JP4340416B2 - 半導体記憶装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体記憶装置の製造方法及び半導体記憶装置に関し、特にボンディングパッド部の金属配線の表面に紫外線を照射してフローティングゲートなどの電荷蓄積部に蓄積した電荷を消去する工程を有する不揮発性の半導体記憶装の製造方法及び半導体記憶装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
デジタルデータを記憶するメモリにおいて、MOS型FET(Metal Oxide Semiconductor Type Field Effect Transistor)による半導体メモリが一般的に用いられている。
【0003】
中でも、電気的に書き換え可能なROM(Read Only Memory)であるEEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)やフラッシュメモリは、携帯電話のプログラムコードの格納や、PC(パーソナルコンピュータ)のマザーボードのシステムBIOS(Basic Input Output System)を格納するためなどに用いられている。
【0004】
上記のような書き換え可能なROMは、その記憶構造としてフローティングゲートなどの電荷蓄積部に電荷を貯えることで情報を記憶する。
フローティングゲートを有する半導体記憶装置の製造プロセスでは、エッチング工程やアッシング工程で用いられるプラズマの影響などにより、ホットエレクトロンなどが発生して、電荷がフローティングゲートに注入されてしまうことが知られている。これは、メモリ動作の誤作動を生じさせるのみならず、蓄積が過剰になると、フローティングゲートに接した絶縁膜を破壊してしまう可能性がある。これを防止するため、フローティングゲートに蓄積した電荷をUV−Rays(紫外線)により消去する工程が追加される。
【0005】
一方、書き換え可能なROMを含めた一般の半導体記憶装置の製造工程において、絶縁薄膜または金属薄膜の堆積・レジスト塗布・フォトリソグラフィーによるパターンの転写・エッチングによる選択的薄膜除去・レジスト除去の組み合わせで多層配線を作成することが知られている。それら多層配線製造技術とMOSトランジスタ製造技術を組み合わせて、メモリ素子を形成する。さらに、メモリ素子機能の経時劣化の防止及び、入出力機能を持たせるために素子のパッケージングを行う。パッケージングの入出力端子と基板上のメモリ入出力信号を配線するために、基板のメモリ素子から入出力信号を取り出すためのボンディングパッド部を作成する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の製造方法では以下に示すような問題があった。
上記のように、基板上での最後の工程は、ボンディングパッド部の形成工程になり、そのボンディングパッド形成後に紫外線照射によりフローティングゲートに蓄積した電荷を消去する。ボンディングパッド部の形成工程では、レジスト除去のため、酸素系のガスを用いたプラズマアッシングなどのドライアッシングを行い、その後、ヒドロキシルアミンなどを含んだ薬液を用いてウェットアッシングを行い、レジストを完全に除去していた。この際、金属配線上に形成されている金属酸化膜も除去され、金属配線部分がむき出しの状態になる。
【0007】
この場合、ボンディングパッド部のエッチング工程時にむき出しになった金属配線部分に塩素(Cl)やその他のイオンが付着し、大気中の水分と反応し、エッチング後にアルミニウム配線などを腐食(コロージョン)させることが問題となっている。例えば、Al+4Cl-→AlCl4 -+3e-、AlCl4 -+3H2O→Al(OH)3+3H++4Cl-のような反応でコロージョンが発生する。
【0008】
クリーンルーム内であっても、Clの濃度が汚染の危険性があるwafer24時間放置して300×E10[molecule/cm2]のイオンが付着する状況を超えていることは多く、さらにウェットアッシングに用いる薬液にもわずかながらClが含まれていることがあり、コロージョンが発生する可能性が高い。
【0009】
また、ボンディングパッド部のエッチング処理後から、紫外線によるフローティングゲートに蓄積した電荷を消去する工程の開始までにレジスト剥離装置やそれ以外の環境からウェハーに付着したCl-イオンや反応生成物が、紫外線照射時に紫外線の高い光エネルギーを活性化エネルギーとして大気中の酸素などと反応をおこし、コロージョン作用を増進させることが問題となっている。
【0010】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、配線材料にコロージョンを発生させない半導体記憶装置の製造方法及び半導体記憶装置を提供することを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明では上記課題を解決するために、ボンディングパッド部の金属配線上から紫外線を照射して、電荷蓄積部に蓄積した不要な電荷を消去する工程を有する半導体記憶装置の製造方法において、図1に示すように、ボンディングパッド部17の金属配線13の表面に酸化被膜16を形成し、酸化被膜16の上から紫外線を照射して、フローティングゲート3bに蓄積した電荷を消去することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法が提供される。
【0012】
ボンディングパッド部17の金属配線13の表面に酸化被膜16を形成させることによって、ボンディングパッド部17の金属配線13にはClやフッ素(F)などの腐食性元素やイオンの付着を防止する。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図1は、本発明の半導体記憶装置の構成図である。
【0014】
なお、以下に説明する半導体記憶装置1の構成はフラッシュメモリのものである。
半導体記憶装置1の構成を説明する。
【0015】
シリコン(Si)基板2上にはゲート3が形成されており、ゲート3を覆うように平坦化膜4が形成されている。さらに、シリコン基板2と金属配線6を接続するためのビア配線5が形成され、金属配線6上には層間絶縁膜7が形成されている。また、金属配線6と上層の金属配線9と電気的に接続するためのビア配線8が形成されている。また、層間絶縁膜7上には金属配線9を覆うように平坦化膜10が形成されている。平坦化膜10上には再び層間絶縁膜11が形成され、金属配線9と上層の金属配線13とを電気的に接続させるためのビア配線12が形成されている。また層間絶縁膜11上には、金属配線13を覆うように平坦化膜14が形成されている。平坦化膜14上には、パッシベーション膜15が形成され、パッシベーション膜15はボンディングパッド部17で開口され、ボンディングパッド部17の金属配線13の上には酸化被膜16が形成されている。
【0016】
ここで、例えば、ビア配線5、8、12の材料はタングステン(W)であり、平坦化膜4、10、14はSOG(Spin On Glass)、HSQ(Hydrogen SilseQuioxane)またはBPSG(Boron PhospoSilicate Glass)であり、金属配線6、9、13の材料はアルミニウム(Al)、銅(Cu)、金(Au)、白金(Pt)、Wなどがあり、層間絶縁膜7、11はCVD(Chemical Vapor Deposition)で得られる酸化シリコン膜であり、パッシベーション膜15は、窒化シリコン膜であり、酸化被膜16は、金属配線13を酸化して形成した膜であり、金属配線13としてAlを用いた場合、酸化アルミである。
【0017】
さらに、ゲート3は、シリコン基板2に接する面からトンネル酸化膜3a、フローティングゲート3b、ポリ間絶縁膜3c、コントロールゲート3d、電極3eと下から順に積層されている構造を有する。ここで、例えば、フローティングゲート3bはポリシリコンであり、ホットキャリアやトンネル効果などにより、電荷をこのフローティングゲート3bに貯えることで、メモリの機能を発現させる。また例えば、コントロールゲート3dはポリシリコンであり、電極3eはタングステンシリサイド(WSI)である。
【0018】
また、ボンディングパッド部17の金属配線13上に形成する酸化被膜16は、3.0nm以上が望ましい。
上記の構造のように、ボンディングパッド部17の金属配線13の表面に酸化被膜16を形成することによって、Clや、Cl-イオンなどが金属配線13へ付着することを防止し、コロージョンの発生を防止することができる。
【0019】
また上記の構造において、プラズマエッチングなどの製造工程の段階でフローティングゲート3bに注入されてしまう電荷を消去するために、紫外線をボンディングパッド部17の金属配線13上から照射する。このとき、金属配線13の表面は、酸化被膜16によって保護されているため、ClやCl―イオンなどのコロージョンの発生を加速する元素やイオン種が付着することがなくなり、コロージョンの発生を促す紫外線照射工程でもその発生を抑制することができる。
【0020】
なお、平坦化膜4、10、14はSOG、HSQまたはBPSGとしたが、これに限定されることない。しかし、平坦化膜4、10、14として配線容量の低減のため比誘電率の低い絶縁膜を利用することが望ましい。
【0021】
また、上記の説明ではボンディングパッド部17の金属配線13上に形成する保護膜として金属配線13を酸化させた酸化被膜16を用いたが、窒化被膜を用いてもよい。
【0022】
次に、本発明の実施の形態の半導体記憶装置の製造方法を説明する。
図2は半導体記憶装置の製造工程の一部を示す図であり、半導体記憶装置のボンディングパッド部及び配線となる金属配線材料を成長させた様子を示す図である。
【0023】
図2の構造を説明すると、まず、シリコン基板2上にはゲート3が形成されており、ゲート3を覆うように平坦化膜4が形成されている。さらに、シリコン基板2と金属配線6を接続するためのビア配線5が形成され、金属配線6上には層間絶縁膜7が形成されている。また、金属配線6と上層の金属配線9とを電気的に接続するためのビア配線8が形成されている。また、層間絶縁膜7上には金属配線9を覆うように平坦化膜10が形成されている。平坦化膜10上には再び層間絶縁膜11が形成され、金属配線9と上層の配線とを電気的に接続させるためのビア配線12が形成されている。さらに、ゲート3は、シリコン基板2に接する面からトンネル酸化膜3aと、フローティングゲート3bと、ポリ間絶縁膜3cと、コントロールゲート3dと、電極3eとが下から順に積層されている構造を有する。ここで、例えば、フローティングゲート3bはポリシリコンであり、ホットキャリアやトンネル効果などにより、電荷をフローティングゲート3bに貯えることで、メモリの機能を発現させる。また例えば、コントロールゲート3dはポリサイドであり、電極3eはWである。
【0024】
以上の構造は従来のフォトリソグラフィー技術などを用いて得られる。
図2の工程は、上記で説明した構造の層間絶縁膜11に、配線となる金属配線材料13aを成長させた工程である。
【0025】
ここでは、金属配線材料13aとしてエレクトロ・マイグレーション(EM)や、ストレスマイグレーション(SM)の改善のためCuが微量に添加されたAlを用いる。金属配線材料13aの成長はCVDなどで行われる。また、露光反射防止のために、Alの間にチタン(Ti)や窒化チタン(TiN)を挟んだり、Al膜の下部または上下にバリアメタルとしてTiNや、Wを形成するようにしたりしてもよい。
【0026】
図3は図2の次の工程を示し、配線パターン形成のためのレジストを塗布した様子を示す図である。
図2のようにして成長させた金属配線材料13aにおいて、配線パターンを形成するために、レジスト20を金属配線材料13aの上に塗布する。
【0027】
図4は図3の次の工程を示し、配線パターンを焼き付けた後にエッチングした様子を示す図である。
ここでは、フォトリソグラフィー技術により、マスクを用いて図3におけるレジスト20を所望のパターンに現像する。その後形成したレジストパターン20aをマスクとして図3における金属配線材料13aをエッチングして図4のような構造を得る。
【0028】
エッチングは、Cl系ガスを用いたRIE(Reactive Ion Etching)などの方法で行われる。
図5は図4の次の工程を示し、レジストを除去し金属配線を形成した様子を示す図である。
【0029】
図4の工程でエッチング時のマスクとして用いたレジストパターン20aを、酸素系のプラズマアッシングなどにより灰化して除去する。その結果、図5のような金属配線13を形成する。
【0030】
図6は図5の次の工程を示し、平坦化膜及びパッシベーション膜を形成する工程を示す図である。
図5の工程で、金属配線13を形成した後、金属配線13を覆うように、平坦化膜14を形成する。平坦化膜14は例えば、SOG、HSQ、BPSGなど、比誘電率が低い材料が望ましい。また、表面はCMP(Chemical Mechanical Polishing)により平坦化する。さらにその上部に表面保護のために窒化シリコンからなるパッシベーション膜15aを形成する。
【0031】
図7は図6の次の工程を示し、ボンディングパッド形成のためのレジストを塗布した様子を示す図である。
パッシベーション膜15a上にボンディングパッド形成のためのレジスト21を塗布する。
【0032】
図8は図7の次の工程を示し、ボンディングパッド部のエッチング工程を示す図である。
図7までの工程で得た構造において、レジスト21をパターンニングしてレジストパターン21aを形成する。その後形成したレジストパターン21aをマスクにして、パッシベーション膜15aをRIE法などでエッチングする。エッチングされたパッシベーション膜15aはパッシベーション膜15のような構造になり、金属配線13がむき出しの状態になりボンディングパッド部17が形成される。このとき、金属配線13の表面と、パッシベーション膜15aのエッチング部の側壁と、レジストパターン21aの表面と側壁にエッチングによって硬化したレジスト硬化部22が発生する。
【0033】
図9は図8の次の工程を示し、レジスト硬化部をウェットアッシングで取り除く工程を示す図である。
レジスト硬化部22はウェットアッシングにより除去され、図9のような構造が得られる。ウェットアッシングはスピン洗浄装置などを用い、レジスト硬化部22を除去する。このウェットアッシングで用いる薬液は例えば、ヒドロキシルアミンが主成分のものを用いる。この薬液には塩素などの腐食元素がわずかながら含まれているので、原子・分子レベルでは薬液残が金属配線13の表面に付着する。
【0034】
図10は図9の次の工程を示し、酸素ガス系のプラズマアッシングの工程を示す図である。
プラズマアッシング時において、O2ガスの圧力は1Torr、流量は1000sccm、RF(Radio Frequency)のパワーは1KW、アッシング時間は120分行う。
【0035】
図11はプラズマアッシング後の状態を示す図である。
これにより、レジスト21を完全に除去し、さらに、金属配線13の表面に付着している塩素などの腐食元素を除去する。加えて、アルミニウムの金属配線13が酸化することによって酸化被膜16を形成する。上記のアッシング条件では、アルミニウムによる酸化被膜16は30Å以上形成可能である。
【0036】
上記のようにして作成したボンディングパッド部17上からフローティングゲート3bに蓄積した電荷を消去するための、紫外線照射を行う。ここで、照射する紫外線の最低照度は25mW/cm2以上、照射線量は108W・sec/cm2以上であることが望ましい。
【0037】
以下、金属配線13の表面の状態を観測するため、2次イオン質量分析を行った結果を示す。
2次イオン質量分析(SIMS:Secondary ion-mass spectrography)は、真空中において、収束された高速のイオンビームを固体試料の表面に照射し、スパッタリング現象により試料表面に存在する元素を叩き出し、イオン化したもののうち2次イオンを検出する分析法であり、主に、半導体試料などの表面に存在する元素の定性・定量分析に用いられる他、スパッタリングにより試料が削られることを利用して深さ方向の元素濃度分布の分析にも用いられる。
【0038】
図12は、2次イオン質量分析の結果を示す図であり、図12(a)はプラズマアッシング後にウェットアッシングを行い、大気中に放置して自然酸化膜を成長させたもので、図12(b)はウェットアッシング後にプラズマアッシングを行ったものである。
【0039】
測定した試料は、シリコン基板上にAlを堆積させその上にパッシベーション膜を形成して、図12(a)は従来のように図8までの工程の後に、プラズマアッシング、ウェットアッシングの順でレジストの除去工程を行ったもので、図12(b)は図7から図11で示した工程によって作成したものである。
【0040】
また、横軸は深さで右端が表面で、左端がシリコン基板方向である。
図12(a)と図12(b)とを比較すると、深さが、1.5μmから3μmまでの範囲にプロセスによる違いが見られる。
【0041】
まず、2次イオン信号から形成したアルミニウムの酸化被膜の膜厚を換算すると、図12(a)では29Å、図12(b)では31Åで、3nm以上の酸化被膜16を形成することが可能である。
【0042】
このように、3nm以上の酸化被膜16を形成することによって、紫外線照射時のコロージョンの発生を防止することが可能である。
また、Clイオンのピークを比較すると、図12(a)のClイオンより、図12(b)のClイオンが減少していることがわかる。これにより、ウェットアッシング処理後にプラズマアッシングを行うことで、ウェットアッシング薬液や、その後の大気から付着するClの量を減少させることができ、フローティングゲート3bに蓄積してしまった電荷を消去するために、金属配線13の上から紫外線を照射したときのコロージョン効果の低減が期待できる。
【0043】
なお、上記では、酸素ガス系のプラズマアッシングにて酸化被膜を形成するプロセスを説明したが、金属配線13にアルミニウムを用いた場合、これに限定されることはなく、酸素ガスを含む環境での高温アニールなどの方法でも可能で、大気中にウェハーを放置してできる自然酸化膜より迅速に酸化被膜を形成できる処理であればなんでも良い。ただし、ボンディングパッド部形成工程での絶縁膜エッチング処理直後からClイオンや反応生成物の金属配線13への付着が始まるので、ボンディングパッド部形成工程のレジストはく離工程などに絡めて、酸化被膜の形成を行う方法が望ましい。これにより、無駄な待機時間がなくなり、金属配線材料表面に不純物が少ない状態で酸化被膜を形成可能なため、コロージョン防止効果が高い。
【0044】
また、上記では、金属配線13の材料にAlを用いたが、配線材料としてAlより低抵抗であり優れているCuを主成分とする金属材料を用いてもよい。Cuは、その化学的性質からAl以上にコロージョンを発生しやすいが、上記で説明したように、プラズマアッシングにより表面に酸化被膜を形成することで、紫外線照射によるコロージョンの発生を抑制することができる。この場合、酸化被膜はCu酸化被膜となる。
【0045】
同様に、金属配線13の材料としてAu、Pt、Wを用いてもよい。
また、上記では、酸化被膜16を形成する工程にプラズマアッシングを用いたがこれに限定されることはなく、酸素を用いたアッシングで同様の酸化被膜16を形成する方法であればよい。
【0046】
また、上記では、フローティングゲート3bに蓄積した電荷を消去するための紫外線照射工程を有する半導体記憶装置の製造工程について説明したが、これに限定されることはない。例えば、MOS型FETのゲート絶縁膜にONO(SiO2/SiN/SiO2)膜を用い、SiN中のトラップ順位に電子を注入して不揮発メモリとする構造の半導体記憶装置の製造工程において、紫外線照射工程時のコロージョン発生の防止に本発明を適用してもよい。
【0047】
また、上記の説明では、金属配線13上に形成する保護膜として酸化被膜16を用いたが、窒化被膜を用いてもよい。
窒化被膜の形成には、N*(窒素ラジカル)雰囲気または、N*(窒素ラジカル)とH*(水素ラジカル)の混合雰囲気中に金属配線材の表面をさらすことで、金属配線材表面を窒化させる方法を用いることができる。
【0048】
(付記1) ボンディングパッド部の金属配線上から紫外線を照射して、電荷蓄積部に蓄積した不要な電荷を消去する工程を有する半導体記憶装置の製造方法において、
前記金属配線表面に保護膜を形成し、
前記保護膜の上から前記紫外線を照射して、前記電荷を消去することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
【0049】
(付記2) 前記金属配線の材料は、アルミニウム、銅、金、白金またはタングステンを主成分とする金属材料であり、前記保護膜はアルミニウム、銅、金、白金またはタングステンの酸化被膜であることを特徴とする付記1記載の半導体記憶装置の製造方法。
【0050】
(付記3) 前記保護膜の膜厚は3.0nm以上であることを特徴とする付記1記載の半導体記憶装置の製造方法。
(付記4) 前記保護膜を、酸素ガスを用いたドライアッシング処理により作成することを特徴とする付記2または3記載の半導体記憶装置の製造方法。
【0051】
(付記5) 前記保護膜を、前記ボンディングパッド部形成時のレジスト除去工程において、ウェットアッシング処理後に酸素ガスを用いたドライアッシング処理により作成することを特徴とする付記2または3記載の半導体記憶装置の製造方法。
【0052】
(付記6) 前記ドライアッシング処理はプラズマアッシング処理であることを特徴とする付記4または5記載の半導体記憶装置の製造方法。
(付記7) 前記アルミニウムの酸化被膜は、前記アルミニウムを主成分の材料とする金属配線表面上に酸素ガス雰囲気中で高温アニール処理して作成することを特徴とする付記2記載の半導体記憶装置の製造方法。
【0053】
(付記8) 前記金属配線の材料は、アルミニウム、銅、金、白金またはタングステンを主成分とする金属材料であり、前記保護膜はアルミニウム、銅、金、白金またはタングステンの窒化被膜であることを特徴とする付記1記載の半導体記憶装置の製造方法。
【0054】
(付記9) 前記窒化被膜を、N*(窒素ラジカル)雰囲気または、N*(窒素ラジカル)とH*(水素ラジカル)の混合雰囲気中で前記金属配線材を窒化させて方法としたことを特徴とする付記8記載の半導体記憶装置の製造方法。
【0055】
(付記10) ボンディングパッド部の金属配線上から紫外線を照射して、電荷蓄積部に蓄積した不要な電荷を消去する工程を有して作成する半導体記憶装置において、
前記金属配線表面に保護膜を有することを特徴とする半導体記憶装置。
【0056】
(付記11) 前記金属配線の材料は、アルミニウム、銅、金、白金またはタングステンを主成分とする金属材料であり、前記保護膜はアルミニウム、銅、金、白金またはタングステンの酸化被膜であることを特徴とする付記10記載の半導体記憶装置。
【0057】
(付記12) 前記保護膜の膜厚は3.0nm以上であることを特徴とする付記10記載の半導体記憶装置。
(付記13) 前記金属配線の材料は、アルミニウム、銅、金、白金またはタングステンを主成分とする金属材料であり、前記保護膜はアルミニウム、銅、金、白金またはタングステンの窒化被膜であることを特徴とする付記10記載の半導体記憶装置。
【0058】
【発明の効果】
以上説明したように本発明では、ボンディングパッド部の金属配線上に保護膜を形成するようにしたので、金属配線にコロージョンの原因となる、塩素やフッ素などの腐食性元素や、紫外線照射時にコロージョンの発生を助長する塩素イオンなどの付着を防止することができる。これにより、コロージョンの発生を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体記憶装置の構成図である。
【図2】半導体記憶装置の製造工程の一部を示す図であり、ボンディングパッド部及び配線となる金属配線材料を成長させた様子を示す図である。
【図3】図2の次の工程を示し、配線パターン形成のためのレジストを塗布した様子を示す図である。
【図4】図3の次の工程を示し、配線パターンを焼き付けた後にエッチングした様子を示す図である。
【図5】図4の次の工程を示し、レジストを除去し金属配線を形成した様子を示す図である。
【図6】図5の次の工程を示し、平坦化膜及びパッシベーション膜を形成する工程を示す図である。
【図7】図6の次の工程を示し、ボンディングパッド形成のためのレジストを塗布した様子を示す図である。
【図8】図7の次の工程を示し、ボンディングパッド部のエッチング工程を示す図である。
【図9】図8の次の工程を示し、レジスト硬化部をウェットアッシングで取り除く工程を示す図である。
【図10】図9の次の工程を示し、酸素ガス系のプラズマアッシングの工程を示す図である。
【図11】プラズマアッシング後の状態を示す図である。
【図12】2次イオン質量分析の結果を示す図であり、図12(a)はプラズマアッシング後にウェットアッシングを行い、大気中に放置して自然酸化膜を成長させたもので、図12(b)はウェットアッシング後にプラズマアッシングを行ったものである。
【符号の説明】
1 半導体記憶装置
2 シリコン基板
3 ゲート
3a トンネル酸化膜
3b フローティングゲート
3c ポリ間絶縁膜
3d コントロールゲート
3e 電極
4、10、14 平坦化膜
5、8、12 ビア配線
6、9、13 金属配線
7、11 層間絶縁膜
15 パッシベーション膜
16 酸化被膜
17 ボンディングパッド部
Claims (1)
- ボンディングパッド部の金属配線上から紫外線を照射して、電荷蓄積部であるフローティングゲートまたはゲート絶縁膜中のSiN膜に蓄積した不要な電荷を消去する工程を有する半導体記憶装置の製造方法において、
前記金属配線表面に膜厚が3.0nm以上の保護膜を形成し、前記保護膜の上から前記紫外線を照射して、前記電荷を消去し、
前記金属配線の材料はアルミニウムであり、前記保護膜はアルミニウムの酸化被膜であり、前記保護膜を、前記ボンディングパッド部形成時に前記ボンディングパッド部を形成するために用いたレジストを除去する工程において、前記レジスト表面および前記金属配線表面上に形成されたレジスト硬化層を除去し前記金属配線表面を露出させるウェットアッシング処理を行った後に酸素ガスを用いたドライアッシング処理により作製することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
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