JP4400888B2 - レーザ照射装置及びレーザ熱転写法 - Google Patents
レーザ照射装置及びレーザ熱転写法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4400888B2 JP4400888B2 JP2006042515A JP2006042515A JP4400888B2 JP 4400888 B2 JP4400888 B2 JP 4400888B2 JP 2006042515 A JP2006042515 A JP 2006042515A JP 2006042515 A JP2006042515 A JP 2006042515A JP 4400888 B2 JP4400888 B2 JP 4400888B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- preheating
- generator
- layer
- laser generator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 97
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 35
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 29
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 13
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 100
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- SPSSULHKWOKEEL-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-trinitrotoluene Chemical compound CC1=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O SPSSULHKWOKEEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZRXHJWUDPFEEY-UHFFFAOYSA-N Pentaerythritol Tetranitrate Chemical compound [O-][N+](=O)OCC(CO[N+]([O-])=O)(CO[N+]([O-])=O)CO[N+]([O-])=O TZRXHJWUDPFEEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000026 Pentaerythritol tetranitrate Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229960004321 pentaerithrityl tetranitrate Drugs 0.000 description 2
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000000015 trinitrotoluene Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
- B23K26/0661—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks disposed on the workpiece
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/475—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material for heating selectively by radiation or ultrasonic waves
- B41J2/4753—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material for heating selectively by radiation or ultrasonic waves using thermosensitive substrates, e.g. paper
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
- B41M5/382—Contact thermal transfer or sublimation processes
- B41M5/38207—Contact thermal transfer or sublimation processes characterised by aspects not provided for in groups B41M5/385 - B41M5/395
- B41M5/38221—Apparatus features
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/0648—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising lenses
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
Landscapes
- Optics & Photonics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Toxicology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Lasers (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Description
本発明は，レーザ照射装置及びレーザ熱転写法に関する。
一般に，平板表示素子である有機電界発光素子は，アノード電極と，カソード電極と，アノード電極とカソード電極との間に介在する有機膜層とを含む。このような有機電界発光素子は，有機膜層，特に，発光層を構成する物質によって，高分子有機電界発光素子と低分子有機電界発光素子とに分けられる。
かかる有機電界発光素子においてフルカラー化を具現するためには，発光層をパターニングしなければならない。発光層をパターニングするための方法として，低分子有機電界発光素子の場合，シャドーマスク（ｓｈａｄｏｗ ｍａｓｋ）を使用する方法が挙げられ，高分子有機電界発光素子の場合，インクジェットプリント（ｉｎｋ−ｊｅｔ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）またはレーザによる熱転写法（Ｌａｓｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｍａｇｉｎｇ；以下，ＬＩＴＩという）が挙げられる。これらのうちＬＩＴＩは，有機膜層を微細にパターニングすることができ，大面積に使用することができ，高解像度に有利であるという長所があるだけでなく，インクジェットプリントがウェット工程であるのに対して，ＬＩＴＩは，ドライ工程であるという長所がある。
このようなＬＩＴＩは，レーザを用いた転写方法であって，これを利用して有機膜層などを形成するためには，少なくとも光源，基板及びドナー基板を必要とする。光源としては，レーザ照射装置から生じるレーザビームを利用する。関連従来技術が，特許文献１，特許文献２，特許文献３及び特許文献４に開示されている。
図１は，従来技術に係るレーザ照射装置及びレーザ熱転写法を説明する模式図である。
図１を参照すれば，所定の素子が設けられたアクセプタ基板１６０上に，ドナー基板１５０がラミネーションされている。ドナー基板１５０は，ベース基板１５１と，ベース基板１５１に接して位置する光熱変換層（ＬＴＨＣ；Ｌｉｇｈｔ−Ｔｏ−Ｈｅａｔ Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ）１５２と，光熱変換層１５２に接して位置する転写層１５３とから構成される。
この際，ドナー基板１５０上に照射される光源として，レーザ照射装置１００から発生するレーザビームを使用する。
レーザ照射装置１００は，レーザ発生器１１０と，パターニングされたマスク１２０と，プロジェクションレンズ１３０とを備えている。
レーザ発生器１１０を用いてベース基板１５１の所定領域にレーザビーム１４０を照射する。この際，レーザ発生器１１０から発生するレーザビーム１４０は，パターニングされているマスク１２０を通過し，通過したレーザビーム１４０は，プロジェクションレンズ１３０により屈折し，ベース基板１５１上に照射される。マスク１２０のパターニングされていない部分では，レーザビーム１４０が遮断される。
ベース基板１５１の所定領域に照射されたレーザビーム１４０は，光熱変換層１５２に吸収され，熱エネルギーに変換される。吸収された熱エネルギーにより光熱変化層１５２からガスが発生し，これにより，光熱変換層１５２が膨らむ。膨らんだ光熱変化層１５２は，転写層１５３をアクセプタ基板１６０上に密着させる。密着された転写層１５３は，ドナー基板１５０内の結合が切り離され，アクセプタ基板１６０上に転写される。
この時，伝達された熱エネルギーにより転写層１５３の温度が過度に高く上昇すると，転写層１５３の劣化が生じることがある。これを防止するために，高強度のレーザビームを使用すれば，転写層１５３が劣化するのを防止することはできるが，アクセプタ基板１６０の段差が形成されている部分では，転写層が結合されず，転写がされていない部分が発生するようになる。これをエッジオープン不良（ｅｄｇｅ ｏｐｅｎ），または未転写不良という。これは，レーザビームが短時間に照射されるので，光熱変換層１５２の温度がまだ十分に上昇しておらず，容易に変形しないからである。
そこで，本発明は，上記問題に鑑みてなされたものであり，本発明の目的とするところは，ＬＩＴＩを用いた転写工程において転写層が劣化するのを防止することができ，アクセプタ基板の段差が存在する部分でも，転写を良好に行うことができる，新規かつ改良されたレーザ照射装置及びレーザ熱転写法を提供することにある。
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，転写パターンに対応してパターニングされたマスクを介してドナー基板の所定領域にレーザビームを照射し，ドナー基板の所定領域に位置する転写層を選択的に変形させる予熱用レーザ発生器と；転写パターンがパターニングされたマスクを介してドナー基板の所定領域にレーザビームを照射し，ドナー基板の所定領域に位置し，かつ，予熱用レーザ発生器のレーザビームにより選択的に変形された転写層を，ドナー基板からアクセプタ基板上に選択的に転写するパターニング用レーザ発生器と；を備えることを特徴とする，レーザ照射装置が提供される。また，上記予熱用レーザ発生器は，パターニング用レーザ発生器に対し，レーザビームのスキャン方向前方に配設されてもよい。
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，予熱用レーザ発生器を用いて，転写パターンに対応してパターニングされたマスクを介してドナー基板の所定領域にレーザビームを照射し，ドナー基板の所定領域に位置する転写層を選択的に変形させる段階と；パターニング用レーザ発生器を用いて，転写パターンがパターニングされたマスクを介してドナー基板の所定領域にレーザビームを照射し，かつ，ドナー基板の所定領域に位置し，予熱用レーザ発生器のレーザビームにより選択的に変形された転写層を，ドナー基板からアクセプタ基板上に選択的に転写する段階と；を含むことを特徴とする，レーザ熱転写法が提供される。
また，レーザ照射装置は，予熱用レーザ発生器の下方に配置されるビームシェイピング装置をさらに備えてもよい。
また，パターニング用レーザ発生器及び予熱用レーザ発生器は，互いに異なる波長のレーザビームを発生させてもよい。
また，パターニング用レーザ発生器から発生するレーザビームは，予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームよりさらに大きい強度を有してもよい。
また，パターニング用レーザ発生器及び予熱用レーザ発生器は，照射される領域において互いに重なる部分を有するように，各々レーザビームを発生させてもよい。
ドナー基板は，ベース基板と，ベース基板上に位置する光熱変換層（ＬＴＨＣ）と，光熱変換層上に位置する転写層とを備えてもよい。
また，予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームは，光熱変換層の温度を転写層のガラス転移温度（Ｔｇ）まで上昇させてもよい。
また，ドナー基板は，光熱変換層と転写層との間に位置するバッファ層をさらに備えてもよい。
また，予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームは，バッファ層の温度を転写層のガラス転移温度（Ｔｇ）以下まで上昇させてもよい。
また，アクセプタ基板上には，有機電界発光素子を構成する画素電極が設けられてもよい。
また，転写層は，有機物質より構成されてもよい。
以上説明したように本発明によるレーザ照射装置及びレーザ熱転写法によれば，ＬＩＴＩを用いた転写工程において，転写層が劣化するのを防止することができると同時に，アクセプタ基板の段差が存在する部分でもエッジオープン不良が発生することなく，転写を良好に行うことができる。
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
（第１の実施形態）
まず，本発明の第１の実施形態にかかるレーザ照射装置及びレーザ熱転写法について説明する。図２Ａ及び図２Ｂは，本発明の第１実施形態に係るレーザ照射装置及びレーザ熱転写法を説明する模式図である。
まず，本発明の第１の実施形態にかかるレーザ照射装置及びレーザ熱転写法について説明する。図２Ａ及び図２Ｂは，本発明の第１実施形態に係るレーザ照射装置及びレーザ熱転写法を説明する模式図である。
図２Ａを参照すれば，アクセプタ基板１６０上にドナー基板１５０がラミネーションされている。ドナー基板１５０は，アクセプタ基板１６０全体を覆うことができる程度の大きさを有することが好ましいが，必要に応じて，アクセプタ基板１６０より小さい大きさを有するものを使用してもよい。
アクセプタ基板１６０上には，有機電界発光素子を構成する所定の素子が設けられている。すなわち薄膜トランジスタと，その上に位置する平坦化膜と，該平坦化膜上に位置する画素電極とが設けられることができる。
ドナー基板１５０は，有機電界発光素子用ドナー基板である。すなわちベース基板１５１と，ベース基板１５１に接して位置する光熱変換層（ＬＴＨＣ；Ｌｉｇｈｔ−Ｔｏ−Ｈｅａｔ Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ）１５２と，光熱変換層１５２に接して位置する転写層１５３とから構成されることができる。
ベース基板１５１は，透明性高分子よりなる。このような高分子には，ポリエチレン，テレフタレートのようなポリエステル，ポリアクリル，ポリエポキシ，ポリエチレン，ポリスチレンなどを使用することができる。
光熱変換層１５２は，光源，すなわちレーザビームを吸収し，熱に変換する層であって，レーザビーム吸収物質が含まれている有機膜，金属，又はこれらの複合層のうち１つを使用して構成されることができる。
光熱変換層１５２に隣接する位置にガス生成層（図示せず）を形成することができる。ガス生成層は，光または熱を吸収すれば，分解反応を起こして窒素ガスや水素ガスなどを放出することによって，転写エネルギーを提供する役目をし，四硝酸ペンタエリスリット（ＰＥＴＮ），トリニトロトルエン（ＴＮＴ）などから選択された物質よりなることができる。ガス生成層は，光熱変換層１５２から熱を伝達されなければならないので，光熱変換層１５２の上部又は下部に隣接して配置されたり，光熱変換層１５２を構成する物質と混合して，１つの層を構成することができる。
転写層１５３は，アクセプタ基板１６０上にパターニングされる物質膜であって，有機物質よりなる。ドナー基板１５０を使用して有機電界発光素子を製造する場合，ドナー基板１５０は，正孔注入層用有機膜，正孔輸送層用有機膜，発光層用有機膜，正孔抑制層用有機膜，電子輸送層用有機膜及び電子注入層用有機膜よりなる群から選択される１種の単層膜または２種以上の多層膜構造を有する。さらに，有機膜は，高分子物質または低分子物質である。一方，転写層１５３は，押出，スピンコート，ナイフコート，真空蒸着及びＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）よりなる群から選択される１つの方法を使用して形成される。
光熱変換層１５２と転写層１５３との間には，バッファ層（図示せず）をさらに形成することができる。バッファ層は，転写パターン特性が向上するように，転写層１５３との接着力を制御する役目をする。
ドナー基板１５０は，上記ベース基板，光熱変換層，転写層，ガス生成層，及びバッファ層のみならず，多様な用途を有する層をさらに備えることができ，その用途に応じて，積層構造を変更して使用することができる。
アクセプタ基板１６０上にラミネーションされているドナー基板１５０の所定領域に，レーザビームを照射し，転写層１５３をアクセプタ基板１６０上に転写させる。
この際，ドナー基板１５０上に照射される光源として，レーザ照射装置２００から発生するレーザビームを使用する。
レーザ照射装置２００は，レーザ発生器２１０を備えている。本実施形態では，パターニング用レーザ発生器２１１と予熱用レーザ発生器２１２とを備えたレーザ発生器２１０を採用している。
パターニング用レーザ発生器２１１は，転写層１５３をドナー基板１５０から切り離して，アクセプタ基板１６０上に転写させ，所定のパターンを形成するのに必要なレーザビーム２４０を発生させる。したがって，パターニング用レーザ発生器２１１から発生するレーザビーム２４０の強度は，転写層１５３内の結合を切ることができる程度の強度を有する。
予熱用レーザ発生器２１２は，ドナー基板１５０を予熱させるレーザビーム２４５を発生させる。すなわち光熱変換層１５２やバッファ層を一定の温度まで予め加熱して，変形を容易にする。
予熱用レーザ発生器２１２から発生するレーザビーム２４５は，光熱変換層１５２により吸収され，熱に変換される。この際，発生する熱により光熱変換層１５２の温度が上昇するので，転写層１５３のガラス転移温度（Ｔｇ）まで上昇するようにレーザビーム２４５を照射する。ガラス転移温度とは，物質が軟化する温度を言い，ガラス転移は，高分子物質において起こる現象である。すなわち高分子物質は，ガラス転移温度以上の温度ではゴム状態のように作用し，ガラス転移温度以下の温度ではガラスのように堅く且つ壊れやすい状態に作用する。
したがって，転写層１５３のガラス転移温度まで温度が上昇した光熱変換層１５２から転写層１５３に熱が伝達され，転写層１５３は，変形が容易な状態に維持される。しかし，必ずしも光熱変換層１５２の温度を，転写層１５３のガラス転移温度まで上昇させる必要はなく，転写層１５３の変形が容易な場合には，転写層１５３のガラス転移温度以下の温度まで上昇させても構わない。
光熱変換層１５２と転写層１５３との間にバッファ層を形成する場合には，バッファ層の温度を転写層１５３のガラス転移温度まで上昇させる。
したがって，パターニング用レーザ発生器２１１から発生する高強度のレーザビーム２４０が照射されても，予熱用レーザ発生器２１２から発生するレーザビーム２４５によりドナー基板１５０が容易に変形するので，アクセプタ基板１６０の段差が形成されている部分でも，転写を良好に行うことができる。
パターニング用レーザ発生器２１１の下方には，パターニングされたマスク２２０が配置されていて，マスク２２０の下方には，プロジェクションレンズ２３０が配置されている。
パターニング用レーザ発生器２１１から発生するレーザビーム２４０は，パターニングされているマスク２２０を通過し，通過したレーザビーム２４０は，プロジェクションレンズ２３０により屈折し，ベース基板１５１上に照射される。マスク２２０のパターニングされてない部分では，レーザビーム２４０が遮断される。
予熱用レーザ発生器２１２の下方には，ビームシェイピング装置２３５が配置されている。ビームシェイピング装置２３５には，フライアイレンズ（ｆｌｙ ｅｙｅ ｌｅｎｓ）や円筒形レンズ（ｃｙｌｉｎｄｒｉｃａｌ ｌｅｎｓ）などが設けられていてもよい。したがって，パターニング用レーザ発生器２１１から発生するレーザビーム２４０は，ビームシェイピング装置２３５を介して均一の強度を有するようになり，一定の形態，例えば，四角形または円形などの形態にシェイピングされる。
パターニング用レーザ発生器２１１及び予熱用レーザ発生器２１２は，各々ドナー基板１５０のベース基板１５１上にレーザビーム２４０，２４５を照射する。
予熱用レーザ発生器は，パターニング用レーザ発生器に対し，レーザービーム２４０，２４５のスキャン方向前方に配設される。これにより，予熱用レーザ発生器から発生するレーザビーム２４５は，ドナー基板１５０を予め加熱し，パターニング用レーザ発生器から発生するレーザビーム２４０が転写層１５３の温度を上昇させるのを容易にする。
発生する各々のレーザビーム２４０，２４５は，互いに異なる波長を有することが好ましい。特に，パターニング用レーザ発生器２１１から発生するレーザビーム２４０の強度が，予熱用レーザ発生器２１２から発生するレーザビーム２４５の強度よりさらに大きい。パターニング用レーザ発生器２１１から発生するレーザビーム２４０は，転写層１５３内の結合を切るのに使われるので，ドナー基板１５０を予め加熱するのに使われるレーザビーム２４５より強度がさらに大きい。
図２Ｂは，ドナー基板上に照射されるレーザビームを示す図である。
図２Ｂを参照すれば，パターニング用レーザ発生器２１１から発生するレーザビーム２４０は，パターニングされたマスク２２０により一定のパターンを有するマルチビームであって，ベース基板１５１上に照射される。
他方，予熱用レーザ発生器２１２から発生するレーザビーム２４５は，ビームシェイピング装置２３５により四角形状を成す単一のレーザビーム２４５にシェイピングされ，照射される。
この際，レーザビーム２４０，２４５は，互いに重なる領域２４６を有する。レーザ照射装置２００は，矢印方向にスキャンしながら転写工程を進行するので，ドナー基板１５０を予熱すると同時に，転写層１５０をアクセプタ基板１６０上に転写させることができる。
レーザビーム２４０，２４５が互いに重なる領域を有しない場合，ドナー基板１５０を予熱した後，一定時間後にパターニングされるので，ドナー基板１５０の温度低下が生じることがある。
これにより，アクセプタ基板１６０上に，所望のパターンを有する層を転写させることができる。特に，アクセプタ基板１６０上に，有機電界発光素子を構成する画素電極が設けられている場合には，アクセプタ基板１６０上に有機発光層などを転写させることができる。
（第２の実施形態）
次に，本発明の第２の実施形態にかかるレーザ照射装置及びレーザ熱転写法について説明する。図３Ａ及び図３Ｂは，本発明の第２実施形態に係るレーザ照射装置及びレーザ熱転写法を説明する模式図である。
次に，本発明の第２の実施形態にかかるレーザ照射装置及びレーザ熱転写法について説明する。図３Ａ及び図３Ｂは，本発明の第２実施形態に係るレーザ照射装置及びレーザ熱転写法を説明する模式図である。
図３Ａを参照すれば，アクセプタ基板１６０上にドナー基板１５０がラミネーションされている。レーザ照射装置３００は，レーザ発生器３１０を備えている。
パターニング用レーザ発生器３１１の下方には，パターニングされたマスク３２０が配置されていて，マスク３２０の下方には，プロジェクションレンズ３３０が配置されている。
予熱用レーザ発生器３１２の下方には，パターニングされたマスク３２５が配置されていて，マスク３２５の下方には，プロジェクションレンズ３３５が配置されている。
パターニング用レーザ発生器３１１及び予熱用レーザ発生器３１２から発生するレーザビーム３４０，３４５は，パターニングされているマスク３２０，３２５を通過し，通過したレーザビーム３４０，３４５は，プロジェクションレンズ３３０，３３５により屈折し，ベース基板１５１上に照射される。マスク３２０，３２５のパターニングされていない部分では，レーザビーム３４０，３４５が遮断される。
本実施形態では，予熱用レーザ発生器３１２の下方に，パターニングされたマスク３２５及びプロジェクションレンズ３３５が配置されている。したがって，レーザビーム３４５をマルチビームで照射している。
図３Ｂを参照すれば，パターニング用レーザ発生器３１１から発生するレーザビーム３４０及び予熱用レーザ発生器３１２から発生するレーザビーム３４５がマルチビームで照射されていることが分かる。
この際，レーザビーム３４０，３４５は，互いに重なる領域３４６を有する。
本実施形態は，以上の事項を除いて，本発明の第１実施形態に係るレーザ照射装置及びレーザ熱転写法と同様である。
以上説明したように，本発明の実施形態によれば，ＬＩＴＩを用いた転写工程においてパターニング用レーザ発生器及び予熱用レーザ発生器を備えたレーザ照射装置を利用する。パターニング用レーザ発生器から発生する高強度のレーザビームを利用することによって，転写層が劣化するのを防止することができると同時に，予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームで予熱することによって，アクセプタ基板の段差が存在する部分でもエッジオープン不良が発生することなく，転写を良好に行うことができるという利点がある。
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
１５０ ドナー基板
１５１ ベース基板
１５２ 光熱変換層
１５３ 転写層
１６０ アクセプタ基板
２００，３００ レーザ照射装置
２１０，３１０ レーザ発生器
２１１，３１１ パターニング用レーザ発生器
２１２，３１２ 予熱用レーザ発生器
２２０，３２０，３２５ マスク
２３０，３３０，３３５ プロジェクションレンズ
２３５ ビームシェイピング装置
２４０，２４５，３４０，３４５ レーザビーム
２４６，３４６ パターニング用レーザ発生器から発生するレーザビームと予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームが互いに重なる領域
１５１ ベース基板
１５２ 光熱変換層
１５３ 転写層
１６０ アクセプタ基板
２００，３００ レーザ照射装置
２１０，３１０ レーザ発生器
２１１，３１１ パターニング用レーザ発生器
２１２，３１２ 予熱用レーザ発生器
２２０，３２０，３２５ マスク
２３０，３３０，３３５ プロジェクションレンズ
２３５ ビームシェイピング装置
２４０，２４５，３４０，３４５ レーザビーム
２４６，３４６ パターニング用レーザ発生器から発生するレーザビームと予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームが互いに重なる領域
Claims (16)
- 転写パターンに対応してパターニングされたマスクを介してドナー基板の所定領域にレーザビームを照射し，前記ドナー基板の所定領域に位置する転写層を選択的に変形させる予熱用レーザ発生器と；
前記転写パターンがパターニングされたマスクを介して前記ドナー基板の所定領域にレーザビームを照射し，前記ドナー基板の所定領域に位置し，かつ，前記予熱用レーザ発生器のレーザビームにより選択的に変形された前記転写層を，前記ドナー基板からアクセプタ基板上に選択的に転写するパターニング用レーザ発生器と；
を備えることを特徴とする，レーザ照射装置。 - 前記予熱用レーザ発生器の下方に配置されるビームシェイピング装置をさらに備えることを特徴とする，請求項１に記載のレーザ照射装置。
- 前記パターニング用レーザ発生器及び前記予熱用レーザ発生器は，互いに異なる波長のレーザビームを発生させることを特徴とする，請求項１または２に記載のレーザ照射装置。
- 前記パターニング用レーザ発生器から発生するレーザビームは，前記予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームよりさらに大きい強度を有することを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載のレーザ照射装置。
- 前記パターニング用レーザ発生器及び前記予熱用レーザ発生器から各々発生するレーザビームは，照射される領域において互いに重なる部分を有することを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載のレーザ照射装置。
- 予熱用レーザ発生器を用いて，転写パターンに対応してパターニングされたマスクを介してドナー基板の所定領域にレーザビームを照射し，前記ドナー基板の所定領域に位置する転写層を選択的に変形させる段階と；
パターニング用レーザ発生器を用いて，前記転写パターンがパターニングされたマスクを介して前記ドナー基板の所定領域にレーザビームを照射し，かつ，前記ドナー基板の所定領域に位置し，前記予熱用レーザ発生器のレーザビームにより選択的に変形された前記転写層を，前記ドナー基板からアクセプタ基板上に選択的に転写する段階と；
を含むことを特徴とする，レーザ熱転写法。 - 前記レーザ照射装置は，前記予熱用レーザ発生器の下方に配置されるビームシェイピング装置をさらに備えることを特徴とする，請求項６に記載のレーザ熱転写法。
- 前記パターニング用レーザ発生器及び前記予熱用レーザ発生器は，互いに異なる波長のレーザビームを発生させることを特徴とする，請求項６または７に記載のレーザ熱転写法。
- 前記パターニング用レーザ発生器から発生するレーザビームは，前記予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームよりさらに大きい強度を有することを特徴とする，請求項６〜８のいずれかに記載のレーザ熱転写法。
- 前記パターニング用レーザ発生器及び前記予熱用レーザ発生器は，照射される領域において互いに重なる部分を有するように，前記レーザビームを各々発生させることを特徴とする，請求項６〜９のいずれかに記載のレーザ熱転写法。
- 前記ドナー基板は，前記ベース基板と，前記ベース基板上に位置する光熱変換層（ＬＴＨＣ）と，前記光熱変換層上に位置する前記転写層とを備えることを特徴とする，請求項６〜１０に記載のレーザ熱転写法。
- 前記予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームは，前記光熱変換層の温度を前記転写層のガラス転移温度（Ｔｇ）まで上昇させることを特徴とする，請求項１１に記載のレーザ熱転写法。
- 前記ドナー基板は，前記光熱変換層と前記転写層との間に位置するバッファ層をさらに備えることを特徴とする，請求項１１に記載のレーザ熱転写法。
- 前記予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームは，前記バッファ層の温度を前記転写層のガラス転移温度（Ｔｇ）まで上昇させることを特徴とする，請求項１３に記載のレーザ熱転写法。
- 前記アクセプタ基板上には，有機電界発光素子を構成する画素電極が設けられていることを特徴とする，請求項１１〜１４のいずれかに記載のレーザ熱転写法。
- 前記転写層は，有機物質よりなることを特徴とする，請求項１５に記載のレーザ熱転写法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050014716A KR100700654B1 (ko) | 2005-02-22 | 2005-02-22 | 레이저 조사 장치 및 레이저 열 전사법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006231407A JP2006231407A (ja) | 2006-09-07 |
| JP4400888B2 true JP4400888B2 (ja) | 2010-01-20 |
Family
ID=36913129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006042515A Active JP4400888B2 (ja) | 2005-02-22 | 2006-02-20 | レーザ照射装置及びレーザ熱転写法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9272364B2 (ja) |
| JP (1) | JP4400888B2 (ja) |
| KR (1) | KR100700654B1 (ja) |
| CN (1) | CN1824518B (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7804759B2 (en) * | 2006-11-27 | 2010-09-28 | Toshiba Tec Kabushiki Kaisha | Contactless optical writing apparatus |
| JP2008187056A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Shinka Jitsugyo Kk | 半田付け方法及び装置 |
| JP2008235010A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Sony Corp | 表示装置の製造方法 |
| KR101563237B1 (ko) | 2007-06-01 | 2015-10-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 제조장치 및 발광장치 제작방법 |
| KR100887368B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2009-03-06 | 주식회사 엠엠티 | Ｃｏ₂및 다이오드 레이저를 이용한 평판 디스플레이패널의 실링방법 |
| WO2009157077A1 (ja) * | 2008-06-26 | 2009-12-30 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネルおよびその製造方法 |
| KR101416921B1 (ko) * | 2013-03-19 | 2014-07-08 | 주식회사 창강화학 | 광학 마스크 및 이를 포함하는 레이저 열 전사 장치 |
| KR20150003970A (ko) * | 2013-07-01 | 2015-01-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 도너 필름 및 이를 이용한 열 전사 방법 |
| KR102138625B1 (ko) * | 2013-12-23 | 2020-07-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 형성 장치 |
| JP5913498B2 (ja) * | 2014-09-17 | 2016-04-27 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光装置の製造方法及び有機電界発光装置 |
| JP2018065159A (ja) * | 2016-10-18 | 2018-04-26 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザリフトオフ装置及びレーザリフトオフ方法 |
| FR3063932B1 (fr) * | 2017-03-15 | 2019-03-22 | Universite de Bordeaux | Equipement et procede pour le depot de particules sur une cible |
| CN108539060B (zh) * | 2018-06-19 | 2020-10-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 制作oled显示面板的方法 |
| CN110076460B (zh) * | 2019-05-28 | 2020-09-18 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 空间多光束可控耦合激光加工装置及方法 |
| CN115246036A (zh) * | 2022-08-11 | 2022-10-28 | 沈阳航远航空技术有限公司 | 一种脆性或高强度材料双束激光辅助冲压方法及装置 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0657461B2 (ja) | 1985-05-20 | 1994-08-03 | 沖電気工業株式会社 | レ−ザ加熱転写記録装置 |
| US4857697A (en) * | 1987-01-21 | 1989-08-15 | Metal Box Public Limited Company | Continuous seam welding apparatus and methods |
| DE4212390A1 (de) * | 1992-04-13 | 1993-10-14 | Baasel Carl Lasertech | Strahlführungssystem für mehrere Laserstrahlen |
| JPH0655285A (ja) | 1992-08-07 | 1994-03-01 | Advantest Corp | レーザ加工方法及びこの加工方法を用いたレーザ加工装置 |
| US20030149427A1 (en) * | 1992-10-28 | 2003-08-07 | Transmedica International, Inc. | Laser perforator |
| JPH06344168A (ja) * | 1993-06-04 | 1994-12-20 | Toshiba Corp | レーザ加工装置 |
| JP3493482B2 (ja) | 1994-08-29 | 2004-02-03 | 株式会社リコー | 熱可逆記録媒体及びこれを用いた画像記録消去方法 |
| JPH09122942A (ja) | 1995-08-25 | 1997-05-13 | Asahi Optical Co Ltd | レーザ描画装置 |
| JP3772395B2 (ja) * | 1996-05-14 | 2006-05-10 | スズキ株式会社 | レーザ溶接方法 |
| US5998085A (en) | 1996-07-23 | 1999-12-07 | 3M Innovative Properties | Process for preparing high resolution emissive arrays and corresponding articles |
| JPH10156561A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-16 | Komatsu Ltd | レーザマーキング方法および装置および液晶素子の駆動方法 |
| US6183092B1 (en) * | 1998-05-01 | 2001-02-06 | Diane Troyer | Laser projection apparatus with liquid-crystal light valves and scanning reading beam |
| JP3904329B2 (ja) * | 1998-05-20 | 2007-04-11 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
| KR20000034508A (ko) | 1998-11-30 | 2000-06-26 | 전주범 | 텔레비젼 수상기의 자동이득제어 전압 조절장치 |
| US6114088A (en) * | 1999-01-15 | 2000-09-05 | 3M Innovative Properties Company | Thermal transfer element for forming multilayer devices |
| US6501047B1 (en) | 1999-11-19 | 2002-12-31 | Seagate Technology Llc | Laser-scribing brittle substrates |
| JP2002001564A (ja) | 2000-06-23 | 2002-01-08 | Amada Eng Center Co Ltd | レーザー加工装置およびその装置を利用する加工方法 |
| WO2003017732A1 (en) * | 2001-08-16 | 2003-02-27 | 3M Innovative Properties Company | Method and materials for patterning of a polymerizable, amorphous matrix with electrically active material disposed therein |
| US6750423B2 (en) * | 2001-10-25 | 2004-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device |
| AU2002347164A1 (en) | 2001-12-21 | 2003-07-15 | Ifire Technology Inc. | Method of laser ablation for patterning thin film layers for electroluminescent displays |
| JP4411575B2 (ja) * | 2002-04-25 | 2010-02-10 | セイコーエプソン株式会社 | 電子装置の製造装置 |
| JP2004020140A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 空気加熱装置及び火力発電設備 |
| US20050155956A1 (en) * | 2002-08-30 | 2005-07-21 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Laser processing method and processing device |
| TWI221102B (en) * | 2002-08-30 | 2004-09-21 | Sumitomo Heavy Industries | Laser material processing method and processing device |
| US7277110B2 (en) | 2004-03-26 | 2007-10-02 | Silicon Light Machines Corporation | Laser-based thermal printer |
| US7282666B2 (en) * | 2004-05-07 | 2007-10-16 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus to increase throughput of processing using pulsed radiation sources |
| GB0518105D0 (en) | 2005-09-06 | 2005-10-12 | Plastic Logic Ltd | Step-and-repeat laser ablation of electronic devices |
-
2005
- 2005-02-22 KR KR1020050014716A patent/KR100700654B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-02-20 JP JP2006042515A patent/JP4400888B2/ja active Active
- 2006-02-22 CN CN2006100673651A patent/CN1824518B/zh active Active
- 2006-02-22 US US11/358,314 patent/US9272364B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100700654B1 (ko) | 2007-03-27 |
| KR20060093615A (ko) | 2006-08-25 |
| US20060188825A1 (en) | 2006-08-24 |
| JP2006231407A (ja) | 2006-09-07 |
| CN1824518B (zh) | 2012-05-23 |
| US9272364B2 (en) | 2016-03-01 |
| CN1824518A (zh) | 2006-08-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4400888B2 (ja) | レーザ照射装置及びレーザ熱転写法 | |
| US7999835B2 (en) | Laser irradiation apparatus and method of fabricating organic light emitting display using the same | |
| JP4545166B2 (ja) | 平板表示素子用ドナー基板及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法 | |
| JP5336437B2 (ja) | ドナー基板及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法 | |
| US8480448B2 (en) | Donor film for laser induced thermal imaging method, light emitting device using the same, and method of manufacturing light emitting device | |
| US8842144B2 (en) | Laser induced thermal imaging apparatus and method for manufacturing organic light emitting diode (OLED) display device using the same | |
| US20070020821A1 (en) | Method for forming a thin-film transistor | |
| US20050118362A1 (en) | Thermal transfer element with light-to-heat conversion layer having concentration gradient | |
| JP5663262B2 (ja) | レーザ熱転写方法、それを用いた有機膜パターニング方法及び有機電界発光表示装置の製造方法 | |
| US20060063099A1 (en) | Method for fabricating organic electroluminescence device | |
| JP2005158750A (ja) | フルカラー有機電界発光素子用ドナー基板、ドナー基板の製造方法及びこのドナー基板を用いたフルカラー有機電界発光素子 | |
| JP4982044B2 (ja) | 熱転写素子 | |
| EP1640107B1 (en) | Method of fabricating organic light emitting display | |
| KR100812027B1 (ko) | 레이저 열 전사 장치 및 이를 이용한 유기 발광소자의제조방법 | |
| JP2007042849A (ja) | 薄膜トランジスタの形成方法 | |
| KR102000044B1 (ko) | 레이저 열 전사 필름 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR100611745B1 (ko) | 평판 표시 소자용 도너 필름의 제조 방법 및 이를 이용한유기 전계 발광 소자의 제조 방법 | |
| US9193205B2 (en) | Donor substrate for laser induced thermal imaging, method of laser induced thermal imaging and method of manufacturing an organic light emitting display device using the same | |
| Vergyris | Laser Induced Forward Transfer of Stacked layers for Organic Light Emitting Diodes | |
| KR20140074736A (ko) | 레이저 조사 방법을 이용한 유기막 패터닝 장치, 이를 이용한 유기막 패터닝 방법 및 이를 이용한 유기전계 발광소자 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080902 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081201 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20081209 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090407 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090706 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090929 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20091023 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091023 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4400888 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121106 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121106 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121106 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121106 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131106 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |