JP2004301726A - 半導体加速度センサ及びそのセンサにおけるストッパの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】中央部3aからビーム3bが導出されて枠体部3cへと接続されてなり、開口部3dに、その開口部内部へと突出する片持ち状のストッパ3eが構成されたシリコン膜3と、中央部3aの下面に形成される懸吊部4a及び、その懸吊部4aを取り囲む空隙部4b並びに、その空隙部4bの外側に、枠体部3cの下面に形成される枠体部4cが構成されたシリコン酸化膜4と、加速度による力を受ける質量体夫々の上面が開口部3dから露出し、当該上面の一部が、懸吊部4aの下面と係合して懸架される質量部5a及び、枠体部4cの下面に、質量体が一定の空隙を持って内部に格納される支持部5bが構成されたシリコン基板5とを備える。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、自動車、航空機、家電製品等に用いられ、X軸、Y軸、Z軸それぞれの方向の加速度を検出することができる3軸半導体加速度センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、半導体基板上に不純物を拡散してピエゾ抵抗を形成し、そのピエゾ抵抗の抵抗値の変化によって、当該半導体基板に加わった加速度を検出する半導体加速度センサが知られている。このようなセンサの中には、図7、8に示すように、Si(シリコン)膜3の下部にSiO2膜(シリコン酸化膜)4、Si基板5が順に形成されたSOI(Silicon On Insulator)基板1を加工したものがある。具体的に説明すると、Si膜3は、その上端部にピエゾ抵抗Rが形成されており、その中央部分には、平板状の中央部3aが形成され、さらにその中央部3aからは、ビーム3bが導出されて枠体部3cへと接続され、ビーム3bと枠体部3cとに囲まれた開口部3dが形成されている。
【0003】
SiO2膜4には、中央部3aの下面形状に合わせて懸吊部4aが構成されると共に、その懸吊部4aを取り囲むように空隙部4bが穿設され、空隙部4bの外側には、枠体部4cが構成されている。また、Si基板5には、上面の一部が懸吊部4aと係合して懸架してなり、加速度による力を受ける質量部5aと、懸吊部4a等を介して当該質量部5aを支えるための支持部5bとが形成されている(例えば、関連技術として、特許文献1、特許文献2参照)。そして、ガラス基板2’と支持部5bとは接着剤Bにて固定され、半導体加速度センサが構成される。
【0004】
尚、半導体加速度センサにおいて、質量部とダイヤフラムを片持ち梁状に形成し、当該質量部の可動範囲を規制するストッパを設けたもの(例えば、特許文献3参照)が知られている。
【0005】
【特許文献1】
特開平6−148229号公報(第3−4頁、第2図)
【特許文献2】
特開平7−234242号公報(第2−4頁、第2図、第6図)
【特許文献3】
特開平5−126843号公報(第2−3頁、第1図、第11図)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、図7、8に示した半導体加速度センサでは、センサに加速度が加わると、質量部5aが力を受けて、その質量部5aを支えているビーム3bが変形し、それに伴って、当該ビーム3bの上端に形成されたピエゾ抵抗Rの抵抗値が変化するので、その抵抗値を電圧値等に変換することにより、目的の加速度を検出している。しかしながら、当該ビーム3bは薄肉状に形成されているため、過度の加速度が加わり一定以上に変形すると、破損して加速度センサとして機能しなくなる恐れがある。
【0007】
より詳しく説明すると、質量部5aが下方側へと変位した場合については、当該質量部5aの下端部がガラス基板2’ と当接して、ストッパの役目を果たすので、ビーム3bの破損を防止することができるが、反対に質量部5aが上方側へと変位した場合には、最早、当該質量部5aと当接するものは何もないから、過度な加速度が加わり、ビーム3bが一定以上に変形すると、当該ビーム3bが破損する恐れがある。また、上方側には変形を規制するものがないため、質量部5aが大きく上方へと振れた後、反動で下方へ向かって戻るときに、当該質量部5aが堅いガラス基板2’と衝突し、その機械的な衝撃でビーム3bが破損する恐れもあった。
【0008】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであり、その目的とするところは、過度な加速度が発生し、ビーム3bに機械的な振動や衝撃が加わったとしても、その応力を低減して耐衝撃性に優れた半導体加速度センサを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
かかる半導体加速度センサを提供するために、本願の発明者らは、中央部の四方からビームが導出されて枠体部へと接続され、ビームと枠体部とに囲まれて形成される4つの開口部及び、それらの開口部それぞれに、当該開口部と前記枠体部との縁部から、その開口部内部へと突出する片持ち状のストッパが構成されたシリコン膜と、
前記中央部の下面に形成される懸吊部及び、その懸吊部を取り囲むように空隙部が穿設され、さらにその空隙部の外側に、シリコン膜の枠体部の下面に形成される枠体部が構成されたシリコン酸化膜と、
加速度による力を受ける4つの質量体それぞれの上面が前記空隙部を介して前記開口部から露出し、当該上面の一部が、前記懸吊部の下面と係合して懸架される質量部及び、シリコン酸化膜の枠体部の下面に、前記質量体が一定の空隙を持って内部に格納される支持部が構成されたシリコン基板と、を備えたことを特徴とするものを提案している(請求項1)。
【0010】
また、前記ストッパにつき、先端部が質量部のそれぞれの質量体の重心線上に当たるように形成されているものを提案している(請求項2)。
【0011】
また、前記ストッパが複数形成されていることを特徴とするものを提案している(請求項3)。
【0012】
さらに、シリコン基板上にシリコン酸化膜とシリコン膜が順に形成されたSOI基板を用いて、そのシリコン膜上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィによって、フォトレジストにエッチングガスを導入するための開口を形成し、RIEによってシリコン膜を異方性エッチングして、前記シリコン膜に、中央部の四方からビームが導出されて接続される枠体部と、ビームと枠体部とに囲まれて形成される4つの開口部と、当該開口部と前記枠体部との縁部から、その開口部内部へと突出する片持ち状のストッパとを形成した後、
前記開口部よりエッチング液を注入して、その開口部から露出している部分並びに、少なくともビームの下部に存在するシリコン酸化膜を等方性エッチングし、シリコン酸化膜に、前記中央部の下面に形成される懸吊部を形成すると共に、その懸吊部を取り囲む空隙部及び、さらにその空隙部の外側に、シリコン膜の枠体部の下面に形成する枠体部を形成することを特徴とした製造方法を提案している(請求項4)。
【0013】
【発明の実施の形態】
以上に示した解決手段を具体的な実施形態として、下記に詳細に説明する。まず、本願の半導体加速度センサの構造等について説明した後、その製造方法について詳しく説明することとする。
【0014】
[半導体加速度センサの基本的構造]
図1、2は、本願の半導体加速度センサの基本的構造を示す図であり、図1は当該センサの斜視図、図2は当該センサの上面図(a)と、その上面図におけるA−A’の断面図(b)を示したものである。同図に示すように、本願の半導体加速度センサは、略立方体状ないし略矩形箱状からなり、SOI基板1の下面部と、ガラス基板2の上面部とが接合されて構成されている。SOI基板1は、一例として数μm〜10μm程度の厚さのSi膜3と、その下面に形成される0.3〜1μm程度の厚さのSiO2膜4と、さらにその下面に形成される300〜600μm程度の厚さからなるSi基板5とからなる。
【0015】
ガラス基板2は、パイレックス(登録商標)ガラス等の可動イオンを含有するガラスであって、陽極接合によってガラス又はSiとの接合を行うものである。Si膜3は、その上端部にピエゾ抵抗Rが形成されており(配置については後述する)、その中央部分には、鉛直視四角形平板状の中央部3aが構成されており、当該中央部3aの四辺中央部(四方)からは、略矩形平板状のビーム3bが導出されて、鉛直視四角形状に形成された枠体部(シリコン膜の枠体部)3cへと接続されている。
【0016】
SiO2膜4は、その中央部分に、中央部3aの下面形状に合わせて鉛直視四角形平板状の懸吊部4aが構成されると共に、その懸吊部4aを取り囲むように空隙部4bが穿設され、さらに空隙部4bの外側には、枠体部3cの下面形状に合わせて、鉛直視四角形状の枠体部(シリコン酸化膜の枠体部)4cが構成されている。また、Si基板5は、半導体加速度センサに加わった加速度による力を受ける質量部5aと、懸吊部4a等を介して当該質量部5aを支えるための支持部5bとから構成されている。
【0017】
質量部5aは、略立方体状の4つの質量体で構成され、それらの質量体は、それぞれ上面が空隙部4bを介して開口部3dから露出し、当該上面の四隅のうちの一端(上面の一部)が懸吊部4aの下面と係合して、宙に浮いた状態に懸架される一方、支持部5bは枠体部4cの下面形状に合わせて鉛直視四角形状の枠体からなり、その内部には当該質量体が一定の空隙を持って格納されている。
【0018】
ところで、ビーム3bと枠体部3cとに囲まれて形成される4つの開口部3dにはそれぞれ、当該開口部3dと枠体部3cとの縁部3daから、その先端部が質量部5aのそれぞれの質量体の重心線上に当たるように、その開口部3d内部へと突出する片持ち状のストッパ3eが形成されている。具体的には、当該枠体部3cの四隅部近傍から中央部3aの中心部に向かって、長手方向にみて断面視四角形状でかつ片持ち状のストッパ3eが形成されている。
【0019】
以上のように構成することで、質量部5aが上方側へと推移した場合であっても、ストッパ3eの下端先端部が、当該質量部5aの上端部と当接するので、ビーム3bが一定以上に変形することがなく、当該ビーム3bの破損を防止することができる。尚、ストッパ3eの先端部が、質量部5aのそれぞれの質量体の重心線上に当たるようにしたので、ひねりが発生せず、回転方向の感度を拾うことないので、ノイズを低下させて感度特性を向上させることができる。
【0020】
また、図2(a)に示すように、中央部3aの横方向の両端部と、ビーム3bとが接続される部分には、当該ビーム3bの長手方向と平行となるよう、縦方向に夫々、X軸方向の加速度を検出するピエゾ抵抗Rx1、Rx2、Rx3、Rx4が形成されている。同様にして、中央部3aの縦方向の両端部と、ビーム3bとが接続される部分には、当該ビーム3bの長手方向と平行となるよう、横方向に夫々、Y軸方向の加速度を検出するピエゾ抵抗Ry1、Ry2、Ry3、Ry4が形成されている。
【0021】
さらに、枠体部3cの縦方向の内側両端部と、ビーム3bとが接続される部分には、当該ビーム3bの長手方向と平行となるように夫々、Z軸方向の加速度を検出するピエゾ抵抗Rz1、Rz4が形成されている。同様にして、枠体部3cの横方向の内側両端部と、ビーム3bとが接続される部分には、当該ビーム3bの長手方向に対して垂直となるように夫々、Z軸方向の加速度を検出するピエゾ抵抗Rz2、Rx3が形成されている。
【0022】
尚、これらのピエゾ抵抗は不純物拡散配線によって形成されており、不純物拡散配線によるパターンと連結され、さらに、そのパターン上の所定位置にコンタクト窓が形成されて、アルミ配線に連結されるようになっている(パターン等については図示省略)。当該パターンないしアルミ配線は、ホイーストンブリッジ回路を形成しているが、回路の詳細については、特開平6−331646号によることとして記載を省略する。
【0023】
[半導体加速度センサの別形態の構造]
次に、本願の半導体加速度センサの別形態の構造について、図3に基づいて説明する。図3は、当該半導体加速度センサの上面図である。本形態の半導体加速度センサが上述の基本的構造と異なり、特徴を有するのは、ストッパ3eが複数設けられている点である。具体的に説明すると、それぞれの開口部3dには、ストッパ3eが2本形成され、それぞれのストッパ3eは、その長手方向が他のストッパ3eと直交する向きに形成されると共に、縦横方向それぞれのビーム3bの長手方向と平行となるように構成されている。このように構成することで、質量部5aが上方に変位しても、当該質量部5aの上面と、複数のストッパ3eの下面が当接するので、衝撃を充分に緩和することができる。なお、構造等の説明は、以上のとおりであるが、Si膜3に不純物が侵入しないよう、Si膜3の上には順にSiO2膜、Si3N4膜が形成される(図示せず)。
【0024】
[半導体加速度センサの製造方法]
次に、上述の構造等を踏まえ、本願の半導体加速度センサの製造方法について、図1、2、並びに図4、5に基づいて詳細に説明する。図4、5は、各製造工程を示した図であって、図2(a)に示したB−B’の断面図である。まず、SIMOX(Silicon Implanted Oxide)ないし、貼り合わせ法等により構成されたSOI基板1上に、フォトレジスト8を塗布する。そして、上述した所定の位置にピエゾ抵抗を形成すべく、フォトリソグラフィにより、不純物を導入するための開口窓8aを形成する。
【0025】
具体的には、フォトレジスト8の上面にフォトマスクを載置し、紫外線を照射することにより、所定部分のフォトレジスト8を露光させた後、現像液を塗布することで開口窓8aが形成される。その開口窓8aが形成された後、熱拡散、イオン注入法(ボロンをデポジット拡散しても良い)によって不純物を導入し、ピエゾ抵抗となる不純物拡散配線9を形成する(図4(a)参照)。尚、特に図示はしないが、当該不純物拡散配線9と同様にして、ストッパ折れ検知配線6を形成することができる。
【0026】
そして、HNO3等の除去液を塗布して、残存しているフォトレジスト8を除去した後、400℃以下でSiH4+O2のソースガスを用い、CVD(Chemical Vapor Deposition)法によってSiO2膜10を形成し、さらにその上に、900℃以下でSiH4+4NH3のソースガスを用い、CVD法によりSi3N4膜11を形成する(図4(b)参照)。これにより、Si膜3とSi3N4膜11との膨張率の違いをSiO2膜10で吸収しつつ、Si3N4膜11によって、不純物に対するバリア、すなわちパッシベーションとすることができる。
【0027】
次に、当該Si3N4膜11上に、フォトレジスト12を塗布し、所定の形状(中央部3a、ビーム3b、枠体部3c、開口部3d、ストッパ3e)を形成すべく、フォトマスクをして露光と現像を行い、エッチングガスを導入するための開口12aを形成する。そして、エッチングガスとしてCF4を用い、RIE(Reactive Ion Etching)によって、Si3N4膜11、SiO2膜10、Si膜3をパターンの通り、異方性エッチングする(図4(c)参照)。尚、エッチングにあたっては、誘電結合プラズマ形(ICP)にしても良い。
【0028】
次に、残存するフォトレジスト12を除去液で除去し、開口部3dからフッ酸ないしフッ酸混合液等のエッチング液を注入して、当該開口部3dから露出している部分並びに、ビーム3b及びストッパ3eの下部に存在するSiO2膜を等方性エッチングし、空隙部4bを形成する(図5(a)参照)。そして、質量部5aの下面にフォトレジストを塗布し、フォトマスクをして露光と現像を行い、支持部5bの下端部のみにフォトレジスト12aを残して、RIEにより異方性エッチングを行う。その後、エッチング部分にフォトレジストを塗布等をして、質量部5aの下面にフォトレジスト12bを残して、RIEによって異方性エッチングを行う(図5(b)参照)。
【0029】
次に、フォトレジスト12a、12bを除去液で除去し、ガラス基板2の上に支持部5bを載置する。そして、支持部5bを正電位となるようにし、ガラス基板2と支持部5bとの間に、200V〜1000Vの電圧を印加して、当該ガラス基板2及び支持部5bを450℃付近まで昇温させる。このようにすることで、ガラス基板2に含まれる陽イオンが負電位に引かれて、当該ガラス基板2の表層に到達する一方、同ガラス基板2内には大量の負イオンが残存し、支持部5bとの接合部に空間電荷層が形成されるため、当該ガラス基板2と支持部5bとの間に強い吸引力が生じて結合が完了する(図5(c)参照)。
【0030】
[ストッパの薄肉化の方法]
ところで、ストッパ3eをビーム3bよりも強固に形成してしまうと、過度な加速度が加わった場合に、力が逃げずビーム3bが破損する事態が生ずることとなる。これを回避するためには、ストッパ3eの強度を低下させること、すなわち、当該ストッパ3eがビーム3bよりも薄肉であることが必要である。ここでは、薄肉化の方法について図9に基づいて詳細に説明することとする。図9は図5(b)の製造工程が終了し、フォトレジスト12a、12bを除去した後の状態を示す図であって、上下を反対に示した図である。
【0031】
ストッパの薄肉化にあたっては、まずガラス基板2と支持部5bとの接合の前に、CVDにより半導体加速度センサの表面にSiO2膜13等を形成して、エッチングからの保護膜を形成する。このとき、ストッパ3eは質量部5aの下部に位置していることから、当該ストッパ3eの表面には、質量部5aの表面等と比較してSiO2膜13が付着しない。
【0032】
そこで、フッ酸混合液でストッパ3eに積もったSiO2膜13の除去を行って(図6(a)参照)、TMAHやKOHによって等方性エッチングを行うことで、当該ストッパ3eを薄肉化することができる(図6(b)参照)。そして、質量部5aと支持部5bの上面のSiO2膜13をエッチングにより除去して、ガラス基板2との接合を行うようにすれば良い。
【0033】
【発明の効果】
以上のように、請求項1記載の発明にあっては、過度な加速度が発生し、ビームに機械的な振動や衝撃が加わったとしても、その応力を低減して耐衝撃性に優れたという効果を奏する。
【0034】
請求項2記載の発明にあっては、回転方向の感度を拾わずにノイズを低下せしめ、感度特性を向上させることができるという効果を奏する。
【0035】
請求項3記載の発明にあっては、衝撃を充分に緩和することができるという効果を奏する。
【0036】
請求項4記載の発明にあっては、シリコン膜にストッパを形成することが可能となるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】一実施形態の半導体加速度センサの構造を示す斜視図であって、内部構造を示すために一部切り欠いた図である。
【図2】一実施形態の半導体加速度センサの構造を示す図であって、(a)、(b)はそれぞれ上面図と、その上面図におけるA−A’の断面図である。
【図3】別の実施形態の半導体加速度センサの構造を示す上面図である。
【図4】本願の半導体加速度センサの各製造工程を示す図であって、図2の上面図におけるB−B’の断面図である。
【図5】本願の半導体加速度センサの各製造工程を示す図であって、図2の上面図におけるB−B’の断面図である。
【図6】ストッパを薄肉化するための製造方法を示す図である。
【図7】従来の半導体化速度センサの構造を示す斜視図であって、内部構造を示すために一部切り欠いた図である。
【図8】従来の半導体化速度センサの構造を示す図であって、(a)、(b)はそれぞれ上面図と、その上面図におけるA−A’の断面図である。
【符号の説明】
1 SOI基板
3 シリコン膜
3a 中央部
3b ビーム
3c 枠体部(シリコン膜の枠体部)
3d 開口部
3da 縁部
3e ストッパ
3ea エッチング液導入孔
4 シリコン酸化膜
4a 懸吊部
4b 空隙部
4c 枠体部(シリコン酸化膜の枠体部)
5 シリコン基板
5a 質量部
5b 支持部
12 フォトレジスト
12a 開口
14 フォトレジスト
Claims (4)
- 中央部の四方からビームが導出されて枠体部へと接続され、ビームと枠体部とに囲まれて形成される4つの開口部及び、それらの開口部それぞれに、当該開口部と前記枠体部との縁部から、その開口部内部へと突出する片持ち状のストッパが構成されたシリコン膜と、
前記中央部の下面に形成される懸吊部及び、その懸吊部を取り囲むように空隙部が穿設され、さらにその空隙部の外側に、シリコン膜の枠体部の下面に形成される枠体部が構成されたシリコン酸化膜と、
加速度による力を受ける4つの質量体それぞれの上面が前記空隙部を介して前記開口部から露出し、当該上面の一部が、前記懸吊部の下面と係合して懸架される質量部及び、シリコン酸化膜の枠体部の下面に、前記質量体が一定の空隙を持って内部に格納される支持部が構成されたシリコン基板と、を備えたことを特徴とする半導体加速度センサ。 - 前記ストッパは、先端部が質量部のそれぞれの質量体の重心線上に当たるように形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体加速度センサ。
- 前記ストッパが複数形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体加速度センサ。
- シリコン基板上にシリコン酸化膜とシリコン膜が順に形成されたSOI基板を用いて、そのシリコン膜上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィによって、フォトレジストにエッチングガスを導入するための開口を形成し、RIEによってシリコン膜を異方性エッチングして、前記シリコン膜に、中央部の四方からビームが導出されて接続される枠体部と、ビームと枠体部とに囲まれて形成される4つの開口部と、当該開口部と前記枠体部との縁部から、その開口部内部へと突出する片持ち状のストッパとを形成した後、
前記開口部よりエッチング液を注入して、その開口部から露出している部分並びに、少なくともビームの下部に存在するシリコン酸化膜を等方性エッチングし、シリコン酸化膜に、前記中央部の下面に形成される懸吊部を形成すると共に、その懸吊部を取り囲む空隙部及び、さらにその空隙部の外側に、シリコン膜の枠体部の下面に形成する枠体部を形成することを特徴とする半導体加速度センサにおけるストッパの製造方法。
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---|---|---|---|---|
JP2006242692A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 加速度センサチップ |
JP2009236824A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Oki Semiconductor Co Ltd | 加速度センサの構造及びその製造方法 |
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