JP4350997B2 - 気密封止パッケージ - Google Patents
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Description
2…固体撮像素子、
5…ペルチェ素子、
8…放熱体、
10…ステム、
20…キャップ。
Claims (7)
- 半導体光素子と、前記半導体光素子を冷却するための冷却素子とを気密に収容する気密封止パッケージであって、
貫通孔を有するベースと、
前記貫通孔内に配置され、前記冷却素子と熱的に接続される放熱体と、
前記半導体光素子及び前記冷却素子を覆い、開口部が前記ベースに気密に取り付けられているカバーとを備え、
前記放熱体及び前記ベースの少なくとも一方には、前記貫通孔の外方側開口部の縁に沿って溝が形成され、
前記放熱体及び前記ベースの少なくとも一方には、前記貫通孔の貫通方向の動きを制限するストッパが前記外方側開口部の縁に沿って形成され、
前記貫通方向において、前記溝の深さは、前記ストッパの長さよりも大きくなっており、
前記放熱体と前記ベースとは、前記ストッパに沿ってロウ付け用のロウが配置されることにより気密に接合されていることを特徴とする気密封止パッケージ。 - 前記放熱体及び前記ベースの少なくとも一方には、前記外方側開口部の縁に沿って切欠き部が形成され、
前記貫通方向において、前記溝の深さは、前記切欠き部の長さよりも大きくなっており、
前記放熱体と前記ベースとは、前記切欠き部に前記ロウが配置されることにより気密に接合されていることを特徴とする請求項1に記載の気密封止パッケージ。 - 前記放熱体と前記貫通孔の内面との間には所定の間隙が設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の気密封止パッケージ。
- 前記放熱体の外方側端面は、前記ベースの外方側端面から突出しており、前記放熱体の熱伝達率は、前記ベースの熱伝達率よりも高いことを特徴とする請求項1〜3のうちいずれか一項に記載の気密封止パッケージ。
- 前記半導体光素子にはねじ挿通孔が形成され、
前記ベースには前記ねじ挿通孔と対向する位置にねじ穴が形成されており、
対向する前記ねじ挿通孔と前記ねじ穴とにねじが嵌められ、前記半導体光素子、前記冷却素子、前記放熱体及び前記ベースが互いに固定されていることを特徴とする請求項1〜4のうちいずれか一項に記載の気密封止パッケージ。 - 前記カバーの開口部には第1のフランジが形成され、
前記ベースには、前記カバーの前記開口部内面に嵌合する嵌合部と、前記第1のフランジが当接する第2のフランジとが形成されており、
前記第1のフランジと前記第2のフランジとが気密に接合されていることを特徴とする請求項1〜5のうちいずれか一項に記載の気密封止パッケージ。 - 前記第1のフランジと前記第2のフランジとはパルス駆動によるプラズマ溶接にて接合されていることを特徴とする請求項6に記載の気密封止パッケージ。
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