JP5146097B2 - Mems - Google Patents
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Description
特許文献1には、直交する2本の両端固定梁の中間部に錘部が結合された構造を有し、3次元の加速度を検出できる加速度センサが開示されている。
1.第一実施形態
(構成)
本発明のMEMSの第一実施形態であるピエゾ抵抗型の加速度センサのセンサ部を構成するセンサダイを図1に示す。センサダイ1は互いに直交する3軸の加速度成分を検出するためのMEMSのセンサ部を構成する。
錘部Mとの近接領域に位置するスリットS2、S3は錘部Mの側面の位置から支持部Sの手前まで延びている。すなわちスリットS2、S3は錘部Mから固定端までの長さより短く錘部Mまで延びている。
x軸方向:両端固定梁B1、B2の長さ方向(図1Aの左右方向)
y軸方向:両端固定梁B1、B2に接する平面に平行で両端固定梁B1、B2に垂直な方向(図1Aの上下方向)
z軸方向:両端固定梁B1、B2に接する平面に垂直な方向(図1Aの紙面垂直方向)
x軸成分検出用:ピエゾ抵抗部31b、32b、37b、38b
y軸成分検出用:ピエゾ抵抗部31a、34a、35a、38a
z軸成分検出用:ピエゾ抵抗部35b、36b、33b、34b
y軸方向の慣性力が錘部Mに作用すると、錘部Mは両端固定梁B1の長さ方向と平行な軸を中心として図3Aに示すように回転するため、両端固定梁B1、B2のそれぞれがねじれる。このとき、支持部Sと錘部Mは実質的に変形しないため、両端固定梁B1に生ずる応力は、その固定端である支持部Sとの境界との近接領域の外側の領域(両端固定梁B1から遠い辺に接する領域)と、錘部Mとの近接領域の外側の領域とに集中する(図10A、図10B参照)。なお、図10Bでは応力が大きいほどハッチングの間隔を狭くして応力分布を示している。
本実施形態によると、y軸方向の慣性力が錘部Mに作用するときに応力が集中する狭い範囲にピエゾ抵抗部31a、32a、33a、34a、35a、36a、37a、38aが設けられている。このため、これらのピエゾ抵抗部31a、32a、33a、34a、35a、36a、37a、38aによってこれらのピエゾ抵抗部が形成されている領域の歪みを検出することにより、両端固定梁B1、B2のねじれを高い感度で検出することができる。したがって、本実施形態によるとy軸方向の慣性力を高い感度で検出することができる。
次に図4に基づいてセンサダイ1の製造方法を説明する。
はじめに図4Aに示すように基層10とエッチストッパ層20と半導体層30と絶縁層40とを積層する。基層10とエッチストッパ層20と半導体層30としては、例えば単結晶シリコンからなり厚さ400〜625μmの基層10となるベースウエハと二酸化シリコンからなり厚さ1μmのエッチストッパ層20となる熱酸化層と単結晶シリコンからなり厚さ5〜20μmの半導体層30となるボンドウェハとで構成されるSOIウエハを用いる。絶縁層40として、例えば厚さ1μmの二酸化シリコン、窒化シリコン(SiN)の膜を熱酸化法や堆積法によって半導体層30の表面に形成する。
図5から図9は、両端固定梁B1、B2に形成されるスリットとピエゾ抵抗部の配置の様々な形態を示している。図5から図9に示すようにスリットS1〜S8は両端固定梁B1、B2のねじれを検出するためのピエゾ抵抗部に近接した領域に形成すればよい。また両端固定梁B1、B2のねじれを検出するためのピエゾ抵抗部は、図5〜図9に示すように両端固定梁B1、B2に各2個合計4個設ければ良い。したがって両端固定梁B1、B2のねじれを検出するためのピエゾ抵抗部31a、32a、33a、34a、35a、36a、37a、38aの数は4個あればよい。また両端固定梁B1、B2のねじれをともなわない変形を検出するためのピエゾ抵抗部の数は8個必要である。また図9に示すねじれを検出するためのピエゾ抵抗部32a、33a、36a、37aを、ねじれをともなわない変形を検出することにも使用できるため、ピエゾ抵抗部31b、34b、35b、38bを省いても良い。
Claims (1)
- 支持部と、
前記支持部に架設された互いに平行な二本の両端固定梁と、
二本の前記両端固定梁の中間部に結合している錘部と、
前記両端固定梁の幅方向の中央より外側の領域における前記支持部または前記錘部との近接領域に設けられ当該近接領域の歪みを検出する歪み検出手段と、
前記歪み検出手段の出力を、前記両端固定梁の長さ方向に平行な軸の周りの前記錘部の回転に相関する電気信号に変換する信号処理手段と、
を備え、
前記錘部から前記支持部までの長さより短く前記支持部または前記錘部まで延びるスリットが前記両端固定梁に形成され、
前記スリットより外側の前記両端固定梁の幅は前記スリットより内側の前記両端固定梁の幅以下に狭く、
前記歪み検出手段は前記両端固定梁の前記スリットより外側に設けられている、
MEMS。
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JP2008127902A JP5146097B2 (ja) | 2008-05-15 | 2008-05-15 | Mems |
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JP2008127902A JP5146097B2 (ja) | 2008-05-15 | 2008-05-15 | Mems |
Publications (2)
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JP2009276210A JP2009276210A (ja) | 2009-11-26 |
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Family
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Family Applications (1)
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JP2008127902A Active JP5146097B2 (ja) | 2008-05-15 | 2008-05-15 | Mems |
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- 2008-05-15 JP JP2008127902A patent/JP5146097B2/ja active Active
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