JP4353332B2 - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
11 ゲート絶縁膜
12a,12b ポリシリコン層、タングステン層
13a,13b ゲート電極、ダミーのゲート電極
14 キャップ絶縁膜
15 第1の層間絶縁膜
16 拡散層
17 サイドウォール
18 セルコンタクトプラグ
19 第2の層間絶縁膜
20 ビット線コンタクトプラグ
21 ビット線
22 第1のシリコン窒化膜
23 第3の層間絶縁膜
24 容量コンタクトプラグ
25 第2のシリコン窒化膜
26 第4の層間絶縁膜
27 ホール
28 下部電極
29 誘電体膜
30 上部電極
31a,31b 第1,第2の酸化チタン膜
32 酸化チタン系誘電体膜
40 誘電体膜
41a,41b 第1,第2の酸化チタン膜
42a,42b 第1,第2の酸化チタン系誘電体膜
43 第3の酸化チタン膜
Claims (6)
- 第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に配設された誘電体層とを有するキャパシタを備える半導体装置であって、
前記誘電体層は、
チタンおよびランタナムを含む第1のLTO膜と、
前記第1の電極と前記第1のLTO膜との間に配設された第1の酸化チタン膜と、
前記第2の電極と前記第1のLTO膜との間に配設された第2の酸化チタン膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の酸化チタン膜を複数備え、
各2つの前記第1の酸化チタン膜の間に配設されたチタンおよびランタナムを含む第2のLTO膜を、更に備える、請求項1の半導体装置。 - 第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に配設された誘電体層とを有するキャパシタを備える半導体装置であって、
前記誘電体層は、
ハフニウム、アルミニウム、ランタナム、イットリウムから選択された元素を1種以上と、チタンとを含む第1の酸化チタン系誘電体膜と、
前記第1の電極と前記第1の酸化チタン系誘電体膜との間に配設された第1の酸化チタン膜と、
前記第2の電極と前記第1の酸化チタン系誘電体膜との間に配設された第2の酸化チタン膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の酸化チタン膜を複数備え、
各2つの前記第1の酸化チタン膜の間に配設された第2の酸化チタン系誘電体膜を、更に備え、
前記第2の酸化チタン系誘電体膜は、ハフニウム、アルミニウム、ランタナム、イットリウムから選択された元素を1種以上と、チタンとを含む、請求項3の半導体装置。 - 第1の電極上に誘電体層を形成する工程と前記誘電体層上に第2の電極を積層する工程とを含んだキャパシタを備える半導体装置の製造方法であって、
前記誘電体層を形成する工程は、
前記第1の電極上に、第1の酸化チタン膜を形成する工程と、
前記第1の酸化チタン膜上に、チタンおよびランタナムを含むLTO膜を少なくとも1層形成する工程と、
前記LTO膜上に第2の酸化チタン膜を形成する工程と、を含み、
前記第2の電極を形成する工程は、
前記第2の酸化チタン膜上に第2の電極を形成する、
半導体装置の製造方法。 - 第1の電極上に誘電体層を形成する工程と前記誘電体層上に第2の電極を積層する工程とを含んだキャパシタを備える半導体装置の製造方法であって、
前記誘電体層を形成する工程は、
前記第1の電極上に、第1の酸化チタン膜を形成する工程と、
前記第1の酸化チタン膜上に、ハフニウム、アルミニウム、ランタナム、イットリウムから選択された元素を1種以上と、チタンとを含む酸化チタン系誘電体膜を少なくとも1層形成する工程と、
前記酸化チタン系誘電体膜上に第2の酸化チタン膜を形成する工程と、を含み、
前記第2の電極を形成する工程は、
前記第2の酸化チタン膜上に第2の電極を形成する、
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007064323A JP4353332B2 (ja) | 2007-03-14 | 2007-03-14 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US12/073,333 US7763953B2 (en) | 2007-03-14 | 2008-03-04 | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007064323A JP4353332B2 (ja) | 2007-03-14 | 2007-03-14 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008227196A JP2008227196A (ja) | 2008-09-25 |
JP4353332B2 true JP4353332B2 (ja) | 2009-10-28 |
Family
ID=39761800
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007064323A Active JP4353332B2 (ja) | 2007-03-14 | 2007-03-14 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7763953B2 (ja) |
JP (1) | JP4353332B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8053364B2 (en) * | 2008-05-01 | 2011-11-08 | Intermolecular, Inc. | Closed-loop sputtering controlled to enhance electrical characteristics in deposited layer |
US8551809B2 (en) * | 2008-05-01 | 2013-10-08 | Intermolecular, Inc. | Reduction of forming voltage in semiconductor devices |
US8062918B2 (en) * | 2008-05-01 | 2011-11-22 | Intermolecular, Inc. | Surface treatment to improve resistive-switching characteristics |
US7968452B2 (en) * | 2009-06-30 | 2011-06-28 | Intermolecular, Inc. | Titanium-based high-K dielectric films |
EP2434529B1 (en) * | 2010-09-28 | 2020-02-12 | IMEC vzw | Metal-insulator-metal capacitor for use in semiconductor devices and manufacuring method therfor |
US8610280B2 (en) | 2011-09-16 | 2013-12-17 | Micron Technology, Inc. | Platinum-containing constructions, and methods of forming platinum-containing constructions |
US8846484B2 (en) | 2012-02-15 | 2014-09-30 | Intermolecular, Inc. | ReRAM stacks preparation by using single ALD or PVD chamber |
CN114864425A (zh) * | 2021-01-20 | 2022-08-05 | 长鑫存储技术有限公司 | 电容结构的制备方法、电容结构及存储器 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03252162A (ja) | 1990-02-28 | 1991-11-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH09260516A (ja) | 1996-03-18 | 1997-10-03 | Sharp Corp | 強誘電体薄膜被覆基板及びそれを用いたキャパシタ構造素子 |
JP3252162B2 (ja) | 1997-10-22 | 2002-01-28 | 五洋建設株式会社 | 水底自走式浚渫機及び水底自走式浚渫機による浚渫方法 |
JP2000208743A (ja) | 1999-01-12 | 2000-07-28 | Lucent Technol Inc | ジュアルダマシ―ンコンデンサを備えた集積回路デバイスおよびこれを製造するための関連する方法 |
US6495878B1 (en) * | 1999-08-02 | 2002-12-17 | Symetrix Corporation | Interlayer oxide containing thin films for high dielectric constant application |
US6660660B2 (en) * | 2000-10-10 | 2003-12-09 | Asm International, Nv. | Methods for making a dielectric stack in an integrated circuit |
JP4221576B2 (ja) * | 2003-03-10 | 2009-02-12 | セイコーエプソン株式会社 | セラミックス膜の製造方法および強誘電体キャパシタの製造方法、ならびにセラミックス膜、強誘電体キャパシタおよび半導体装置 |
JP4722501B2 (ja) | 2004-01-29 | 2011-07-13 | 三星電子株式会社 | 半導体素子の多層誘電体構造物、半導体及びその製造方法 |
KR20060075999A (ko) * | 2004-12-29 | 2006-07-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
-
2007
- 2007-03-14 JP JP2007064323A patent/JP4353332B2/ja active Active
-
2008
- 2008-03-04 US US12/073,333 patent/US7763953B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080224263A1 (en) | 2008-09-18 |
US7763953B2 (en) | 2010-07-27 |
JP2008227196A (ja) | 2008-09-25 |
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