４４ｔ，…，４４ｔを配置して、３つの最上層補強部４４ｔ，…，４４ｔにより上記補強部４４を構成するようにしてもよい。
【０１６６】
このように構成すれば、最上層のメモリ用基板２１Ｅの表面側の各メモリチップ１５の両側に最上層補強部４４ｔ，…，４４ｔが配置されているので、最上層のメモリ用基板２１Ｅの表面側の各メモリチップ１５を保護及び補強することができて、小型メモリカードの機械的強度、曲げ、及びねじり強度をより向上させることができる。すなわち、３つの最上層補強部４４ｔ，…，４４ｔの厚みが、メモリ用基板２１Ｅの表面側のメモリチップ１５，１５の厚みより大きいため、上ケース３０Ａ側からメモリチップ１５，１５に対して外力が作用しても、最上層補強部４４ｔ，…，４４ｔで上ケース３０Ａの内面を支えることにより、メモリチップ１５，１５に対して外力が作用しにくくなり、メモリチップ１５，１５の保護機能を奏することができる。
【０１６７】
また、上記第２０実施形態の第２０変形例として、図６７に示すように、図５４において最上層のメモリ用基板２１Ｅの表面に配置される３つの最上層補強部４４ｃ，…，４４ｃの代わりに、最上層補強部４４ｃ，…，４４ｃよりも厚く、かつ、各メモリチップ１５よりも厚い３つの最上層補強部４４ｔ，…，４４ｔと棒状のメモリ用基板補強部４４ｆ，４４ｋとにより、上記補強部４４を構成するようにしてもよい。
【０１６８】
このように構成すれば、２つのメモリ用基板２１Ｅ，２１Ｅを挟んで各最上層補強部４４ｃの下方にすなわちベース基板側に、棒状のメモリ用基板補強部４４ｆ，４４ｋが配置されているので、２つのメモリ用基板２１Ｅ，２１Ｅの保護及び補強がより安定して確実に行うことができ、小型メモリカード全体としての機械的強度、曲げ、及びねじり強度をより向上させることができる。また、３つの最上層補強部４４ｔ，…，４４ｔの厚みが、メモリ用基板２１Ｅの表面側のメモリチップ１５，１５の厚みより大きいため、上ケース３０Ａ側からメモリチップ１５，１５に対して外力が作用しても、最上層補強部４４ｔ，…，４４ｔで上ケース３０Ａの内面を支えることにより、メモリチップ１５，１５に対して外力が作用しにくくなり、メモリチップ１５，１５の保護機能を奏することができる。
【０１６９】
（第２１実施形態）
次に、本発明の第２１実施形態にかかる小型メモリカードでは、メモリ用基板２１の表裏両面に配置するメモリチップ１５，…，１５の位置を大略同一となるように、メモリチップ１５，…，１５をメモリ用基板２１の表裏両面に圧接固定する。
【０１７０】
これは、メモリ用基板２１の表裏の電極２１ｐ，…，２１ｐのレイアウトがずれている場合には、メモリ用基板２１の表裏面にメモリチップ１５，１５をそれぞれ圧接接合したときに荷重の不均一が発生して、例えば、図６８の表面側の右端の接合部分及び裏面側の左端部分に示すように、メモリ用基板２１の電極２１ｐとメモリチップ１５の電極１５ｐとの間に接合不良が発生する可能性がある。
【０１７１】
このような電極間の接合不良の発生を防止するため、図６９に示すように、メモリ用基板２１の表裏両面に配置する電極１５ｐ，…，１５ｐの位置言い換えればレイアウトを大略同一とし、かつ、電極形状を同一にする。より具体的には、メモリ用基板２１の電極２１ｐ，…，２１ｐの中心及びランド設計を同位置、同一形状とする。そして、図７０に示すように、メモリ用基板２１の表裏両面のいずれか一方の面にメモリチップ１５を圧接固定したのち、図７１に示すように、メモリ用基板２１の表裏両面のいずれか他方の面にメモリチップ１５を圧接固定することにより、圧接固定時のメモリ用基板２１の変形を均一にして無くし、接合不良を無くす。
【０１７２】
より具体的な実装工程としては、図７０に示すように、メモリ用基板２１の表裏両面のいずれか一方の面にメモリチップ１５を圧接固定する。次いで、図７２に示すように、メモリ用基板２１とメモリチップ１５との間に絶縁性封止樹脂２００を充填して、電極１５ｐと電極２１ｐとの電極接合部分を封止する。次いで、図７３に示すように、メモリ用基板載置ステージ４９上にメモリ用基板２１をその他方の面を上向きに載置したのち、メモリ用基板２１の周囲を枠形状又は棒形状の基板固定治具４８によりメモリ用基板載置ステージ４９に向けて押さえつけて、メモリ用基板２１の反りを矯正する。この状態で、図７４に示すように、加熱圧着ツール４７により、メモリ用基板２１の他方の面とメモリチップ１５との間に絶縁性熱硬化性樹脂シートを介在させつつメモリ用基板２１の他方の面にメモリチップ１５を加熱しつつ圧接固定して、メモリ用基板２１とメモリチップ１５との間に絶縁性封止樹脂２００を充填し、図７５に示すように電極１５ｐと電極２１ｐとの電極接合部分を封止する。
【０１７３】
また、別の実装工程としては、図７０に示すように、メモリ用基板２１の表裏両面のいずれか一方の面にメモリチップ１５を仮固定する。次いで、図７１に示すように、メモリ用基板２１の表裏両面のいずれか他方の面にメモリチップ１５を仮固定する。次いで、図７６に示すように、加熱圧着ツール４６上に、メモリチップ１５が固定されたメモリ用基板２１の他方の面が上向きとなるように載置したのち、加熱圧着ツール４６と加熱圧着ツール４７とが互いに近接する方向に同時駆動されることにより、メモリ用基板２１の両方面にメモリチップ１５，１５をそれぞれ同時的に圧接固定する。次いで、メモリ用基板２１の一方の面とメモリチップ１５との間に絶縁性封止樹脂２００を充填して、電極１５ｐと電極２１ｐとの電極接合部分を封止するとともに、メモリ用基板２１の他方の面とメモリチップ１５との間に絶縁性封止樹脂２００を充填して、電極１５ｐと電極２１ｐとの電極接合部分を封止する。
【０１７４】
このような構成にすれば、メモリ用基板２１の表裏両面に配置するメモリチップ１５，…，１５の位置を表裏両面で同一にすることにより、メモリチップ１５，…，１５をメモリ用基板２１に圧接した結果、メモリ用基板２１の表裏両面での線膨張係数が大略同一となり、メモリ用基板２１の表裏両面に生じる反りを相殺することができて、メモリ用基板２１の反りを大幅に軽減するか又は無くすことができる。
【０１７５】
（第２２実施形態）
本発明の第２２実施形態にかかる小型メモリカードでは、メモリ用基板２１の中央部とベース基板１０との間に接合部１１ｐを配置して、メモリ用基板２１の反り防止、曲げ強度の信頼性の向上を図るようにしたものである。
【０１７６】
すなわち、図７７に示すように、２枚のメモリチップ１５，１５が表裏両面にそれぞれ実装されたメモリ用基板２１をベース基板１０に実装したとき、メモリ用基板２１の電極４１，…，４１が、メモリ用基板２１の各短辺近傍に各短辺沿いに配置されているため、メモリ用基板２１はその長手方向両端部でのみベース基板１０に支持されることになり、中央部は何も支持されていない状態となっている。このため、メモリ用基板２１とベース基板１０との線膨張係数や厚みの差に基づいてメモリ用基板２１が反りやすくなる。この結果、例えば、メモリ用基板２１が上向きに反った状態で上ケース３０Ａと下ケース３１Ａとの間に収納されると、図７８に示すように、メモリ用基板２１の中央部が上ケース３０Ａの内面に当接して、上ケース３０Ａの中央部に割れが生じる可能性がある。
【０１７７】
これを防止するため、図７９及び図８０及び図８７に示すようにメモリ用基板２１の長手方向の中央部とベース基板１０との間に接合部１１ｐを配置して、メモリ用基板２１とベース基板１０との間の隙間を安定して一定に保持できるようにして、メモリ用基板２１の反り防止、曲げ強度の信頼性の向上を図るようにしている。接合部１１ｐとしては、メモリ用基板２１とベース基板１０との間の隙間を一定に保持できればよく、半田部１１ｘと大略同等の高さとし、導電性であっても、無くてもよい。接合部１１ｐの形状も、ボール状、棒状など任意の形状でよい。接合部１１ｐの個数も、メモリ用基板２１とベース基板１０との間の隙間を安定して一定に保持できればよく、１個又は２個以上でもよい。
【０１７８】
また、２層のメモリ用基板２１，２１をベース基板１０に実装する場合でも、図８１及び図８２に示すように、下側のメモリ用基板２１とベース基板１０との間に上記接合部１１ｐを配置するとともに、２層のメモリ用基板２１，２１間にも上記接合部１１ｐを配置することにより、メモリ用基板２１とベース基板１０との間の隙間を安定して一定に保持できる上に、メモリ用基板２１，２１との間の隙間も安定して一定に保持できるようにして、２層のメモリ用基板２１，２１の反り防止、曲げ強度の信頼性の向上を図ることができる。
【０１７９】
なお、上記実施形態では、メモリ用基板２１の長手方向の両端部に電極４１，…，４１が配置されているため、電極４１，…，４１が配置されていない中央部に接合部１１ｐを配置するようにしているが、これに限られるものではなく、図３３に示すようにメモリ用基板２１の長手方向の中央部に電極４１，…，４１が配置されている場合には、メモリ用基板２１の長手方向の両端部に接合部１１ｐをそれぞれ配置するようにしてもよい。また、図３２に示すようにメモリ用基板２１の長手方向の一端部にのみ電極４１，…，４１が配置されている場合には、メモリ用基板２１の長手方向の他端部又は他端部と中央部に接合部１１ｐをそれぞれ配置するようにしてもよい。また、接合部として、他の基板とは電気的に接続しないか、又は、接続しても小型メモリカードとして必要な回路を形成しない電極４１，…，４１を配置するようにしてもよい。
【０１８０】
（第２３実施形態）
本発明の第２３実施形態にかかる小型メモリカードでは、メモリ用基板２１の基板表裏両面間に形成された回路を接合するため、メモリ用基板２１に貫通孔２１ｑを形成し、その貫通孔２１ｑの内周面に導体層２１ｒを形成し、さらに上記導体層２１ｒを覆う合成樹脂製のレジスト２１ｓが配置されている。このレジスト２１ｓのメモリ用基板２１に対する突出量をメモリチップ接合用電極２１ｐの突出量と大略同一とするものである。
【０１８１】
すなわち、図８３に示すように、メモリ用基板２１のレジスト２１ｓの突出量が他の電極すなわちメモリチップ接合用電極２１ｐの突出量より大きくなっていることがある。このような場合、メモリチップ１５をメモリ用基板２１に圧接接合するときに、レジスト２１ｓとメモリチップ接合用電極２１ｐとの突出量の差によりメモリ用基板２１に作用する荷重が不均一なものとなり、例えば、図６８の表面側の右端の接合部分及び裏面側の左端部分に示すように、メモリ用基板２１の電極２１ｐとメモリチップ１５の電極１５ｐとの間に接合不良が発生する可能性がある。
【０１８２】
そこで、上記レジスト２１ｓを研磨などして、図８４に示すように、メモリチップ１５の電極１５ｐの突出量と大略同一高さの突出量を有するレジスト２１ｔとする。このようにすれば、メモリチップ１５の電極１５ｐの突出量とレジスト２１ｔの突出量とが大略同一高さとなり、メモリチップ１５をメモリ用基板２１に圧接接合するときに、メモリ用基板２１に作用する荷重が均一なものとなり、メモリ用基板２１の電極２１ｐとメモリチップ１５の電極１５ｐとの間に接合不良が発生するのを防止することができる。
【０１８３】
また、上記第２３実施形態の変形例として、図８５に示すように、メモリ用基板２１の貫通孔２１ｑの導体層２１ｒ内をメッキなどにより埋めて、導体層２１ｒの開口より突出しないメッキ部２１ｕを形成するようにしてもよい。このような構成でも、メッキ部２１ｕがメモリチップ１５の電極１５ｐの突出量よりも低いため、メモリチップ１５をメモリ用基板２１に圧接接合するときに、メモリ用基板２１に作用する荷重が均一なものとなり、メモリ用基板２１の電極２１ｐとメモリチップ１５の電極１５ｐとの間に接合不良が発生するのを防止することができる。
【０１８４】
（第２４実施形態）
本発明の第２４実施形態にかかる小型メモリカードでは、メモリ用基板２１に、基板間を電気的に接続する導体（上記導電性ワイヤ１１，５３など、導電性ボル７１など、半田部１１ｘなど）を配置せず、図９５及び図１００に示すように、電極４１，…，４１上に突起電極１１ｔ，…，１１ｔを一体的に形成して、上記導体の配置を不要とするものである。なお、突起電極１１ｔ，…，１１ｔは、製造工程において、メモリ用基板２１の電極４１，…，４１上に固定されるものとして説明するが、製造工程において、ベース基板１０の電極１０，…，１０上に固定されるようにしてもよい。
【０１８５】
各突起電極１１ｔの高さは、メモリチップ１５の厚み以上とし、メモリ用基板２１の電極４１，…，４１上にメッキにより上記突起電極１１ｔを一体的に形成することができる。
【０１８６】
この突起電極１１ｔ，…，１１ｔを利用した小型メモリカードの製造方法について以下に説明する。
【０１８７】
まず、この突起電極１１ｔ，…，１１ｔを利用した小型メモリカードの製造方法を説明する前に、比較のため、突起電極１１ｔ，…，１１ｔを利用しない小型メモリカードの製造方法を説明する。
【０１８８】
まず、図８８に示すように、ベース基板モジュール２１０のベース基板１０にクリーム半田を印刷供給する。すなわち、ベース基板１０の各貫通孔１０ａに対応する貫通孔すなわちクリーム半田挿入孔５４ａを有するステンシル５４を、ベース基板モジュール２１０のベース基板１０上に重ねて、ステンシル５４上をクリーム半田１２を移動させながらスキージ５５を移動させて、ステンシル５４の各クリーム半田挿入孔５４ａからベース基板１０の各貫通孔１０ａ内にクリーム半田１２を押し込むように挿入して、図８９に示すように電極１０ｘ上にクリーム半田１２を配置する。このとき、ベース基板１０ の各貫通孔１０ａにおいて、クリーム半田１２がベース基板１０からベース基板１０の厚み方向に若干はみ出るようにする。これは、後の工程で、導電性ボール（例えば半田ボール又は銅ボール）７１を各クリーム半田１２上にクリーム半田１２自体の粘着力により安定して保持できるようにするためである。なお、クリーム半田を印刷供給する代わりにディスペンサにより供給するようにしてもよい。
【０１８９】
これと同時的に又はこの後、メモリ用基板モジュールのメモリ用基板２１にも、上記と同様に、メモリ用基板２１の各貫通孔内にクリーム半田１２を押し込むように挿入して、図９０に示すように電極４１上にクリーム半田１２を配置する。なお、クリーム半田を印刷供給する代わりにディスペンサにより供給するようにしてもよい。
【０１９０】
次いで、図９１に示すように、メモリ用基板モジュールのメモリ用基板２１の各クリーム半田１２の電極上に導電性ボール７１を１個ずつ供給する。各導電性ボール７１は、クリーム半田１２に載せられるとき、クリーム半田１２内に若干入り込んだ状態として、クリーム半田１２自体の粘着力により位置保持されるようにする。
【０１９１】
次いで、図９２に示すように上下を反転させたのち、ベース基板１０の各クリーム半田１２とメモリ用基板２１の各導電性ボール７１とが対応するようにベース基板１０とメモリ用基板２１とを位置決めする。次いで、図９３に示すように、導電性ボール７１，…，７１を有するメモリ用基板２１をベース基板１０に重ね合わせて積層し、ある程度の圧力を作用させて、メモリ用基板２１の各導電性ボール７１の一部がベース基板１０のクリーム半田１２内に入り込むようにする。これにより、図９４に示すようにベース基板１０とメモリ用基板２１とが大略平行に位置決め保持される。なお、図９４では、各導電性ボール７１とメモリ用基板２１側の電極４１はクリーム半田１２内に埋め込まれた状態となっている。
【０１９２】
このようにして、突起電極１１ｔ，…，１１ｔを利用しない小型メモリカードが製造されるが、導電性ボール７１，…，７１の供給が手間であり、時間がかかり、かつ、電極４１，４１間のピッチがより狭いピッチ、例えば、０．３ｍｍ以下となると、基板接合時に半田１２同士が接触するといった短絡を発生させる可能性がある。これを確実に防止するためには、上記突起電極１１ｔ，…，１１ｔを使用するのが好ましい。以下、この突起電極１１ｔ，…，１１ｔを利用した小型メモリカードの製造方法を説明する。
【０１９３】
まず、図８８及び図８９と同様にベース基板１０側の各電極１０ｘに半田１２を配置する。
【０１９４】
次いで、図９６に示すように、メモリ用基板２１の各電極４１上にメッキなどにより突起電極１１ｔを形成する。その後、図９７に示すように、メモリチップ１５，…，１５をメモリ用基板２１に実装する。なお、２層のメモリ用基板２１をベース基板１０に実装する場合には、下側のメモリ用基板２１は、図９８に示すように、両面の各電極４１上にメッキなどにより突起電極１１ｔを形成する。
【０１９５】
次いで、図９９に示すように、メモリ用基板２１の各電極４１上の突起電極１１ｔとベース基板１０の各電極１０ｘとが対応するようにベース基板１０とメモリ用基板２１とを位置決めする。次いで、メモリ用基板２１をベース基板１０に重ね合わせて積層し、ある程度の圧力を作用させて、メモリ用基板２１の各突起電極１１ｔの一部がベース基板１０の各電極１０ｘ上のクリーム半田１２内に入り込むようにする。これにより、図１００に示すようにベース基板１０とメモリ用基板２１とが大略平行に位置決め保持される。
【０１９６】
このような構成によれば、導電性ボール７１，…，７１が不要となり、導電性ボール７１，…，７１を供給する手間及び時間がなくなり、かつ、電極４１，４１間のピッチがより狭いピッチ、例えば、０．３ｍｍ以下となっても、メモリ用基板２１の突起電極１１ｔベース基板１０の半田１２内に若干入り込むだけであるため、半田１２が大きく外側に流れ出すことがなく、基板接合時に半田１２同士が接触するといった短絡を防止することができる。
【０１９７】
（第２５実施形態）
本発明の第２５実施形態にかかる小型メモリカードでは、メモリ用基板２１の電極４１，…，４１とベース基板１０の電極１０ｘ，…，１０ｘとを電気的に接続する導体（上記導電性ワイヤ１１，５３など、導電性ボル７１など、半田部１１ｘなど）、及び／又は、複数のメモリ用基板２１，２１の電極４１，…，４１同士を電気的に接続する導体（上記導電性ワイヤ１１，５３など、導電性ボール７１など、半田部１１ｘなど）として、各電極毎に配置するのではなく、複数の電極間を一括して、しかも、それぞれ独立的に接続させることができる複数の導体部を備える１つのインターポーザ９０を配置するようにしたものである。
【０１９８】
すなわち、図１０１及び図１０２及び図１２１に示すように、各インターポーザ９０は、絶縁性材料、例えばガラスエポキシ基板と同様な材料から構成したり又は絶縁性の合成樹脂シートから構成される直方体形状の絶縁部９１の表裏両面に、それぞれ、電極間隔毎に独立して円板状の導体部９２，…，９２を配置している。また、各導体部９２には、導体部９２に接触し、かつ、導体部９２より小径の円柱状の接続部９３を絶縁部９１を貫通して配置して、絶縁部９１の表裏両面に配置された各導体部９２同士を１つの接続部９３によりそれぞれ独立して電気的に、上記ベース基板１０のメモリ用基板実装面に交差する方向（例えば直交する方向）に、接続するようにしている。
【０１９９】
よって、ベース基板１０の電極１０ｘ，…，１０ｘとメモリ用基板２１の電極４１，…，４１との間にクリーム半田１２を介してインターポーザ９０を挟み込んでクリーム半田１２，…，１２により固定すれば、図１０１のベース基板１０から見て、ベース基板１０の各電極１０ｘは、クリーム半田１２、インターポーザ９０の表面側の円板状の導体部９２、円柱状の接続部９３、インターポーザ９０の裏面側の円板状の導体部９２、クリーム半田１２、メモリ用基板２１の各電極４１の順に電気的に接続されることになる。
【０２００】
また、複数のメモリ用基板２１，２１の電極４１，…，４１同士間にクリーム半田１２，…，１２を介してインターポーザ９０を挟み込んでクリーム半田１２により固定すれば、図１０１の上側（ベース基板側）のメモリ用基板２１から見て、上側のメモリ用基板２１の各電極４１は、クリーム半田１２、インターポーザ９０の表面側の円板状の導体部９２、円柱状の接続部９３、インターポーザ９０の裏面側の円板状の導体部９２、クリーム半田１２、下側のメモリ用基板２１の各電極４１の順に電気的に接続されることになる。
【０２０１】
次に、インターポーザ９０を利用する実装方法について説明する。
【０２０２】
まず、図１０３に示すように、ベース基板モジュール２１０のベース基板１０にクリーム半田を印刷供給する。すなわち、ベース基板１０の各貫通孔１０ａに対応する貫通孔すなわちクリーム半田挿入孔５４ａを有するステンシル５４を、ベース基板モジュール２１０のベース基板１０上に重ねて、ステンシル５４上をクリーム半田１２を移動させながらスキージ５５を移動させて、ステンシル５４の各クリーム半田挿入孔５４ａからベース基板１０の各貫通孔１０ａ内にクリーム半田１２を押し込むように挿入して、図１０４に示すように電極１０ｘ上にクリーム半田１２を配置する。このとき、ベース基板１０ の各貫通孔１０ａにおいて、クリーム半田１２がベース基板１０からベース基板１０の厚み方向に若干はみ出るようにする。これは、後の工程で、インターポーザ９０を各クリーム半田１２上にクリーム半田１２自体の粘着力により安定して保持できるようにするためである。なお、クリーム半田を印刷供給する代わりにディスペンサにより供給するようにしてもよい。
【０２０３】
これと同時的に又はこの後、メモリ用基板モジュールのメモリ用基板２１にも、上記と同様に、メモリ用基板２１の各貫通孔内にクリーム半田１２を押し込むように挿入して、図１０５に示すように電極４１上にクリーム半田１２を配置する。なお、クリーム半田を印刷供給する代わりにディスペンサにより供給するようにしてもよい。
【０２０４】
次いで、図１０６に示すように、メモリ用基板モジュールのメモリ用基板２１の各クリーム半田１２，…，１２の各列毎に１本のインターポーザ９０を配置する。このとき、各インターポーザ９０の各円板状の導体部９２は、各クリーム半田１２に載せられるようにする。
【０２０５】
次いで、図１０７に示すように上下を反転させたのち、ベース基板１０の各クリーム半田１２とメモリ用基板２１上の各インターポーザ９０の各円板状の導体部９２とが対応するようにベース基板１０とメモリ用基板２１とを位置決めする。次いで、図１０８及び図１０９に示すように、インターポーザ９０，…，９０を有するメモリ用基板２１をベース基板１０に重ね合わせて積層し、ある程度の圧力を作用させて、メモリ用基板２１の各インターポーザ９０の各円板状の導体部９２の一部がベース基板１０の各クリーム半田１２に接触するようにする。これにより、図１０９に示すようにベース基板１０とメモリ用基板２１とが大略平行に位置決め保持される。
【０２０６】
なお、図１０９の接合状態において、図１１０に示すように、メモリ用基板２１の電極４１の厚さと、メモリ用基板２１の電極４１上のクリーム半田１２の厚さと、インターポーザ９０の厚さと、ベース基板１０の電極１０ｘ上のクリーム半田１２の厚さと、ベース基板１０の電極１０ｘの厚さとの合計は、メモリ用基板２１とベース基板１０との間に配置されるメモリチップ１５の厚さと、メモリチップ１５の電極（例えば電極上に突出形成されたバンプ）の厚さと、メモリ用基板２１の電極２１ｐの厚さとの合計と同等以上とすることにより、圧接時にメモリチップ１５に過負荷が作用しないようにしている。一例としては、インターポーザ９０の厚みはメモリチップ１５の厚み以上とする。
【０２０７】
このような構成によれば、導電性ボール７１，…，７１を個別に供給する手間及び時間が不要となり、複数の電極４１，…，４１又は１０ｘ，…，１０ｘ上のクリーム半田１２，…，１２に対して１つのインターポーザ９０を配置するだけでよく、実装手間及び時間を大幅に削減することができる。また、電極４１，４１間のピッチがより狭いピッチ、例えば、０．３ｍｍ以下となっても、インターポーザ９０の隣接導体部９２，９２間の間隔を電極４１，４１間のピッチに対応して小さくすればよく、半田１２が大きく外側に流れ出すことがなく、基板接合時に半田１２同士が接触するといった短絡を防止することができる。
【０２０８】
次に、本発明の第２５実施形態の変形例にかかる小型メモリカードを図１１１及び図１１２及び図１２１などに示す。
【０２０９】
この変形例にかかるインターポーザ９５は、貫通孔を有することにより、上記インターポーザ９０の構造を簡略化したものである。すなわち、各インターポーザ９５は、絶縁性材料、例えばガラスエポキシ基板と同様な材料から構成される直方体形状の絶縁部９６に、電極間隔毎に絶縁部９６の表裏両面を貫通する貫通孔９６ａ，…，９６ａを形成している。各貫通孔９６ａの表裏両面側の開口部周縁と貫通孔内周面にはメッキ層などの導体層９７を形成して、図１１９及び図１２０に示すように、各貫通孔９６ａの表面側の円環状の導体部９７ａと、各貫通孔９６ａの裏面側の円環状の導体部９７ｃとを、貫通孔内周面の円筒状導体部９７ｂでそれぞれ独立して電気的に、上記ベース基板１０のメモリ用基板実装面に交差する方向（例えば直交する方向）に、接続するようにしている。
【０２１０】
よって、ベース基板１０の電極１０ｘ，…，１０ｘとメモリ用基板２１の電極４１，…，４１との間にクリーム半田１２を介してインターポーザ９５を挟み込んでクリーム半田１２，…，１２により固定すれば、図１１１のベース基板１０から見て、ベース基板１０の各電極１０ｘは、クリーム半田１２、インターポーザ９５の表面側の円環状の導体部９７ａ、円筒状導体部９７ｂ、インターポーザ９５の裏面側の円環状の導体部９７ｃ、クリーム半田１２、メモリ用基板２１の各電極４１の順に電気的に接続されることになる。
【０２１１】
また、複数のメモリ用基板２１，２１の電極４１，…，４１同士間にクリーム半田１２，…，１２を介してインターポーザ９０を挟み込んでクリーム半田１２により固定すれば、図１０１の上側（ベース基板側）のメモリ用基板２１から見て、上側のメモリ用基板２１の各電極４１は、クリーム半田１２、インターポーザ９５の表面側の円環状の導体部９７ａ、円筒状導体部９７ｂ、インターポーザ９５の裏面側の円環状の導体部９７ｃ、クリーム半田１２、下側のメモリ用基板２１の各電極４１の順に電気的に接続されることになる。
【０２１２】
次に、インターポーザ９５を利用する実装方法について説明する。
【０２１３】
まず、図１０３に示すように、ベース基板モジュール２１０のベース基板１０にクリーム半田を印刷供給する。すなわち、ベース基板１０の各貫通孔１０ａに対応する貫通孔すなわちクリーム半田挿入孔５４ａを有するステンシル５４を、ベース基板モジュール２１０のベース基板１０上に重ねて、ステンシル５４上をクリーム半田１２を移動させながらスキージ５５を移動させて、ステンシル５４の各クリーム半田挿入孔５４ａからベース基板１０の各貫通孔１０ａ内にクリーム半田１２を押し込むように挿入して、図１０４に示すように電極１０ｘ上にクリーム半田１２を配置する。このとき、ベース基板１０ の各貫通孔１０ａにおいて、クリーム半田１２がベース基板１０からベース基板１０の厚み方向に若干はみ出るようにする。これは、後の工程で、インターポーザ９５を各クリーム半田１２上にクリーム半田１２自体の粘着力により安定して保持できるようにするためである。なお、クリーム半田を印刷供給する代わりにディスペンサにより供給するようにしてもよい。
【０２１４】
これと同時的に又はこの後、メモリ用基板モジュールのメモリ用基板２１にも、上記と同様に、メモリ用基板２１の各貫通孔内にクリーム半田１２を押し込むように挿入して、図１１３に示すように電極４１上にクリーム半田１２を配置する。なお、クリーム半田を印刷供給する代わりにディスペンサにより供給するようにしてもよい。
【０２１５】
次いで、図１１４、図１１９、及び図１２０に示すように、メモリ用基板モジュールのメモリ用基板２１の各クリーム半田１２，…，１２の各列毎に１本のインターポーザ９５を配置する。このとき、各インターポーザ９５の各円環状の導体部９７ｃは、各クリーム半田１２に載せられるようにする。
【０２１６】
次いで、図１１５に示すように上下を反転させたのち、ベース基板１０の各クリーム半田１２とメモリ用基板２１上の各インターポーザ９０の各円環状の導体部９７ａとが対応するようにベース基板１０とメモリ用基板２１とを位置決めする。次いで、図１１６及び図１０９に示すように、インターポーザ９５，…，９５を有するメモリ用基板２１をベース基板１０に重ね合わせて積層し、ある程度の圧力を作用させて、メモリ用基板２１の各インターポーザ９５の各円環状の導体部９７ａの一部がベース基板１０の各クリーム半田１２に接触するようにする。これにより、図１１７に示すようにベース基板１０とメモリ用基板２１とが大略平行に位置決め保持される。
【０２１７】
なお、図１１７の接合状態において、図１１８に示すように、メモリ用基板２１の電極４１の厚さと、メモリ用基板２１の電極４１上のクリーム半田１２の厚さと、インターポーザ表裏面よりそれぞれ微小に突出している各円環状の導体部９７ａと導体部９７ｃの厚さを含むインターポーザ９５の厚さと、ベース基板１０の電極１０ｘ上のクリーム半田１２の厚さと、ベース基板１０の電極１０ｘの厚さとの合計は、メモリ用基板２１とベース基板１０との間に配置されるメモリチップ１５の厚さと、メモリチップ１５の電極（例えば電極上に突出形成されたバンプ）の厚さと、メモリ用基板２１の電極２１ｐの厚さとの合計と同等以上とすることにより、圧接時にメモリチップ１５に過負荷が作用しないようにしている。一例としては、インターポーザ９５の厚みはメモリチップ１５の厚み以上とする。
【０２１８】
このような構成によれば、導電性ボール７１，…，７１を個別に供給する手間及び時間が不要となり、複数の電極４１，…，４１又は１０ｘ，…，１０ｘ上のクリーム半田１２，…，１２に対して１つのインターポーザ９５を配置するだけでよく、実装手間及び時間を大幅に削減することができる。また、電極４１，４１間のピッチがより狭いピッチ、例えば、０．３ｍｍ以下となっても、インターポーザ９５の隣接貫通孔９６ａ、具体的には隣接する円環状の導体部９７ａ，９７ａ又は９７ｃ，９７ｃ間の間隔を電極４１，４１間のピッチに対応して小さくすればよく、半田１２が大きく外側に流れ出すことがなく、基板接合時に半田１２同士が接触するといった短絡を防止することができる。また、図１２０に示すように、メモリ用基板２１の各インターポーザ９５の各円環状の導体部９７ａの一部がベース基板１０の各クリーム半田１２に接触させるとき、導体層９７内にクリーム半田１２が入り込むことにより、メモリ用基板２１の電極４１の隣接する電極側にクリーム半田１２が広がりにくくなり、短絡を確実に防止することができる。
【０２１９】
さらに、上記第２５実施形態の別の変形例にかかる小型メモリカードでは、第２２実施形態と類似して、メモリ用基板２１の電極接合部分の無い部分に接合部と同様な機能を有するダミー基板９９を配置するようにしてもよい。
【０２２０】
すなわち、図１２２に示すように、２枚のメモリチップ１５，１５が表裏両面にそれぞれ実装されたメモリ用基板２１をベース基板１０に実装したとき、メモリ用基板２１の電極４１，…，４１が、メモリ用基板２１の各短辺近傍に各短辺沿いに配置されているため、インターポーザ９０，９０又は９５，９５を介して、メモリ用基板２１はその長手方向両端部でのみベース基板１０に支持されることになり、中央部は何も支持されていない状態となっている。このため、メモリ用基板２１とベース基板１０との線膨張係数や厚みの差に基づいてメモリ用基板２１が反りやすくなる。この結果、例えば、メモリ用基板２１が上向きに反った状態で上ケース３０Ａと下ケース３１Ａとの間に収納されると、図７８に示すように、メモリ用基板２１の中央部が上ケース３０Ａの内面に当接して、上ケース３０Ａの中央部に割れが生じる可能性がある。
【０２２１】
これを防止するため、図１２２に示すように、メモリ用基板２１の長手方向の中央部とベース基板１０との間にダミー基板９９を配置して、メモリ用基板２１とベース基板１０との間の隙間を安定して一定に保持できるようにして、メモリ用基板２１の反り防止、曲げ強度の信頼性の向上を図るようにしている。
【０２２２】
ダミー基板９９は、インターポーザ９０又は９５と同じ構造より構成してもよいが、導体層９７、又は、導体部９２及び接続部９３を備えずに、絶縁部９１又は９６のみから構成してもよい。ダミー基板９９としては、メモリ用基板２１とベース基板１０との間の隙間を一定に保持できればよく、インターポーザ９０又は９５と同じ厚さを有するようにするのが好ましい。
【０２２３】
図１２３に示すように、メモリ用基板２１の長辺の中央部に２列の導体層９７、又は、導体部９２及び接続部９３を有するインターポーザ９０又は９５が配置されている場合には、上記ダミー基板９９は、図１２３に示すように、メモリ用基板２１の長辺の両端部に配置するのが好ましい。
【０２２４】
また、上記ダミー基板９９は、上記した棒状又は板状部材に限られるものではなく、図１２５に斜線部で示すように四角枠状のダミー部材９９Ａとしてもよい。
【０２２５】
また、上記ダミー基板９９は、図１２６に斜線部で示すように、図１２５のダミー部材９９Ａの四角枠状の中央部に棒状支持部をさらに加えたダミー部材９９Ｂとしてもよい。
【０２２６】
また、図１２４において、メモリ用基板２１の長辺の両端部のダミー基板９９，９９の代わりに、図１２７及び図１２８に示すように、インターポーザ９０又は９５が配置されるようにしてもよい。すなわち、メモリ用基板２１の長辺の中央部に２列の導体層９７、又は、導体部９２及び接続部９３を有するインターポーザ９０又は９５が配置されるとともに、メモリ用基板２１の長辺の両端部にもインターポーザ９０又は９５が配置されるようにして、全てのインターポーザ９０又は９５の導体部分を使用して、各メモリチップ１５とＩＣチップ６０とのデータの読み書きを並列処理で行なうことにより、読み書き速度を高速化させることができる。
【０２２７】
また、図１２９に示すように、メモリ用基板２１の対向する一対の短辺端部の中央部を大略結ぶように長手方向沿いに延びるように、インターポーザ９０，９５を配置するようにしてもよい。このように配置すれば、インターポーザ９０，９５により、曲げテスト時の図３０に示すように、メモリ用基板２１が撓むのを効果的に減少させることができて、メモリ用基板２１の機械的強度、曲げ強度、及びねじり強度を向上させることができる。
【０２２８】
また、メモリ用基板２１を複数層ベース基板１０に実装するときも、図１２９のメモリ用基板２１を積層すれば、インターポーザ９０，９５により、曲げテスト時の図３０に示すように、複数層のメモリ用基板２１，２１が撓むのをそれぞれ効果的に減少させることができて、複数層のメモリ用基板２１，２１の機械的強度、曲げ強度、及びねじり強度を向上させることができて、小型メモリカード全体としての機械的強度、曲げ強度、及びねじり強度を向上させることができる。
【０２２９】
さらに、図１３０に示すように、メモリ用基板２１の対向する一対の短辺近傍に短辺沿いにインターポーザ９０，９５をそれぞれ配置するとともに、長手方向の中央部に短辺沿いにインターポーザ９０，９５を配置したメモリ用基板２１を用意する。また、図１３１に示すように、メモリ用基板２１の対向する一対の短辺近傍に短辺沿いにインターポーザ９０，９５をそれぞれ配置するとともに、短辺の中央部を大略結ぶように長手方向沿いに延びるインターポーザ９０，９５を配置するメモリ用基板２１を用意する。この２種類のメモリ用基板２１をベース基板１０に積層するようにすれば、メモリ用基板２１の中央部に長手方向沿い及び短辺沿いにそれぞれ支持体を配置することになり、インターポーザ９０，９５により、曲げテスト時の図３０に示すように、メモリ用基板２１が撓むのをそれぞれ効果的に減少させることができて、小型メモリカード全体としての機械的強度、曲げ強度、及びねじり強度を向上させることができる。
【０２３０】
なお、この第２５実施形態及びその変形例にかかるインターポーザ９０，９５など及びダミー基板９９などは、第２５実施形態及びその変形例に記載及び図示された例に限られるものではなにく、本明細書に記載又は図示された他の実施形態やその変形例にも適宜適用できるものである。また、必要に応じて、他の実施形態やその変形例に記載された技術、例えば、導電性ボールや導電性ワイヤなどと適宜組み合わせて使用することも可能である。
【０２３１】
上記各実施形態において、ベース基板１０の各貫通孔１０ａ、第１メモリ用基板２１の各貫通孔２１ａ、及び、第２メモリ用基板２２の各貫通孔２２ａの配置は、各基板の長手方向沿いの長辺の近傍沿い、各基板の長手方向と直交する幅方向沿いの短辺の近傍沿い、又は、長辺及び短辺の近傍沿いの矩形状など任意に配置することができる。
【０２３２】
また、上記各実施形態において、ベース基板１０の各貫通孔１０ａ、第１メモリ用基板２１の各貫通孔２１ａ、及び、第２メモリ用基板２２の各貫通孔２２ａに対して半田を供給する方法は、ディスペンサ又は印刷のいずれでも良いとともに、その他の方法でもよい（図示せず）。
【０２３３】
また、上記各実施形態において、クリーム半田１２の代わりに、導電性接着剤を使用するようにしてもよい。この導電性接着剤にはフィラーを入れるようにしてもよい。通常、クリーム半田１２を溶融して硬化させるときには２５０℃まで加熱する必要があるが、導電性接着剤を使用する場合には１５０℃で十分な場合があり、このような場合には、加熱する温度が半田の場合より低くすることができ、各基板での反りを少なくすることができる。
【０２３４】
また、上記各実施形態において、導電性ワイヤと導電性ボールとを組み合わせて使用するようにしてもよい。また、これらに代えて、又は、これらのいずれか又は両方とともに、半田又は銅などの柱状の導電性部材を使用するようにしてもよい（図示せず）。
【０２３５】
また、上記各実施形態において、各基板の上下いずれかの面において複数のメモリチップ１５を実装するとき、複数のメモリチップ１５間に、基板間隔保持用又は補強用として、電極には接触しない部分に、絶縁性又は導電性ワイヤ、絶縁性又は導電性柱、絶縁性又は導電性ボールを配置するようにしてもよい（図示せず）。
【０２３６】
上記各実施形態において、導電性ワイヤ１１に代えて、導電性ボール７１や導体や上記直方体のチップ電子部品８０を使用することができる。
【０２３７】
また、上記実施形態において、フィルム基板を使用するとき、フィルム基板の材質としてはポリイミドなどが使用できるが、厚さ０．１ｍｍ程度の単層のガラスエポキシ樹脂製の基板とすることもできる。
【０２３８】
なお、上記様々な実施形態のうちの任意の実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。
【０２３９】
【発明の効果】
本発明によれば、メモリ用基板に複数のメモリチップが実装されて構成されるメモリモジュールをベース基板の一方の面に実装するようにしたので、ベース基板の上に、両面にメモリチップを実装可能なメモリ用基板を狭い間隔で小スペース内に配置することができ、ベース基板のいずれか一方の面にメモリチップを実装する場合と比較して、メモリチップの実装可能な面積は、メモリ用基板の表裏両面の２倍にメモリ容量を増加させることができる。
【０２４０】
さらに、導電性ボールを個別に供給する手間及び時間が不要となり、複数の電極に対して例えば１つのインターポーザを配置するだけでよく、実装手間及び時間を大幅に削減することができる。また、電極間のピッチがより狭いピッチ、例えば、０．３ｍｍ以下となっても、インターポーザの隣接導体部間の間隔を電極間のピッチに対応して小さくすればよく、例えば電極上に配置したクリーム半田が大きく外側に流れ出すことがなく、基板接合時にクリーム半田同士が接触するといった短絡を防止することができる。
【０２４１】
また、各基板間の電極を導電性ワイヤにより接続することにより、電極間での接続強度を向上させることができる。
【０２４２】
また、各メモリチップを各基板に対してアウターリード無しに直接実装すなわちフリップチップ実装するため、言いかえれば、各メモリチップの各電極と各基板の各電極とをバンプなどを介して直接的に接合するため、各メモリチップの外側にアウターリードを引き出して各基板に接合するスペースや手間を省くことができて、小スペース化、工程の短縮化を図ることができる。
【０２４３】
また、メモリ用基板の表裏両面に全く同一位置に同一サイズ及び厚みの複数個のメモリチップを実装することができるため、メモリ用基板に熱的又は機械的応力が作用したとき、例えば、封止樹脂の硬化収縮などにより基板が片側に反ることが防止できる。また、上記メモリ用基板には、上記複数のメモリチップが上記メモリ用基板の長手方向の中心に対して対称に配置することができて、メモリ用基板全体として、応力の偏った分布を防止することができる。
【０２４４】
また、メモリチップが実装されたメモリモジュールをベース基板とは別部品として別個に構成することができ、バーンイン時にメモリチップが不良と判断された場合には、そのメモリモジュールのみを廃棄すればよく、ＩＣチップが実装されたベース基板まで廃棄する必要がなくなる。
【０２４５】
上記小型メモリカードの製造方法によれば、メモリモジュールが複数個ある場合、メモリモジュールをベース基板モジュールに実装する前に、予めメモリモジュール同士を実装してバーンイン試験などによりメモリモジュール全体としての機能を検査することができ、不良の場合には、メモリモジュールのみを廃棄すればよく、メモリモジュールに比較して高価なベース基板モジュールを廃棄する必要がなくなり、コストダウンを図ることができる。
【０２４６】
ベース基板とメモリ用基板との間に導電性ボールを介在させることにより、各基板の間隔を容易に均等にすることができて、各基板を大略平行に配置することができる。また、導電性ボールを銅などの半田よりも融点が高い材料より構成すれば、後工程でリフローやエアブローにより半田を溶融するときでも導電性ボールが溶融せず、基板間隔を導電性ボールにより確実に確保することができ、高い精度で基板間の平行度を保持することができる。よって、また、基板間が導電性ボールで支持されるため、機械的な応力が作用しても導電性ボールは容易に変形しない。従って、熱的な応力及び機械的な応力に抗して、基板間の平行度を確実に保持することができるとともに、隣接する導電性ボールとの接触も防止することができてショートを防止できる。さらに、導電性ボールの直径を小さくすることにより、より狭いピッチでの配置が可能となり、配線の自由度が増し、各メモリチップへの個別配線が可能となり、メモリチップとＩＣチップ間での処理速度の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施形態にかかる小型メモリカードのケースを除いた状態での概略斜視図である。なお、一部の導体を取り除いて、電極などを理解しやすくしている。
【図２】 図１の小型メモリカードの側面図である。
【図３】 図１の小型メモリカードの完成状態での一部断面側面図である。ただし、理解しやすくするため、メモリチップと基板との接続部分及びケースを断面で示す。
【図４】 （Ａ），（Ｂ），（Ｃ）はそれぞれ図１の小型メモリカードの製造方法において、ベース基板モジュール、第１メモリモジュール、及び、第２メモリモジュールを製造する工程の一部断面の説明図である。
【図５】 （Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）はそれぞれ図１の小型メモリカードの製造方法において、ベース基板モジュール、第１メモリモジュール、及び、第２メモリモジュールにクリーム半田を塗布する工程の一部断面の説明図、第１メモリモジュールと第２メモリモジュールとを仮固定する工程の一部断面の説明図である。
【図６】 （Ａ），（Ｂ），（Ｃ）はそれぞれ図１の小型メモリカードの製造方法において、仮固定された第１メモリモジュールと第２メモリモジュールをベース基板モジュールに仮固定する工程、さらに、モジュール間の電極同士を導電性ワイヤで個別に接続する工程、モジュール間の電極同士を導体の別の例としての連続した導電性ワイヤで接続する工程の一部断面の説明図である。
【図７】 本発明の第２実施形態にかかる小型メモリカードの完成状態での一部断面側面図である。ただし、理解しやすくするため、メモリチップと基板との接続部分及びケースを断面で示す。
【図８】 （Ａ），（Ｂ），（Ｃ）はそれぞれ図７の小型メモリカードの製造方法において、ベース基板モジュールにクリーム半田を印刷供給する工程、ベース基板モジュールの各クリーム半田電極上に導電性ボールを１個ずつ供給する工程、第１メモリモジュールにクリーム半田を塗布する工程の一部断面の説明図である。
【図９】 （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図７の小型メモリカードの製造方法において、ベース基板モジュールの各クリーム半田電極上の導電性ボールを介してベース基板モジュール上に第１メモリモジュールを実装する工程、第２メモリモジュールにクリーム半田を塗布する工程の一部断面の説明図である。
【図１０】 （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図７の小型メモリカードの製造方法において、ベース基板モジュール上の第１メモリモジュールの各クリーム半田電極上に導電性ボールを１個ずつ供給する工程、第１メモリモジュールの各クリーム半田電極上の導電性ボールを介して第１メモリモジュール上に第２メモリモジュールを実装する工程の一部断面の説明図である。
【図１１】 本発明の第３実施形態にかかる小型メモリカードの一部断面側面図である。
【図１２】 本発明の第４実施形態にかかる小型メモリカードの一部断面側面図である。
【図１３】 本発明の第５実施形態にかかる小型メモリカードの一部断面側面図である。
【図１４】 本発明の第６実施形態にかかる小型メモリカードの一部断面側面図である。
【図１５】 本発明の第７実施形態にかかる小型メモリカードの一部断面側面図である。
【図１６】 本発明の第８実施形態にかかる小型メモリカードの一部断面側面図である。
【図１７】 本発明の第９実施形態にかかる小型メモリカードの一部断面側面図である。
【図１８】 本発明の第１０実施形態にかかる小型メモリカードの一部断面側面図である。
【図１９】 本発明の第１１実施形態にかかる小型メモリカードの一部断面側面図である。
【図２０】 本発明の第１２実施形態にかかる小型メモリカードの一部断面側面図である。
【図２１】 本発明の第１３実施形態にかかる小型メモリカードの一部断面側面図である。
【図２２】 本発明の第１４実施形態にかかる小型メモリカードの一部断面側面図である。
【図２３】 本発明の各実施形態にかかる小型メモリカードの基本となる小型メモリカードの分解斜視図である。
【図２４】 図２３の小型メモリカードの一部断面側面図である。
【図２５】 図２３の小型メモリカードの底面図である。
【図２６】 本発明の第１５実施形態にかかる小型メモリカードの概略側面図である。
【図２７】 本発明の第１６実施形態にかかる小型メモリカードのケースを除いた状態での概略側面図である。
【図２８】 メモリ用基板の長辺沿いに電極が配置された比較例の概略平面図である。
【図２９】 （Ａ），（Ｂ）は、それぞれ、メモリ用基板の長辺沿いにメモリチップの長手方向が配置されている比較例であって、メモリチップに割れが発生している状態を示す概略平面図、及び、メモリチップの電極とメモリ用基板の電極とを接合する半田接合部に応力が集中してクラックが発生している状態を示す概略側面図である。
【図３０】 曲げテストの説明図である。
【図３１】 ねじりテストの説明図である。
【図３２】 上記第１６実施形態の変形例のメモリ用基板の概略平面図である。
【図３３】 上記第１６実施形態の別の変形例のメモリ用基板の概略平面図である。
【図３４】 本発明の第１７実施形態にかかる小型メモリカードの上側のメモリ用基板の概略側面図である。
【図３５】 本発明の第１７実施形態にかかる小型メモリカードのケースを除いた状態での小型メモリカードの概略側面図である。
【図３６】 本発明の第１８実施形態にかかる、ケースを除いた状態での小型メモリカードの下側の２層のメモリ用基板の概略側面図である。
【図３７】 本発明の第１８実施形態にかかる、ケースを除いた状態での小型メモリカードの下側の２層のメモリ用基板をベース基板に実装した状態の概略側面図である。
【図３８】 本発明の第１８実施形態にかかる、ケースを除いた状態での小型メモリカードの概略側面図であって、ベース基板に実装された下側の２層のメモリ用基板にさらに最上層のメモリ用基板を実装した状態の概略側面図である。
【図３９】 本発明の第１９実施形態にかかる、ケースを除いた状態での小型メモリカードの概略側面図である。
【図４０】 本発明の第２０実施形態にかかる、ケースを除いた状態での小型メモリカードに対して塗布ノズルにより絶縁性の補強樹脂を塗布する状態を示す概略側面図である。
【図４１】 本発明の第２０実施形態にかかる、ケースを除いた状態での小型メモリカードの概略側面図である。
【図４２】 本発明の第２０実施形態にかかる、ケースを除いた状態での小型メモリカードの概略側面図である。
【図４３】 上記第２０実施形態の第１変形例のメモリ用基板の概略平面図である。
【図４４】 上記第２０実施形態の第１変形例の小型メモリカードの一部断面の概略側面図である。
【図４５】 上記第２０実施形態の第２変形例の小型メモリカードの一部断面の概略側面図である。
【図４６】 上記第２０実施形態の第３変形例の小型メモリカードの一部断面の概略側面図である。
【図４７】 上記第２０実施形態の第４変形例の小型メモリカードの一部断面の概略側面図である。
【図４８】 上記第２０実施形態の第５変形例の小型メモリカードの一部断面の概略側面図である。
【図４９】 上記第２０実施形態の第６変形例の小型メモリカードの一部断面の概略側面図である。
【図５０】 上記第２０実施形態の第７変形例の小型メモリカードの一部断面の概略側面図である。
【図５１】 上記第２０実施形態の第８変形例の小型メモリカードの一部断面の概略側面図である。
【図５２】 上記第２０実施形態の第９変形例の小型メモリカードの一部断面の概略側面図である。
【図５３】 上記第２０実施形態の第１０変形例の小型メモリカードの一部断面の概略側面図である。
【図５４】 上記第２０実施形態の第１１変形例の小型メモリカードの一部断面の概略側面図である。
【図５５】 上記第２０実施形態の第１２変形例の小型メモリカードの一部断面の概略側面図である。
【図５６】 上記第２０実施形態の第１３変形例の小型メモリカードの一部断面の概略側面図である。
【図５７】 上記第２０実施形態の第１４変形例の小型メモリカードの一部断面の概略側面図である。
【図５８】 上記第２０実施形態の第１５変形例の小型メモリカードの一部断面の概略側面図である。
【図５９】 上記第２０実施形態の第１６変形例の小型メモリカードの概略平面図である。
【図６０】 上記第２０実施形態の第１６変形例の小型メモリカードの一部断面の概略側面図である。
【図６１】 上記第１６実施形態の長方形の小型メモリカード用の長方形のメモリ用基板の斜視図である。
【図６２】 図６１のメモリ用基板に長方形のメモリチップが２枚実装された状態の斜視図である。
【図６３】 本発明の第２０実施形態の第１７変形例にかかる小型メモリカードのメモリ用基板の概略平面図である。
【図６４】 本発明の第２０実施形態の第１７変形例にかかる小型メモリカードの一部断面の概略側面図である。
【図６５】 本発明の第２０実施形態の第１８変形例にかかる小型メモリカードの一部断面の概略側面図である。
【図６６】 本発明の第２０実施形態の第１９変形例にかかる小型メモリカードの一部断面の概略側面図である。
【図６７】 本発明の第２０実施形態の第２０変形例にかかる小型メモリカードの一部断面の概略側面図である。
【図６８】 本発明の第２１実施形態にかかる小型メモリカードを説明するための課題の説明図である。
【図６９】 本発明の第２１実施形態にかかる小型メモリカードのメモリ用基板の概略側面図である。
【図７０】 本発明の第２１実施形態にかかる小型メモリカードのメモリ用基板の一方の面にメモリチップを実装した状態の概略側面図である。
【図７１】 本発明の第２１実施形態にかかる小型メモリカードののメモリ用基板の表裏両面にメモリチップをそれぞれ実装した状態の概略側面図である。
【図７２】 本発明の第２１実施形態にかかる小型メモリカードのメモリ用基板の一方の面にメモリチップを実装したのち封止樹脂で電極接合部分を封止した状態の一部断面の概略側面図である。
【図７３】 図７２に次いで、小型メモリカードのメモリ用基板の他方の面にメモリチップを実装する状態の一部断面の概略側面図である。
【図７４】 図７３に次いで、小型メモリカードのメモリ用基板の他方の面にメモリチップを実装する状態の一部断面の概略側面図である。
【図７５】 図７４の工程を経て製造された、小型メモリカードのメモリ用基板の一部断面の概略側面図である。
【図７６】 図７３及び図７４とは別の方法により、小型メモリカードのメモリ用基板の両方の面にメモリチップをそれぞれ実装する状態の概略側面図である。
【図７７】 本発明の第２２実施形態にかかる小型メモリカードの課題を説明するためのケース収納前のメモリ用基板が反った状態を示す説明図である。
【図７８】 本発明の第２２実施形態にかかる小型メモリカードの課題を説明するためのケース収納後のメモリ用基板が反った状態を示す説明図である。
【図７９】 本発明の第２２実施形態にかかる小型メモリカードを説明するためのケース収納前の１層のメモリ用基板とベース基板との隙間が一定に保持された状態を示す説明図である。
【図８０】 本発明の第２２実施形態にかかる小型メモリカードを説明するためのケース収納後の１層のメモリ用基板とベース基板との隙間が一定に保持された状態を示す説明図である。
【図８１】 本発明の第２２実施形態にかかる小型メモリカードを説明するためのケース収納前の２層のメモリ用基板間の隙間及び下側のメモリ用基板とベース基板との隙間がそれぞれ一定に保持された状態を示す説明図である。
【図８２】 本発明の第２２実施形態にかかる小型メモリカードを説明するためのケース収納後の２層のメモリ用基板間の隙間及び下側のメモリ用基板とベース基板との隙間がそれぞれ一定に保持された状態を示す説明図である。
【図８３】 メモリ用基板のレジストの突出量がメモリチップ接合用電極の突出量より大きくなっている状態を示す一部断面側面図である。
【図８４】 本発明の第２３実施形態にかかる小型メモリカードのメモリ用基板を示す一部断面側面図である。
【図８５】 本発明の第２３実施形態の変形例にかかる小型メモリカードのメモリ用基板を示す一部断面側面図である。
【図８６】 本発明の第１６実施形態にかかる小型メモリカードのケースを除いた状態での分解斜視図である。
【図８７】 図８６の小型メモリカードのケースを除いた状態での側面図である。
【図８８】 本発明の上記実施形態において、突起電極を利用しない小型メモリカードの製造方法の工程を示す説明図である。
【図８９】 図８８に続く、本発明の上記実施形態において、突起電極を利用しない小型メモリカードの製造方法の工程を示す説明図である。
【図９０】 図８９に続く、本発明の上記実施形態において、突起電極を利用しない小型メモリカードの製造方法の工程を示す説明図である。
【図９１】 図９０に続く、本発明の上記実施形態において、突起電極を利用しない小型メモリカードの製造方法の工程を示す説明図である。
【図９２】 図９１に続く、本発明の上記実施形態において、突起電極を利用しない小型メモリカードの製造方法の工程を示す説明図である。
【図９３】 図９２に続く、本発明の上記実施形態において、突起電極を利用しない小型メモリカードの製造方法の工程を示す説明図である。
【図９４】 図９３に続く、本発明の上記実施形態において、突起電極を利用しない小型メモリカードの製造方法の工程を示す説明図である。
【図９５】 本発明の第２４実施形態にかかる小型メモリカードの分解斜視図である。
【図９６】 本発明の第２４実施形態にかかる小型メモリカードの製造方法の工程を示す説明図である。
【図９７】 図９６に続く、本発明の第２４実施形態にかかる小型メモリカードの製造方法の工程を示す説明図である。
【図９８】 図９７に続く、本発明の第２４実施形態にかかる小型メモリカードの製造方法の工程を示す説明図である。
【図９９】 図９８に続く、本発明の第２４実施形態にかかる小型メモリカードの製造方法の工程を示す説明図である。
【図１００】 図９９に続く、本発明の第２４実施形態にかかる小型メモリカードの製造方法の工程を示す説明図である。
【図１０１】 本発明の第２５実施形態にかかる小型メモリカードの分解斜視図である。
【図１０２】 本発明の第２５実施形態にかかる小型メモリカードのインターポーザの斜視図である。
【図１０３】 本発明の第２５実施形態にかかる小型メモリカードの製造方法の工程を示す説明図である。
【図１０４】 図１０３に続く、本発明の第２５実施形態にかかる小型メモリカードの製造方法の工程を示す説明図である。
【図１０５】 図１０４に続く、本発明の第２５実施形態にかかる小型メモリカードの製造方法の工程を示す説明図である。
【図１０６】 図１０５に続く、本発明の第２５実施形態にかかる小型メモリカードの製造方法の工程を示す説明図である。
【図１０７】 図１０６に続く、本発明の第２５実施形態にかかる小型メモリカードの製造方法の工程を示す説明図である。
【図１０８】 図１０７に続く、本発明の第２５実施形態にかかる小型メモリカードの製造方法の工程を示す説明図である。
【図１０９】 図１０８に続く、本発明の第２５実施形態にかかる小型メモリカードの製造方法の工程を示す説明図である。
【図１１０】 本発明の第２５実施形態にかかる小型メモリカードの電極接合部分の拡大図である。
【図１１１】 本発明の第２５実施形態の変形例にかかる小型メモリカードの分解斜視図である。
【図１１２】 本発明の第２５実施形態の変形例にかかる小型メモリカードのインターポーザの斜視図である。
【図１１３】 本発明の第２５実施形態の変形例にかかる小型メモリカードの製造方法の工程を示す説明図である。
【図１１４】 図１１３に続く、本発明の第２５実施形態の変形例にかかる小型メモリカードの製造方法の工程を示す説明図である。
【図１１５】 図１１４に続く、本発明の第２５実施形態の変形例にかかる小型メモリカードの製造方法の工程を示す説明図である。
【図１１６】 図１１５に続く、本発明の第２５実施形態の変形例にかかる小型メモリカードの製造方法の工程を示す説明図である。
【図１１７】 図１１６に続く、本発明の第２５実施形態の変形例にかかる小型メモリカードの製造方法の工程を示す説明図である。
【図１１８】 本発明の第２５実施形態の変形例にかかる小型メモリカードの電極接合部分の拡大図である。
【図１１９】 本発明の第２５実施形態の変形例にかかる小型メモリカードのインターポーザとメモリ用基板の電極上のクリーム半田とを接合する前の状態を示す部分拡大断面図である。
【図１２０】 本発明の第２５実施形態の変形例にかかる小型メモリカードのインターポーザをメモリ用基板の電極上のクリーム半田に載置した状態を示す部分拡大断面図である。
【図１２１】 本発明の第２５実施形態及びその変形例にかかる小型メモリカードのメモリ用基板の平面図である。
【図１２２】 本発明の第２５実施形態の変形例にかかる小型メモリカードのメモリ用基板の平面図である。
【図１２３】 本発明の第２５実施形態の変形例にかかる小型メモリカードのメモリ用基板の平面図である。
【図１２４】 本発明の第２５実施形態の変形例にかかる小型メモリカードのメモリ用基板の平面図である。
【図１２５】 本発明の第２５実施形態の変形例にかかる小型メモリカードのメモリ用基板の平面図である。
【図１２６】 本発明の第２５実施形態の変形例にかかる小型メモリカードのメモリ用基板の平面図である。
【図１２７】 本発明の第２５実施形態の変形例にかかる小型メモリカードのメモリ用基板の平面図である。
【図１２８】 本発明の第２５実施形態の変形例にかかる小型メモリカードのケースを除く側面図である。
【図１２９】 本発明の第２５実施形態の変形例にかかる小型メモリカードのメモリ用基板の平面図である。
【図１３０】 本発明の第２５実施形態の変形例にかかる小型メモリカードのメモリ用基板の平面図である。
【図１３１】 本発明の第２５実施形態の変形例にかかる小型メモリカードのメモリ用基板の平面図である。
【図１３２】 本発明の第７実施形態の変形例にかかる小型メモリカードの一部断面側面図である。
【図１３３】 本発明の第１１実施形態の変形例にかかる小型メモリカードの一部断面側面図である。
【符号の説明】
１０…ベース基板、１０ａ…貫通孔、１０ｄ…電極、１０ｘ…電極、１０ｚ…位置決め孔、１１…導電性ワイヤ、１１ｐ…接合部、１１ｔ…突起電極、１１ｘ…半田部、１２…クリーム半田、１３…ＡＳＩＣ用ＩＣチップ、１４…マイクロプロセッサ用ＩＣチップ、１５…メモリチップ、１５ｐ…電極、１５ｘ…短辺、１５ｙ…長辺、１６…カード電極、１８…チップコンデンサ、１９…チップ抵抗、２１，２１Ｃ…第１メモリ用基板、２１Ａ，２１Ｂ…第１分割メモリ用基板、２１ａ…貫通孔、２１ｄ…電極、２１ｅ…メモリチップ実装予定領域、２１ｘ…短辺、２１ｙ…長辺、２１ｚ…位置決め孔、２２，２２Ａ…第２メモリ用基板、２２ａ…貫通孔、２２ｄ…電極、２２ｅ…メモリチップ実装予定領域、２２ｚ…位置決め孔、２４…第４メモリ用基板、３０Ａ…上ケース、３１Ａ…下ケース、４１…電極、４４…絶縁性の補強部、４４ａ…一端部補強部、４４ｂ…幅広の補強部、４４ｃ…最上層補強部、４４ｄ…メモリ用基板補強部、４４ｅ…第２メモリ用基板補強部、４４ｆ…棒状のメモリ用基板補強部、４４ｇ…層状の最上層補強部、４４ｉ…層状の第３メモリ用基板補強部、４４ｊ…層状の第４メモリ用基板補強部、４４ｋ…棒状のメモリ用基板補強部、４４ｎ…細長の補強部、５０…塗布ノズル、５１…ディスペンサ、５２…仮固定用接着剤、５３…導電性ワイヤ、５４…ステンシル、５４ａ…クリーム半田挿入孔、５５…スキージ、５６…導電性ボール挿入用板、５６ａ…導電性ボール挿入穴、５７…スキージ、５８…導電性ボール挿入用板、５８ａ…導電性ボール挿入穴、５９…スキージ、６０…ＩＣチップ、６１…追加のメモリモジュール、６２…柱状の導電体、６３…フィルム基板、６３ａ…リード端子、６３ｂ…枠部、６５…フィルム基板、６６…導電体、６７…導電シート、６７ａ…導電ピン、６８…導電体、７０…第３メモリ用基板、７１，７１Ａ…導電性ボール、７５…半田、７８…ＲＦ用ＬＳＩチップ、７９…ベースバンドＬＳＩチップ、８０…チップ部品、８０ａ，８０ｂ…電極、８１…フレキシブル基板、９０，９５…インターポーザ、９１…絶縁部、９２…円板状の導体部、９３…円柱状の接続部、９６…絶縁部、９６ａ…貫通孔、９７…導体層、９７ａ，９７ｃ…円環状の導体部、９７ｂ…円筒状導体部、９９…ダミー基板１１０…基板、１１３…ＡＳＩＣ用ＩＣチップ、１１４…マイクロプロセッサ用ＩＣチップ、１１５…メモリチップ、１１６…電極、１１８…チップコンデンサ、１１９…チップ抵抗、１３０…上ケース、１３１…下ケース、１３１ａ…電極用開口、１３２…ライトプロテクト用切換えスイッチ、２００…封止樹脂、２１０…ベース基板モジュール、２２１…第１メモリモジュール、２２２…第２メモリモジュール、２７０…第３メモリモジュール。

Claims (7)

1. メモリ用基板（２１，２２，７０，６３，６５）に複数のメモリチップ（１５）が実装されて構成されるメモリモジュール（２２１，２２２，２７０）をベース基板（１０）の一方の面に実装するとともに、上記ベース基板の他方の面に、上記複数のメモリチップを動作制御するＩＣチップ（１３，１４，６０）を実装し、全体をパッケージ（３０，３１）内に収納するようにしたカード型記録媒体であって、
   上記メモリモジュールは、積層される複数のメモリモジュール（２２１，２２２，２７０）から構成され、上記複数のメモリモジュールのうちの一方のメモリモジュールのメモリ用基板に配置されたメモリチップ（１５）の長手方向と、上記複数のメモリモジュールのうちの他方のメモリモジュールのメモリ用基板に配置されたメモリチップ（１５）の長手方向とが交差するようにしたカード型記録媒体。
2. メモリ用基板（２１，２２，７０，６３，６５）に複数のメモリチップ（１５）が実装されて構成されるメモリモジュール（２２１，２２２，２７０）をベース基板（１０）の一方の面に実装するとともに、上記ベース基板の他方の面に、上記複数のメモリチップを動作制御するＩＣチップ（１３，１４，６０）を実装し、全体をパッケージ（３０，３１）内に収納するようにしたカード型記録媒体であって、
   上記メモリモジュールは、積層される複数のメモリモジュール（２２１，２２２，２７０）から構成され、上記複数のメモリモジュールのうちの上側のメモリモジュールのメモリ用基板に配置されたメモリチップ（１５）の厚さが、上記複数のメモリモジュールのうちの下側のメモリモジュールのメモリ用基板に配置されたメモリチップ（１５）の厚さよりも大きいようにしたカード型記録媒体。
3. 上記メモリ用基板（２１，２２）の電極と上記ベース基板（１０）の電極との間には、上記メモリ用基板の電極と上記ベース基板の電極とを上記ベース基板のメモリ用基板実装面に直交する方向に電気的に接続する導体（１１，５３，７１，７１Ａ，６８，６２，６６，６７ａ）により電気的に接続されるようにした請求項１又は２に記載のカード型記録媒体。
4. 上記導体は、導電性ボール（７１，７１Ａ）である請求項３に記載のカード型記録媒体。
5. 上記メモリモジュール（２２１，２２２，２７０）は、第１メモリモジュール（２２１）と第２メモリモジュール（２２２）とを備え、
   上記導体は、上記第１メモリモジュール（２２１）の上記メモリ用基板（２１）の電極として機能する貫通孔（２１ａ）を貫通する導電性ボール（７１Ａ）であり、かつ、上記導電性ボール（７１Ａ）の上部は上記第２メモリモジュールの上記メモリ用基板（２２）の電極に電気的に接続され、上記導電性ボール（７１Ａ）の下部は上記ベース基板モジュール（２１０）の上記ベース基板（１０）の電極に電気的に接続される請求項３に記載のカード型記録媒体。
6. 上記メモリ用基板と上記ベース基板との間に配置された絶縁性補強樹脂の補強部（４４ｄ，４４ｅ）をさらに備えるようにした請求項１〜４のいずれか１つに記載のカード型記録媒体。
7. 上記複数のメモリモジュールの上記メモリ用基板間に配置された絶縁性補強樹脂の補強部（４４ｉ，４４ｊ）をさらに備えるようにした請求項１〜４，６のいずれか１つに記載のカード型記録媒体。

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