JP2008134222A - 力学量センサ及び力学量センサの製造方法、並びに、電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】力学量センサ1は、ガラス基板2、3と、ガラス基板2、3に挟み込まれて接合され、内部に力学量を検出する錘部10が形成された半導体基板4とを備えるものであり、錘部10を収容するセンサ室8を形成するフレーム9と、ガラス基板2、3のそれぞれと錘部10との間にセンサギャップ13、14を有して錘部10をフレーム9に支持する梁部11と、ガラス基板2、3に錘部10と対向して形成された励振用電極20及び検出用電極21とを備え、梁部11とガラス基板2、3のそれぞれとの間の梁部ギャップ15、16は、対応するセンサギャップ13、14よりも大に設定されている。
【選択図】図2
Description
このため、センサギャップを極力小さくすることが望ましいとされているが、実際にはある程度の距離を開けざるを得なかった。
本発明は、一対のガラス基板と、一対の該ガラス基板に挟み込まれて接合され、内部に力学量を検出する錘部が形成された半導体基板とを備える力学量センサであって、前記半導体基板で形成され、一対の前記ガラス基板との間で前記錘部を収容するセンサ室を形成するフレームと、前記半導体基板で形成され、一対の前記ガラス基板のそれぞれと前記錘部との間にセンサギャップを有した状態で該錘部を前記フレームに支持する梁部と、一対の前記ガラス基板のそれぞれいずれかに、前記錘部と対向して形成された励振用電極及び検出用電極とを備え、前記梁部と一対の前記ガラス基板のそれぞれとの間の梁部ギャップは、対応する前記センサギャップよりも大に設定されていることを特徴としている。
また、本発明の電子機器は、上記の力学量センサの製造方法で製造された力学量センサを備えることを特徴としている。
この発明に係る電子機器によれば、梁部がガラス基板に接合されてしまう不具合を有すること無く、高感度に力学量を検出することができる力学量センサを備えることで、電子機器自体の高品質化及び高性能化を図ることができる。
また、本発明の力学量センサの製造方法によれば、第一の梁部ギャップ形成工程及び第二の梁部ギャップ形成工程を備えていることで、接合工程でガラス基板と梁部とが接合してしまうことが無く、センサギャップだけを小さくして高感度に力学量を検出することができる。
また、本発明の電子機器によれば、上記の力学量センサを備えていることで、電子機器自体の高品質化及び高性能化を図ることができる。
図1及び図15は、この発明に係る第1の実施形態を示している。図1は、本実施形態のジャイロセンサの上面図を、図2は、図1における切断線A−A´での断面図を、図3は、図2におけるSOI基板を拡大した断面図を示している。なお、図1においては、ジャイロセンサの内部構造を明確とするため、ガラス基板を仮想線(2点鎖線)で示している。ここで、図1及び図2に示すジャイロセンサ1は、力学量として角速度を検出する角速度センサであり、力学量センサの一種である。
図16から図22は、この発明に係る第2の実施形態を示している。この実施形態において、ジャイロセンサの基本的構造は、第1の実施形態と同様なので、同一の符号を付して、その説明を省略し、第1の実施形態と相違する製造方法についてのみ説明する。
しかしながら、上述したように、錘部10の上端面10aと梁部11の上端面11aとの間には段差17がついており、一段下がった部分が梁部11となって該梁部11の長さが規制されている。そのため、第二の梁部ギャップ形成工程時に、仮にサイドエッチングが進行したとしても、梁部11の長さが変化してしまうことを防止することができる。従って、梁部11の長さのばらつきをなくすことができ、高性能化を図ることができる。
次に、本発明に係る第3の実施形態について、図24から図35を参照して説明する。なお、第3の実施形態において第1の実施形態と同一の構成については、同一の符号を付しその説明を省略する。
第3の実施形態と第1の実施形態との異なる点は、第1の実施形態では、段部17を形成することで、梁部ギャップ(第一の梁部ギャップ15、第二の梁部ギャップ16)を、センサギャップ(第一のセンサギャップ13、第二のセンサギャップ14)よりも大に設定したが、第3の実施形態では、段部17を形成せずに梁部ギャップをセンサギャップよりも大に設定する点である。
そして、本実施形態のジャイロセンサ30は、この保護膜31の膜厚によって、梁部ギャップ(第一の梁部ギャップ15、第二の梁部ギャップ16)がセンサギャップ(第一のセンサギャップ13、第二のセンサギャップ14)よりも大に設定されている。
始めに、図25に示すように、スタート基板となるSOI基板4を準備した後、図26に示すように、第一のセンサギャップ13を形成する。即ち、フレーム9やポスト12となる部分が残るようにシリコン活性層7をエッチングして、第一の凹部13aを形成する。これにより第一のセンサギャップ13が形成される。同様に、図27に示すように、フレーム9やポスト12となる部分が残るようにシリコン支持層5をエッチングして、第二の凹部14bを形成する。これにより、第二のセンサギャップ14が形成される。
この保護膜31によって、第一の梁部ギャップ15が形成されると共に、該第一の梁部ギャップ15が第一のセンサギャップ13よりも大きなギャップに設定される。
また、保護膜31を形成することで、錘部10の上端面10a、下面10bが形成される。
この際、梁部11となる部分は、錘部10となる部分よりも薄く形成されていて変形しやすいが、第一の梁部ギャップ15が第一のセンサギャップ13よりも大に設定されているので、第1の実施形態と同様に、接合時に梁部11となる部分が弾性的に変形したとしても、上部ガラス基板2と梁部11の上端面11aとが接合してしまうおそれが無い。また、保護膜31によって錘部10と上部ガラス基板2とが接合することもない。
特に、段部17を形成する必要がなく、保護膜31を所定の厚みだけ形成するだけで良いので、効率良く製造することができ、製造コストの低減化、製造時間の短縮化を図ることができる。
図36は、この発明に係る第4の実施形態を示している。この実施形態において、前述した実施形態で用いた部材と共通の部材には同一の符号を付して、その説明を省略する。
2 上部ガラス基板(ガラス基板)
3 下部ガラス基板(ガラス基板)
4 SOI基板(半導体基板)
8 センサ室
9 フレーム
10 錘部
10a 上端面
10b 下端面
11 梁部
11a 上端面
11b 下端面
13 第一のセンサギャップ(センサギャップ)
13a 第一の凹部
14 第二のセンサギャップ(センサギャップ)
14a 第二の凹部
15 第一の梁部ギャップ(梁部ギャップ)
15a 第三の凹部
16 第二の梁部ギャップ(梁部ギャップ)
16a 第四の凹部
17、18 段部
19 保護膜
20 励振電極
21 検出電極
31 保護膜
100 電子機器
Claims (8)
- 一対のガラス基板と、一対の該ガラス基板に挟み込まれて接合され、内部に力学量を検出する錘部が形成された半導体基板とを備える力学量センサであって、
前記半導体基板で形成され、一対の前記ガラス基板との間で前記錘部を収容するセンサ室を形成するフレームと、
前記半導体基板で形成され、一対の前記ガラス基板のそれぞれと前記錘部との間にセンサギャップを有した状態で該錘部を前記フレームに支持する梁部と、
一対の前記ガラス基板のそれぞれいずれかに、前記錘部と対向して形成された励振用電極及び検出用電極とを備え、
前記梁部と一対の前記ガラス基板のそれぞれとの間の梁部ギャップは、対応する前記センサギャップよりも大に設定されていることを特徴とする力学量センサ。 - 前記梁部の端面と、対応する前記錘部の端面との間には、該錘部の前記端面よりも対向する前記ガラス基板から離隔する位置に前記梁部の前記端面を配置させる段部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の力学量センサ。
- 一対の前記ガラス基板と対向する前記錘部の端面のそれぞれには、前記錘部と一対の前記ガラス基板との接合を防止する保護膜が形成されていることを特徴とする請求項2に記載の力学量センサ。
- 前記錘部は、該錘部と一対の前記ガラス基板との接合を防止する保護膜を、一対のガラス基板に対してそれぞれ対向する面上に有し、該保護膜の膜厚によって前記梁部ギャップが前記センサギャップよりも大に設定されていることを特徴とする請求項1に記載の力学量センサ。
- 一対のガラス基板と、一対の該ガラス基板の間でセンサ室を形成するフレーム、該センサ室に収容されて力学量を検出する錘部、及び、該錘部を前記フレームに支持する梁部が形成され、一対の前記ガラス基板に挟み込まれて接合された半導体基板とを備える力学量センサの製造方法であって、
一対の前記ガラス基板のいずれか一方が接合される前記半導体基板の一方側から前記錘部の一端面まで達する第一の凹部を形成する第一のセンサギャップ形成工程と、
一対の前記ガラス基板の他方が接合される前記半導体基板の他方側から前記錘部の前記一端面の反対側の他端面まで達する第二の凹部を形成する第二のセンサギャップ形成工程と、
前記半導体基板の前記第一の凹部の一部に、前記錘部の前記一端面と対応する前記梁部の一端面まで達する第三の凹部を形成する第一の梁部ギャップ形成工程と、
前記半導体基板の前記第二の凹部の一部に、前記梁部の前記一端面と反対側の他端面まで達する第四の凹部を形成する第二の梁部ギャップ形成工程と、
前記一対の前記ガラス基板を前記半導体基板の両面それぞれに接合する接合工程とを備えることを特徴とする力学量センサの製造方法。 - 前記錘部の前記一端面及び前記他端面に、対向する前記ガラス基板との接合を防止する保護膜をそれぞれ形成する保護膜形成工程を備えることを特徴とする請求項5に記載の力学量センサの製造方法。
- 請求項1から請求項4のいずれかに記載された力学量センサを備えることを特徴とする電子機器。
- 請求項5または請求項6に記載された力学量センサの製造方法で製造された力学量センサを備えることを特徴とする電子機器。
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