JP4403137B2

JP4403137B2 - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法

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Publication number: JP4403137B2
Application number: JP2005357793A
Authority: JP
Inventors: ジョンヒョクチェ; 永鎬陳; 昌錫盧
Original assignee: Samsung SDI Co Ltd
Current assignee: Samsung SDI Co Ltd
Priority date: 2004-12-10
Filing date: 2005-12-12
Publication date: 2010-01-20
Anticipated expiration: 2025-12-12
Also published as: JP2006173113A; US7498745B2; KR20060065762A; EP1670019A2; EP1670019B1; DE602005012664D1; KR100709250B1; CN100501901C; US20060125399A1; EP1670019A3; CN1787153A

Description

本発明はプラズマディスプレイパネル及びその製造方法に関し，特に，表示領域の透明電極パターンを表示領域及び非表示領域の境界部に形成する，プラズマディスプレイパネル及びその製造方法に関する。

一般に，プラズマディスプレイパネル（ＰｌａｓｍａＤｉｓｐｌａｙＰａｎｅｌ，以下では‘パネル'とする）は，ガス放電現象を利用して画像を表示するものであって，表示容量，輝度，コントラスト，残像，及び視野角のような表示性能が優れている長所がある。

前記パネルは，各放電セルに形成される電極に印加される駆動電圧によって電極間の放電セル内で気体放電を起こし，この時に発生する真空紫外線で蛍光体を励起させて，蛍光体が安定化されながら発生する可視光で画像を具現する。

前記パネルは，前面基板の内表面に表示電極が形成され，背面基板にアドレス電極が形成され，二つの基板の間に放電セルを形成する隔壁が形成されて，前記放電セル内に放電ガスを充填して形成される。

前記表示電極は，維持電極及び走査電極の対からなり，各放電セルに配置されて維持放電を起こし，表示電極及びアドレス電極は，放電セルを選択することができるように交差して配置される。

前記維持電極及び走査電極の各々は，放電セル内で面放電を起こす透明電極及び前記透明電極に電圧を印加するバス電極からなる。透明電極は，放電セル内で発生する可視光の透過率，つまり開口率を高めるために，前面基板にＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物）で形成され，バス電極は，導電性に優れた金属で形成される。

前記前面基板に前記透明電極を形成するために，フォトリソグラフィ（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）方法またはレーザエッチング（ｌａｓｅｒａｂｌａｔｉｏｎ）方法が適用される。前記フォトリソグラフィ方法は，前面基板にスパッタリング（ｓｐａｔｔｅｒｉｎｇ）によってＩＴＯ膜を形成した後で，前記ＩＴＯ膜を所望の形状の透明電極パターンに加工し，前記透明電極パターン上に金属導電膜を形成した後で，前記金属導電膜を所望の形状のバス電極に加工する。前記フォトリソグラフィ方法は，フォトレジスト塗布，パターニング，及びエッチング工程を反復的に行うため，工程数が増加し，これによって工程時間が増加する。前記レーザエッチング方法は，フォトリソグラフィ方法に比べて工程数が減少し，工程時間が短縮されながら，ＩＴＯ膜からパターニングされた透明電極パターンの端部の直進性を向上させる利点がある。

前記透明電極は，パネルの一側を形成する前面基板の内表面にＩＴＯ膜を塗布し，前記レーザエッチング方法によってパネルの表示領域で透明電極パターンを加工する。

そして，パネルの非表示領域では気体放電が起こらず，これによってバス電極及び透明電極が形成されず，また透明電極パターンを加工する必要がない。したがって，非表示領域に塗布されたＩＴＯ膜はレーザエッチング方法で除去され，これによって加工時間が長くなる。

本発明は，レーザエッチング方法で透明電極パターンを形成する時に，前記透明電極パターンを表示領域及び非表示領域の境界部に形成する，プラズマディスプレイパネル及びその製造方法を提供する。

本発明によるプラズマディスプレイパネルの製造方法は，第１基板に表示電極を形成する段階，第２基板に前記表示電極と交差するアドレス電極及び隔壁を形成する段階，及び前記第１基板を含む第１板及び第２基板を含む第２板を整列させて合着する段階を含み，前記表示電極を形成する段階は，透明電極物質膜を加工して透明電極を形成する段階，及び前記透明電極上に形成される金属導電膜を加工してバス電極を形成する段階を含み，前記透明電極を形成する段階は，前記第１基板に透明電極物質膜を形成する段階，表示領域に透明電極パターンを形成する段階，及び前記表示領域及び非表示領域の境界部に透明電極パターンを形成する段階を含む。

前記で，境界部に透明電極パターンを形成する段階は，前記表示領域に形成される透明電極パターンと同一なパターンに形成しながら，前記透明電極パターンの断線ラインを複数形成する。

前記で，透明電極を形成する段階は，前記第１基板に透明電極物質膜を形成した後で，非表示領域の一側の透明電極物質膜をレーザエッチングしてアライメントマークを形成する段階を含む。

前記アライメントマークを形成する段階は，前記第１基板の上端部及び下端部の非表示領域に形成された透明電極物質膜に透明電極パターンと同一なパターンにアライメントマークを形成する。また，前記第１基板の上端部の非表示領域の両側及び下端部の非表示領域の両側に透明電極パターンと同一なパターンにアライメントマークを対に形成することもできる。

また，本発明によるプラズマディスプレイパネルは，透明電極物質膜をパターニングして形成される透明電極，及び前記透明電極上に金属導電膜をパターニングして形成されるバス電極を含む表示電極が形成された第１基板，前記表示電極と交差する方向に形成されるアドレス電極が形成された第２基板，及び前記第１基板と第２基板との間に介在して，互いに合着される第１基板と第２基板との間に放電セルを形成する隔壁を含み，前記第１基板は，表示領域及び非表示領域の境界部に透明電極パターンが形成される。

前記で，境界部に形成される透明電極パターンは，前記表示領域に形成される透明電極パターンと同一なパターンに形成されながら，複数の断線ラインに形成される。

前記非表示領域は，一側の透明電極物質膜をレーザエッチングして形成されるアライメントマークを含む。

前記アライメントマークは，前記第１基板の上端部及び下端部の非表示領域に形成された透明電極物質膜に透明電極パターンと同一なパターンに形成される。また，前記第１基板の上端部の非表示領域の両側及び下端部の非表示領域の両側に透明電極パターンと同一なパターンに対に形成されることもできる。

本発明は，レーザエッチング方法で前面基板に表示電極及び透明電極をパターニングして，表示領域及び非表示領域の境界部に前記と同一な透明電極パターンにＩＴＯ膜をエッチングして，表示領域及び非表示領域の断線ラインを形成するので，非表示領域の他の部分ではＩＴＯ膜を除去しなくてもよく，また断線ラインを形成するために別途のマスク交換及びステージ移動後に加工するなどの工程が不必要であるので，前面基板に透明電極パターンを形成する工程時間を短縮することができる。

以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお，本明細書および図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

図１は本発明の一実施形態にかかるプラズマディスプレイパネルの一部を概略的に示した部分分解斜視図である。

この図面を参照すれば，パネルは，第１基板１（以下では‘前面基板'とする）の内表面に表示電極として作用する維持電極３及び走査電極５を形成し，第２基板７（以下では‘背面基板'とする）の内表面にアドレス電極９を形成して，前記二つの基板１，７の間に隔壁１１を介在させて形成される。前記維持電極３及び走査電極５は対をなし，前記維持電極３と走査電極５との間にはパネルの作動時に維持放電が起こる。前記維持電極３及び走査電極５，そしてアドレス電極９は，前面基板１及び背面基板７の内表面に各々ストライプ形状に形成されて，前面基板１を含む第１板（以下では‘前面板'とする）及び背面基板７を含む第２板（以下では‘背面板'とする）を合着する時に，互いに交差する状態を維持する。前記前面基板１の内表面には，維持電極３及び走査電極５を覆う誘電層１２及びＭｇＯ保護膜１３が順に積層される。また，背面基板７には，アドレス電極９を覆う誘電層１５の表面に隔壁１１が形成され，前記隔壁１１によって放電セル１７が区画形成される。前記放電セル１７内には，不活性ガス（一例として，ネオン（Ｎｅ）及びゼノン（Ｘｅ）の混合ガス）が充填される。また，各放電セル１７を形成する隔壁１１の内側面及び誘電層１５の表面には蛍光体１９が塗布される。前記維持電極３及び走査電極５は，放電セル１７内で面放電を起こす透明電極３ａ，５ａ及び前記透明電極３ａ，５ａに電圧を印加するバス電極３ｂ，５ｂからなる。前記パネルは，維持電極３及び走査電極５を突出型透明電極３ａ，５ａに形成し，アドレス電極９をストライプ形状に形成しているが，各電極はこのような形状に限定されない。また放電セル１７を形成する隔壁１１はストライプ形状に限定されず，格子形状に形成されることもできる。

前記パネルにおける前面基板１の特徴的な構造は，以下のパネルの製造方法で詳しく説明する。

図２は本実施形態にかかるプラズマディスプレイパネルの製造方法を示すフローチャートであり，図３は本実施形態にかかるプラズマディスプレイパネルの製造方法によって，第１基板に透明電極パターンをレーザエッチング（ｌａｓｅｒａｂｌａｔｉｏｎ）方法で形成する工程図である。

この図面を参照すれば，パネルの製造方法は，大まかに，前面基板１に表示電極，つまり維持電極３及び走査電極５を形成し（ＳＴ１００），背面基板７にアドレス電極９及び隔壁１１を形成した（ＳＴ２００）後，このように前面基板１を含んで形成される前面板及び背面基板７を含んで形成される背面板を互いに合着してパネルを完成する（ＳＴ３００）段階を含む。

前記表示電極を形成する段階（ＳＴ１００）は，ガラスからなる前面基板１の内表面に維持電極３及び走査電極５を平行に対に形成し，前記維持電極３及び走査電極５の対を複数形成して，前記維持電極３及び走査電極５の対の上に誘電層１２及びＭｇＯ保護膜１３を積層して前面板を完成する。

前記表示電極を形成する段階（ＳＴ１００），つまり維持電極３及び走査電極５を形成する段階は，透明電極３ａ，５ａを形成する段階（図３の（ａ）〜（ｃ））及び前記透明電極３ａ，５ａ上にバス電極３ｂ，５ｂを形成する段階（図３の（ｄ）〜（ｅ））を含む。前記透明電極３ａ，５ａを形成する段階は，前面基板１の内表面に透明電極物質膜を形成し（図３の（ａ）），これをレーザエッチングして透明電極パターンに加工することによって（図３の（ｂ）〜（ｃ）），透明電極３ａ，５ａを形成する。バス電極３ｂ，５ｂを形成する段階は，前記透明電極３ａ，５ａ上に金属導電膜を塗布し（図３の（ｄ）），これを乾燥した後，露光，現像工程を経て（図３の（ｅ）），バス電極３ｂ，５ｂを形成する。前記透明電極物質膜はＩＴＯ（インジウムスズ酸化物：以下，‘ＩＴＯ膜’とする）からなることができる。

また，透明電極３ａ，５ａを形成する段階は，ＩＴＯ膜を形成する段階に続いて，前記のようなパネルの表示領域（Ｄ）に透明電極パターン（Ｐ）を形成する段階，及びパネルの表示領域（Ｄ）と非表示領域（ＮＤ）との間に形成される境界部（ｂｄ_１，ｂｄ_２）に透明電極パターン（Ｐ）を形成する段階をさらに含む。

図４は本実施形態にかかるプラズマディスプレイパネルの製造方法において，第１基板に透明電極パターンをレーザエッチング方法で形成する工程を概略的に示した第１基板の平面図であり，図５は図４の部分詳細図であり，図６はレーザエッチング方法で表示領域及び非表示領域の境界部に形成される透明電極パターン及び表示領域に形成される透明電極パターンの詳細図である。

前記境界部（ｂｄ_１，ｂｄ_２）に透明電極パターン（Ｐ）を形成する段階は，図３の（ａ）〜（ｃ）に示した方法で，図４に示した境界部（ｂｄ_１，ｂｄ_２）に透明電極パターン（Ｐ）を形成する。前記境界部（ｂｄ_１，ｂｄ_２）に透明電極パターン（Ｐ）を形成する段階は，前記表示領域（Ｄ）に形成される透明電極パターン（Ｐ）と同一なパターン（Ｐ）に形成する。これは，表示領域（Ｄ）に透明電極パターン（Ｐ）を形成する前後に表示領域（Ｄ）の両側の非表示領域（ＮＤ）で表示領域（Ｄ）に形成された透明電極パターンと同一な透明電極パターン（Ｐ）にＩＴＯ膜をレーザエッチングするので，表示領域（Ｄ）及び非表示領域（ＮＤ）を断線させるために別途のマスクを使用する必要がなく，また，断線ラインを形成する工程時間を短縮することができる。

前記境界部（ｂｄ_１，ｂｄ_２）に形成される透明電極パターン（Ｐ）は，パネルで表示領域（Ｄ）及び非表示領域（ＮＤ）を区分して両側のＩＴＯ膜を断線させるものであって，前記断線ラインを複数（図４には２つが例示されている）形成して，断線効果をさらに増大させることもできる。前記境界部（ｂｄ_１，ｂｄ_２）に形成される断線ラインは，非表示領域（ＮＤ）に塗布されたＩＴＯ膜を表示領域（Ｄ）の透明電極３ａ，５ａと断線させることによって，非表示領域（ＮＤ）の他の部分でＩＴＯ膜をそのまま残すので，この部分のＩＴＯ膜を除去する工程が不必要であり，透明電極を形成する段階に所要される工程時間をさらに短縮することができる。

一方，前記のように加工されて境界部（ｂｄ_１，ｂｄ_２）に形成される透明電極パターン（Ｐ）を除く透明電極パターン（Ｐ），つまり透明電極３ａ，５ａは，維持電圧によってパネル内の放電セル１７で面放電を起こすように，前記透明電極３ａ，５ａに電圧を印加するバス電極３ｂ，５ｂと整列される積層構造をなす。

前記バス電極３ｂ，５ｂは，透明電極３ａ，５ａ上に形成した金属導電膜にバス電極３ｂ，５ｂパターンを有するフォトレジストマスク（図示せず）を整列させ，露光，現像工程を経て，バス電極３ｂ，５ｂパターンをエッチングして形成する。

この時，前記フォトレジストマスクの整列は，前面基板１に形成されるアライメントマーク２３を基準とする。したがって，前記バス電極３ｂ，５ｂ形成用アライメントマーク２３を透明電極パターン（Ｐ）に関連付けて，バス電極３ｂ，５ｂパターン及び透明電極パターン（Ｐ）が正確に整列されるようにするのが望ましい。

このために，透明電極を形成する段階は，アライメントマーク２３を形成する段階を含むことができる。つまり，バス電極３ｂ，５ｂを加工する前に，前面基板１に透明電極３ａ，５ａをレーザエッチングして形成する時，パネルの非表示領域（ＮＤ）の一側にＩＴＯ膜をレーザエッチングしてアライメントマーク２３を形成し，前記アライメントマーク２３を基準にして後の工程でバス電極３ｂ，５ｂを形成することができるようにする。

前記アライメントマーク２３を形成する段階は，前面基板１の上端部及び下端部の非表示領域（ＮＤ）に形成されたＩＴＯ膜に透明電極パターン（Ｐ）と同一なパターンにアライメントマーク２３を形成する。また，アライメントマーク２３は，表示領域（Ｄ）に形成される透明電極パターン（Ｐ）とも同一なパターンに形成される。

また，前記アライメントマーク２３を形成する段階は，前面基板１の上端部の非表示領域（ＮＤ）の両側及び下端部の非表示領域（ＮＤ）の両側に前記のような透明電極パターン（Ｐ）のアライメントマーク２３を各々対に形成することもできる。

一方，本実施形態にかかるパネルの製造方法は，図３に示したように，表示電極を形成する段階を含む。

前記表示電極を形成する段階は，前面基板１にＩＴＯ膜２５を形成し，前記ＩＴＯ膜２５をレーザエッチングして透明電極３ａ，５ａパターン（Ｐ）を形成し，これにバス電極３ｂ，５ｂパターンを整列させて形成する。ＩＴＯ膜２５は多様な方法で形成することができるので，これに対する具体的な説明は省略し，以下では前記ＩＴＯ膜２５をレーザエッチングすることについて具体的に説明する。

前記ＩＴＯ膜２５は，透明電極パターン（Ｐ）に応じたレーザエッチング方法によって（図４〜図６参照），前面基板１上に突出型透明電極３ａ，５ａに加工される（図３の（ｂ）及び（ｃ））。つまり，レーザエッチング方法は，前面基板１の上側で１回のスキャン幅だけ図面のｘ軸の正の方向に移動した後，図面のｙ軸方向に一列移動して，１回のスキャン幅だけ図面のｘ軸の負の方向に移動した後，再度，図面のｙ軸方向に一列移動して，１回のスキャン幅だけ図面のｘ軸の正の方向に移動する過程を繰り返して，１回のスキャン幅に相応する透明電極パターン（Ｐ）をｙ軸方向に形成する。これによって，一つのスキャン列（Ｐ）が完成する。また，前記レーザエッチング方法は，１回のスキャン幅に相応するｙ軸方向の透明電極パターン（Ｐ）を形成した後，１回のスキャン幅だけｘ軸方向にさらに移動し，前記のような過程を繰り返して実行して，前面基板１の表示領域（Ｄ）のＩＴＯ膜２５に透明電極パターン（Ｐ）を形成する。これによって，複数のスキャン列（Ｐ，・・・，Ｐ）が完成する。

つまり，透明電極パターン（Ｐ）は，ｘ軸方向にスキャン幅を有し，この１回のスキャン幅によってｙ軸方向にスキャン列（Ｐ，・・・，Ｐ）を形成し，前記スキャン列によって完成される。図４ではｙ軸方向に４つのスキャン列を示しており，残りは省略している。前記スキャン幅は，図６に示したように，レーザマスク（ＬＭ）の連続からなる。

このように，ＩＴＯ膜２５を透明電極パターン（Ｐ）にエッチングする時，透明電極パターン（Ｐ）が形成されない部分，つまり非表示領域（ＮＤ）にアライメントマーク２３を陰刻にエッチングする。前記アライメントマーク２３を形成する段階は，その位置によって透明電極パターン（Ｐ）をエッチングする前または後に行われることもできる。つまり，前記アライメントマークを形成する段階は，透明電極３ｂ，５ｂを形成する透明電極パターン（Ｐ）のエッチング段階と共に行われるので，バス電極形成用アライメントマーク２３及び透明電極パターン（Ｐ）を互いに関連付ける。

前記アライメントマーク２３を形成する段階は，多様に行われる。つまり，アライメントマークを形成する段階は，透明電極パターン（Ｐ）を前記のように前面基板１上で一列（Ｐ，・・・，Ｐ）ずつ反復的に続けてスキャンパターニングする場合には，アライメントマーク２３を最初のスキャン列（Ｐｓ）及び最後のスキャン列（Ｐｆ）に各々形成するのが好ましい。レーザエッチングによって透明電極パターン（Ｐ）を形成する場合，レーザヘッド（ＬＨ）の機構的な正確度及び直進度によって透明電極パターン（Ｐ）の正確度及び直進度などが影響を受ける。そして，レーザエッチングによって形成されるアライメントマーク２３も同様に影響を受ける。したがって，前記アライメントマーク２３を最初のスキャン列（Ｐｓ）及び最後のスキャン列（Ｐｆ）に各々形成して，バス電極パターンの整列に効果的に活用することができる。

これをより具体的に説明すると，アライメントマーク２３は，一つのスキャン列開始地点及び終了地点に各々形成されることができ，図４には，最初のスキャン列（Ｐｓ）及び最後のスキャン列（Ｐｆ）の開始地点及び終了地点に各々形成されたことが例示されている。前記アライメントマーク２３は，前面基板１の上端部及び下端部の非表示領域（ＮＤ）のＩＴＯ膜２５に形成され，さらに，透明電極パターン（Ｐ）のエッチング部分と同一なパターン（Ｐ）に形成されている。また，前記アライメントマーク２３は，前面基板１の上端部の非表示領域（ＮＤ）の両側及び下端部の非表示領域（ＮＤ）の両側に形成され，前記のように透明電極パターン（Ｐ）のエッチング部分と同一なパターンに対に形成されている。対からなるアライメントマーク２３は，一つからなるのに比べてバス電極マスクの整列をより正確にする。

また，アライメントマーク２３は，一列（Ｐ）に相応する透明電極パターン（Ｐ）の１回のスキャン（ｓｃａｎ）幅と同一に形成されて，透明電極パターン（Ｐ）のレーザエッチング時と同様にレーザヘッド（ＬＨ）をｘ軸方向に移動可能にするのが好ましい。

一方，前記境界部（ｂｄ_１，ｂｄ_２）に形成される透明電極パターン（Ｐ）は，パネルの表示領域（Ｄ）及び非表示領域（ＮＤ）の境界部に表示領域（Ｄ）の透明電極３ａ，５ａと同様な方法で形成されることができる。ただし，前記境界部（ｂｄ_１，ｂｄ_２）の透明電極パターン（Ｐ）が一つの断線ラインを形成する場合には，前記パターンを形成するレーザヘッド（ＬＨ）は図４でｘ軸方向に移動するのが好ましい。

前記のようにアライメントマーク２３を形成しながら共に形成された透明電極３ａ，５ａ上に金属導電膜２７を形成する（図３の（ｄ）参照）。このような金属導電膜２７は，感光性電極ペーストを所定の厚さにコーティングしたり，感光性電極テープを付着して形成することができる。前記金属導電膜２７を乾燥した後，露光，エッチング工程を経て，バス電極３ｂ，５ｂを形成する。この時，金属導電膜２７は，前記のアライメントマーク２３を基準にしてバス電極３ｂ，５ｂパターンを有するマスク（図示せず）を整列させ，露光，エッチング工程を経て，バス電極３ｂ，５ｂを形成する（図３の（ｅ）参照）。

前記のように前面基板１に透明電極３ａ，５ｂ及びバス電極３ｂ，５ｂを含む維持電極３及び走査電極５を各々形成した後，前記電極３，５を誘電層１２及びＭｇＯ保護膜１３で覆って，前面板を完成する。

また，背面基板７にアドレス電極９を形成した後，誘電層１５を形成して，前記誘電層１５上に隔壁１１を形成した後，蛍光体層１９を形成して，背面板を完成する。

このように製作した前面板及び背面板を合着して，その内部の放電空間を排気して高真空にした後，所定の圧力で放電ガスを封入して，パネルを完成する。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。すなわち，本発明は上記実施形態に限定されず，特許請求の範囲，発明の詳細な説明，及び添付した図面の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり，これもまた本発明の範囲に属する。

本発明はプラズマディスプレイパネル及びその製造方法に利用可能であり，特に，表示領域の透明電極パターンを表示領域及び非表示領域の境界部に形成する，プラズマディスプレイパネル及びその製造方法に利用可能である。

プラズマディスプレイパネルの一部を概略的に示した部分分解斜視図である。プラズマディスプレイパネルの製造方法を示したフローチャートである。プラズマディスプレイパネルの製造方法によって，第１基板に透明電極パターンをレーザエッチング方法で形成する工程図である。プラズマディスプレイパネルの製造方法において，第１基板に透明電極パターンをレーザエッチング方法で形成する工程を概略的に示した第１基板の平面図である。図４の部分詳細図である。レーザエッチング方法で表示領域及び非表示領域の境界部に形成される透明電極パターン及び表示領域に形成される透明電極パターンの詳細図である。

符号の説明

１第１基板（前面基板）
３維持電極
３ａ，５ａ透明電極
３ｂ，５ｂバス電極
５走査電極
７第２基板（背面基板）
９アドレス電極
１１隔壁
１２，１５誘電層
１３ＭｇＯ保護膜
１７放電セル
１９蛍光体
２３アライメントマーク
２５ＩＴＯ膜
２７金属導電膜

Claims

第１基板に表示電極を形成する段階と，
第２基板に前記表示電極と交差するアドレス電極及び隔壁を形成する段階と，
前記第１基板を含む第１板及び第２基板を含む第２板を整列させて合着する段階と，
を含み，
前記表示電極を形成する段階は，
透明電極物質膜を加工して透明電極を形成する段階と，
前記透明電極上に形成される金属導電膜を加工してバス電極を形成する段階と，
を含み，
前記透明電極を形成する段階は，
前記第１基板に透明電極物質膜を形成する段階と，
表示領域に透明電極パターンを形成する段階と，
前記表示領域及び非表示領域との間に形成される境界部に透明電極パターンを形成する段階と，
を含み、
前記境界部に透明電極パターンを形成する段階は，前記表示領域に形成される透明電極パターンと同一なパターンに形成して、透明電極パターンの断線ラインを複数形成して、
前記透明電極を形成する段階は，前記第１基板に透明電極物質膜を形成した後で，非表示領域の一側の透明電極物質膜をレーザエッチングしてアライメントマークを形成する段階を含み、
前記アライメントマークを形成する段階は，前記第１基板の上端部及び下端部の非表示領域に形成された透明電極物質膜に透明電極パターンと同一なパターンにアライメントマークを形成することを特徴とする，プラズマディスプレイパネルの製造方法。
前記アライメントマークを形成する段階は，前記第１基板の上端部の非表示領域の両側及び下端部の非表示領域の両側に透明電極パターンと同一なパターンにアライメントマークを対に形成することを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
透明電極物質膜をパターニングして形成される透明電極，及び前記透明電極上に金属導電膜をパターニングして形成されるバス電極を含む表示電極が形成された第１基板と，
前記表示電極と交差する方向に形成されるアドレス電極が形成された第２基板と，
前記第１基板と第２基板との間に介在して，互いに合着される第１基板と第２基板との間に放電セルを形成する隔壁と，
を含み，
前記第１基板は，表示領域及び非表示領域との間に形成される境界部に透明電極パターンが形成され、
前記境界部に形成される透明電極パターンは，前記表示領域に形成される透明電極パターンと同一なパターンに形成され、複数の断線ラインに形成され、
前記非表示領域は，一側の透明電極物質膜をレーザエッチングして形成されるアライメントマークを含み、
前記アライメントマークは，前記第１基板の上端部及び下端部の非表示領域に形成された透明電極物質膜に透明電極パターンと同一なパターンに形成されることを特徴とする、プラズマディスプレイパネル。
前記アライメントマークは，前記第１基板の上端部の非表示領域の両側及び下端部の非表示領域の両側に透明電極パターンと同一なパターンに対に形成されることを特徴とする，請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。