JP4343965B2 - 慣性センサ - Google Patents
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Description
図1、図2において、1は慣性センサとしての半導体加速度センサである。本実施例の半導体加速度センサ1は、シリコン(Si)からなる500μm程度の厚さの支持基板2に、酸化シリコン(SiO2)からなる1μm程度の厚さの絶縁膜としての埋込み酸化膜3(図3等に網掛けで示す。)を挟んで単結晶シリコンからなる10μm程度の厚さのシリコン薄膜層4が形成されたSOI基板5(図7参照)を用いて複数同時に形成され、その後に個片に分割して形成される。
7はSOI基板5で形成された重錘部であり、外枠6の内部にスリット8を介して配置された矩形(本実施例では正方形)の錘であって、中央に位置する矩形のコア部7aと、その4つの隅部にそれぞれ一体に設けられた矩形の付帯錘7bとで構成されている。
また、可撓部7には、加速度を検出するためのブリッジ回路を形成する複数の図示しないピエゾ素子等の測定素子が形成されている。
13は第1の凹部であり、重錘部7の付帯錘7b上に形成され、第1の係止片12の裏面と間隔K(図5参照)で離間して対向する底面13aを有しており、第1の係止片12の裏面を押圧して、重錘部7のZ方向(図1において、紙面鉛直方向の手前方向)の動きを制限する。
15はシリコン薄膜層4で形成された第2の係止片であり、重錘部7の付帯錘7bからスリット8を跨いで外枠6の側壁6a上に延在して形成された突起であって、付帯錘7bのシリコン薄膜層4との付根部から先端に向かって縮小する台形状(本実施例では等脚台形)に形成されている。
また、第2の凹部16の側面16bは、台形状の第2の係止片15の外周形状に隙間S(図4参照)を介して沿う台形状に形成されている。
本実施例の間隔Kは、SOI基板5の埋込み酸化膜3の厚さに相当する長さに形成される。
上記の第1の係止片12と突出片18とは、図1、図4に示すように、外枠6の側壁6aに形成された第2の凹部16の両側にそれぞれ隣接させて配置され、第2の係止片15を、その裏面を第2の凹部16の底面16aに間隔Kを介して対向させ、かつ第2の凹部16の側面16bとの間に隙間Sを介して配置すると共に、第1の係止片12を、その裏面を重錘部7の付帯錘17bに形成された第1の凹部13の底面13aに間隔Kを介して対向させ、かつ第1の凹部13の側面13bとの間に隙間Sを介して配置して、本実施例のストッパ機構を形成し、このストッパ機構を可撓部9の両側にそれぞれ配置して、図1に示す本実施例の半導体加速度センサ1を形成する。
P1、シリコン薄膜層4に測定素子等を形成したSOI基板5を準備し、支持基板2の裏面上に熱酸化法によりシリコン酸化膜21を形成し、そのシリコン酸化膜21上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法によりシリコン窒化膜22を形成する。
このようにして製造された半導体加速度センサ1は、そのストッパ機構が十字状に配置された可撓部9の両側にそれぞれ配置されているので、比較的大きな衝撃力により重錘部7がZ方向に変位したときに、第1の凹部13の底面13aが第1の係止片12を押圧して可撓部9の過大な変形を制限し、重錘部7が反Z方向に変位したときに、第2の係止片15が第2の凹部16の底面16aを押圧して可撓部9の過大な変形を制限するので、Z軸方向の衝撃力により可撓部9が破損することはない。
更に、本実施例の第1の係止片12および第2の係止片15は、台形状に形成されているので、第1および第2の係止片12、15の付根部の強度を確保することができる。
本実施例の半導体加速度センサ1に過大な衝撃力が加わり、重錘部7がZ軸周りに変位した場合は、第2の係止片15の先端が第2の凹部16の側面16bを押圧して可撓部9の過大な変形を制限するので、可撓部9が破損することはなく、第2の係止片15が台形状に形成され、その付根部が鈍角に形成されているので、付根部の応力集中が緩和され、第2の係止片15が破損することもない。
なお、上記実施例1と同様の部分は、同一の符号を付してその説明を省略する。
本実施例の第1の係止片12の第1の凹部13とのオーバラップ部、および第2の係止片15の第2の凹部16とのオーバラップ部には、それぞれの厚さ方向、つまりシリコン薄膜層4の厚さ方向に貫通する貫通穴31が設けられている。
このような、貫通穴31およびフィレットRは、上記実施例1の工程P3においてシリコン薄膜層4に掘込溝26を形成するときに、同時に形成するようにする。
また、第1の係止片と、第2の係止片と、突出片とのそれぞれの付根部にフィレットRを設けたことによって、過大な衝撃力が加わったときの重錘部のZ軸周りの変位による第2の係止片や第1の係止片、突出片の付根部の応力集中を更に緩和することができる。
2 支持基板
3 埋込み酸化膜
4 シリコン薄膜層
6 外枠
6a 側壁
7 重錘部
7a コア部
7b 付帯錘
8 スリット
9 可撓部
10 分離溝
12 第1の係止片
13 第1の凹部
13a、16a 底面
13b、16b 側面
15 第2の係止片
16 第2の凹部
18 突出片
21 シリコン酸化膜
22 シリコン窒化膜
23、26 掘込溝
25 レジストマスク
31 貫通穴
Claims (4)
- 支持基板と、前記支持基板上に絶縁膜を挟んで形成されたシリコン薄膜層とを有するSOI基板で形成された矩形の外枠と、
前記外枠の内部に前記外枠と離間して配置され、前記SOI基板で形成された重錘部と、
前記外枠の各側壁と前記重錘部とをそれぞれ接続して十字状に配置され、前記シリコン薄膜層により形成された可撓部と、を備えた慣性センサにおいて、
前記外枠の側壁から前記重錘部上に延在し、前記側壁のシリコン薄膜層により先端に向かって縮小する台形状に形成された第1の係止片と、
前記第1の係止片の裏面と対向する底面を有し、前記重錘部の前記シリコン薄膜層および前記絶縁層を除去して形成された第1の凹部と、
前記重錘部から前記外枠の側壁上に延在し、前記重錘部のシリコン薄膜層により先端に向かって縮小する台形状に形成された第2の係止片と、
該第2の係止片の裏面と対向する底面を有し、前記外枠の側壁の前記シリコン薄膜層および前記絶縁層を除去して形成された第2の凹部と、
前記外枠の側壁から前記重錘部との間に延在し、前記側壁のシリコン薄膜層により先端に向かって縮小する台形状に形成された突出片とを設け、
前記第1の係止片と前記突出片とを、前記第2の凹部の両側に、それぞれ隣接させて配置すると共に、前記第2の係止片を、前記第2の凹部の側面との間に隙間を介して配置してストッパ機構を形成し、
前記ストッパ機構を、前記可撓部の両側にそれぞれ設けたことを特徴とする慣性センサ。 - 請求項1において、
前記第1の係止片の、前記第1の凹部とのオーバラップ部、および前記第2の係止片の、前記第2の凹部とのオーバラップ部に、それぞれ厚さ方向に貫通する貫通穴を設けたことを特徴とする慣性センサ。 - 請求項1または請求項2において、
前記第1の係止片と、前記第2の係止片と、突出片とのそれぞれの付根部に湾曲部を設けたことを特徴とする慣性センサ。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか一項において、
前記第1の係止片の裏面と前記第1の凹部の底面との間隔、および前記第1の係止片の裏面と前記第1の凹部の底面との間隔を、前記絶縁膜の厚さに相当する間隔としたことを特徴とする慣性センサ。
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