JP4400888B2 - Laser irradiation apparatus and laser thermal transfer method - Google Patents

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Description

本発明は,レーザ照射装置及びレーザ熱転写法に関する。   The present invention relates to a laser irradiation apparatus and a laser thermal transfer method.

一般に,平板表示素子である有機電界発光素子は,アノード電極と,カソード電極と,アノード電極とカソード電極との間に介在する有機膜層とを含む。このような有機電界発光素子は,有機膜層,特に,発光層を構成する物質によって,高分子有機電界発光素子と低分子有機電界発光素子とに分けられる。   In general, an organic electroluminescent element which is a flat panel display element includes an anode electrode, a cathode electrode, and an organic film layer interposed between the anode electrode and the cathode electrode. Such organic electroluminescent devices are classified into high-molecular organic electroluminescent devices and low-molecular organic electroluminescent devices depending on the organic film layer, in particular, the material constituting the light-emitting layer.

かかる有機電界発光素子においてフルカラー化を具現するためには,発光層をパターニングしなければならない。発光層をパターニングするための方法として,低分子有機電界発光素子の場合,シャドーマスク(shadow mask)を使用する方法が挙げられ,高分子有機電界発光素子の場合,インクジェットプリント(ink−jet printing)またはレーザによる熱転写法(Laser Induced Thermal Imaging;以下,LITIという)が挙げられる。これらのうちLITIは,有機膜層を微細にパターニングすることができ,大面積に使用することができ,高解像度に有利であるという長所があるだけでなく,インクジェットプリントがウェット工程であるのに対して,LITIは,ドライ工程であるという長所がある。   In order to realize full color in such an organic electroluminescent device, the light emitting layer must be patterned. As a method for patterning the light emitting layer, in the case of a low molecular organic electroluminescent device, there is a method using a shadow mask, and in the case of a polymer organic electroluminescent device, ink jet printing (ink-jet printing) is used. Alternatively, a laser thermal transfer method (Laser Induced Thermal Imaging; hereinafter referred to as LITI) may be used. Of these, LITI has the advantages that it can finely pattern the organic film layer, can be used over a large area, and is advantageous for high resolution, but it is also a wet process for inkjet printing. In contrast, LITI has the advantage of being a dry process.

このようなLITIは,レーザを用いた転写方法であって,これを利用して有機膜層などを形成するためには,少なくとも光源,基板及びドナー基板を必要とする。光源としては,レーザ照射装置から生じるレーザビームを利用する。関連従来技術が,特許文献1,特許文献2,特許文献3及び特許文献4に開示されている。   Such LITI is a transfer method using a laser, and in order to form an organic film layer or the like using this, at least a light source, a substrate and a donor substrate are required. As a light source, a laser beam generated from a laser irradiation device is used. Related prior arts are disclosed in Patent Literature 1, Patent Literature 2, Patent Literature 3 and Patent Literature 4.

図1は,従来技術に係るレーザ照射装置及びレーザ熱転写法を説明する模式図である。   FIG. 1 is a schematic diagram for explaining a laser irradiation apparatus and a laser thermal transfer method according to the prior art.

図1を参照すれば,所定の素子が設けられたアクセプタ基板160上に,ドナー基板150がラミネーションされている。ドナー基板150は,ベース基板151と,ベース基板151に接して位置する光熱変換層(LTHC;Light−To−Heat Conversion)152と,光熱変換層152に接して位置する転写層153とから構成される。   Referring to FIG. 1, a donor substrate 150 is laminated on an acceptor substrate 160 provided with predetermined elements. The donor substrate 150 includes a base substrate 151, a light-to-heat conversion layer (LTHC) 152 positioned in contact with the base substrate 151, and a transfer layer 153 positioned in contact with the light-heat conversion layer 152. The

この際,ドナー基板150上に照射される光源として,レーザ照射装置100から発生するレーザビームを使用する。   At this time, a laser beam generated from the laser irradiation apparatus 100 is used as a light source irradiated onto the donor substrate 150.

レーザ照射装置100は,レーザ発生器110と,パターニングされたマスク120と,プロジェクションレンズ130とを備えている。   The laser irradiation apparatus 100 includes a laser generator 110, a patterned mask 120, and a projection lens 130.

レーザ発生器110を用いてベース基板151の所定領域にレーザビーム140を照射する。この際,レーザ発生器110から発生するレーザビーム140は,パターニングされているマスク120を通過し,通過したレーザビーム140は,プロジェクションレンズ130により屈折し,ベース基板151上に照射される。マスク120のパターニングされていない部分では,レーザビーム140が遮断される。   A laser beam 140 is irradiated onto a predetermined region of the base substrate 151 using the laser generator 110. At this time, the laser beam 140 generated from the laser generator 110 passes through the patterned mask 120, and the passed laser beam 140 is refracted by the projection lens 130 and irradiated onto the base substrate 151. The laser beam 140 is blocked at the unpatterned portion of the mask 120.

ベース基板151の所定領域に照射されたレーザビーム140は,光熱変換層152に吸収され,熱エネルギーに変換される。吸収された熱エネルギーにより光熱変化層152からガスが発生し,これにより,光熱変換層152が膨らむ。膨らんだ光熱変化層152は,転写層153をアクセプタ基板160上に密着させる。密着された転写層153は,ドナー基板150内の結合が切り離され,アクセプタ基板160上に転写される。   The laser beam 140 applied to a predetermined region of the base substrate 151 is absorbed by the photothermal conversion layer 152 and converted into thermal energy. Gas is generated from the photothermal change layer 152 by the absorbed heat energy, and the photothermal conversion layer 152 is expanded. The swelled photothermal change layer 152 causes the transfer layer 153 to adhere to the acceptor substrate 160. The transferred transfer layer 153 is transferred to the acceptor substrate 160 after the bond in the donor substrate 150 is disconnected.

韓国特許出願第1998−51844号明細書Korean Patent Application No. 1998-51844 米国特許第5,998,085号明細書US Pat. No. 5,998,085 米国特許第6,214,520号明細書US Pat. No. 6,214,520 米国特許第6,114,088号明細書US Pat. No. 6,114,088

この時,伝達された熱エネルギーにより転写層153の温度が過度に高く上昇すると,転写層153の劣化が生じることがある。これを防止するために,高強度のレーザビームを使用すれば,転写層153が劣化するのを防止することはできるが,アクセプタ基板160の段差が形成されている部分では,転写層が結合されず,転写がされていない部分が発生するようになる。これをエッジオープン不良(edge open),または未転写不良という。これは,レーザビームが短時間に照射されるので,光熱変換層152の温度がまだ十分に上昇しておらず,容易に変形しないからである。   At this time, if the temperature of the transfer layer 153 rises excessively due to the transferred thermal energy, the transfer layer 153 may be deteriorated. In order to prevent this, if a high-intensity laser beam is used, the transfer layer 153 can be prevented from deteriorating. However, the transfer layer is combined at the stepped portion of the acceptor substrate 160. In other words, a portion that is not transferred is generated. This is called edge open failure (edge open) or non-transfer failure. This is because since the laser beam is irradiated in a short time, the temperature of the photothermal conversion layer 152 is not yet sufficiently increased and is not easily deformed.

そこで,本発明は,上記問題に鑑みてなされたものであり,本発明の目的とするところは,LITIを用いた転写工程において転写層が劣化するのを防止することができ,アクセプタ基板の段差が存在する部分でも,転写を良好に行うことができる,新規かつ改良されたレーザ照射装置及びレーザ熱転写法を提供することにある。   Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to prevent the transfer layer from being deteriorated in the transfer process using LITI, and to provide a step difference of the acceptor substrate. It is an object of the present invention to provide a new and improved laser irradiation apparatus and laser thermal transfer method that can perform transfer well even in the presence of the laser beam.

上記課題を解決するために,本発明のある観点によれば,転写パターンに対応してパターニングされたマスクを介してドナー基板の所定領域にレーザビームを照射し,ドナー基板の所定領域に位置する転写層を選択的に変形させる予熱用レーザ発生器と;転写パターンがパターニングされたマスクを介してドナー基板の所定領域にレーザビームを照射し,ドナー基板の所定領域に位置し,かつ,予熱用レーザ発生器のレーザビームにより選択的に変形された転写層を,ドナー基板からアクセプタ基板上に選択的に転写するパターニング用レーザ発生器と;を備えることを特徴とする,レーザ照射装置が提供される。また,上記予熱用レーザ発生器は,パターニング用レーザ発生器に対し,レーザビームのスキャン方向前方に配設されてもよい。
In order to solve the above-described problem, according to an aspect of the present invention, a predetermined region of a donor substrate is irradiated with a laser beam through a mask patterned corresponding to a transfer pattern, and is positioned in the predetermined region of the donor substrate. A preheating laser generator for selectively deforming the transfer layer ; irradiating a predetermined region of the donor substrate with a laser beam through a mask on which the transfer pattern is patterned, positioned in the predetermined region of the donor substrate, and for preheating And a patterning laser generator for selectively transferring a transfer layer selectively deformed by a laser beam of the laser generator from a donor substrate onto an acceptor substrate. The The preheating laser generator may be disposed in front of the patterning laser generator in the scanning direction of the laser beam.

また,上記課題を解決するために,本発明の別の観点によれば,予熱用レーザ発生器を用いて,転写パターンに対応してパターニングされたマスクを介してドナー基板の所定領域にレーザビームを照射し,ドナー基板の所定領域に位置する転写層を選択的に変形させる段階と;パターニング用レーザ発生器を用いて,転写パターンがパターニングされたマスクを介してドナー基板の所定領域にレーザビームを照射し,かつ,ドナー基板の所定領域に位置し,予熱用レーザ発生器のレーザビームにより選択的に変形された転写層を,ドナー基板からアクセプタ基板上に選択的に転写する段階と;を含むことを特徴とする,レーザ熱転写法が提供される。
In order to solve the above problems, according to another aspect of the present invention , a laser beam is applied to a predetermined region of a donor substrate through a mask patterned in accordance with a transfer pattern using a preheating laser generator. And selectively deforming a transfer layer located in a predetermined region of the donor substrate ; and using a patterning laser generator, a laser beam is applied to the predetermined region of the donor substrate through a mask on which the transfer pattern is patterned. And selectively transferring a transfer layer located in a predetermined region of the donor substrate and selectively deformed by the laser beam of the preheating laser generator from the donor substrate onto the acceptor substrate. There is provided a laser thermal transfer method characterized by comprising.

また,レーザ照射装置は,予熱用レーザ発生器の下方に配置されるビームシェイピング装置をさらに備えてもよい。   The laser irradiation device may further include a beam shaping device disposed below the preheating laser generator.

また,パターニング用レーザ発生器及び予熱用レーザ発生器は,互いに異なる波長のレーザビームを発生させてもよい。   The patterning laser generator and the preheating laser generator may generate laser beams having different wavelengths.

また,パターニング用レーザ発生器から発生するレーザビームは,予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームよりさらに大きい強度を有してもよい。   Further, the laser beam generated from the patterning laser generator may have a greater intensity than the laser beam generated from the preheating laser generator.

また,パターニング用レーザ発生器及び予熱用レーザ発生器は,照射される領域において互いに重なる部分を有するように,各々レーザビームを発生させてもよい。   Further, the patterning laser generator and the preheating laser generator may each generate a laser beam so as to have overlapping portions in the irradiated region.

ドナー基板は,ベース基板と,ベース基板上に位置する光熱変換層(LTHC)と,光熱変換層上に位置する転写層とを備えてもよい。   The donor substrate may include a base substrate, a photothermal conversion layer (LTHC) located on the base substrate, and a transfer layer located on the photothermal conversion layer.

また,予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームは,光熱変換層の温度を転写層のガラス転移温度(Tg)まで上昇させてもよい。   Further, the laser beam generated from the preheating laser generator may raise the temperature of the photothermal conversion layer to the glass transition temperature (Tg) of the transfer layer.

また,ドナー基板は,光熱変換層と転写層との間に位置するバッファ層をさらに備えてもよい。   The donor substrate may further include a buffer layer positioned between the photothermal conversion layer and the transfer layer.

また,予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームは,バッファ層の温度を転写層のガラス転移温度(Tg)以下まで上昇させてもよい。   Further, the laser beam generated from the preheating laser generator may raise the temperature of the buffer layer to the glass transition temperature (Tg) or less of the transfer layer.

また,アクセプタ基板上には,有機電界発光素子を構成する画素電極が設けられてもよい。   Moreover, the pixel electrode which comprises an organic electroluminescent element may be provided on the acceptor substrate.

また,転写層は,有機物質より構成されてもよい。   The transfer layer may be made of an organic material.

以上説明したように本発明によるレーザ照射装置及びレーザ熱転写法によれば,LITIを用いた転写工程において,転写層が劣化するのを防止することができると同時に,アクセプタ基板の段差が存在する部分でもエッジオープン不良が発生することなく,転写を良好に行うことができる。   As described above, according to the laser irradiation apparatus and the laser thermal transfer method of the present invention, it is possible to prevent the transfer layer from deteriorating in the transfer process using LITI, and at the same time, the portion where the step of the acceptor substrate exists. However, transfer can be performed satisfactorily without causing edge open defects.

以下に添付図面を参照しながら,本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお,本明細書及び図面において,実質的に同一の機能構成を有する構成要素については,同一の符号を付することにより重複説明を省略する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the present specification and drawings, components having substantially the same functional configuration are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

(第1の実施形態)
まず,本発明の第1の実施形態にかかるレーザ照射装置及びレーザ熱転写法について説明する。図2A及び図2Bは,本発明の第1実施形態に係るレーザ照射装置及びレーザ熱転写法を説明する模式図である。
(First embodiment)
First, a laser irradiation apparatus and a laser thermal transfer method according to the first embodiment of the present invention will be described. 2A and 2B are schematic views for explaining the laser irradiation apparatus and the laser thermal transfer method according to the first embodiment of the present invention.

図2Aを参照すれば,アクセプタ基板160上にドナー基板150がラミネーションされている。ドナー基板150は,アクセプタ基板160全体を覆うことができる程度の大きさを有することが好ましいが,必要に応じて,アクセプタ基板160より小さい大きさを有するものを使用してもよい。   Referring to FIG. 2A, the donor substrate 150 is laminated on the acceptor substrate 160. The donor substrate 150 preferably has a size that can cover the entire acceptor substrate 160, but a substrate having a size smaller than the acceptor substrate 160 may be used as necessary.

アクセプタ基板160上には,有機電界発光素子を構成する所定の素子が設けられている。すなわち薄膜トランジスタと,その上に位置する平坦化膜と,該平坦化膜上に位置する画素電極とが設けられることができる。   On the acceptor substrate 160, predetermined elements constituting an organic electroluminescent element are provided. That is, a thin film transistor, a planarizing film located on the thin film transistor, and a pixel electrode located on the planarizing film can be provided.

ドナー基板150は,有機電界発光素子用ドナー基板である。すなわちベース基板151と,ベース基板151に接して位置する光熱変換層(LTHC;Light−To−Heat Conversion)152と,光熱変換層152に接して位置する転写層153とから構成されることができる。   The donor substrate 150 is a donor substrate for an organic electroluminescent element. That is, the base substrate 151, a light-to-heat conversion layer (LTHC) 152 positioned in contact with the base substrate 151, and a transfer layer 153 positioned in contact with the light-heat conversion layer 152 can be configured. .

ベース基板151は,透明性高分子よりなる。このような高分子には,ポリエチレン,テレフタレートのようなポリエステル,ポリアクリル,ポリエポキシ,ポリエチレン,ポリスチレンなどを使用することができる。   The base substrate 151 is made of a transparent polymer. As such a polymer, polyester such as polyethylene and terephthalate, polyacryl, polyepoxy, polyethylene, polystyrene and the like can be used.

光熱変換層152は,光源,すなわちレーザビームを吸収し,熱に変換する層であって,レーザビーム吸収物質が含まれている有機膜,金属,又はこれらの複合層のうち1つを使用して構成されることができる。   The photothermal conversion layer 152 is a light source, that is, a layer that absorbs a laser beam and converts it into heat, and uses one of an organic film, a metal, or a composite layer containing a laser beam absorbing material. Can be configured.

光熱変換層152に隣接する位置にガス生成層(図示せず)を形成することができる。ガス生成層は,光または熱を吸収すれば,分解反応を起こして窒素ガスや水素ガスなどを放出することによって,転写エネルギーを提供する役目をし,四硝酸ペンタエリスリット(PETN),トリニトロトルエン(TNT)などから選択された物質よりなることができる。ガス生成層は,光熱変換層152から熱を伝達されなければならないので,光熱変換層152の上部又は下部に隣接して配置されたり,光熱変換層152を構成する物質と混合して,1つの層を構成することができる。   A gas generation layer (not shown) can be formed at a position adjacent to the photothermal conversion layer 152. The gas generating layer, when absorbing light or heat, causes a decomposition reaction and releases nitrogen gas, hydrogen gas, etc., thereby providing transfer energy, such as pentaerythritol tetranitrate (PETN), trinitrotoluene. (TNT) or the like. Since the gas generation layer must transfer heat from the light-to-heat conversion layer 152, the gas generation layer is disposed adjacent to the upper or lower portion of the light-to-heat conversion layer 152, or mixed with a substance constituting the light-to-heat conversion layer 152, Layers can be constructed.

転写層153は,アクセプタ基板160上にパターニングされる物質膜であって,有機物質よりなる。ドナー基板150を使用して有機電界発光素子を製造する場合,ドナー基板150は,正孔注入層用有機膜,正孔輸送層用有機膜,発光層用有機膜,正孔抑制層用有機膜,電子輸送層用有機膜及び電子注入層用有機膜よりなる群から選択される1種の単層膜または2種以上の多層膜構造を有する。さらに,有機膜は,高分子物質または低分子物質である。一方,転写層153は,押出,スピンコート,ナイフコート,真空蒸着及びCVD(Chemical Vapor Deposition)よりなる群から選択される1つの方法を使用して形成される。   The transfer layer 153 is a material film that is patterned on the acceptor substrate 160 and is made of an organic material. When an organic electroluminescent device is manufactured using the donor substrate 150, the donor substrate 150 includes an organic film for a hole injection layer, an organic film for a hole transport layer, an organic film for a light emitting layer, and an organic film for a hole suppression layer. , One single layer film selected from the group consisting of an organic film for an electron transport layer and an organic film for an electron injection layer, or a multilayer film structure of two or more types. Furthermore, the organic film is a high molecular substance or a low molecular substance. On the other hand, the transfer layer 153 is formed using one method selected from the group consisting of extrusion, spin coating, knife coating, vacuum deposition, and CVD (Chemical Vapor Deposition).

光熱変換層152と転写層153との間には,バッファ層(図示せず)をさらに形成することができる。バッファ層は,転写パターン特性が向上するように,転写層153との接着力を制御する役目をする。   A buffer layer (not shown) can be further formed between the photothermal conversion layer 152 and the transfer layer 153. The buffer layer serves to control the adhesive force with the transfer layer 153 so that the transfer pattern characteristics are improved.

ドナー基板150は,上記ベース基板,光熱変換層,転写層,ガス生成層,及びバッファ層のみならず,多様な用途を有する層をさらに備えることができ,その用途に応じて,積層構造を変更して使用することができる。   The donor substrate 150 can further include a layer having various uses as well as the base substrate, the photothermal conversion layer, the transfer layer, the gas generation layer, and the buffer layer, and the laminated structure is changed according to the use. Can be used.

アクセプタ基板160上にラミネーションされているドナー基板150の所定領域に,レーザビームを照射し,転写層153をアクセプタ基板160上に転写させる。   A predetermined region of the donor substrate 150 laminated on the acceptor substrate 160 is irradiated with a laser beam, and the transfer layer 153 is transferred onto the acceptor substrate 160.

この際,ドナー基板150上に照射される光源として,レーザ照射装置200から発生するレーザビームを使用する。   At this time, a laser beam generated from the laser irradiation apparatus 200 is used as a light source irradiated onto the donor substrate 150.

レーザ照射装置200は,レーザ発生器210を備えている。本実施形態では,パターニング用レーザ発生器211と予熱用レーザ発生器212とを備えたレーザ発生器210を採用している。   The laser irradiation apparatus 200 includes a laser generator 210. In the present embodiment, a laser generator 210 including a patterning laser generator 211 and a preheating laser generator 212 is employed.

パターニング用レーザ発生器211は,転写層153をドナー基板150から切り離して,アクセプタ基板160上に転写させ,所定のパターンを形成するのに必要なレーザビーム240を発生させる。したがって,パターニング用レーザ発生器211から発生するレーザビーム240の強度は,転写層153内の結合を切ることができる程度の強度を有する。   The patterning laser generator 211 separates the transfer layer 153 from the donor substrate 150, transfers it onto the acceptor substrate 160, and generates a laser beam 240 necessary to form a predetermined pattern. Therefore, the intensity of the laser beam 240 generated from the patterning laser generator 211 has such an intensity that the bond in the transfer layer 153 can be broken.

予熱用レーザ発生器212は,ドナー基板150を予熱させるレーザビーム245を発生させる。すなわち光熱変換層152やバッファ層を一定の温度まで予め加熱して,変形を容易にする。   The preheating laser generator 212 generates a laser beam 245 that preheats the donor substrate 150. That is, the photothermal conversion layer 152 and the buffer layer are preheated to a certain temperature to facilitate deformation.

予熱用レーザ発生器212から発生するレーザビーム245は,光熱変換層152により吸収され,熱に変換される。この際,発生する熱により光熱変換層152の温度が上昇するので,転写層153のガラス転移温度(Tg)まで上昇するようにレーザビーム245を照射する。ガラス転移温度とは,物質が軟化する温度を言い,ガラス転移は,高分子物質において起こる現象である。すなわち高分子物質は,ガラス転移温度以上の温度ではゴム状態のように作用し,ガラス転移温度以下の温度ではガラスのように堅く且つ壊れやすい状態に作用する。   The laser beam 245 generated from the preheating laser generator 212 is absorbed by the photothermal conversion layer 152 and converted into heat. At this time, since the temperature of the light-to-heat conversion layer 152 is increased by the generated heat, the laser beam 245 is irradiated so as to increase to the glass transition temperature (Tg) of the transfer layer 153. Glass transition temperature refers to the temperature at which a material softens, and glass transition is a phenomenon that occurs in polymer materials. That is, the polymer substance acts like a rubber at a temperature higher than the glass transition temperature, and acts as hard and fragile like glass at a temperature lower than the glass transition temperature.

したがって,転写層153のガラス転移温度まで温度が上昇した光熱変換層152から転写層153に熱が伝達され,転写層153は,変形が容易な状態に維持される。しかし,必ずしも光熱変換層152の温度を,転写層153のガラス転移温度まで上昇させる必要はなく,転写層153の変形が容易な場合には,転写層153のガラス転移温度以下の温度まで上昇させても構わない。   Therefore, heat is transferred from the photothermal conversion layer 152 whose temperature has risen to the glass transition temperature of the transfer layer 153 to the transfer layer 153, and the transfer layer 153 is maintained in a state where it can be easily deformed. However, it is not always necessary to raise the temperature of the photothermal conversion layer 152 to the glass transition temperature of the transfer layer 153. If the transfer layer 153 is easily deformed, the temperature is raised to a temperature lower than the glass transition temperature of the transfer layer 153. It doesn't matter.

光熱変換層152と転写層153との間にバッファ層を形成する場合には,バッファ層の温度を転写層153のガラス転移温度まで上昇させる。   When a buffer layer is formed between the photothermal conversion layer 152 and the transfer layer 153, the temperature of the buffer layer is raised to the glass transition temperature of the transfer layer 153.

したがって,パターニング用レーザ発生器211から発生する高強度のレーザビーム240が照射されても,予熱用レーザ発生器212から発生するレーザビーム245によりドナー基板150が容易に変形するので,アクセプタ基板160の段差が形成されている部分でも,転写を良好に行うことができる。   Therefore, even if the high-intensity laser beam 240 generated from the patterning laser generator 211 is irradiated, the donor substrate 150 is easily deformed by the laser beam 245 generated from the preheating laser generator 212. Even at the portion where the step is formed, the transfer can be performed satisfactorily.

パターニング用レーザ発生器211の下方には,パターニングされたマスク220が配置されていて,マスク220の下方には,プロジェクションレンズ230が配置されている。   A patterned mask 220 is disposed below the patterning laser generator 211, and a projection lens 230 is disposed below the mask 220.

パターニング用レーザ発生器211から発生するレーザビーム240は,パターニングされているマスク220を通過し,通過したレーザビーム240は,プロジェクションレンズ230により屈折し,ベース基板151上に照射される。マスク220のパターニングされてない部分では,レーザビーム240が遮断される。   The laser beam 240 generated from the patterning laser generator 211 passes through the mask 220 being patterned, and the laser beam 240 that has passed through is refracted by the projection lens 230 and irradiated onto the base substrate 151. The laser beam 240 is blocked at the unpatterned portion of the mask 220.

予熱用レーザ発生器212の下方には,ビームシェイピング装置235が配置されている。ビームシェイピング装置235には,フライアイレンズ(fly eye lens)や円筒形レンズ(cylindrical lens)などが設けられていてもよい。したがって,パターニング用レーザ発生器211から発生するレーザビーム240は,ビームシェイピング装置235を介して均一の強度を有するようになり,一定の形態,例えば,四角形または円形などの形態にシェイピングされる。   A beam shaping device 235 is disposed below the preheating laser generator 212. The beam shaping device 235 may be provided with a fly eye lens, a cylindrical lens, or the like. Therefore, the laser beam 240 generated from the patterning laser generator 211 has a uniform intensity via the beam shaping device 235, and is shaped into a certain shape, for example, a square shape or a circular shape.

パターニング用レーザ発生器211及び予熱用レーザ発生器212は,各々ドナー基板150のベース基板151上にレーザビーム240,245を照射する。   The patterning laser generator 211 and the preheating laser generator 212 respectively irradiate the base substrate 151 of the donor substrate 150 with laser beams 240 and 245.

予熱用レーザ発生器は,パターニング用レーザ発生器に対し,レーザービーム240,245のスキャン方向前方に配設される。これにより,予熱用レーザ発生器から発生するレーザビーム245は,ドナー基板150を予め加熱し,パターニング用レーザ発生器から発生するレーザビーム240が転写層153の温度を上昇させるのを容易にする。   The preheating laser generator is disposed in front of the patterning laser generator in the scanning direction of the laser beams 240 and 245. As a result, the laser beam 245 generated from the preheating laser generator preheats the donor substrate 150 and facilitates the laser beam 240 generated from the patterning laser generator to raise the temperature of the transfer layer 153.

発生する各々のレーザビーム240,245は,互いに異なる波長を有することが好ましい。特に,パターニング用レーザ発生器211から発生するレーザビーム240の強度が,予熱用レーザ発生器212から発生するレーザビーム245の強度よりさらに大きい。パターニング用レーザ発生器211から発生するレーザビーム240は,転写層153内の結合を切るのに使われるので,ドナー基板150を予め加熱するのに使われるレーザビーム245より強度がさらに大きい。   Each of the generated laser beams 240 and 245 preferably has a different wavelength. In particular, the intensity of the laser beam 240 generated from the patterning laser generator 211 is greater than the intensity of the laser beam 245 generated from the preheating laser generator 212. Since the laser beam 240 generated from the patterning laser generator 211 is used to break the bond in the transfer layer 153, the intensity is higher than the laser beam 245 used to preheat the donor substrate 150.

図2Bは,ドナー基板上に照射されるレーザビームを示す図である。   FIG. 2B is a diagram showing a laser beam irradiated on the donor substrate.

図2Bを参照すれば,パターニング用レーザ発生器211から発生するレーザビーム240は,パターニングされたマスク220により一定のパターンを有するマルチビームであって,ベース基板151上に照射される。   Referring to FIG. 2B, the laser beam 240 generated from the patterning laser generator 211 is a multi-beam having a certain pattern by the patterned mask 220 and is irradiated onto the base substrate 151.

他方,予熱用レーザ発生器212から発生するレーザビーム245は,ビームシェイピング装置235により四角形状を成す単一のレーザビーム245にシェイピングされ,照射される。   On the other hand, the laser beam 245 generated from the preheating laser generator 212 is shaped and irradiated by the beam shaping device 235 into a single laser beam 245 having a square shape.

この際,レーザビーム240,245は,互いに重なる領域246を有する。レーザ照射装置200は,矢印方向にスキャンしながら転写工程を進行するので,ドナー基板150を予熱すると同時に,転写層150をアクセプタ基板160上に転写させることができる。   At this time, the laser beams 240 and 245 have regions 246 that overlap each other. Since the laser irradiation apparatus 200 advances the transfer process while scanning in the direction of the arrow, the transfer layer 150 can be transferred onto the acceptor substrate 160 at the same time as the donor substrate 150 is preheated.

レーザビーム240,245が互いに重なる領域を有しない場合,ドナー基板150を予熱した後,一定時間後にパターニングされるので,ドナー基板150の温度低下が生じることがある。   In the case where the laser beams 240 and 245 do not have a region where they overlap each other, the temperature of the donor substrate 150 may be decreased because the donor substrate 150 is patterned after a predetermined time after preheating.

これにより,アクセプタ基板160上に,所望のパターンを有する層を転写させることができる。特に,アクセプタ基板160上に,有機電界発光素子を構成する画素電極が設けられている場合には,アクセプタ基板160上に有機発光層などを転写させることができる。   As a result, a layer having a desired pattern can be transferred onto the acceptor substrate 160. In particular, when a pixel electrode constituting an organic electroluminescent element is provided on the acceptor substrate 160, an organic light emitting layer or the like can be transferred onto the acceptor substrate 160.

(第2の実施形態)
次に,本発明の第2の実施形態にかかるレーザ照射装置及びレーザ熱転写法について説明する。図3A及び図3Bは,本発明の第2実施形態に係るレーザ照射装置及びレーザ熱転写法を説明する模式図である。
(Second Embodiment)
Next, a laser irradiation apparatus and a laser thermal transfer method according to the second embodiment of the present invention will be described. 3A and 3B are schematic views for explaining a laser irradiation apparatus and a laser thermal transfer method according to a second embodiment of the present invention.

図3Aを参照すれば,アクセプタ基板160上にドナー基板150がラミネーションされている。レーザ照射装置300は,レーザ発生器310を備えている。   Referring to FIG. 3A, the donor substrate 150 is laminated on the acceptor substrate 160. The laser irradiation apparatus 300 includes a laser generator 310.

パターニング用レーザ発生器311の下方には,パターニングされたマスク320が配置されていて,マスク320の下方には,プロジェクションレンズ330が配置されている。   A patterned mask 320 is disposed below the patterning laser generator 311, and a projection lens 330 is disposed below the mask 320.

予熱用レーザ発生器312の下方には,パターニングされたマスク325が配置されていて,マスク325の下方には,プロジェクションレンズ335が配置されている。   A patterned mask 325 is disposed below the preheating laser generator 312, and a projection lens 335 is disposed below the mask 325.

パターニング用レーザ発生器311及び予熱用レーザ発生器312から発生するレーザビーム340,345は,パターニングされているマスク320,325を通過し,通過したレーザビーム340,345は,プロジェクションレンズ330,335により屈折し,ベース基板151上に照射される。マスク320,325のパターニングされていない部分では,レーザビーム340,345が遮断される。   The laser beams 340 and 345 generated from the patterning laser generator 311 and the preheating laser generator 312 pass through the masks 320 and 325 that are patterned, and the laser beams 340 and 345 that have passed through are projected by the projection lenses 330 and 335. The light is refracted and irradiated onto the base substrate 151. The laser beams 340 and 345 are blocked at the unpatterned portions of the masks 320 and 325.

本実施形態では,予熱用レーザ発生器312の下方に,パターニングされたマスク325及びプロジェクションレンズ335が配置されている。したがって,レーザビーム345をマルチビームで照射している。   In the present embodiment, a patterned mask 325 and a projection lens 335 are disposed below the preheating laser generator 312. Therefore, the laser beam 345 is irradiated with multiple beams.

図3Bを参照すれば,パターニング用レーザ発生器311から発生するレーザビーム340及び予熱用レーザ発生器312から発生するレーザビーム345がマルチビームで照射されていることが分かる。   Referring to FIG. 3B, it can be seen that the laser beam 340 generated from the patterning laser generator 311 and the laser beam 345 generated from the preheating laser generator 312 are irradiated with multiple beams.

この際,レーザビーム340,345は,互いに重なる領域346を有する。   At this time, the laser beams 340 and 345 have regions 346 that overlap each other.

本実施形態は,以上の事項を除いて,本発明の第1実施形態に係るレーザ照射装置及びレーザ熱転写法と同様である。   This embodiment is the same as the laser irradiation apparatus and laser thermal transfer method according to the first embodiment of the present invention except for the above matters.

以上説明したように,本発明の実施形態によれば,LITIを用いた転写工程においてパターニング用レーザ発生器及び予熱用レーザ発生器を備えたレーザ照射装置を利用する。パターニング用レーザ発生器から発生する高強度のレーザビームを利用することによって,転写層が劣化するのを防止することができると同時に,予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームで予熱することによって,アクセプタ基板の段差が存在する部分でもエッジオープン不良が発生することなく,転写を良好に行うことができるという利点がある。   As described above, according to the embodiment of the present invention, the laser irradiation apparatus including the patterning laser generator and the preheating laser generator is used in the transfer process using LITI. By using a high-intensity laser beam generated from the patterning laser generator, it is possible to prevent the transfer layer from deteriorating, and at the same time, by preheating with the laser beam generated from the preheating laser generator, There is an advantage that transfer can be performed satisfactorily without occurrence of an edge open defect even in a portion where the step of the acceptor substrate exists.

以上,添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが,本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された範疇内において,各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり,それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。   As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described referring an accompanying drawing, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to the example which concerns. It will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made within the scope of the claims, and these are naturally within the technical scope of the present invention. Understood.

従来技術に係るレーザ照射装置及びレーザ熱転写法を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the laser irradiation apparatus and laser thermal transfer method which concern on a prior art. 本発明の第1実施形態に係るレーザ照射装置及びレーザ熱転写法を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the laser irradiation apparatus and laser thermal transfer method which concern on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係るレーザ照射装置及びレーザ熱転写法を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the laser irradiation apparatus and laser thermal transfer method which concern on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係るレーザ照射装置及びレーザ熱転写法を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the laser irradiation apparatus and laser thermal transfer method which concern on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係るレーザ照射装置及びレーザ熱転写法を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the laser irradiation apparatus and laser thermal transfer method which concern on 2nd Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

150 ドナー基板
151 ベース基板
152 光熱変換層
153 転写層
160 アクセプタ基板
200,300 レーザ照射装置
210,310 レーザ発生器
211,311 パターニング用レーザ発生器
212,312 予熱用レーザ発生器
220,320,325 マスク
230,330,335 プロジェクションレンズ
235 ビームシェイピング装置
240,245,340,345 レーザビーム
246,346 パターニング用レーザ発生器から発生するレーザビームと予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームが互いに重なる領域
150 donor substrate 151 base substrate 152 photothermal conversion layer 153 transfer layer 160 acceptor substrate 200,300 laser irradiation device 210,310 laser generator 211,311 patterning laser generator 212,312 preheating laser generator 220,320,325 mask 230, 330, 335 Projection lens 235 Beam shaping device 240, 245, 340, 345 Laser beam 246, 346 Area where laser beam generated from patterning laser generator and laser beam generated from preheating laser generator overlap each other

Claims (16)

転写パターンに対応してパターニングされたマスクを介してドナー基板の所定領域にレーザビームを照射し,前記ドナー基板の所定領域に位置する転写層を選択的に変形させる予熱用レーザ発生器と;
前記転写パターンがパターニングされたマスクを介して前記ドナー基板の所定領域にレーザビームを照射し,前記ドナー基板の所定領域に位置し,かつ,前記予熱用レーザ発生器のレーザビームにより選択的に変形された前記転写層を,前記ドナー基板からアクセプタ基板上に選択的に転写するパターニング用レーザ発生器と;
を備えることを特徴とする,レーザ照射装置。
A preheating laser generator that irradiates a predetermined region of the donor substrate with a laser beam through a mask patterned corresponding to the transfer pattern and selectively deforms a transfer layer located in the predetermined region of the donor substrate ;
A predetermined region of the donor substrate is irradiated with a laser beam through a mask on which the transfer pattern has been patterned, is positioned in the predetermined region of the donor substrate, and is selectively deformed by the laser beam of the preheating laser generator A patterning laser generator for selectively transferring the transferred layer from the donor substrate onto the acceptor substrate ;
A laser irradiation apparatus comprising:
前記予熱用レーザ発生器の下方に配置されるビームシェイピング装置をさらに備えることを特徴とする,請求項1に記載のレーザ照射装置。   The laser irradiation apparatus according to claim 1, further comprising a beam shaping device disposed below the preheating laser generator. 前記パターニング用レーザ発生器及び前記予熱用レーザ発生器は,互いに異なる波長のレーザビームを発生させることを特徴とする,請求項1または2に記載のレーザ照射装置。   The laser irradiation apparatus according to claim 1, wherein the patterning laser generator and the preheating laser generator generate laser beams having different wavelengths. 前記パターニング用レーザ発生器から発生するレーザビームは,前記予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームよりさらに大きい強度を有することを特徴とする,請求項1〜3のいずれかに記載のレーザ照射装置。   4. The laser irradiation apparatus according to claim 1, wherein the laser beam generated from the patterning laser generator has a greater intensity than the laser beam generated from the preheating laser generator. . 前記パターニング用レーザ発生器及び前記予熱用レーザ発生器から各々発生するレーザビームは,照射される領域において互いに重なる部分を有することを特徴とする,請求項1〜4のいずれかに記載のレーザ照射装置。   5. The laser irradiation according to claim 1, wherein laser beams respectively generated from the patterning laser generator and the preheating laser generator have overlapping portions in an irradiated region. apparatus. 予熱用レーザ発生器を用いて,転写パターンに対応してパターニングされたマスクを介してドナー基板の所定領域にレーザビームを照射し,前記ドナー基板の所定領域に位置する転写層を選択的に変形させる段階と;
パターニング用レーザ発生器を用いて,前記転写パターンがパターニングされたマスクを介して前記ドナー基板の所定領域にレーザビームを照射し,かつ,前記ドナー基板の所定領域に位置し,前記予熱用レーザ発生器のレーザビームにより選択的に変形された前記転写層を,前記ドナー基板からアクセプタ基板上に選択的に転写する段階と;
を含むことを特徴とする,レーザ熱転写法。
Using a preheating laser generator, a predetermined region of the donor substrate is irradiated with a laser beam through a mask patterned corresponding to the transfer pattern, and the transfer layer located in the predetermined region of the donor substrate is selectively deformed. And a stage of
Using a patterning laser generator, a predetermined region of the donor substrate is irradiated with a laser beam through a mask on which the transfer pattern is patterned, and the preheating laser is generated in a predetermined region of the donor substrate. Selectively transferring the transfer layer selectively deformed by a laser beam of the vessel from the donor substrate onto an acceptor substrate ;
A laser thermal transfer method characterized by comprising:
前記レーザ照射装置は,前記予熱用レーザ発生器の下方に配置されるビームシェイピング装置をさらに備えることを特徴とする,請求項6に記載のレーザ熱転写法。   The laser thermal transfer method according to claim 6, wherein the laser irradiation device further includes a beam shaping device disposed below the preheating laser generator. 前記パターニング用レーザ発生器及び前記予熱用レーザ発生器は,互いに異なる波長のレーザビームを発生させることを特徴とする,請求項6または7に記載のレーザ熱転写法。   8. The laser thermal transfer method according to claim 6, wherein the patterning laser generator and the preheating laser generator generate laser beams having different wavelengths. 前記パターニング用レーザ発生器から発生するレーザビームは,前記予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームよりさらに大きい強度を有することを特徴とする,請求項6〜8のいずれかに記載のレーザ熱転写法。   9. The laser thermal transfer method according to claim 6, wherein the laser beam generated from the patterning laser generator has a greater intensity than the laser beam generated from the preheating laser generator. . 前記パターニング用レーザ発生器及び前記予熱用レーザ発生器は,照射される領域において互いに重なる部分を有するように,前記レーザビームを各々発生させることを特徴とする,請求項6〜9のいずれかに記載のレーザ熱転写法。   The laser beam generator for patterning and the laser generator for preheating respectively generate the laser beams so as to have overlapping portions in the irradiated region. The laser thermal transfer method described. 前記ドナー基板は,前記ベース基板と,前記ベース基板上に位置する光熱変換層(LTHC)と,前記光熱変換層上に位置する前記転写層とを備えることを特徴とする,請求項6〜10に記載のレーザ熱転写法。 The donor substrate includes a base substrate, a light-to-heat conversion layer (LTHC) located on the base substrate, characterized by comprising said transfer layer positioned on the light-to-heat conversion layer, according to claim 6-10 The laser thermal transfer method described in 1. 前記予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームは,前記光熱変換層の温度を前記転写層のガラス転移温度(Tg)まで上昇させることを特徴とする,請求項11に記載のレーザ熱転写法。   The laser thermal transfer method according to claim 11, wherein the laser beam generated from the preheating laser generator raises the temperature of the photothermal conversion layer to the glass transition temperature (Tg) of the transfer layer. 前記ドナー基板は,前記光熱変換層と前記転写層との間に位置するバッファ層をさらに備えることを特徴とする,請求項11に記載のレーザ熱転写法。   The laser thermal transfer method according to claim 11, wherein the donor substrate further includes a buffer layer positioned between the photothermal conversion layer and the transfer layer. 前記予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームは,前記バッファ層の温度を前記転写層のガラス転移温度(Tg)まで上昇させることを特徴とする,請求項13に記載のレーザ熱転写法。   The laser thermal transfer method according to claim 13, wherein the laser beam generated from the preheating laser generator raises the temperature of the buffer layer to the glass transition temperature (Tg) of the transfer layer. 前記アクセプタ基板上には,有機電界発光素子を構成する画素電極が設けられていることを特徴とする,請求項11〜14のいずれかに記載のレーザ熱転写法。   The laser thermal transfer method according to claim 11, wherein a pixel electrode constituting an organic electroluminescent element is provided on the acceptor substrate. 前記転写層は,有機物質よりなることを特徴とする,請求項15に記載のレーザ熱転写法。
The laser thermal transfer method according to claim 15, wherein the transfer layer is made of an organic material.
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