JP4370283B2 - 有機薄膜トランジスタを利用した有機電界発光表示装置 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 70
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 59
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 44
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 5
- -1 polyethylenedioxy Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 3
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 64
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- QVHWOZCZUNPZPW-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,3,4,4-hexafluorocyclobutene Chemical compound FC1=C(F)C(F)(F)C1(F)F QVHWOZCZUNPZPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C=CC=1C1=CC=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/125—Active-matrix OLED [AMOLED] displays including organic TFTs [OTFT]
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
- H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
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- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/114—Poly-phenylenevinylene; Derivatives thereof
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/115—Polyfluorene; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
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- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Description
25 画素領域、
200 基板、
201 第1絶縁膜、
203 第2絶縁膜、
241,261 ゲート電極、
210 ゲートライン、
220 データライン、
230 電源ライン、
240 OTFT、
243 ソース電極、
245 ドレイン電極、
250 キャパシタ、
251 キャパシタ下部電極、
255 キャパシタ上部電極、
260 駆動OTFT、
261 ゲート電極、
263 ソース電極、
265 ドレイン電極、
270 半導体層、
275,285 開口部、
280 画素電極、
290 有機膜層、
295 カソード電極。
Claims (16)
- 発光領域と非発光領域と備えた基板と、
前記基板上に形成されたゲート電極と、
前記非発光領域上で前記ゲート電極の一側と重畳されるソース電極と、
前記非発光領域上で前記ゲート電極の他側と重畳されるドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間に形成されたゲート絶縁膜と、
前記基板上方に形成され、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と接触される有機半導体層と、を備え、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうち、一方の電極は、透明な電極物質を備え、他方の電極は、前記有機半導体層より大きな仕事関数を有する電極物質を備え、
前記一方の電極は、前記発光領域まで延在しており、
前記有機半導体層は、前記一方の電極のうち、前記発光領域に形成された部分を露出させる開口部を含み、
前記一方の電極のうち、前記有機半導体層に形成された開口部により露出された部分は、画素電極として作用することを特徴とする平板表示装置。 - 前記ソース電極が、前記有機半導体層より大きな仕事関数を有する電極物質を備える前記他方の電極であることを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置。
- 前記ソース電極は、前記電極物質として、Au、Pt、Pd及び酸化MoWから選択される金属物質、またはポリエチレンジオキシチオフェンのような導電性有機物質を備えることを特徴とする請求項2に記載の平板表示装置。
- 前記ドレイン電極が、前記透明な電極物質を備える前記一方の電極であることを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置。
- 前記ドレイン電極は、前記透明な電極物質として、ITO及びIZOから選択される透明導電膜を備えることを特徴とする請求項4に記載の平板表示装置。
- 前記ゲート絶縁膜は、有機絶縁物質を備えることを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置。
- 基板と、
前記基板上に配列されるゲートライン、データライン、及び電源ラインと、
前記ゲートライン、前記データライン、及び前記電源ラインにより画定され、非発光領域と非発光領域とを備える画素領域と、
前記画素領域のうち非発光領域に配列され、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、当該ソース電極及び当該ドレイン電極と前記ゲート電極との間に形成されたゲート絶縁膜、及び有機半導体層を備える有機薄膜トランジスタと、
前記画素領域のうち発光領域に配列され、画素電極を備える表示素子と、を備えており、
前記有機薄膜トランジスタの前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうち、一方の電極は、透明な電極物質を備え、他方の電極は、前記有機半導体層より大きな仕事関数を有する電極物質を備え、
前記一方の電極は、前記画素領域の発光領域まで延在しており、
前記有機半導体層は、前記一方の電極のうち、前記発光領域に形成された部分を露出させる開口部を含み、
前記一方の電極のうち、前記有機半導体層に形成された開口部により露出された部分は、前記表示素子の前記画素電極として作用することを特徴とする平板表示装置。 - 前記ソース電極が、前記有機半導体層より大きな仕事関数を有する電極物質を備える前記他方の電極であり、当該電極物質として、Au、Pt、Pd及び酸化MoWから選択される金属物質、またはポリエチレンジオキシチオフェンのような導電性有機物質を備えることを特徴とする請求項7に記載の平板表示装置。
- 前記ドレイン電極が、前記透明な電極物質を備える前記一方の電極であり、当該電極物質として、ITO及びIZOから選択される透明導電膜を備えることを特徴とする請求項7に記載の平板表示装置。
- 発光領域及び非発光領域を備えた基板と、
前記基板の非発光領域に配列され、ゲート電極、前記ゲート電極の両側とそれぞれ重畳されるソース電極及びドレイン電極、当該ソース電極及び当該ドレイン電極と前記ゲート電極との間に形成されたゲート絶縁膜、及び有機半導体層を備える有機薄膜トランジスタと、
下部電極、有機膜層、及び上部電極を備える有機発光素子と、を備え、
前記有機薄膜トランジスタの前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうち、一方の電極は、透明な電極物質を備え、他方の電極は、前記有機半導体層より大きな仕事関数を有する電極物質を備え、
前記一方の電極は、前記発光領域まで延在しており、
前記有機半導体層は、前記一方の電極のうち、前記発光領域に形成された部分を露出させる開口部を備え、
前記一方の電極のうち、前記有機半導体層の開口部により露出される部分は、前記有機発光素子の下部電極として作用することを特徴とする有機電界発光表示装置。 - 前記ソース電極が、前記有機半導体層より大きな仕事関数を有する電極物質を備える前記他方の電極であり、当該電極物質として、Au、Pt、Pd及び酸化MoWから選択される金属物質、またはポリエチレンジオキシチオフェンのような導電性有機物質を備えることを特徴とする請求項10に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記ドレイン電極が、前記透明な電極物質を備える前記一方の電極であり、当該電極物質として、ITO及びIZOから選択される透明導電膜を備えることを特徴とする請求項10に記載の有機電界発光表示装置。
- 発光領域及び非発光領域を備えた基板と、
前記基板の非発光領域に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極が形成された基板上に形成されたゲート絶縁膜としての第1絶縁膜と、
前記非発光領域の前記第1絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極の一側と重畳されるソース電極と、
前記非発光領域の前記第1絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極の他側と重畳されるドレイン電極と、
前記基板上方に形成され、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と接触される有機半導体層と、を備え、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうち、一方の電極は、透明な電極物質を備え、他方の電極は、前記有機半導体層より大きな仕事関数を有する電極物質を備え、
前記一方の電極は、前記発光領域の前記第1絶縁膜上にまで延在しており、
前記有機半導体層は、前記一方の電極のうち、前記発光領域に形成された部分を露出させる開口部を備え、
前記一方の電極のうち、前記有機導体層の開口部により露出される部分は、前記有機発光素子の下部電極として作用し、
さらに、
前記開口部を含む基板上に形成され、前記開口部により露出される前記下部電極の一部分を露出させるための第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜の開口部により露出される前記下部電極上に形成された有機膜層と、
前記有機膜層が形成された基板上に形成された上部電極と、を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置。 - 前記ソース電極が、前記有機半導体層より大きな仕事関数を有する電極物質を備える前記他方の電極であり、当該電極物質として、Au、Pt、Pd及び酸化MoWから選択される金属物質、またはポリエチレンジオキシチオフェンのような導電性有機物質を備えることを特徴とする請求項13に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記ドレイン電極が、前記透明な電極物質を備える前記一方の電極であり、当該電極物質として、ITO及びIZOから選択される透明導電膜を備えることを特徴とする請求項13に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第1絶縁膜は、有機絶縁物質を備え、
前記第2絶縁膜は、保護膜として有機絶縁膜を備えることを特徴とする請求項13に記載の有機電界発光表示装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040082091A KR100669733B1 (ko) | 2004-10-14 | 2004-10-14 | 유기박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기전계 발광표시장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006114873A JP2006114873A (ja) | 2006-04-27 |
JP4370283B2 true JP4370283B2 (ja) | 2009-11-25 |
Family
ID=36261017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005162055A Active JP4370283B2 (ja) | 2004-10-14 | 2005-06-01 | 有機薄膜トランジスタを利用した有機電界発光表示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7667385B2 (ja) |
JP (1) | JP4370283B2 (ja) |
KR (1) | KR100669733B1 (ja) |
CN (1) | CN1779990B (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100829743B1 (ko) * | 2005-12-09 | 2008-05-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법, 이를 구비한평판 디스플레이 장치 |
KR101279296B1 (ko) * | 2006-04-17 | 2013-06-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 반도체 구조물, 이의 제조 방법, 이를 이용한 유기박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 및 이를 이용한표시장치 |
JP2007318025A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子、および、有機半導体素子の製造方法 |
KR20080026989A (ko) * | 2006-09-22 | 2008-03-26 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
KR20080077775A (ko) * | 2007-02-21 | 2008-08-26 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및그 제조 방법 |
KR101415561B1 (ko) * | 2007-06-14 | 2014-08-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법 |
KR100931491B1 (ko) * | 2008-04-07 | 2009-12-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
KR100985770B1 (ko) * | 2008-05-19 | 2010-10-06 | 김재동 | 피시험장치 발진주파수의 경년변화 교정 방법 및 그를 위한필드 캘리브레이션 튜닝 장치 |
CN101609838B (zh) * | 2008-06-20 | 2011-12-07 | 群康科技(深圳)有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
TWI396314B (zh) * | 2009-07-27 | 2013-05-11 | Au Optronics Corp | 畫素結構、有機電激發光顯示單元及其製造方法 |
JP5737550B2 (ja) * | 2009-12-03 | 2015-06-17 | ソニー株式会社 | 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 |
TWI423492B (zh) * | 2010-12-03 | 2014-01-11 | Univ Nat Taiwan Science Tech | 有機薄膜電晶體及其製造方法 |
KR101781532B1 (ko) * | 2011-03-14 | 2017-10-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치와 그 제조방법 |
CN103117332B (zh) * | 2011-11-16 | 2017-07-14 | 晶元光电股份有限公司 | 光电元件 |
CN103197782A (zh) * | 2012-01-05 | 2013-07-10 | 胜华科技股份有限公司 | 触控显示装置 |
KR101889917B1 (ko) | 2012-03-06 | 2018-08-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR102105485B1 (ko) * | 2012-11-23 | 2020-04-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR102000591B1 (ko) * | 2013-06-21 | 2019-07-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 |
CN103560211B (zh) * | 2013-11-13 | 2017-04-05 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 有机电致发光器件的制作方法及制作的有机电致发光器件 |
US20150129842A1 (en) * | 2013-11-13 | 2015-05-14 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. | Method For Manufacturing Organic Electroluminescence Device And Organic Electroluminescence Device Manufactured With Same |
IN2014DE00708A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-09-18 | Indian Inst Technology Kanpur | |
CN104112758B (zh) | 2014-07-01 | 2017-02-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置 |
US9698173B2 (en) * | 2014-08-24 | 2017-07-04 | Royole Corporation | Thin film transistor, display, and method for fabricating the same |
TWI575748B (zh) | 2014-09-01 | 2017-03-21 | 聯華電子股份有限公司 | P型場效電晶體及包含該p型場效電晶體的互補式金屬氧化半導體電晶體 |
CN105206641A (zh) * | 2015-10-12 | 2015-12-30 | Tcl集团股份有限公司 | Qled与tft集成器件及其制备方法 |
CN107369784B (zh) * | 2017-08-31 | 2019-11-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled-tft基板及其制造方法、显示面板 |
CN111524938A (zh) * | 2020-04-24 | 2020-08-11 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板 |
US11296163B2 (en) | 2020-05-27 | 2022-04-05 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | OLED display panel and OLED display device |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100248392B1 (ko) * | 1997-05-15 | 2000-09-01 | 정선종 | 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법 |
TW410478B (en) | 1998-05-29 | 2000-11-01 | Lucent Technologies Inc | Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode |
WO2003019631A1 (en) * | 2001-08-24 | 2003-03-06 | Gracel Co., Ltd. | Fabrication method for organic semiconductor transistor having organic polymeric gate insulating layer |
JP4246949B2 (ja) | 2002-03-25 | 2009-04-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機薄膜発光トランジスタ |
US7002176B2 (en) * | 2002-05-31 | 2006-02-21 | Ricoh Company, Ltd. | Vertical organic transistor |
TW554525B (en) | 2002-08-28 | 2003-09-21 | Ind Tech Res Inst | Organic integration device of thin film transistor and light emitting diode |
JP4615197B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2011-01-19 | シャープ株式会社 | Tftアレイ基板の製造方法および液晶表示装置の製造方法 |
-
2004
- 2004-10-14 KR KR1020040082091A patent/KR100669733B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-06-01 JP JP2005162055A patent/JP4370283B2/ja active Active
- 2005-10-13 CN CN2005101084005A patent/CN1779990B/zh active Active
- 2005-10-13 US US11/249,284 patent/US7667385B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060033133A (ko) | 2006-04-19 |
US20060091785A1 (en) | 2006-05-04 |
US7667385B2 (en) | 2010-02-23 |
JP2006114873A (ja) | 2006-04-27 |
KR100669733B1 (ko) | 2007-01-16 |
CN1779990B (zh) | 2012-02-22 |
CN1779990A (zh) | 2006-05-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071023 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20081201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090224 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090525 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090811 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090831 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120904 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130904 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130904 Year of fee payment: 4 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130904 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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