KR101416921B1 - 광학 마스크 및 이를 포함하는 레이저 열 전사 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 광학마스크 통과시 광의 특성을 변화시키지 않는 광학 마스크 및 이를 포함하는 레이저 열 전사 장치를 개시한다.

Description

광학 마스크 및 이를 포함하는 레이저 열 전사 장치{OPTICAL MASK AND LASER INDUCED THERMAL IMAGING APPARATUS COMPRISING THE SAME}
본 발명은 광학 마스크에 관한 것으로서, 더욱 자세하게는 광학 마스크 통과시 광의 특성이 변화되지 않는 광학 마스크, 및 이를 포함하는 레이저 열 전사장치에 관한 것이다.
최근 유기 전계 발광 소자는 고속의 응답속도를 가지며, 시야각에 문제가 없는 장점이 있어 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.
이러한 유기 전계 발광 소자는 유기막을 패터닝하는 기술이 중요하며, 최근에는 패턴 균일도가 우수하며 대면적화에 유리한 레이저 열전사법이 대두되고 있다.
레이저 열전사법은 미세패턴을 대면적으로 형성하는데 유리하며, 건식 공정이므로 용매에 의해 유기막이 손상되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.
이러한 레이저 열전사법은 기본적으로 광원, 광학 마스크, 도너 기판 및 OLED 기판을 필요로 하며, 광원에서 방출된 광이 광학 마스크를 통과하여 도너 기판의 광-열 변환층에 흡수됨으로써 빛이 열에너지로 전환되고, 전환된 열에너지에 의해 전사층에 형성된 유기물질이 OLED 기판으로 전사된다.
이 중 광학 마스크는 투광 기판에 광반사층이 형성되고 소정의 배열로 개구부가 형성된 유전체 마스크(dielectric mask, DM)이다. 따라서, 광학 마스크 상에 레이저 빔을 조사하면, 광반사층의 개구부에 의해 정의된 투광 영역으로 빛이 투과되어 OLED 기판 상에 원하는 패턴의 발광층이 전사된다.
이러한 광학 마스크는 일반적으로 저굴절률층과 고굴절률층을 반복 적층하고 반도체 식각 공정에 의해 개구부를 형성하는데, 개구부의 깊이가 깊어질수록 식각이 어려워져 개구부는 하부로 갈수록 좁아지는 문제가 있다. 또한, 고굴절률층과 저굴절률층의 식각률이 상이하여 층간의 단차가 발생하는 문제가 있다.
그 결과, 광학 마스크를 이용하여 OLED 기판에 발광층을 형성하는 경우, 광학마스크의 개구부 경사각도 및 고굴절률층과 저굴절률층의 단차 정도에 따라 OLED 기판에 전사된 발광층의 광 특성이 변화되어 줄무늬 패턴이 관찰되는 문제가 있다.
본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위한 것으로서, 광학마스크 통과시 광의 특성을 변화시키지 않는 광학 마스크 및 이를 포함하는 레이저 열 전사 장치를 제공한다.
본 발명의 일 특징에 따른 광학 마스크는, 투광기판과, 상기 투광기판상에 저굴절률층과 고굴절률층이 교호 적층된 복수 개의 반사부 및 상기 반사부 사이에 개구부가 형성된 광반사층을 포함하는 광학 마스크에 있어서, 상기 투광기판을 기준으로 반사부로 입사된 광의 파워가 초기 100% 대비 95% 포인트 감소되는 지점까지의 반사부 두께를 유효영역으로 정의하고, 상기 유효영역에 포함되는 복수 개의 고굴절률층이 개구부 측벽으로부터 돌출된 끝단을 연결하는 가상의 직선들 중에서 상기 돌출된 끝단과 이격된 거리를 각각 더한 합이 최소인 직선을 개구부 경사직선으로 정의할 때, 상기 개구부 경사직선은 상기 투광기판과 교차하고, 상기 유효영역에서 상기 저굴절률층은 상기 개구부 경사직선으로부터 돌출된 에지부를 갖는다.
삭제
본 발명의 또 다른 특징에 따른 광학 마스크의 상기 에지부는 하기 수학식 1의 관계를 만족한다.
[수학식 1]
X = 1.1(A+B)
(여기서, X는 에지부 돌출길이의 평균값, A는 저굴절률층의 두께, B는 고굴절률층의 두께이다.)
본 발명의 또 다른 특징에 따른 광학 마스크는, 상기 개구부 경사직선이 상기 투광기판과 이루는 각도가 71°이상 76°미만일 때 상기 에지부가 하기 수학식 1의 관계를 만족한다.
[수학식 1]
X = 1.1(A+B)
(여기서, X는 에지부 돌출길이의 평균값, A는 저굴절률층의 두께, B는 고굴절률층의 두께이다.)
본 발명의 또 다른 특징에 따른 광학 마스크는, 상기 개구부 경사직선이 상기 투광기판과 이루는 각도가 76°이상 81°미만일 때 상기 에지부가 하기 수학식 2의 관계를 만족한다.
[수학식 2]
X = 1.3(A+B)
(여기서, X는 에지부 돌출길이의 평균값, A는 저굴절률층의 두께, B는 고굴절률층의 두께이다.)
본 발명의 또 다른 특징에 따른 광학 마스크는, 상기 개구부 경사직선이 상기 투광기판과 이루는 각도가 81°이상 86°미만일 때 상기 에지부가 하기 수학식 3의 관계를 만족한다.
[수학식 3]
X = 1.6(A+B)
(여기서, X는 에지부 돌출길이의 평균값, A는 저굴절률층의 두께, B는 고굴절률층의 두께이다.)
본 발명의 또 다른 특징에 따른 광학 마스크는, 상기 개구부 경사직선이 상기 투광기판과 이루는 각도가 86°이상 90°미만일 때 상기 에지부가 하기 수학식 4의 관계를 만족한다.
[수학식 4]
X = 2.1(A+B)
(여기서, X는 에지부 돌출길이의 평균값, A는 저굴절률층의 두께, B는 고굴절률층의 두께이다.)
본 발명의 일 특징에 따른 레이저 열 전사 장치는, 광원; 상기 광원에서 방출된 광이 일면에 입사되는 투광기판과, 상기 투광기판상에 저굴절률층과 고굴절률층이 교호 적층된 복수 개의 반사부 및 상기 반사부 사이에 개구부가 형성된 광반사층을 포함하는 광학 마스크에 있어서, 상기 투광기판을 기준으로 반사부로 입사된 광의 파워가 초기 100% 대비 95% 포인트 감소되는 지점까지의 반사부 두께를 유효영역으로 정의하고, 상기 유효영역에 포함되는 복수 개의 고굴절률층이 개구부 측벽으로부터 돌출된 끝단을 연결하는 가상의 직선들 중에서 상기 돌출된 끝단과 이격된 거리를 각각 더한 합이 최소인 직선을 개구부 경사직선으로 정의할 때, 상기 개구부 경사직선은 상기 투광기판과 교차하고, 상기 유효영역에서 상기 저굴절률층은 상기 개구부 경사직선으로부터 돌출된 에지부를 갖는 광학 마스크; 및 상기 개구부를 통과한 광이 입사되는 베이스 필름과 상기 베이스 필름상에 형성되는 광-열변환층, 및 상기 광-열 변환층 상에 형성된 전사층을 포함하는 도너 기판; 을 포함한다.
본 발명에 따르면, 광학 마스크의 개구부 경사에 따라 에지부의 돌출 길이가 허용범위 내로 제어되어 광학 마스크를 통과하는 광 특성이 변화되지 않는다. 따라서, 이를 이용하여 제조되는 OLED 기판의 발광층에 줄무늬 패턴이 발생하는 문제를 해결할 수 있다.
또한, 본 발명은 광학 마스크가 사용되는 다양한 디스플레이 장치 또는 광학장치에 응용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 마스크의 일부를 나타낸 도면이고,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 마스크의 개구부가 경사진 상태를 보여주는 도면이고,
도 3은 도 2의 반사부를 확대한 도면이고,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 열 전사 장치의 도면이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다.
그러나 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 발명에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
또한 본 발명에서 첨부된 도면은 설명의 편의를 위하여 확대 또는 축소하여 도시된 것으로 이해되어야 한다.
이제 본 발명에 대하여 도면을 참고하여 상세하게 설명하고, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 마스크의 일부분을 나타낸 도면이다.
도 1을 참조할 때, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 마스크는 투광기판(100)과, 투광기판(100)상에 형성되며 광이 투과하는 개구부(230) 및 저굴절률층과 고굴절률층이 교호 적층된 반사부(240)가 형성된 광반사층(200)을 포함한다.
투광기판(100)은 광이 입사되어 그대로 통과할 수 있을 정도의 투광성을 가진 기판이면 종류에 관계없이 적용 가능하다. 일 예로는 유리기판, 쿼츠(quartz) 기판 등이 선택될 수 있다. 투광기판(100)은 광반사층(200)이 형성되는 일면(102)과 그 반대면인 타면(101)을 갖는다.
상기 반사부(240)는 고굴절률층(220)과 저굴절률층(210)이 반복적으로 교호 적층된 구조를 갖는다.
고굴절률층(220)은 상대적으로 저굴절률층(210)보다 굴절률이 높은 물질이면 제한 없이 사용가능하며, 일 예로 TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2 등이 선택될 수 있다. 또한, 저굴절률층(210)은 SiO2, MgF2가 선택될 수 있다.
이때, 고굴절률층(220)과 저굴절률층(210)의 각각의 두께는 1000Å 내지 2000Å로 형성될 수 있다. 각 층의 두께가 1000Å 미만인 경우에는 층 수가 많아져 생산성이 낮아지고, 2000Å을 초과하는 경우에는 두께가 두꺼워져 식각이 어려운 문제가 있다. 이러한 고굴절률층(220)과 저굴절률층(210)이 적층된 반사부(240)의 광투과율을 1%이하로 조절하기 위하여 고굴절률층(220)과 저굴절률층(210)의 합은 16층 이상이고 30층 이하인 것이 바람직하다.
또한, 광반사층(200)은 소정 간격으로 개구부(230)가 형성되어 소정의 패턴으로 광을 투과시킨다. 개구부(230)는 건식 식각 또는 습식 식각 등에 의해 형성되며 필요에 따라 의도적으로 경사각을 가질 수도 있다. 이러한 개구부(230)는 규칙적인 열과 행으로 패턴화될 수 있다.
투광기판(100)의 타면(101)에는 반사방지막(110)이 형성될 수 있다. 반사방지막(110)은 광의 입사시 에어(Air)와 투광기판(100)의 굴절률 차에 의해 광이 반사되는 것을 방지하는 역할을 수행한다. 도시되지는 않았지만, 개구부(230)에 의해 노출된 투광기판(100)에도 반사방지막이 형성될 수 있다.
이때, 개부구의 측벽(231)은 이상적으로는 평탄면을 가져야 하나 실제로는 도 2와 같이, 개구부(230)의 측벽의 이상적인 식각 직선(P1)에 비해 개구부(230) 하부로 갈수록 고굴절률층(220)과 저굴절률층(210)이 돌출되어 개구부 직경이 하부로 갈수록 작아진다. 이는 식각 과정에서 플라즈마 이온이 충분한 직진성을 갖지 못하는 경우와 등방성 식각이 발생되는 등 다양한 이유에 의해 발생한다. 또한, 상대적으로 저굴절률층(210)이 고굴절률층(220)에 비해 상대적으로 더 돌출된다.
이러한 광학 마스크 구조에서 투광기판(100)을 기준으로 반사부(240)로 입사된 광의 파워가 초기 100% 대비 약 95% 포인트 감소되는 지점까지 해당하는 영역이 광 특성에 중요한 역할을 할 수 있음을 다수의 SEM 사진 분석결과 관찰되었다.
따라서, 본 발명에서의 유효영역(D1)은 투광기판(100)을 기준으로 반사부(240)에 입사된 광의 파워가 초기 100% 대비 약 95% 포인트 감소되는 지점까지 반사부(240) 두께로 정의한다.
또한, 유효영역(D1)에 포함되는 복수의 고굴절률층(220)이 개구부 측벽으로 돌출된 끝단과 이격된 거리를 각각 더한 합이 최소인 직선을 개구부 경사직선(P2)으로 정의하고, 이러한 개구부 경사직선(P2)이 투광기판(100)과 이루는 각도를 개구부 경사각(θ)으로 정의한다. 여기서 개구부 측벽이란 식각 직선(P1)을 따라 식각된 경우의 이상적인 개구부 측벽을 말한다.
도 3을 참조할 때, 개구부 경사직선(P2)은 유효영역(D1)에 해당하는 각각의 고굴절률층(223 내지 227)의 끝단과 인접할 수 있는 직선 중에서, 직선과 각각의 고굴절률층(223 내지 227) 끝단과의 직선거리를 모두 합한 값이 가장 최소인 직선이다. 구체적으로, 개구부 경사직선(P2)는 각 고굴절률층의 끝단의 위치 좌표를 활용하여, 직선의 기울기를 달리하면서 각각의 끝단과 직선간의 거리를 계산하여 거리의 합이 최소가 되는 직선을 찾는 선형 커브 피팅법(linear curve fitting)으로 구할 수 있다. 이러한 선형 커브 피팅법은 일반적으로 알려진 방법이 모두 적용될 수 있는바 더 이상의 자세한 설명은 생략한다.
또한, 유효영역(D1)에 해당하는 고굴절률층(223 내지 227) 끝단은 도 3에서 평탄면으로 예시되었으나, 이외에도 볼록, 오목, 또는 불규칙한 형상을 가질 수 있고 이 경우 고굴절률층(223 내지 227) 끝단은 면이 아닌 점(point)으로 정의될 수 있다.
이때, 유효영역(D1)에 속하는 저굴절률층(213 내지 217)이 개구부 경사직선(P2)보다 돌출되는 영역을 에지부(213a 내지 217a)라고 정의하며, 에지부(213a 내지 217a)가 개구부 경사직선(P2)보다 돌출되는 거리를 에지부 돌출길이(L)로 정의한다. 이러한 에지부(213a 내지 217a)는 통과하는 광의 특성을 변화시켜 후술하는 OLED 기판상에 전사되는 발광층의 물성을 변화시키는 것으로 실험 결과 확인되었다.
일반적으로 식각의 종류에 관계없이 개구부(230)의 하부로 갈수록 에지부(213a 내지 217a)를 균일하게 식각하는 것은 어려운 바, 허용 가능한 에지부의 돌출길이(L)를 산정하고 이를 허용 범위 내로 제어함으로써 에지부(213a 내지 217a)에 의한 광 특성의 변화를 최소로 할 수 있다.
이하에서는 투광기판상에 1800Å의 두께를 갖는 SiO2층과 1150Å의 두께를 갖는 TiO2 층을 반복 적층하여 16층의 광사반층을 형성하고, 그 위에 식각 마스크를 형성한 후 CF4 가스를 이용하여 건식 식각에 의해 개구부를 형성하였다.
그리고 이러한 광학 마스크를 레이저 열 전사 장치에 장착하여 OLED 기판에 발광층을 제작하여, 유효 영역(D1)내 에지부 돌출 길이의 평균값(Avg(L)) 및 경사각(θ)에 따른 OLED 기판의 발광층의 불량여부를 아래 [표 1]에 정리하였다.
Figure 112013023561601-pat00001
상기 [표 1]에서 에지부의 돌출길이 평균값은 제작된 광학마스크를 SEM 사진으로 측정하여 복수의 에지부 돌출길이에 대한 평균 길이를 구하였으며, 측정결과 '○'는 OLED 발광층에 줄무늬 패턴이 관찰되지 않아 양호로 판단된 경우이고, 'X'는 OLED 발광층에 줄무늬 패턴이 관찰되어 불량으로 판단된 경우이다. 그리고 '△'는 해당 범위의 실험값이 측정되지 않은 경우이다.
상기 표 1을 살펴볼 때, 개구부 경사각(θ)이 수직에 가까워질수록 에지부 돌출길이의 평균값의 허용 범위가 넓어지는 것을 확인할 수 있다. 또한, 개구부 경사각(θ)이 71°미만인 경우에는 에지부의 돌출길이의 평균값와 관계없이 OLED 발광층에 줄무늬 패턴이 관찰되었다.
또한, 상기 표 1을 종합해볼 때, 개구부 경사각(θ)이 71° 이상 76°미만인 경우, 에지부의 돌출길이 평균값은 하기 수학식 1의 관계를 만족함을 알 수 있다. 이하에서 A는 저굴절률층의 두께, B는 고굴절률층의 두께, X는 에지부의 돌출길이 평균값이다.
[수학식 1]
X = 1.1(A+B)
또한, 개구부 경사각(θ)이 76°이상 내지 81°미만인 경우, 에지부의 돌출길이 평균값은 하기 수학식 2의 관계를 만족함을 알 수 있다.
[수학식 2]
X = 1.3(A+B)
또한, 개구부 경사각(θ)이 81° 이상 86°미만인 경우, 에지부의 돌출길이 평균값은 하기 수학식 3의 관계를 만족함을 알 수 있다.
[수학식 3]
X = 1.6(A+B)
마지막으로, 개구부 경사각(θ)이 86°이상 90°미만인 경우, 에지부의 돌출길이 평균값은 하기 수학식 4의 관계를 만족함을 알 수 있다.
[수학식 4]
X = 2.1(A+B)
도 4를 참조할 때, 본 발명의 실시예에 따른 레이저 열 전사 장치는, 광원(10)과, 광학 마스크(20), 도너 기판(30), 및 OLED 기판(40)을 포함한다. 본 발명의 실시예에 따른 광학 마스크는 상술한 바와 동일하므로 더 이상의 자세한 설명은 생략한다.
광원(10)은 광학 마스크(20)의 상부에 위치하여 광학 마스크(20)의 전면에 균일한 광을 조사한다. 이러한 광원(10)은 다양한 종류의 광원(10)이 모두 적용될 수 있으나, 바람직하게는 980nm ~1070nm의 파장대를 갖는 레이저 광원이 선택될 수 있다.
상기 광원(10)에서 방출된 광은 광학 마스크(20)에 입사되고, 일부는 광반사층(200)의 반사부(240)에 의해 투과되지 못하고 일부는 개구부(230)에 의해 투과된다. 이때 개구부(230)는 OLED 기판(40)에 형성하고자 하는 발광층의 패턴과 대응되게 형성된다.
상술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 광학 마스크(20)는 유효영역(D1)내 개구부(230)로 돌출된 에지부와 경사각(θ)에 의해 광의 회절을 유발하지 않는 허용범위로 제어되므로 이를 통과하는 광 특성은 변화되지 않는다.
도너 기판(30)은 광반사층(200)의 개구부(230)를 통과한 패턴화된 광이 입사되는 베이스 기재(310)과 베이스 기재(310) 상에 적층되는 광-열 변환층(320), 및 광-열 변환층(320) 상에 형성되는 전사층(330)이 형성된다.
이러한 도너 기판(30)은 일반적인 도너 기판의 구성이 모두 적용될 수 있고 광-열 변환층의 재질, 구성 및 전사층의 종류 역시 일반적으로 사용되는 구성이 모두 적용 가능한 바, 더 이상의 자세한 설명은 생략한다.
OLED 기판(40)은 도너 기판(20)의 하부에 배치되어 소정의 패턴으로 발광층이 전사된다. 이때, OLED 기판(40)은 도너 기판(20)은 패턴 정밀도를 향상시키기 위하여 밀착 배치됨이 바람직하다. 상술한 바와 같이 광학 마스크의 개구부(230)를 통과한 광의 간섭이 최소화되었는바 OLED 기판(40)에 형성된 발광층의 물성이 동일하여 전류 인가시 동일한 광 균일도를 가지게 되어 줄무늬 패턴이 관찰되지 않는다.
지금까지 본 발명의 구체적인 예를 도면을 참조로 설명하였지만, 이것은 본 발명이 속하는 기술분야에서 평균적 지식을 가진 자가 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것이고, 발명의 기술적 범위를 제한하기 위한 것이 아니다. 따라서 본 발명의 기술적 범위는 특허청구범위에 기재된 사항에 의하여 정하여지며, 도면을 참조로 설명한 실시예는 본 발명의 기술적 사상과 범위 내에서 얼마든지 변형하거나 수정할 수 있다.
10: 광원 20: 광학 마스크
30: 광-열 변환층 40: OLED 기판
100: 투광기판 200: 광반사층
210: 저굴절률층 220: 고굴절률층
230: 개구부 240 : 반사부

Claims (14)

  1. 투광기판과, 상기 투광기판상에 저굴절률층과 고굴절률층이 교호 적층된 복수 개의 반사부 및 상기 반사부 사이에 개구부가 형성된 광반사층을 포함하는 광학 마스크에 있어서,
    상기 투광기판을 기준으로 반사부로 입사된 광의 파워가 초기 100% 대비 95% 포인트 감소되는 지점까지의 반사부 두께를 유효영역으로 정의하고, 상기 유효영역에 포함되는 복수 개의 고굴절률층이 개구부 측벽으로부터 돌출된 끝단을 연결하는 가상의 직선들 중에서 상기 돌출된 끝단과 이격된 거리를 각각 더한 합이 최소인 직선을 개구부 경사직선으로 정의할 때,
    상기 개구부 경사직선은 상기 투광기판과 교차하고,
    상기 유효영역에서 상기 저굴절률층은 상기 개구부 경사직선으로부터 돌출된 에지부를 갖는 광학 마스크.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 에지부는 하기 수학식 1의 관계를 만족하는 광학 마스크.
    [수학식 1]
    X = 1.1(A+B)
    (여기서, X는 에지부 돌출길이의 평균값, A는 저굴절률층의 두께, B는 고굴절률층의 두께이다.)
  4. 제1항에 있어서, 상기 개구부 경사직선이 상기 투광기판과 이루는 각도가 71°이상 76°미만일 때, 상기 에지부는 하기 수학식 1의 관계를 만족하는 광학 마스크.
    [수학식 1]
    X = 1.1(A+B)
    (여기서, X는 에지부 돌출길이의 평균값, A는 저굴절률층의 두께, B는 고굴절률층의 두께이다.)
  5. 제1항에 있어서, 상기 개구부 경사직선이 상기 투광기판과 이루는 각도가 76°이상 81°미만일 때, 상기 에지부는 하기 수학식 2의 관계를 만족하는 광학 마스크.
    [수학식 2]
    X = 1.3(A+B)
    (여기서, X는 에지부 돌출길이의 평균값, A는 저굴절률층의 두께, B는 고굴절률층의 두께이다.)
  6. 제1항에 있어서, 상기 개구부 경사직선이 상기 투광기판과 이루는 각도가 81°이상 86°미만일 때, 상기 에지부는 하기 수학식 3의 관계를 만족하는 광학 마스크.
    [수학식 3]
    X = 1.6(A+B)
    (여기서, X는 에지부 돌출길이의 평균값, A는 저굴절률층의 두께, B는 고굴절률층의 두께이다.)
  7. 제1항에 있어서, 상기 개구부 경사직선이 상기 투광기판과 이루는 각도가 86°이상 90°미만일 때, 상기 에지부는 하기 수학식 4의 관계를 만족하는 광학 마스크.
    [수학식 4]
    X = 2.1(A+B)
    (여기서, X는 에지부 돌출길이의 평균값, A는 저굴절률층의 두께, B는 고굴절률층의 두께이다.)
  8. 제1항, 및 제3항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 저굴절률층과 고굴절률층 각각의 두께는 1000Å내지 2000Å인 광학 마스크.
  9. 제8항에 있어서, 상기 저굴절률층과 고굴절률층의 합은 16층 이상 30층 이하인 광학 마스크.
  10. 제8항에 있어서, 상기 저굴절률층은 SiO2를 포함하고 상기 고굴절률층은 TiO2를 포함하는 광학 마스크.
  11. 제1항에 있어서, 상기 광반사층이 형성된 투광기판의 반대면에는 반사방지막이 형성된 광학 마스크.
  12. 광원;
    상기 광원에서 방출된 광이 일면에 입사되는 투광기판과, 상기 투광기판상에 저굴절률층과 고굴절률층이 교호 적층된 복수 개의 반사부 및 상기 반사부 사이에 개구부가 형성된 광반사층을 포함하는 광학 마스크에 있어서, 상기 투광기판을 기준으로 반사부로 입사된 광의 파워가 초기 100% 대비 95% 포인트 감소되는 지점까지의 반사부 두께를 유효영역으로 정의하고, 상기 유효영역에 포함되는 복수 개의 고굴절률층이 개구부 측벽으로부터 돌출된 끝단을 연결하는 가상의 직선들 중에서 상기 돌출된 끝단과 이격된 거리를 각각 더한 합이 최소인 직선을 개구부 경사직선으로 정의할 때, 상기 개구부 경사직선은 상기 투광기판과 교차하고, 상기 유효영역에서 상기 저굴절률층은 상기 개구부 경사직선으로부터 돌출된 에지부를 갖는 광학 마스크; 및
    상기 개구부를 통과한 광이 입사되는 베이스 필름과 상기 베이스 필름상에 형성되는 광-열변환층, 및 상기 광-열 변환층 상에 형성된 전사층을 포함하는 도너 기판; 을 포함하는 레이저 열 전사 장치.
  13. 삭제
  14. 제12항에 있어서, 상기 에지부는 하기 수학식 1의 관계를 만족하는 레이저 열 전사 장치.
    [수학식 1]
    X = 1.1(A+B)
    (여기서, X는 에지부 돌출길이의 평균값, A는 저굴절률층의 두께, B는 고굴절률층의 두께이다.)
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060093615A (ko) * 2005-02-22 2006-08-25 삼성에스디아이 주식회사 레이저 조사 장치 및 레이저 열 전사법
JP2006317737A (ja) 2005-05-13 2006-11-24 Dainippon Printing Co Ltd 露光用マスク
KR20110088492A (ko) * 2008-11-27 2011-08-03 호야 가부시키가이샤 다층 반사막을 가진 기판 및 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크의 제조 방법
KR20110111783A (ko) * 2010-04-05 2011-10-12 삼성모바일디스플레이주식회사 도너필름 조립체와 그 핸들링 장치 및 핸들링 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060093615A (ko) * 2005-02-22 2006-08-25 삼성에스디아이 주식회사 레이저 조사 장치 및 레이저 열 전사법
JP2006317737A (ja) 2005-05-13 2006-11-24 Dainippon Printing Co Ltd 露光用マスク
KR20110088492A (ko) * 2008-11-27 2011-08-03 호야 가부시키가이샤 다층 반사막을 가진 기판 및 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크의 제조 방법
KR20110111783A (ko) * 2010-04-05 2011-10-12 삼성모바일디스플레이주식회사 도너필름 조립체와 그 핸들링 장치 및 핸들링 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111292613A (zh) * 2018-12-06 2020-06-16 三星显示有限公司 显示装置和具有该显示装置的电子装置

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