CN101652862B

CN101652862B - 有源矩阵光学器件

Info

Publication number: CN101652862B
Application number: CN2008800108555A
Authority: CN
Inventors: J·波罗格斯; M·巴勒; M·加贝特; J·豪斯
Original assignee: Cambridge Display Technology Ltd
Current assignee: Cambridge Display Technology Ltd
Priority date: 2007-04-04
Filing date: 2008-04-03
Publication date: 2012-05-30
Anticipated expiration: 2028-04-03
Also published as: US20100102300A1; EP2132779B1; GB2450675A; EP2132779A2; KR20100015357A; HK1140311A1; WO2008122780A3; CN101652862A; US8013328B2; WO2008122780A2; KR101474580B1; GB0706654D0; JP2010524026A

Abstract

一种有源矩阵有机光学器件，包括设置在公共衬底上的多个有机薄膜晶体管和多个像素，其中，为所述有机薄膜晶体管和像素提供有公共堤层(30)，该公共堤层限定多个阱，其中，某些阱在其中包含有机薄膜晶体管的有机半导体材料，且其它阱在其中包含像素的有机光学有源材料。

Description

有源矩阵光学器件

技术领域

本发明涉及有源矩阵光学器件。本发明的实施方案涉及在公共衬底上沉积有机薄膜晶体管和光学有源像素以便形成有源矩阵器件、特别是有源矩阵有机发光器件的方法。

背景技术

晶体管可以分成两种主要类型：双极结晶体管和场效应晶体管。两种类型均共享包括三个电极的公共结构，在沟道区中在所述三个电极之间设置有半导体材料(semiconductive material)。双极晶体管的三个电极称为发射极、集电极和基极，而在场效应晶体管中三个电极称为源极、漏极和栅极。双极结晶体管可以描述为电流操作器件，因为由在基极与发射极之间流动的电流来控制发射极与集电极之间的电流。相反，场效应晶体管可以描述为电压操作器件，因为由栅极与源极之间的电压来控制在源极与漏极之间流动的电流。

晶体管还可以根据其分别包括传导正电荷载流子(空穴)还是负电荷载流子(电子)的半导体材料分类为p型和n型。可以根据半导体材料接受、传导、和供献(donate)电荷的能力来选择半导体材料。可以通过掺杂材料来加强半导体材料接受、传导、和供献空穴或电子的能力。还可以根据接受和注入空穴或电子的能力来选择用于源电极和漏电极的材料。

例如，可以通过选择在接受、传导、和供献空穴方面高效的半导体材料和选择在注入和从半导体材料接受空穴方面高效的用于源电极和漏电极的材料来形成p型晶体管。电极中的费米能级与半导体材料的HOMO能级的良好能级匹配可以加强空穴注入和接受。相反，可以通过选择在接受、传导、和供献电子方面高效的材料和选择在向半导体材料中注入电子和从半导体材料接受电子方面高效的用于源电极和漏电极的材料来形成n型晶体管器件。电极中的费米能级与半导体材料的LOMO能级的良好能级匹配可以加强电子注入和接受。

可以通过在薄膜中沉积元件以形成薄膜晶体管(TFT)来形成晶体管。当使用有机材料作为此类器件中的半导体材料时，将其称为有机薄膜晶体管(OTFT)。可以通过诸如溶液处理的低成本、低温方法来制造OTFT。此外，OTFT与挠性塑料衬底相容，可提供在卷到卷(roll to roll)工艺中在挠性衬底上大规模生产OTFT的前景。

有机薄膜晶体管的各种布置是公知的。一种此类器件是绝缘栅极场效应晶体管，其包括源电极和漏电极(在沟道区中在源电极和漏电极之间设置有半导体材料)、邻近于所述半导体材料设置的栅电极和设置在所述栅电极与沟道区中的所述半导体材料之间的一层绝缘材料。

晶体管的一种用途是在诸如光检测和发光器件等有源矩阵光学器件，特别是有机发光器件和有机光探测器阵列中。例如，有源矩阵有机发光显示器包括形成显示器的像素的有机发光器件矩阵。每个有机发光器件包括阳极、阴极、和设置在其之间的有机发光层。在工作中，空穴通过阳极被注入器件中且电子通过阴极被注入器件中。空穴和电子在有机发光层中组合而形成激子，该激子随后经历辐射衰变以发出光(在光检测器件中，此过程本质上反向进行)。还可以在电极之间提供其它层以便加强电荷注入和传输，诸如空穴注入层、电子注入层、空穴传输层、和/或电子传输层。还可以使用材料的混合物以便加强工作，诸如电荷传输和发射材料的混合物。有机光响应器件包括位于两个电极之间的有机层的相同结构，且实际上可以视为反向工作的有机发光器件(即产生空穴和电子并在器件暴露于光时分离)。

可以通过使用存储元件改变流过有源矩阵有机发光显示器的像素的电流来将所述像素在发射状态与非发射状态之间切换，所述存储元件通常包括存储电容器和两个晶体管，所述两个晶体管其中之一是驱动晶体管。

将公共衬底用于薄膜晶体管和有机发光器件以便形成有源矩阵有机发光显示器是公知的。例如，US 6150668公开了在公共衬底上沉积有机薄膜晶体管(OTFT)和有机发光器件(OLED)并将相同的材料层用于OTFT栅极和OLED阳极两者。通过阴影掩模(shadow mask)来选择性地沉积OLED阴极。此外，US 692450公开了在公共衬底上沉积OTFT和OLED并将相同的材料层用于OTFT的源极和漏极及OLED的阳极。该文献还公开了通过在整个表面上沉积金属并随后将该层图案化以形成顶栅和阴极而在一个步骤中形成OTFT的顶栅和OLED的阴极。

鉴于上述事项，很明显，在现有技术单体集成OLED/OTFT构造中，必须选择性地沉积OLED和OTFT中的某些层并通过沉积后处理来将其图案化。例如，提供单独的结构以便包含OTFT的有机半导体材料和OLED的有机发光材料。此外，在现有技术布置中，已选择性地沉积OLED的阴极和OTFT的栅极或通过沉积后处理将其图案化以便防止器件的顶面上的OTFT和OLED之间的电学短路。

本发明的某些实施方案的目的是提供制造包括沉积在公共衬底上的薄膜晶体管和有机发光器件的有源矩阵有机发光显示器的方法，该方法比现有技术布置更简单和快捷，因此在显示器制造工艺中节省时间和成本。

本发明的某些实施方案的另一目的是减少此类方法中所涉及的处理步骤并制造用于包括沉积在公共衬底上的薄膜晶体管和有机发光器件的有源矩阵有机发光显示器的新结构。

本发明的某些实施方案的另一目的是提供用于在有源矩阵有机发光显示器中将沉积在公共衬底上的薄膜晶体管与有机发光器件隔离以防止薄膜晶体管与有机发光器件之间的电学短路的替代方法和结构。

本发明的某些实施方案的另一目的是提供用于在有源矩阵有机发光显示器中将沉积在公共衬底上的薄膜晶体管与有机发光器件封装在一起的替代方法和结构。

发明内容

一种有源矩阵有机光学器件，包括沉积在公共衬底上的多个有机薄膜晶体管和多个像素，其中，为所述有机薄膜晶体管和像素提供有公共堤(bank)层，该公共堤层限定多个阱，其中，某些阱在其中包含有机薄膜晶体管的有机半导体材料，且其它阱在其中包含像素的有机光学有源材料。

所述光学器件可以是有机光响应器件(例如光探测器)或有机发光器件(例如有机发光显示器)。优选地，所述器件是有机发光器件，在这种情况下，所述有机光学有源材料是有机发光材料。

由每个像素及其相关有机薄膜晶体管连同任何附加驱动元件一起形成像素电路。例如，有源矩阵有机发光器件中的每个像素电路将典型地包括发光像素二极管；充当驱动晶体管的相关有机薄膜晶体管；开关薄膜晶体管；以及电容器。

根据本发明的第二方面，提供了一种制造有源矩阵有机光学器件的方法，其包括在公共衬底上形成多个有机薄膜晶体管和多个像素，其中，为所述有机薄膜晶体管和像素提供了公共堤层，该堤层限定多个阱，其中，某些阱在其中包含有机薄膜晶体管的有机半导体材料，且其它阱在其中包含像素的有机光学有源材料。

根据本发明的第一和第二方面，在有源矩阵有机光学器件中为有机薄膜晶体管的有机半导体材料和像素的有机光学有源材料两者提供了公共堤结构。该公共堤结构提供用于在OTFT和像素结构被沉积在公共衬底上时将它们隔离的快捷和容易方法。

根据本发明的第三方面，提供了一种形成有源矩阵有机光学器件的方法，包括：在公共衬底上沉积多个薄膜晶体管和多个有机光学有源像素，其中，提供了绝缘分离结构以便在有源矩阵有机光学器件的顶面上将薄膜晶体管与有机光学有源像素电学隔离。

根据本发明的第四方面，提供了一种有源矩阵有机光学器件，包括：公共衬底上的多个薄膜晶体管和多个有机光学有源像素，其中，提供了绝缘分离结构以便在有源矩阵有机光学器件的顶面上将薄膜晶体管与有机光学有源像素电学隔离。

根据本发明的第三和第四方面，提供了绝缘分离结构以便在有源矩阵有机光学器件的顶面上将薄膜晶体管与像素电学隔离。用如此布置，不需要如在现有技术布置中那样通过沉积后处理选择性地沉积像素与薄膜晶体管中的至少一个的顶电极材料或将其图案化。为此，在沉积顶电极层之前提供了所述绝缘分离结构。

在一种布置中，将所述绝缘分离结构提供为薄膜晶体管周围的抬起的环，使得将薄膜晶体管的顶电极材料与像素的顶电极材料电学隔离。可以通过光刻法来形成该环，且该环可以具有底切结构(亦即，环壁的厚度在其上表面处或附近最宽)。

所述顶电极可以由一个或多个层形成，例如，像素的顶电极可以是包括铝单层阴极或钡和铝双层阴极。在有机发光器件的情况下，有机发光像素的顶电极优选地是阴极，然而，对于其中按照阴极-有机发光材料-阳极的顺序构造像素的所谓“倒转”器件，其可以是阳极。

在另一种布置中，所述绝缘分离结构包括薄膜晶体管上的一层绝缘材料以便将薄膜晶体管与像素的顶电极材料电学隔离。

在又一种布置中，提供了薄膜晶体管周围的绝缘环分离结构与薄膜晶体管上的一层绝缘材料的组合。

除了关于本发明的第一和第二方面所描述的公共堤结构的方式以外还可以提供绝缘分离结构。例如，可以在薄膜晶体管周围的堤结构的顶部上提供凸起的环结构。

可以通过沉积共用材料来形成薄膜晶体管和像素两者的顶电极，使得可以避免用于薄膜晶体管和有机发光像素的顶电极的单独沉积和图案化。如关于本发明的第三和第四方面所描述的那样，可以将顶电极材料均厚地沉积在显示器的整个有源区上，绝缘分离结构将薄膜晶体管与有机发光像素的顶电极电学隔离。也就是说，可以在单个沉积步骤中形成薄膜晶体管和有机发光像素的顶电极。

附图说明

现在将参照附图仅仅以示例的方式更详细地描述本发明，在附图中：

图1示出根据本发明的实施方案的有源矩阵有机发光显示器的一部分；

图2示出根据本发明的另一实施方案的有源矩阵有机发光显示器的一部分；

图3示出根据图1所示的实施方案的形成有源矩阵有机发光显示器时所涉及的步骤；

图4示出图解根据本发明的实施方案的有机薄膜晶体管与有机发光器件的分离的平面图；

图5示出图解包括图4所示类型的多个电极分离结构的有源矩阵有机发光显示器的平面图；

图6示出图解根据另一实施方案的包括多个电极分离结构的有源矩阵有机发光显示器的平面图；

图7示出根据本发明的实施方案的包括顶栅薄膜晶体管的有源矩阵有机发光显示器的一部分；以及

图8示出根据本发明的另一实施方案的包括具有连接栅极的通道孔的公共阴极和栅极的有源矩阵有机发光显示器的一部分。

具体实施方式

图1示出根据本发明的实施方案的有源矩阵有机发光显示器的一部分。该图示出沉积在衬底右侧的有机发光器件(OLED)和用于驱动OLET的沉积在衬底左侧的有机薄膜晶体管(OTFT)。

OTFT是底栅型且包括：栅极2；栅极电介质层4；源电极和漏电极6、8；以及一层有机半导体材料10。

OLED包括：阳极20；空穴注入层22；空穴传输层24；有机发光层26；以及阴极28。

公共堤结构30提供阱，OLED和OTFT的至少某些层被沉积到该阱中。

在OTFT周围的堤结构30的顶部上提供有分离环32。分离环32将OTFT与OLED隔离，使得可以在不会跨越器件的顶部使OLED和OTFT短路的情况下在显示器的有源区上覆盖(blanket)沉积OLED的阴极材料。也就是说，分离环将沉积在OLED上的阴极材料与沉积在OTFT上的阴极材料分开。分离环有利地具有底切(under-cut)结构以加强OLED与OTFT的电学隔离。

上述布置是有利的，因为对于有源矩阵有机发光显示器，通常将可以是PLED(聚合物发光器件)或SMOLED(小分子有机发光器件)的OLED的阴极沉积在显示器的整个有源表面上。这是因为，对于有源矩阵OLED显示器，每个OLED子像素具有公共阴极连接且通过控制阳极连接来选择。

底发射有源矩阵OLED显示器存在的一个问题是在同一衬底上并排地沉积OTFT和OLED。对于底栅显示器，OTFT的有机半导体被暴露在表面上并将与阴极接触。通过使用这里所公开的技术，OTFT周围的阴极分离环将覆盖OTFT的阴极金属与OLED的阴极电学隔离。同时，覆盖OTFT的金属充当主要密封剂。

作为上述阴极分离环结构的替代，可以在沉积OLED的阴极材料之前在OTFT之上提供一层绝缘材料。可能需要使用此类绝缘层来保护OTFT免受阴极影响/钝化，以防止阴极与源电极和漏电极在由于不完整的有机半导体覆盖而引起金属区域暴露的情况下短路，并防止沟道短路效应。这可以通过在阴极沉积之前在OTFT的顶部上沉积有机绝缘膜来实现。

在图2所示的一种布置中，将上文所讨论的两种替代组合。也就是说，提供分离环和绝缘层34(有机钝化材料)两者以进一步保护和隔离OTFT免受阴极的电学、物理、和化学性质的影响。例如，如果由溶液来沉积有机半导体材料，则与溶剂蒸发相关的效应可能促使结果得到的薄膜19在其周边处比在其中心处薄。在这种情况下，绝缘层34用于防止覆盖有机薄膜晶体管的阴极材料层接触源电极和/或漏电极6、8。除在TFT中的有机半导体材料上添加绝缘层之外，图2中的其它元件与图1所示的元件相同，因此为明了起见，未对其重新加标号。

这里优选的方案将是通过喷墨式印刷在有机半导体材料的顶部上沉积用于绝缘层34的钝化材料。此类可喷墨钝化材料优选地是有机的。为了避免钝化墨引起有机半导体材料的再溶解，可以利用两种方案之一：(1)使有机半导体材料交联以允许使用大范围的钝化溶剂；或(2)由正交溶剂进行喷墨式印刷。注意后一种方法，有机半导体材料通常可溶于非极性溶剂，而钝化材料通常可溶于极性溶剂(甲醇、乙醇、水、PGMEA(丙二醇甲醚醋酸酯))。用作有机钝化材料的典型材料包括PVA(聚乙烯醋酸)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)和PVP(聚乙烯基苯酚)。

图3示出在OTFT-PLED显示器中实现本发明的一种方法。在以下步骤中构建背面板(backplane)(示出了横截面示意图)：

1.栅极2和PLED阳极20沉积和图案化(例如ITO涂层衬底的图案化)；

2.电介质沉积和图案化4(例如可交联、可光图案化电介质)；

3.源极-漏极材料沉积和图案化6、8(例如金，光刻法)；

4.堤沉积和图案化30；

5.阴极分离物沉积和图案化32；

6.有机层沉积，例如通过喷墨式印刷(OTFT：有机半导体10；OLED：空穴注入层22、空穴传输层24、发光聚合物26)；以及

7.阴极沉积28。

图3的有机层被整个地包含在阱内。虽然这是优选的，但应认识到其并不是必需的。例如，可以以这样的方式来沉积发光聚合物，即，层26延伸超过阱的周边但仍由阱的边界来限定像素的发射区域。同样地，像素的其它层可以延伸超过阱的边界(实际上，这对于发光像素的阴极是优选的)但仍由阱边界来限定像素的光发射和光检测区域。

阴极分离物中断覆盖OTFT的阴极金属与覆盖OLED的金属区域之间的电学连续性。

图4示出图解有机薄膜晶体管与有机发光器件的分离的平面图。该平面图显示，分离物(在前面所讨论的图中以横截面示出)实际上是环状的，以便提供覆盖OTFT的金属的隔离。阴极分离环围绕OTFT的有机半导体材料10所在的区域。图4的实施方案中的有机半导体材料被包含在两个阱中：这两个阱中的材料一起构成单个OTFT的一部分。如图4所示的多个阱的使用的有利之处在于可以选择阱尺寸以保证在将有机半导体材料印刷到阱中时保证良好的阱填充，然而，其由于阱之间的堤材料的非活性区域而引起OTFT的面积的增大，这又减小可以用于发射极像素的衬底的面积百分比。因此，在一个替代布置中，有机半导体材料被包含在单个大阱中以便使OTFT的面积最小化。

图5示出图解包括图4所示类型的多个电极分离结构的有源矩阵有机发光显示器的平面图。由于只有阴极的离散区域被从阴极面“切掉”，所以跨越面板的电学连续性被保持。

图6示出图解根据另一实施方案的包括多个电极分离结构的有源矩阵有机发光显示器的平面图。在这种布置中，已将阴极分离环合并到跨越显示器的线路中。这一布置将阴极分离成列，如在无源矩阵显示器中一样。在这种情况下，这些线路将需要在显示器边缘处连接。在图6中，可以看到，如图所示地沿着显示器的底部区域连接阴极各列以便形成跨越显示器的公共阴极。

图7示出包括顶栅薄膜晶体管的另一实施方案。已将相同的附图标记用于与在图1所示的底栅TFT中类似的部件。在顶栅布置中，OLED具有与图1所示的结构相同的结构，但TFT的结构被实际上颠倒，使得源极和漏极6、8被沉积在衬底上。沉积公共堤结构30以形成阱并在源极和漏极之上的阱中沉积有机半导体材料10。随后沉积栅极电介质4和栅电极2以完成TFT。

在图7所示的实施方案中，在栅电极2之上沉积一层绝缘材料44以便使栅电极2与OLED的覆盖的阴极材料28隔离。绝缘材料44可以是与用于图2中的有机钝化层34的材料相同的材料。或者，可以选择不同的材料，因为在这种布置中栅极电介质和栅电极为下层的有机半导体材料提供某种保护，结果，与图2中的层34相比，对于层44，可以选择更大范围的材料。

图8示出包括公共电极和栅极材料28的另一实施方案。在这种布置中，不需要绝缘层，因为OLED的阴极材料28也起到TFT的栅电极的作用。此外，对于公共部件，已如在前文讨论的图中一样使用公共附图标记。

在图8所示的布置中，示出了用于将栅电极连接到导电连接线52的附加通道孔接触50。

因此，本发明的实施方案可以包括顶栅或底栅薄膜晶体管。可以在显示器的整个有源区上沉积顶电极材料，绝缘分离结构防止TFT与OLED之间的短路。本发明的实施方案允许制造具有覆盖整个显示器表面的公共自遮蔽阴极的底发射有源矩阵显示器。被分离的阴极为OTFT提供主要封装。有机钝化材料结合阴极分离物的使用进一步改善了OTFT与阴极的隔离并抑制短路效应。公共堤结构的使用允许容易地在公共衬底上制造TFT和OLED两者。

下面陈述用于制造根据本发明的器件的适当材料和工艺的更多细节：

衬底

衬底可以是刚性或挠性的。刚性衬底可以选自玻璃或硅，且挠性衬底可以包括薄玻璃或塑料，诸如聚对苯二甲酸亚乙酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯PEN、聚碳酸酯和聚酰亚胺。

可以通过使用适当的溶剂使有机半导体材料变得可用溶液处理。示例性溶剂包括单或多烷基苯(诸如甲苯和二甲苯)；四氢化萘；以及氯仿。优选溶液沉积技术包括旋涂和喷墨式印刷。其它溶液沉积技术包括浸涂、筒滚印制(roll printing)和丝网印刷。

有机半导体材料

优选有机半导体材料包括小分子(诸如可选地取代的并五苯)；可选地取代的聚合物(诸如聚芳烃，特别是聚芴和聚噻吩)；以及低聚物。可以使用材料混合物，包括不同材料类型的混合物(例如聚合物与小分子混合物)。

源电极和漏电极

对于p沟道OTFT，优选地源电极和漏电极包括高功函数材料，优选地为具有大于3.5eV的功函数的金属，例如金、铂、钯、钼、钨、或铬。更优选地，所述金属具有在4.5至5.5eV范围内的功函数。还可以使用其它适当化合物、合金和氧化物，诸如三氧化钼和氧化铟锡。可以通过热蒸发来沉积源电极和漏电极并使用本领域中公知的标准光刻法和剥离技术来将其图案化。

或者，可以沉积导电聚合物作为源电极和漏电极。此类导电聚合物的示例是聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)，虽然本领域中其它导电聚合物也已知。可以使用例如旋涂或喷墨式印刷技术及上文所讨论的其它溶液沉积技术从溶液沉积此类导电聚合物。

对于n沟道OTFT，优选地，源电极和漏电极包括例如诸如钙或钡等具有小于3.5eV的功函数的金属或金属化合物薄层、特别是例如氟化锂、氟化钡和氧化钡等碱性或碱土金属的氧化物或氟化物等材料。或者，可以沉积导电聚合物作为源电极和漏电极。

为便于制造，源电极和漏电极优选地由相同的材料形成。然而，应认识到，为了分别使电荷注入和提取优化，源电极和漏电极可以由不同的材料形成。

源电极和漏电极之间限定的沟道长度可以达到500微米，但优选地，该长度小于200微米，更优选地小于100微米，最优选地小于20微米。

栅电极

栅电极4可以选自大范围的导电材料，例如金属(例如金)或金属化合物(例如氧化铟锡)。或者，可以沉积导电聚合物作为栅电极4。可以使用例如旋涂或喷墨式印刷技术及上文所讨论的其它溶液沉积技术从溶液沉积此类导电聚合物。

例如，栅电极、源电极和漏电极的厚度可以在5～200nm左右，虽然例如通常为原子力显微镜(AFM)所测量的50nm。

绝缘层

绝缘层包括选自具有高电阻率的绝缘材料的介电材料。电介质的介电常数k通常约为2～3，虽然具有高k值的材料是希望的，因为对于OTFT可实现的电容与k成正比，且漏极电流I_D与电容成正比。因此，为了以低工作电压实现高漏极电流，优选的是在沟道区中具有薄电介质层的OTFT。

介电材料可以是有机或无机的。优选无机材料包括SiO2、SiNx和旋涂玻璃(SOG)。优选有机材料通常是聚合物，且包括诸如聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)等绝缘聚合物、诸如可从DowComing获得的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和苯并环丁烯(BCB)等丙烯酸酯。绝缘层可以由材料混合物形成或包括多层结构。

可以通过本领域中已知的热蒸发、真空处理或层压技术来沉积介电材料。或者，可以使用例如旋涂或喷墨式印刷技术及上文所讨论的其它溶液沉积技术从溶液沉积介电材料。

如果将介电材料从溶液沉积到有机半导体上，则不应引起有机半导体的溶解。同样地，如果将有机半导体从溶液沉积到介电材料上，介电材料不应溶解。避免此类溶解的技术包括：使用正交溶剂，亦即使用不使下面的层溶解的用于沉积最上层的溶剂；以及下面的层的交联。

绝缘层的厚度优选地小于2微米，更优选地小于500nm。

其它层

在器件架构中可以包括其它层。例如，可以在栅电极、源电极或漏电极、衬底、绝缘层和有机半导体材料上沉积自组装单层(SAM)以根据需要促进结晶、减小接触电阻、修复表面特性和促进粘附。特别地，沟道区中的介电表面，特别是对于高k介电表面提供有包括结合区和有机区的单层以便例如通过改善有机半导体的形态(特别是聚合物定向或结晶度)并覆盖电荷陷阱来改善器件性能。此类单层的示例性材料包括具有长烷基链的氯基硅烷或烷氧基硅烷，例如十八烷基三氯硅烷。

虽然已参照本发明的优选实施方案特别地示出并描述了本发明，但本领域的技术人员应理解的是在不脱离随附权利要求书所限定的本发明的精神和范围的情况下可以进行形式和细节方面的各种修改。

Claims

1.一种有源矩阵有机光学器件，包括设置在公共衬底上的多个包含有机半导体材料的有机薄膜晶体管和多个包含有机光学有源材料的像素，其中，为所述有机薄膜晶体管和所述像素提供了公共堤层，该公共堤层限定多个阱，其中，一些阱在其中包含所述有机薄膜晶体管的所述有机半导体材料，而其它阱在其中包含所述像素的所述有机光学有源材料。

2.如权利要求1所述的有源矩阵有机光学器件，其中，在所述公共衬底上设置有电极层，所述公共堤层被设置在所述电极层之上，并且在所述公共堤层的所述阱内设置有所述有机薄膜晶体管的所述有机半导体材料和所述像素的所述有机光学有源材料。

3.如权利要求2所述的有源矩阵有机光学器件，其中，所述有机薄膜晶体管是底栅薄膜晶体管。

4.如权利要求3所述的有源矩阵有机光学器件，其中，所述电极层包括每个有机薄膜晶体管的栅电极，每个有机薄膜晶体管包括设置在所述栅电极之上的栅极电介质层、和设置在所述栅极电介质层之上的源电极和漏电极，其中，所述公共堤层被设置在所述源电极和漏电极之上，而所述有机半导体材料被设置在所述源电极和漏电极之间的沟道区中。

5.如权利要求2所述的有源矩阵有机光学器件，其中，所述有机薄膜晶体管是顶栅薄膜晶体管。

6.如权利要求5所述的有源矩阵有机光学器件，其中，所述电极层包括每个有机薄膜晶体管的源电极和漏电极，所述公共堤层被设置在所述源电极和漏电极之上，每个有机薄膜晶体管包括设置在所述源电极和漏电极之间的沟道区中的有机半导体材料、设置在所述有机半导体材料上的栅极电介质层、以及设置在所述栅极电介质层之上的栅电极。

7.如权利要求1-6中的任何一项所述的有源矩阵有机光学器件，还包括设置在每个薄膜晶体管之上的绝缘层。

8.如权利要求1-6中的任何一项所述的有源矩阵有机光学器件，其中，在所述有源矩阵有机光学器件的整个有源表面之上设置有顶电极层，并且绝缘分离结构被提供以便在所述有源矩阵有机光学器件的顶面上将所述薄膜晶体管与所述像素电隔离。

9.如权利要求8所述的有源矩阵有机光学器件，其中，所述绝缘分离结构作为凸起的环而提供在所述薄膜晶体管周围的所述堤层上。

10.如权利要求9所述的有源矩阵有机光学器件，其中，所述凸起的环具有底切壁结构。

11.如权利要求8所述的有源矩阵有机光学器件，其中，所述项电极层形成每个有机薄膜晶体管的顶电极和每个像素的顶电极两者。

12.如权利要求9至10中的任何一项所述的有源矩阵有机光学器件，其中，所述顶电极层形成每个有机薄膜晶体管的顶电极和每个像素的顶电极两者。

13.一种制造有源矩阵有机光学器件的方法，包括在公共衬底上形成多个有机薄膜晶体管和多个像素，其中，为所述有机薄膜晶体管和所述像素提供了公共堤层，该公共堤层限定多个阱，其中，一些阱在其中包含所述有机薄膜晶体管的有机半导体材料，而其它阱在其中包含所述像素的有机光学有源材料。

14.一种有源矩阵有机光学器件，包括：公共衬底上的多个薄膜晶体管和多个有机光学有源像素，其中，提供了绝缘分离结构以便在所述有源矩阵有机光学器件的顶面上将所述薄膜晶体管与所述有机光学有源像素电隔离。

15.一种形成有源矩阵有机光学器件的方法，包括：在公共衬底上沉积多个薄膜晶体管和多个有机光学有源像素，其中，提供了绝缘分离结构以便在所述有源矩阵有机光学器件的顶面上将所述薄膜晶体管与所述有机光学有源像素电隔离。

16.如权利要求15所述的方法，其中，所述薄膜晶体管和所述有机光学有源像素具有在单个沉积步骤中由共用材料形成的顶电极。