JP4338035B2 - スルホン化ポリスチレンの製造方法,スルホン化ポリスチレン,高分子電解質膜および高分子電解質膜を含む燃料電池 - Google Patents
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Description
1−1)(P−スチレンスルホニルクロライドの合成)
無水ジメチルホルムアミド50mlとチオニルクロライド40mlの混合物を氷水槽に入れ,撹拌しながらP−スチレンスルホン酸ナトリウム塩15gを30分間にわたり徐々に入れた。この混合物を氷水漕で1時間さらに撹拌して均一溶液を得た。この溶液を冷蔵庫に12時間放置した後,300gの氷片に徐々に注いだ。合成された有機物はチオフェンのないベンゼンで抽出し,水で多数回洗浄し,無水Na2SO4で乾燥させ,ベンゼンは常温で真空ポンプで除去して,明るい黄色の液体(13g)を得た。1H−NMR (CDCl3)d7.78(d,2H,ArH,J3=8.0Hz),7.60(d,2H,ArH,J3=8.0Hz),7.60(d,2H,ArH,J3=8.0Hz),6.77(dd,1H,=CH,J3=20.0Hz、J3=12.0Hz),5.96(d,1H,=CH,J3=20.0Hz),5.54(d,1H,=CH,J3=12.0Hz)
上記1−1)で得たP−スチレンスルホニルクロライド1g(約4.9mmol)とα,α−アゾビスイソブチロニトリル35mg(約0.21mmol)をジメチルホルムアミド1.5mlに溶解させ,N2を用いて溶存空気を除去し密封した。この溶液を70℃の恒温槽に位置させ,3時間重合させた。反応混合物を常温に冷却させた後,ヘキサンに徐々に注いで白色の沈殿物を得た。この沈殿物を濾過し,真空オーブンで乾燥させて,白色の粉末0.8gを得た。
上記1−2)で合成された高分子(1g)をテトラヒドロフラン(3ml)に溶かし,ガラス板上に塗布し,ドクターブレードを用いてキャスティングし,溶媒は乾燥オーブンで除去して高分子膜を製造した。この高分子膜を40℃の5%NaOH水溶液に5時間浸してSO3Na基に変化させた後,10%HCl水溶液に常温で24時間浸してSO3H基に変化させて,スルホン化ポリスチレン電解質膜を製造した(IR(KBr)cm−13400(O−H),2930(C−H),1175(S=5))。
上記実施例1の1−1)で得られたP−スチレンスルホニルクロライド1g(約4.9mmol),スチレン0.5g(約4.8mmol),およびα,α−アゾビスイソブチロニトリル35mg(約0.21mmol)をブタノン1.5mlに溶解させ,N2を用いて溶存空気を除去し密封した。この溶液を70℃の恒温槽に入れ,3時間重合させて,4−スチレンスルホニルクロライド−スチレン共重合体を合成した。反応混合物を常温に冷却させた後,メタノールに徐々に注いで白色の沈殿物を得た。この沈殿を濾過し真空オーブンで乾燥させて,白色の粉末1.2gを得た。上記合成された共重合体を実施例1−3)に記載された方法と同一の方法でスルホン化ポリスチレン電解質膜を製造した。
上記実施例1の1−1)で得られたP−スチレンスルホニルクロライド1g(約4.9mmol),α−メチルスチレン0.57g(約4.8mmol),およびα,α−アゾビスイソブチロニトリル35mg(約0.21mmol)をブタノン1.5mlに溶解させ,N2を用いて溶存空気を除去し密封した。この溶液を70℃の恒温槽に入れ,3時間重合させて,4−スチレンスルホニルクロライド−α−メチルスチレン共重合体を合成した。反応混合物を常温に冷却させた後,メタノールに徐々に注いで白色の沈殿物を得た。この沈殿を濾過し真空オーブンで乾燥させて,白色の粉末1.3gを得た。上記合成された共重合体を実施例1−3)に記載された方法と同一の方法でスルホン化ポリスチレン電解質膜を製造した。
上記実施例1の1−1)で得られたP−スチレンスルホニルクロライド1g(約4.9mmol),スチレン1g(約9.6mmol),アクリル酸0.35g(約4.9mmol)およびα,α−アゾビスイソブチロニトリル20mg(約0.12mmol)をブタノン1.5mlに溶解させ,N2を用いて溶存空気を除去し密封した。この溶液を70℃の恒温槽に入れ,3時間重合させて,4−スチレンスルホニルクロライド−スチレン−アクリル酸3元共重合体(IR(KBr)cm−13400(O−H),2931(C−H),1707(C=O),1173(S=O))を合成した。反応混合物を常温に冷却させた後,メタノールに徐々に注いで白色の沈殿物を得た。この合成された共重合体を実施例1−3)で記載された方法と同一の方法でスルホン化ポリスチレン電解質膜を製造した。
2 アノード電極
3 カソード電極
4 高分子電解質膜
Claims (13)
- P−スチレンスルホン酸塩を塩化物と反応させてp−スチレンスルホニルクロライドを製造する段階と;
前記P−スチレンスルホニルクロライドまたはP−スチレンスルホニルクロライドおよび選択的にスチレン系モノマーおよびアクリル系モノマーからなる群から選択される少なくとも一つのモノマーを重合して高分子を製造する段階と;
前記高分子を無機塩基水溶液で処理してSO3M基(Mはアルカリ金属)を生成させた後,酸水溶液と反応させて,スルホン酸基を有するスチレン系高分子を製造する段階と;を含んでなることを特徴とする,スルホン化ポリスチレンの製造方法。 - 前記P−スチレンスルホン酸塩は,アルカリ金属塩であることを特徴とする,請求項1に記載のスルホン化ポリスチレンの製造方法。
- 前記塩化物は,チオニルクロライドであることを特徴とする,請求項1または2のいずれかに記載のスルホン化ポリスチレンの製造方法。
- 前記重合は,ラジカル開始剤によるラジカル重合であることを特徴とする,請求項1,2または3のいずれかに記載のスルホン化ポリスチレンの製造方法。
- 前記ラジカル開始剤は,アゾ系化合物または過酸化物であることを特徴とする,請求項4に記載のスルホン化ポリスチレンの製造方法。
- 前記アゾ系化合物は,アゾビスイソブチロニトリルであり,前記過酸化物は,過酸化ベンゾイル,ジークミルペルオキシド,ジーtーブチルペルオキシド,ジーラウロイルペルオキシド,およびこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも一つであることを特徴とする,請求項5に記載のスルホン化ポリスチレンの製造方法。
- 前記ラジカル重合は,ラジカル重合用溶媒を用いて実施することを特徴とする,請求項4,5または6のいずれかに記載のスルホン化ポリスチレンの製造方法。
- 前記ラジカル重合用溶媒は,ジメチルホルムアミド,ベンゼン,トルエン,キシレン,エチルベンゼン,およびメチルエチルケトンからなる群から選択される少なくとも一つであることを特徴とする,請求項7に記載のスルホン化ポリスチレンの製造方法。
- 前記無機塩基水溶液は,アルカリ金属水酸化物の水溶液であることを特徴とする,請求項1,2,3,4,5,6,7または8のいずれかに記載のスルホン化ポリスチレンの製造方法。
- 前記アルカリ金属水酸化物水溶液は,NaOH水溶液およびKOH水溶液からなる群から選択される少なくとも一つの水溶液であることを特徴とする,請求項9に記載のスルホン化ポリスチレンの製造方法。
- 前記酸水溶液は,塩酸および硫酸からなる群から選択される少なくとも一つの水溶液であることを特徴とする,請求項1,2,3,4,5,6,7,8,9または10のいずれかに記載のスルホン化ポリスチレンの製造方法。
- 請求項12に記載の前記高分子電解質膜を含むことを特徴とする,燃料電池。
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