CN101911328A - 有机薄膜晶体管、有源矩阵有机光学器件及其制造方法 - Google Patents

有机薄膜晶体管、有源矩阵有机光学器件及其制造方法 Download PDF

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Abstract

一种制造有机薄膜晶体管的方法，包括：提供包括限定沟道区的源电极和漏电极的衬底；形成限定围绕沟道区的阱的图案化的绝缘材料层；在阱中沉积保护层；对图案化的绝缘材料层的暴露部分进行除湿处理以降低暴露部分的可润湿性；去除保护层；以及将有机半导体材料从溶液沉积到阱中。

Description

有机薄膜晶体管、有源矩阵有机光学器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及有机薄膜晶体管、有源矩阵有机光学器件及其制造方法。
背景技术
晶体管可以分成两种主要类型：双板结晶体管和场效应晶体管。两种类型共用相同的结构，该结构包括三个电极，在其之间的沟道区中设置有半导体材料。双极结晶体管的三个电极称为发射极、集电极和基极，而在场效应晶体管中，将三个电极称为源极、漏极和栅极。可以将双极结晶体管描述为电流操作器件，因为由在基极与发射极之间流动的电流来控制发射极与集电极之间的电流。相对照地，可以将场效应晶体管描述为电压操作器件，因为由栅极与源极之间的电压来控制在源极与漏极之间流动的电流。
还可以根据晶体管是否包括分别传导正电荷载流子(空穴)或负电荷载流子(电子)的半导体材料将其分类为P型和N型。可以根据其接受、传导、和施予电荷的能力来选择半导体材料。可以通过对材料进行掺杂来增强半导体材料接受、传导和施予空穴或电子的能力。还可以根据其接受和注入空穴或电子的能力来选择用于源电极和漏电极的材料。
例如，可以通过选择在接受、传导、和施予空穴方面高效的半导体材料，以及选择在注入和从半导体材料接受空穴方面高效的用于源电极和漏电极的材料来形成p型晶体管器件。电极中的费米能级与半导体材料的HOMO能级的良好能级匹配能够增强空穴注入和接受。相对照地，可以通过选择在接受、传导、和施予电子方面高效的半导体材料，以及选择在向半导体材料注入和从半导体材料接受电子方面高效的用于源电极和漏电极的材料来形成n型晶体管器件。电极中的费米能级与半导体材料的LUMO能级的良好能级匹配能够增强电子注入和接受。能够充当n或p型的二极器件也是已知的。
可以通过在薄膜中沉积部件以形成薄膜晶体管(TFT)来形成晶体管。当使用有机材料作为此类器件中的半导体材料时，将其称为有机薄膜晶体管(OTFT)。
用于有机薄膜晶体管的各种布置是已知的。一种此类器件是绝缘栅极场效应晶体管，其包括：源电极和漏电极，在之间的沟道区中设置有半导体材料；与半导体材料相邻设置的栅电极；以及设置在栅电极与沟道区中的半导体材料之间的一层绝缘材料。
可以通过诸如溶液处理等低成本、低温方法来制造OTFT。此外，OTFT与柔性塑料衬底相容，提供了在卷到卷工艺中在柔性衬底上大规模制造OTFT的前景。
此类有机薄膜晶体管的示例在图1中示出。所示的结构可以沉积在衬底1上并包括源电极和漏电极2、4，源电极和漏电极2、4被位于其之间的沟道区6间隔开。有机半导体(OSC)8被沉积在沟道区6中且可以在源电极和漏电极2、4的至少一部分上延伸。电介质材料的绝缘层10沉积在有机半导体8上且可以在源电极和漏电极2、4的至少一部分上延伸。最后，栅电极12被沉积在绝缘层10上。栅电极12位于沟道区6之上且可以在源电极和漏电极2、4的至少一部分上延伸。
上述结构称为顶栅有机薄膜晶体管，因为栅极位于器件的顶侧。或者，还已知在器件的底侧提供栅极以形成所谓的底栅有机薄膜晶体管。
此类底栅有机薄膜晶体管的示例在图2中示出。为了更清楚地示出图1和2所示的结构之间的关系，已对相应的部分使用相似的附图标记。图2所示的底栅结构包括沉积在衬底1上的栅电极12，具有沉积在其上面的电介质材料的绝缘层10。源电极和漏电极2、4被沉积在电介质材料的绝缘层10上。源电极和漏电极2、4被栅电极上的位于其之间的沟道区6间隔开。有机半导体(OSC)8被沉积在沟道区6中且可以在源电极和漏电极2、4的至少一部分上延伸。
具有上述布置的一个问题是在沉积OSC时如何将其包含在沟道区内。此问题的一种解决方案是提供限定阱的图案化的绝缘堤材料层14，其中可以通过例如喷墨式印刷从溶液沉积OSC 8。此类布置在分别用于底栅和顶栅有机薄膜晶体管的图3和4中示出。同样地，为了更清楚地示出图1和2所示的结构与图3和4所示的那些结构之间的关系，已对相应部分使用相似的附图标记。
特别地，由图案化的绝缘材料层14限定的阱的周界围绕在源电极和漏电极2、4之间限定的一些或全部沟道6，以便有利于例如通过喷墨式印刷进行OSC 8的沉积。此外，由于绝缘层14在OSC 8的沉积之前被沉积，所以可以在不损坏OSC的情况下对其进行沉积和图案化。可以使用诸如正性或负性抗蚀剂的光刻法、湿法蚀刻、干法蚀刻等已知沉积和图案化技术以可再现的方式来形成绝缘层14的结构。
发明内容
本申请人已发现即使提供图案化的阱限定堤材料层，在将OSC包含在沟道区内并使用用于沉积OSC的溶液处理技术在沟道区中提供OSC的良好成膜时仍存在问题。发生阱限定堤材料的无法控制的润湿，因为通常在其中沉积OSC的有机溶剂的接触角是低的。在最坏的情况下，OSC可能溢出(overspill)阱。
为了解决此问题，本申请人已发现在从溶液沉积OSC之前处理阱限定堤的表面以便降低其可润湿性是有利的。阱限定堤层的顶部上的除湿表面帮助在沉积OSC时将其包含在阱内。
可以在对绝缘层进行图案化之前或在对绝缘层进行图案化以限定阱之后执行此类处理。然而，本申请人已发现存在与这些可能性相关的一些问题。要降低绝缘层的可润湿性的处理通常是不稳定的且已处理表面趋向于在经过一段时间后恢复其原始可润湿性，特别是在经受进一步的处理步骤的情况下。因此，如果在进行图案化以形成阱之前处理绝缘层以便降低其表面可润湿性，则到已形成阱并准备好沉积OSC时，表面趋向于已朝着其原始可润湿性恢复。或者，如果首先形成阱并随后施加表面处理，则已发现此类表面处理损坏在阱中暴露的OTFT的活性层。已经发现在底栅器件中，在形成阱时被暴露的电介质层对除湿处理特别敏感。此外，对于顶栅和底栅器件两者而言，源电极和漏电极将在阱形成之后暴露且除湿处理可能不利地影响在这些电极与随后沉积的OSC之间形成的接点。实际上，对于顶栅和底栅器件两者而言，已经发现OTFT的沟道区对除湿处理敏感，并且如果可能的话，避免沟道区暴露于此处理将是有利的。
根据上述内容，依照本发明的特别优选实施例，提供了一种制造有机薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：提供包括限定沟道区的源电极和漏电极的衬底；形成限定围绕沟道区的阱的图案化的绝缘材料层；在阱中沉积保护层；对图案化的绝缘材料层的暴露部分进行除湿处理以降低所述暴露部分的可润湿性；去除保护层；以及将有机半导体材料从溶液沉积到阱中。
上述方法的优点是通过在阱中提供保护层，可以在保护阱中的底层的同时在阱形成之后执行除湿处理。
对于底栅OTFT而言，提供步骤包括沉积栅电极、在该栅电极上沉积栅极电介质、以及在该栅极电介质上沉积源电极和漏电极以形成沟道区。
对于顶栅OTFT而言，在OSC上沉积栅极电介质并在该栅极电介质上沉积栅电极。
优选地，所述保护层是抗蚀剂材料，最优选地是正性抗蚀剂。优选地，所述阱限定堤材料也是抗蚀剂材料，但最优选地是负性抗蚀剂。优选地使用与用来对阱限定堤层进行图案化的掩模相同的掩模来对所述保护层进行图案化。通过将相反性的抗蚀剂用于所述保护层和所述阱限定堤层，可以使用同一掩模来沉积两个层，且对于在形成保护层时涉及的额外光刻步骤而言不需要另一掩模。
当然，还可以通过采用两个不同的掩模对两个正性光致抗蚀剂(或两个负性光致抗蚀剂)实现相同的效果。
优选地，对保护层进行图案化，使得其覆盖整个阱底板(well floor)。所述保护层还可以覆盖阱壁。根据一种特别有用的布置，可以对保护层进行图案化，使得其还覆盖阱周围的阱限定堤层的顶部部分。
根据哪种工艺对已处理阱限定堤层的接触角进行最少修改或对阱中的底层造成最少损坏，去除保护层的方法可以是基于溶剂的或水性的(基于已显影的)。
优选地，所述除湿处理是等离子体处理，诸如包含例如CF4等离子体的等离子体的氟。
根据本发明的第二方面，提供了一种根据前述方法制造的有机薄膜晶体管。
根据本发明的其它方面，提供了一种有源矩阵有机光学器件及其制造方法，其中，结合了根据前述方法制造的有机薄膜晶体管。
附图说明
现在将参照附图仅以示例的方式更详细地描述本发明，在附图中：
图1示出已知顶栅有机薄膜晶体管布置；
图2示出已知底栅有机薄膜晶体管布置；
图3示出具有用于包含有机半导体的阱的底栅有机薄膜晶体管布置；
图4示出具有用于包含有机半导体的阱的顶栅有机薄膜晶体管布置；
图5示出根据本发明的实施例的在形成底栅有机薄膜晶体管时涉及的方法步骤；
图6示出根据本发明的实施例的在形成顶栅有机薄膜晶体管时涉及的方法步骤；
图7示出包括有机薄膜晶体管和有机发光器件的有源矩阵有机发光显示器的一部分；以及
图8示出包括有机薄膜晶体管和有机发光器件的另一有源矩阵有机发光显示器布置的一部分。
具体实施方式
本发明的实施例将附加的抗蚀剂图案化步骤引入OTFT工艺流程中以保护敏感栅极电介质在OSC沉积之前的阱限定堤材料的表面处理期间不受损坏。在优选实施例中，这是在不需要附加抗蚀剂掩模的情况下进行的。因此，实施例具有用于在OSC沉积期间保持最佳印刷性能的同时获得良好OTFT性能的潜力。
图5示出根据本发明的实施例在形成底栅有机薄膜晶体管时涉及的方法步骤。已对相应部分使用与在图1至4中所使用的附图标记相似的附图标记。图5(A)描绘OSC沉积之前的正在进展中的器件结构。此结构是通过在衬底1上沉积栅电极12、在栅电极12上沉积栅极电介质10、在栅极电介质10上沉积限定其中暴露栅极电介质10的沟道区6的源电极和漏电极2、4以及形成限定围绕沟道区6的阱的图案化绝缘堤材料层14形成的。在图5(A)所示的布置中，阱限定堤14具有底切剖面(undercutprofile)，其会在从溶液在阱中沉积OSC时对形成良好的OSC膜有益。然而，阱限定堤可以替换地具有正剖面(positive profile)。
提出了依照本发明的实施例，通过用例如喷墨式印刷从溶液在阱中沉积OSC来形成OTFT像素。为了获得对这样沉积的OSC溶液的受控行为，提出了使用氧等离子体和CF4等离子体的组合来制备阱限定堤层的顶面。氧等离子体用来去除不期望的有机污染并产生均匀润湿表面，而CF4等离子体用来可控并优先地对堤表面进行改性以使得其不润湿。
遗憾的是已发现这些等离子体步骤对OTFT器件性能具有不期望的影响，因为阱中的暴露层对等离子体步骤敏感。例如，TFT沟道区中的栅极电介质形成与沉积的OSC的关键界面，并且此界面由于暴露于等离子体处理而受到不利影响。其它处理也将影响此敏感界面。对于OSC沉积而言阱中的暴露表面保持一定水平的可润湿性也是重要的。
根据上述内容，在本文中提出使用由额外光刻步骤限定的保护性抗蚀剂层来在等离子体处理期间保护栅极电介质。额外层的沉积和去除不应表示对器件操作的进一步风险，因为这些工艺步骤与已用来对在前衬底层进行图案化的工艺相同。
如图5(B)所示，将诸如Shipley S1813或类似正性酚醛树脂抗蚀剂的保护性光致抗蚀剂层16旋涂到衬底上。使用用来对阱限定堤层进行图案化的同一掩模来对保护性光致抗蚀剂16进行图案化。因为阱限定堤层由负性材料形成，所以掩模产生阱的倒像，因此，如图5(C)所示，保护性光致抗蚀剂层覆盖暴露的电介质。通过光刻处理条件的适当选择，应可以在某种程度上控制两个抗蚀剂部件(feature)之间的重叠水平o。例如，可以期望使附加保护层覆盖阱限定堤的至少一些边缘18以保证膜的完全显影，因为在堤边缘处保护层的厚度t会较大。
在栅极电介质受到保护的情况下，如图5(D)所示，随后可以对阱限定堤的暴露顶面20进行等离子体处理以制造不润湿表面22。如图5(E)所示，随后去除保护性抗蚀剂16，将不润湿表面22留在阱限定堤层的顶部上。然后可以将OSC沉积到阱中以形成如图3所示的结构。
堤的溶剂暴露可能导致接触角的减小。为此，对等离子体处理进行重复处理(over-process)以保证足够的接触角会是有益的。
根据哪种工艺对阱限定堤层的接触角进行最少修改或对底层栅极电介质造成最少损坏，去除保护性抗蚀剂的方法可以是基于溶剂的或含水的(基于已显影的)。如果使用显影剂来去除保护性抗蚀剂，则在紧接第一显影步骤之后或在等离子体处理之后需要附加的UV曝光。在任一种情况下，将必须使用足够的UV剂量来保证最厚区域的完全曝光和溶解，特别是在堤底切部下面。为此，剖面为正的对堤处理会是有益的。
图6示出根据本发明的实施例在形成顶栅有机薄膜晶体管时涉及的相应方法步骤。已对相应部分使用与在图1至4中所使用的附图标记相似的附图标记。
除使用如图6(A)所示的不同的起始结构之外，该方法步骤与用于底栅布置的图5所示的那些类似。这里，衬底1提供有限定沟道区6的源电极和漏电极2、4，其中阱限定堤层在源电极和漏电极上形成。然后如图6B所示沉积保护层16并如图6(C)所示进行图案化以使阱限定堤层14的顶面20暴露。如图6(D)所示，然后对阱限定堤14的暴露顶面20进行等离子体处理以制造不润湿表面22。如图6(E)所示，随后去除保护性抗蚀剂16，将不润湿表面22留在阱限定堤层的顶部上。然后可以将OSC沉积到阱中，后面是栅极电介质和栅电极，以形成如图4所示的结构。
下面更详细地讨论依照本发明的实施例的适合于形成OTFT的材料和过程。
衬底
衬底可以是刚性的或柔性的。刚性衬底可以选自玻璃或硅，柔性衬底可以包括薄玻璃或塑料，诸如聚(对苯二甲酸乙二醇酯)(PET)、聚(萘二甲酸乙二醇酯)PEN、聚碳酸酯和聚酰亚胺。
可以通过使用适当的溶剂使有机半导体材料变得可用溶液处理。示例性溶剂包括：单或聚烷基苯，诸如甲苯和二甲苯；四氢萘；和氯仿。优选溶液沉积激素包括旋涂和喷墨式印刷。其它溶液沉积技术包括滴涂、辊式印刷和丝网印刷。
有机半导体材料
优选的有机半导体材料包括：小分子，诸如可选取代并五苯；可选取代聚合物，诸如聚芳烃，特别是聚芴和聚噻吩；和低聚物。可以使用材料的混合物，包括不同材料类型的混合物(例如聚合物与小分子混合物)。
源电极和漏电极
对于p沟道OTFT而言，优选地，源电极和漏电极包括高功函数材料，优选地为具有大于3.5eV的功函数的金属，例如金、铂、钯、钼、钨、或铬。更优选地，所述金属具有在4.5至5.5eV范围内的功函数。还可以使用其它适当化合物、合金和氧化物，诸如三氧化钼和氧化铟锡。可以通过热蒸发来沉积源电极和漏电极并使用本领域中已知的标准光刻和剥离技术进行图案化。
或者，可以沉积导电聚合物作为源电极和漏电极。此类导电聚合物的示例是聚(乙烯二氧噻吩)(PEDOT)，虽然在本领域中已知其它导电聚合物。可以使用例如旋涂或喷墨式印刷技术及上文所讨论的其它溶液沉积技术从溶液沉积此类导电聚合物。
对于n沟道OTFT，优选地，源电极和漏电极包括例如金属等具有小于3.5eV的功函数的材料，诸如钙或钡或金属化合物的薄层，特别是碱性或碱土金属的氧化物或氟化物，例如氟化锂、氟化钡和氧化钡。或者，可以沉积导电聚合物作为源电极和漏电极。
为了便于制造，优选地用相同的材料形成源电极和漏电极。然而，应认识到源电极和漏电极可以由不同的材料制成以便分别使电荷注入和提取最优化。
源电极与漏电极之间限定的沟道长度可以达到500微米，但优选地，该长度小于200微米，更优选地小于100微米，最优选地小于20微米。
栅电极
栅电极可以选自大范围的导电材料，例如金属(例如金)或金属化合物(例如氧化铟锡)。或者，可以沉积导电聚合物作为栅电极。可以使用例如旋涂或喷墨式印刷技术及上文所讨论的其它溶液沉积技术从溶液沉积此类导电聚合物。
例如，栅电极、源电极和漏电极的厚度可以在原子力显微镜(AFM)所测量的5～200nm的范围内，虽然通常为50nm。
栅极电介质
栅极电介质包括选自具有高电阻率的绝缘材料的电介质材料。电介质的介电常数k通常约为2～3，虽然期望有具有高k值的材料，因为对于OTFT而言可实现的电容与k成正比，并且漏极电流ID与电容成正比。因此，为了实现具有低工作电压的高漏极电流，优选在沟道区中具有薄电介质层的OTFT。
电介质材料可以是有机的或无机的。优选无机材料包括SiO2、SiNx和旋涂玻璃(SOG)。优选有机材料通常是聚合物且包括绝缘聚合物，诸如可从Dow Corning获得的聚乙烯醇(PVA)、聚维酮(PVP)、诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸酯和苯并环丁烯(BCB)。绝缘层可以由材料的混合物形成或包括多层结构。
可以通过本领域中已知的热蒸发、真空处理或层压技术来沉积电介质材料。或者，可以使用例如旋涂或喷墨式印刷技术及上文所讨论的其它溶液沉积技术从溶液沉积电介质材料。
如果将电介质材料从溶液沉积到有机半导体上，则不应导致有机半导体的溶解。类似地，如果将有机半导体从溶液沉积到电介质材料上，则电介质材料不应被溶解。避免此类溶解的技术包括：正交溶剂的使用，即，将不使底层溶解的溶剂用于沉积最上层；以及底层的交联。
栅极电介质层的厚度优选地小于2微米，更优选地小于500nm。
其它层
在器件架构中可以包括其它层。例如，在需要时，可以在栅电极、源电极或漏电极、衬底、绝缘层和有机半导体材料上沉积自组装单层(SAM)以促进可结晶性、减小接触电阻、修复表面特性并促进粘附。特别地，可以为沟道区中的电介质表面提供包括结合区和有机区的单层以便例如通过改善有机半导体的形态学(特别是聚合物配向和结晶度)并覆盖电荷陷阱来改善器件性能，特别是对于高k电介质表面而言。用于此类单层的示例性材料包括具有长烷基链的氯基或烷氧基硅烷，例如三氯十八烷基硅烷。类似地，可以为源电极和漏电极提供SAM以改善有机半导体与电极之间的接触。例如，可以为金SD电极提供SAM，该SAM包括：硫醇结合基和用于改善接触的基团，该基团可以是具有高偶极矩的基团；掺杂剂；或共轭部分(conjugated moiety)。
OTFT应用
根据本发明的实施例的OTFT具有广泛的可能应用范围。一种此类应用是驱动光学器件、优选地有机光学器件中的像素。此类光学器件的示例包括：光敏器件，特别是光探测器；和发光器件，特别是有机发光器件。OTFT特别适合用于有源矩阵有机发光器件，例如供在显示器应用中使用。
图7示出包括在公共衬底21上制造的有机薄膜晶体管和相邻有机发光器件的像素。OTFT包括栅电极22、电介质层24、源电极和漏电极23s和23d、和OSC层25。OLED包括阳极27、阴极29和设置在阳极与阴极之间的电致发光层28。其它层可以位于阳极与阴极之间，诸如电荷输运层、电荷注入层或电荷阻挡层。在图7的实施例中，阴极材料层跨越OTFT和OLED两者延伸，并提供绝缘层26以使阴极层29与OSC层25电隔离。在本实施例中，漏电极23d被直接连接到有机发光器件的阳极以便使有机发光器件在发射和不发射状态之间切换。
由通过在衬底21上沉积一层光致抗蚀剂并对其进行图案化以在衬底上限定OTFT区域和OLED区域形成的公共堤材料来限定OTFT和OLED的有源区。依照本发明的实施例，可以在其中沉积OSC和有机电致发光材料之前以类似于相对于图5和6所述的方式在制造期间用保护层来保护限定OTFT和OLED两者的阱。然后可以处理公共堤材料以便在其表面上形成不润湿表面并去除保护性材料。然后可以将OTFT和OLED的其余层沉积在阱中，不润湿表面防止沉积的OSC的溶液和有机电致发光材料溅出其各自的阱。根据另一实施例，仅保护OTFT。还已发现一些处理仅损坏OTFT而不损坏OLED。由此，对于一些处理，只需要保护OTFT。
在图8所示的替换布置中，可以按与有机发光器件堆叠的关系来制造有机薄膜晶体管。在此类实施例中，如上所述以顶栅或底栅结构构建有机薄膜晶体管。如图7的实施例的情况一样，由图案化的光致抗蚀剂层33来限定OTFT和OLED的有源区，然而，在这种堆叠布置中，存在两个单独的堤层33-一个用于OLED且一个用于OTFT。依照本发明的实施例，可以在制造期间以类似于相对于图5、6和7所述的方式来保护和处理两个单独的堤层。如前所述，对于一些处理，只需要保护OTFT而不保护OLED。
在OTFT上沉积平面化层31(也称为钝化层)。示例性钝化层包括BCB和聚对二甲苯。在钝化层上制造有机发光器件。有机发光器件的阳极34通过穿过钝化层31和堤层33的导电通路32电连接到有机薄膜晶体管的漏电极。
应认识到包括OTFT和光学有源区(例如发光和感光区域)的像素电路还可以包括其它元件。特别地，图7和8的OLED像素电路通常会包括至少一个其它晶体管(除所示的驱动晶体管之外)和至少一个电容器。
应认识到本文所述的有机发光器件可以是顶栅或底栅器件。也就是说，器件可以通过器件的阳极或阴极侧发光。在透明器件中，阳极和阴极两者都是透明的。应认识到透明阴极器件不需要具有透明阳极(当然，除非期望完全透明的器件)，因此可以用诸如铝层的反射材料层来替换或补充用于底发射器件的透明阳极。
透明阴极对于有源矩阵器件而言是特别有利的，因为如从图8所示的实施例可以看到的那样，此类器件中的通过透明阳极的发射可以被位于发射像素下面的OTFT驱动电路至少部分地阻挡。
虽然已参照本发明的实施例具体地示出并描述了本发明，但本领域的技术人员应理解的是在不脱离随附权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下可以进行形式和细节方面的各种修改。

Claims (23)

1.一种制造有机薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：
提供包括限定沟道区的源电极和漏电极的衬底；
形成限定围绕所述沟道区的阱的图案化的绝缘材料层；
在所述阱中沉积保护层；
对所述图案化的绝缘材料层的暴露部分进行除湿处理以降低所述暴露部分的可润湿性；
去除所述保护层；以及
将有机半导体材料从溶液沉积到所述阱中。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，提供步骤包括：沉积栅电极，在该栅电极上沉积栅极电介质，以及在该栅极电介质上沉积所述源电极和漏电极以形成所述沟道区。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在OSC上沉积栅极电介质并在该栅极电介质上沉积栅电极。
4.根据任何前述权利要求所述的方法，其中，所述保护层是抗蚀剂材料。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述保护层是正性抗蚀剂。
6.根据任何前述权利要求所述的方法，其中，所述图案化的绝缘材料层是抗蚀剂材料。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述图案化的绝缘材料层是正性抗蚀剂。
8.根据任何前述权利要求所述的方法，其中，使用与用来对图案化的绝缘材料层进行图案化的掩模相同的掩模来对所述保护层进行图案化。
9.根据任何前述权利要求所述的方法，其中，对所述保护层进行图案化，使得其覆盖整个阱底板。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，对所述保护层进行图案化，使得其还覆盖阱壁的至少一部分。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，对所述保护层进行图案化，使得其还覆盖阱周围的图案化的绝缘材料层的顶部边缘部分。
12.根据任何前述权利要求所述的方法，其中，使用基于溶剂或基于含水显影的技术来去除所述保护层。
13.根据任何前述权利要求所述的方法，其中，所述除湿处理是等离子体处理。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述等离子体处理包括基于氟的等离子体处理步骤。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述基于氟的等离子体处理步骤使用CF4等离子体。
16.根据权利要求13至15中的任一项所述的方法，其中，所述等离子体处理包括氧等离子体处理步骤。
17.一种制造有源矩阵有机光学器件的方法，包括以下步骤：
在包括图案化电极层的衬底上形成限定多个阱的至少一个堤层；
在所述阱中沉积保护层；
对绝缘材料的所述至少一个堤层的暴露部分进行除湿处理以降低所述暴露部分的可润湿性；
去除所述保护层；以及
将有机半导体材料从溶液沉积到一些阱中以便在其中形成有机薄膜晶体管并将有机光学有源材料沉积到其它阱中以便在其中形成发光像素。
18.根据权利要求17所述的方法，其中形成步骤包括在公共衬底上形成为所述有机薄膜晶体管和所述像素两者提供的公共堤层，其中，所述沉积步骤包括同时在用于所述有机薄膜晶体管的阱和用于所述像素的阱中沉积所述保护层，并且其中，进行除湿处理的步骤包括同时使围绕用于所述有机薄膜晶体管的阱和用于所述像素的阱两者的公共堤层的部分暴露。
19.一种有机薄膜晶体管，包括：
衬底，其包括限定沟道区的源电极和漏电极；
图案化的绝缘材料层，其限定围绕所述沟道区的阱；以及
设置在所述阱中的沟道区中的有机半导体材料，
其中，所述图案化的绝缘材料层的顶部部分具有设置在其上面的除湿表面。
20.根据权利要求19所述的有机薄膜晶体管，其中，所述除湿表面包括氟化材料。
21.根据权利要求20所述的有机薄膜晶体管，其中，所述氟化材料包括CF4。
22.一种包括多个有机薄膜晶体管和多个像素的有源矩阵有机光学器件，其中，为所述有机薄膜晶体管和所述像素提供至少一个堤层，所述至少一个堤层限定多个阱，其中，一些阱在其中包含所述有机薄膜晶体管的有机半导体材料且其它阱在其中包含所述像素的有机光学有源材料，并且其中，所述至少一个堤层的顶部部分具有设置在其上面的除湿表面。
23.根据权利要求22所述的有源矩阵有机光学器件，其中，所述多个有机薄膜晶体管和所述多个像素被设置在公共衬底上，其中，所述至少一个堤层是为所述有机薄膜晶体管和所述像素两者提供的公共堤层，所述公共堤层限定所述多个阱，其中，所述公共堤层具有设置在其上面的围绕包含所述有机薄膜晶体管的有机半导体材料的阱和包含所述像素的有机光学有源材料的阱两者的除湿表面。
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