JP4313377B2 - 熱伝導材料及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は熱伝導材料及びその製造方法に係り、特にカーボンナノチューブを有する熱伝導材料及びその製造方法に関するものである。
近年、集積回路の集中化に伴って、電気部品の小型化が更に進んでいるので、小型電気部品の放熱性をより一層高めることは益々注目されている。それに対応して、例えばファン、水冷放熱、ヒートパイプなどを利用する各種の放熱手段が開発されていた。但し、従来の放熱装置と電気部品との伝熱界面には凹凸があり、緊密に接触できないので、電気部品の放熱効率が低下する。このため、放熱装置と電気部品との伝熱界面に高熱伝導材料を設置することにより、該両方の伝熱界面積を増加させることが必要になっている。
従来の熱伝導材料は、例えば、アルミナ、酸化亜鉛、窒化ホウ素、石墨、酸化シリコン、金属粉末又は粘土などの高熱伝導の充填物を高分子材料等のマトリックス材に分散することにより、熱伝導性能を高める。但し、電気部品がそれ自身から発生される熱により高温に達する場合においては、前記のような熱伝導材料と電気部品の表面との熱変形が不一致であることが原因で、熱伝導材料と電気部品との接触面が減少され、熱伝導効果に影響を与える。更に、これらの熱伝導材料は熱伝導係数が低く、その値が約１Ｗ／ｍＫしかできない。このため、これらの熱伝導材料は、現在の半導体チップの高集積化の要求を満足できない。
現在の熱伝導材料は、カーボンナノチューブを熱伝導充填物として用いて、それ自身の熱伝導性能を高める状況が多い。このようなカーボンナノチューブは、縦方向における熱伝導性能が非常に高く、理論計算によれば、一つの単層カーボンナノチューブ（ＳＷＣＮＴ）の室温での熱伝導係数は６６００Ｗ／ｍＫに達することができ、実験によって、離散している一つの多層カーボンナノチューブ（ＭＷＣＮＴ）の室温での熱伝導係数が３０００Ｗ／ｍＫに達したことが表明されている。
但し、これらのカーボンナノチューブをマトリックス材の中に不規則的に充填すると、多くのカーボンナノチューブが互いに重ね合わされてカーボンナノチューブの熱伝導路の重合を引き起こすことになって、伝熱抵抗を高めることがある。このため、規則的に配列されているカーボンナノチューブを熱伝導材料として利用して、その縦方向における熱伝導性能によって、伝熱界面での伝熱抵抗を低下させるようにする。しかし、このような熱伝導材料において、伝熱界面の伝熱抵抗を低下させるカーボンナノチューブによる役割が足りず、パッケージング（Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）する時には、やはり大きな付加圧力を加える必要がある。
中国特許出願公開第１４８３６６８号明細書
「Ｓｅｌｆ−Ｏｒｉｅｎｔｅｄ Ｒｅｇｕｌａｒ Ａｒｒａｙｓ ｏｆ Ｃａｒｂｏｎ Ｎａｎｏｔｕｂｅｓ ａｎｄ Ｔｈｅｉｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ」、Ｓｃｉｅｎｃｅ、▲ハン▼守善など著
以上の問題点に鑑みて、本発明は、パッケージングする時の圧力が低くても、伝熱界面の伝熱抵抗が小さく、熱伝導性が高い熱伝導材料及びそれを製造する方法を提供することを目的とする。
次に、本発明の実施形態に基づいて、熱伝導材料及びその製造方法を説明する。
本発明の実施形態に係る熱伝導材料は、第一表面及び第二表面を有する基板と、該基板の中に分布されており、且つそれぞれに該基板の第一表面から第二表面まで延伸している複数のカーボンナノチューブと、を含む熱伝導材料であり、前記複数のカーボンナノチューブは、前記第一表面と第二表面中の少なくとも一つの表面から突出し、前記複数のカーボンナノチューブが突出している表面には相変化材料層が形成されており、前記表面から突出した前記カーボンナノチューブの一部は弾性湾曲されて前記相変化材料層の中に設置している。
また、本発明の実施形態に係る熱伝導材料の製造方法は、複数のカーボンナノチューブを提供するステップと、該複数のカーボンナノチューブの少なくとも一つの端部に保護層を形成するステップと、該保護層が形成されている複数のカーボ
ンナノチューブの中に基板溶液を注入して、それを固化させるステップと、該保護層を取り除くステップと、保護層を取り除いた後露出する基板表面に相変化材料層を形成して、前記複数のカーボンナノチューブの少なくとも一つの端部が弾性湾曲されて前記相変化材料層の中に設置されるようにするステップと、を含む。
ンナノチューブの中に基板溶液を注入して、それを固化させるステップと、該保護層を取り除くステップと、保護層を取り除いた後露出する基板表面に相変化材料層を形成して、前記複数のカーボンナノチューブの少なくとも一つの端部が弾性湾曲されて前記相変化材料層の中に設置されるようにするステップと、を含む。
電子パッケージングにより熱伝導の伝熱界面に加える圧力の強さは普通小さく、最大で０．５ＭＰａ程度にしかできない。従って、カーボンナノチューブと電気部品の表面及び放熱装置の表面との接触はよりよく実現できない。しかしながら、現在の技術と比べて、本発明の実施形態に係る熱伝導材料は、実際使用時、前記相変化材料が熱を受けて相変化を発生し、さらに軟化される。このため、前記相変化材料層の中に弾性湾曲されて配置しているカーボンナノチューブの端部は、前記相変化材料層の束縛を脱し、スプリング・バッグを発生して、該相変化材料層の表面から突出する。同時に、前記相変化材料層の表面が電気部品の表面及び放熱装置の底面と密接に接触しているため、前記カーボンナノチューブの端部が電気部品の表面及び放熱装置の底面と接触する時、そのスプリング・バッグがやはり制限されることで、前記カーボンナノチューブの端部から電気部品の表面及び放熱装置の底面に一部分の圧力を加えることができる。これによって加えた圧力の強さは３ＭＰａ以上になるので、前記カーボンナノチューブが前記電気部品の表面及び前記放熱装置の底面と、もっと密接に接触するようにする。従って、該カーボンナノチューブは、伝熱界面の伝熱抵抗を減少させて、伝熱界面間の指向的な高伝熱路を形成することができる。
更に、前記カーボンナノチューブの端部に形成されている前記相変化材料は、熱伝導材料が熱伝導を行う時、温度の上昇によって相変化を発生して、流体状態の相変化材料になる。これにより、熱伝導材料の中の前記カーボンナノチューブ、マトリックス材、前記放熱装置及び前記電気部品の間において、該流体状態の相変化材料により接触が緊密できないため形成された隙間を充填することができて、各伝熱界面の伝熱抵抗をより一層減少させて、熱伝導材料の熱伝導効率の向上を図ることができる。
以下図面に基づいて、本発明の実施形態に係る熱伝導材料及びその製造方法に対して詳細に説明する。
まず、図１と図２を参照する。図１と図２はそれぞれ本実施形態に係る熱伝導材料の立体模式図と正面図である。該熱伝導材料１０は基板２と、該基板２の中に分布されている複数のカーボンナノチューブ１と、少なくとも該基板２の一表面に形成されている相変化材料層３と、を含む。該基板２は第一表面２１と、それと対応している第二表面２２を備え、該第一表面２１は第二表面２２と同一または異なる表面積を有する。
前記基板２は、例えば、シリコンゴム、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリエチレン、エポキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリホルムアルデヒド、ポリアセタール等の高分子材料から選ばれることができる。前記基板２は、例えば東レ・ダウコーニング株式会社（Ｄｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ）のＳｙｌｇａｒｄ １６０材が採用される。該Ｓｙｌｇａｒｄ １６０材はＡ及びＢの両成分のシリコンゴム、及び溶剤である酢酸エステルを含む。そのうち、Ａ成分は例えばエポキシ樹脂などの固化シリコン樹脂複合物であり、Ｂ成分は親水性を有する部分重合したコロイド状態（colloidal state）の酸化シリコンであって、Ａ成分とＢ成分及び溶剤の体積比は１：１：１である。
前記複数のカーボンナノチューブ１はカーボンナノチューブ・アレイを用いてもよい。該複数のカーボンナノチューブ１はそれぞれ基板２の第一表面２１から第二表面２２まで延伸している。該各カーボンナノチューブ１は第一端部１１及びそれと相対している第二端部１２を備え、両端部１１、１２は少なくとも一つの端部が第一表面２１又は表面２２から突出している。
本実施形態において、該両端部１１、１２は、それぞれ基板２の第一表面２１と第二表面２２から突出している。複数のカーボンナノチューブ１は、両端部１１、１２が相変化材料層３の中に弾性湾曲しており、該第一表面２１と第二表面２２の間に位置されている部分が熱伝導の方向とほとんど平行し且つ基板２の中に均一的に分布されるように構成される。例えば、第一表面２１及び第二表面２２の表面積が異なり、又は両者が平行でない場合には、前記複数のカーボンナノチューブ１は発散式又は傾斜式の形態を採用することができる。また、両端部１１、１２の湾曲形状は同じ方向に向かって湾曲されて、図に示すように、「Ｕ」字形の構造になっており、或は、反対方向に向かって湾曲されて、「Ｚ」字形の構造になってもよい。もちろん、図２に示すように、「Ｕ」字形及び「Ｚ」字形の以外に、ほかの形状を形成するように湾曲されてもよい。即ち、複数のカーボンナノチューブ１の端部１１、１２は、それぞれ異なる湾曲形状を有しているが、その形状がきちんと配列されることに限定されていない。
前記相変化材料層３は、第一表面２１と/又は第二表面２２の上に形成されており、カーボンナノチューブ１の第一端部１１及び／又は第二端部１２を、全体的又は部分的に覆っている。全体的に覆っているとは、図１に示すように、端部の湾曲部分が相変化材料層３のなかに全部埋められていることを言う。部分的に覆っているとは、図２中の部分のカーボンナノチューブ１のように、その端部の湾曲部分の尖端又は部分だけが該相変化材料層３のなかに埋められていることを言う。
本実施形態において、相変化材料層３は、両表面２１、２２をそれぞれ覆っており、基板２から突出されたカーボンナノチューブ１の湾曲端部１１、１２を全体的に覆っている。但し、カーボンナノチューブ１の湾曲端部１１、１２がスプリング・バッグを発生する時には、相変化材料層３の表面から弾き出すことができる。ここで、該相変化材料層３はパラフィン、ポリオレフィン（polyolefin）、低分子量ポリエステル、低分子量エポキシ樹脂、又は低分子量プロペン酸等の材料を採用することができる。該相変化材料層３の相変化温度は、例えば電気部品などの熱伝送の温度に関するが、普通の熱伝送の温度は２０℃〜９０℃であるので、相変化材料層３の相変化温度の範囲もそれに対応して２０℃〜９０℃になる。本実施形態において、該相変化材料層３は相変化温度範囲が５２℃〜５４℃であるパラフィン材を用いる。
また、前記相変化材料層３の厚さ範囲は１μｍ〜１００μｍであり、最良なのは１０μｍである。該相変化材料層３は、熱熱伝導材料１０の中で熱伝導を行う時、温度の上昇に従って相変化が発生して液体状態の相変化材料に成る。これにより、カーボンナノチューブ１の端部１１及び１２と基板２との間の微小な隙間と、熱伝導材料１０と放熱装置（図示せず）又は熱源（図示せず）との界面の間の接触が密接せずに生じる微小な隙間とを充填することができる。このため、各伝熱界面での伝熱抵抗をより一層減少させて、界面全体の伝熱抵抗の低下、及び熱伝導材料１０の伝熱効率の向上を図ることができる。
以下、図３を参照しながら、上記実施形態に基づいて、本発明に係る熱伝導材料１０の製造方法を説明する。該熱伝導材料１０の製造方法は次のようなステップを含む。
ステップ（ａ）：複数のカーボンナノチューブ１を提供する。該複数のカーボンナノチューブ１は、カーボンナノチューブ・アレイを用いてもよく、これは、化学気相堆積法によって触媒が形成されている基底４の上に成長されるものである。該基底４は剥がしやすいためカーボンナノチューブ・アレイに影響を与えない。本実施形態において、該基底４は一時的に保留して、以後のステップで剥がすことにする。詳細の製造方法としては、特許文献１と非特許文献１に記載の内容を参照すればよい。
本実施形態においては、前記非特許文献１で掲示されているカーボンナノチューブ・アレイの生長方法によって、カーボンナノチューブ・アレイを製造する。即ち、まず、シリコン基底の上に厚さが５ｎｍ程度の鉄触媒層を形成し、次に、空気雰囲気の約３００℃の条件で熱処理を行い、その後、約７００℃の温度条件で、化学気相堆積法によって前記シリコン基底にカーボンナノチューブ・アレイを生長させる。従って、複数のカーボンナノチューブ１を得る。
ステップ（ｂ）：該複数のカーボンナノチューブの少なくとも一つの端部に保護層を形成する。まず、支え用の支持基底５の上に感圧性接着材６を均一に塗布して、支持基底５及び感圧性接着材６を含む保護層を形成する。次に、該保護層の該感圧性接着材６側をカーボンナノチューブ１のシリコン基底４から遠く離れている端部に押圧した後、該シリコン基底４を剥す。即ち、端部が前記保護層（支持基底５及び感圧性接着材６を含む）で覆っているカーボンナノチューブを形成する。
本実施形態において、カーボンナノチューブの両端部が共に前記保護層で覆われているため、シリコン基底４を剥がした後前記ステップを繰り返して、これにより露出する端部にも前記保護層を覆うようにする。ここで、前記支持基底５はポリエステルを採用し、前記感圧性接着材６はＹＭ８８１型（中国「ム」順市軽工業科学研究所製）の感圧性接着材を採用し、前記基板２はＳｙｌｇａｒｄ １６０型の高分子材料を採用することができる。更に、前記保護層の最良の厚さは０．０５ｍｍ程度である。
ステップ（ｃ）：前記保護層が形成されている複数のカーボンナノチューブの間に基板溶液を注入して、それを固化させる。前記ステップ（ｂ）によって処理されたカーボンナノチューブ１を基板溶液又は基板熔融液に浸漬させて取り出した後、真空の雰囲気で２４時間ぐらい固化又は硬化させる。これにより、基板２が注入されているカーボンナノチューブ１を得る。
ここで、基板２は高分子化合物であり、例えば、シリコンゴム、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリエチレン、エポキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリホルムアルデヒド、ポリアセタール等の高分子材料から選ばれることができる。
ステップ（ｄ）：前記保護層を取り除く。該保護層の支持基底５は直接剥がすことができ、感圧性接着材６は例えばキシレンなどにより溶解させて取り除くことができる。
即ち、基板２の第一表面２１と、該第一表面２１と相対して配置されている第二表面２２とを露出し、さらに、元に該保護層で覆われたカーボンナノチューブ１の両端部１１、１２のそれぞれ基板２の両表面２１、２２から延伸するように露出する。このため、該保護層を取り除いた後に形成されるのは、両端部１１、１２が基板表面から露出するカーボンナノチューブ１と基板２の複合構造である。
ステップ（ｅ）：該保護層を取り除いた後で露出した基板２の表面に、相変化材料層を形成し、該複数のカーボンナノチューブの突出した端部１１、１２が、該相変化材料層の中で弾性湾曲されるようにする。ここで、該相変化材料は、例えば、パラフィン、ポリアルケーン、低分子量ポリエステル、低分子量エポキシ樹脂、又は低分子量プロペン酸等の材料から選ばれることができる。該相変化材料の相変化温度は熱伝送の温度に関するが、普通の熱伝送の温度が２０℃〜９０℃であるので、相変化材料層３の相変化温度もそれに対応して２０℃〜９０℃になる。また、該相変化材料層３の厚さ範囲は１μｍ〜１００μｍであり、最良なのは１０μｍである。
具体的に言うと、該ステップ（ｅ）は、以下のような方法によって実現することができる。
第１の方法は加圧加工方法である。即ち、まず、二つの平板に予め相変化材料を塗布しておき、前記ステップ（ｄ）により形成された複合構造を該二つの平板の間に設置する。また、該二つの平板により該複合構造を挟んだ状態で、該二つの平板に圧力を加え、共に、該相変化材料の相変化温度を超える温度になるように、平板を加熱する。次に、該二つの平板を、加圧する状態で室温又は３０℃以下の温度に達するまで冷却する。その後、圧力を解除し、また、該二つの平板を外して、ステップ（ｅ）に記載のような、該複数のカーボンナノチューブの突出端部１１、１２が、該相変化材料層の中で弾性湾曲されている熱伝導材料を取る。
ここで、平板は研磨した銅などの金属により形成される。また、該平板には、３ＭＰａを超える圧力を５〜１０分程度加えることにする。該相変化材料に対しては、相変化温度範囲が５２℃〜５４℃であるパラフィン材を用いて、５５℃程度まで加熱すればよい。
第２の方法は研磨加工方法である。即ち、マイクロエレクトロニクスの製造工程によく使用される研磨機、例えば、化学機械研磨機（ＣＭＰ、Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）などの設備を使用して、ステップ（ｄ）により形成された複合構造に対して、研磨加工を行う。このとき、以下のような二つの方式によりおこなうことができる。
第１の方式としては、加工時、研磨剤の中に相変化材料を添加して、ステップ（ｄ）により形成された複合構造を研磨することにより、ステップ（ｅ）に記載のような最終の構造を形成する。また、第２の方式としては、ステップ（ｄ）により形成された複合構造の表面に相変化材料を覆って、研磨加工を行う。ここで、研磨剤は石英粉末などの材料を用いることができる。
第３の方法はキサゲ処理（Ｒｕｂｂｉｎｇ、Ｓｃｒａｐｉｎｇ）加工方法である。即ち、ステップ（ｄ）により形成された複合構造の表面に相変化材料層を覆って、外力により、砥石等の工具を利用して、該相変化材料層に対してキサゲ処理を行って、ステップ（ｅ）に記載のような最終の構造を形成する。
該キサゲ処理を行う時、前記複合構造の表面を、前記砥石の上でキサゲ処理を行ってもよく、逆に、該砥石を、該複合構造の表面の上でキサゲ処理を行ってもよい。ここで、該砥石は金属アルミニウムなどを用いる。
第４の方法は切削加工方法である。即ち、まず、ステップ（ｄ）により形成された複合構造を相変化材料の中に埋設して、よく使用されている切削ルールにより、スライスを形成する。次に、スライスの位置を制御して、該複合構造の表面に対して切削加工を行って、ステップ（ｅ）に記載のような最終の構造を形成する。切削加工を行うときは、切削工具または切片機械を利用することもできる。
図４に示すように、該図は本実施形態における熱伝導材料１０を実用する時の界面構造を示す図である。該熱伝導材料１０は電気部品と放熱装置との熱伝導界面の間に、伝熱媒介として用いられる。該図に示すように、実際使用時、該熱伝導材料１０は電気部品７と放熱装置８との間に設置されている。伝熱中、該熱伝導材料１０は熱を受けて、その中の相変化材料層３の相変化により軟化される。これにより、湾曲されているカーボンナノチューブ１の端部１１、１２は、相変化材料の束縛から離脱し、更に、自身の高弾性によりスプリング・バッグが発生し、該相変化材料層３の表面から突出する。
但し、相変化材料層３の表面が電気部品７の表面７１及び放熱装置８の底面８１と密接に接触しているため、カーボンナノチューブ１の両端部１１、１２が電気部品７の表面７１及び放熱装置８の底面８１と接触する時、そのスプリング・バッグが制限されることで、該カーボンナノチューブ１の両端部１１、１２は電気部品７の表面７１及び放熱装置８の底面８１に部分の圧力を加えることができる。該加えた圧力の強さは３ＭＰａ以上になるが、普通電子パッケージングが熱伝導の伝熱界面に加える圧力の強さは小さく、最大は０．５ＭＰａ程度しかできない。これにより、該熱伝導材料１０の中のカーボンナノチューブ１は、表面７１、８１ともっと密接に接触して、伝熱界面の伝熱抵抗をより一層低下させて、伝熱界面間の指向的な高伝熱路に形成されることができる。
１０ 熱伝導材料
１ カーボンナノチューブ
１１ 第一端部
１２ 第二端部
２ 基板
２１ 第一表面
２２ 第二表面
３ 相変化材料層
４ 基底
５ 支持基底
６ 感圧性接着材
７ 電気部品
７１ 表面
８ 放熱装置
８１ 底面
１ カーボンナノチューブ
１１ 第一端部
１２ 第二端部
２ 基板
２１ 第一表面
２２ 第二表面
３ 相変化材料層
４ 基底
５ 支持基底
６ 感圧性接着材
７ 電気部品
７１ 表面
８ 放熱装置
８１ 底面
Claims (6)
- 第一表面及び第二表面を有する基板と、該基板の中に分布されており、且つそれぞれに該基板の第一表面から第二表面まで延伸している複数のカーボンナノチューブと、を含む熱伝導材料であり、
前記複数のカーボンナノチューブは、前記第一表面と前記第二表面中の少なくとも一つの表面から突出し、前記複数のカーボンナノチューブが突出している表面には相変化材料層が形成されており、前記表面から突出した前記カーボンナノチューブの一部は弾性湾曲されて前記相変化材料層の中に設置していることを特徴とする熱伝導材料。 - 前記相変化材料層が相変化を発生した後、前記複数のカーボンナノチューブの前記表面から突出した部分はスプリング・バッグを発生して前記相変化材料層の表面から突出することを特徴とする請求項１に記載の熱伝導材料。
- 前記複数のカーボンナノチューブの前記第一表面と前記第二表面との間に配置されている部分は、熱伝導の方向とほとんど平行に設置されることを特徴とする請求項１又は２のいずれかの一項に記載の熱伝導材料。
- 複数のカーボンナノチューブを提供するステップと、
該複数のカーボンナノチューブの少なくとも一つの端部に保護層を形成するステップと、
該保護層が形成されている複数のカーボンナノチューブの中に基板溶液を注入して、それを固化させるステップと、
前記保護層を取り除くステップと、
前記保護層を取り除いた後露出される基板表面に相変化材料層を形成して、前記複数のカーボンナノチューブの少なくとも一つの端部が弾性湾曲されて前記相変化材料層の中に設置されるようにするステップと、
を含むことを特徴とする熱伝導材料の製造方法。 - 前記複数のカーボンナノチューブの少なくとも一つの端部は加圧、研磨、キサゲ処理又は切削の少なくともいずれかの加工方法によって、前記相変化材料層の中に弾性湾曲されて設置していることを特徴とする請求項４に記載の熱伝導材料の製造方法。
- 前記保護層は支持基板及び感圧性接着材を備え、前記支持基板は直接剥がし、前記感圧性接着材はキシレンで溶解して取り除くことを特徴とする請求項４又は５のいずれかの一項に記載の熱伝導材料の製造方法。
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|---|---|---|---|---|
| US7132161B2 (en) * | 1999-06-14 | 2006-11-07 | Energy Science Laboratories, Inc. | Fiber adhesive material |
| US20040009353A1 (en) * | 1999-06-14 | 2004-01-15 | Knowles Timothy R. | PCM/aligned fiber composite thermal interface |
| DE10327530A1 (de) * | 2003-06-17 | 2005-01-20 | Electrovac Gesmbh | Vorrichtung mit wenigstens einer von einem zu kühlenden Funktionselement gebildeten Wärmequelle, mit wenigstens einer Wärmesenke und mit wenigstens einer Zwischenlage aus einer thermischen leitenden Masse zwischen der Wärmequelle und der Wärmesenke sowie thermische leitende Masse, insbesondere zur Verwendung bei einer solchen Vorrichtung |
| EP1814713A4 (en) | 2004-11-09 | 2017-07-26 | Board of Regents, The University of Texas System | The fabrication and application of nanofiber ribbons and sheets and twisted and non-twisted nanofiber yarns |
| CN100337981C (zh) * | 2005-03-24 | 2007-09-19 | 清华大学 | 热界面材料及其制造方法 |
| US7989349B2 (en) | 2005-04-15 | 2011-08-02 | Micron Technology, Inc. | Methods of manufacturing nanotubes having controlled characteristics |
| CN101054467B (zh) * | 2006-04-14 | 2010-05-26 | 清华大学 | 碳纳米管复合材料及其制备方法 |
| JP4897360B2 (ja) * | 2006-06-08 | 2012-03-14 | ポリマテック株式会社 | 熱伝導性成形体及びその製造方法 |
| EP2034520B1 (en) * | 2006-06-08 | 2013-04-03 | International Business Machines Corporation | Highly heat conductive, flexible sheet |
| US7955644B2 (en) * | 2006-07-10 | 2011-06-07 | California Institute Of Technology | Method for selectively anchoring large numbers of nanoscale structures |
| US8846143B2 (en) | 2006-07-10 | 2014-09-30 | California Institute Of Technology | Method for selectively anchoring and exposing large numbers of nanoscale structures |
| CN100591613C (zh) * | 2006-08-11 | 2010-02-24 | 清华大学 | 碳纳米管复合材料及其制造方法 |
| EP2065932B1 (en) * | 2006-09-22 | 2013-11-06 | International Business Machines Corporation | Method for manufacturing a thermal interface structure |
| EP2086872A2 (en) * | 2006-10-17 | 2009-08-12 | Purdue Research Foundation | Electrothermal interface material enhancer |
| DE602008001879D1 (de) * | 2007-02-22 | 2010-09-02 | Dow Corning | Verfahren zur herstellung leitfähiger folien sowie in diesem verfahren hergestellte artikel |
| US8703271B2 (en) * | 2007-04-23 | 2014-04-22 | University College Cork—National University of Ireland | Thermal interface material |
| CN101323759B (zh) * | 2007-06-15 | 2014-10-08 | 清华大学 | 导电胶带及其制造方法 |
| US7959969B2 (en) | 2007-07-10 | 2011-06-14 | California Institute Of Technology | Fabrication of anchored carbon nanotube array devices for integrated light collection and energy conversion |
| CN101343532B (zh) * | 2007-07-13 | 2011-06-08 | 清华大学 | 碳纳米管复合热界面材料的制备方法 |
| CN101360387B (zh) * | 2007-08-03 | 2012-06-13 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 柔性电路板基膜、柔性电路板基板及柔性电路板 |
| GB0715164D0 (en) * | 2007-08-06 | 2007-09-12 | Airbus Uk Ltd | Method and apparatus for manufacturing a composite material |
| JP4504401B2 (ja) * | 2007-08-07 | 2010-07-14 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ |
| CN101400198B (zh) * | 2007-09-28 | 2010-09-29 | 北京富纳特创新科技有限公司 | 面热光源,其制备方法及应用其加热物体的方法 |
| CN101409961B (zh) * | 2007-10-10 | 2010-06-16 | 清华大学 | 面热光源,其制备方法及应用其加热物体的方法 |
| CN101409962B (zh) * | 2007-10-10 | 2010-11-10 | 清华大学 | 面热光源及其制备方法 |
| JP5104688B2 (ja) * | 2007-10-22 | 2012-12-19 | 富士通株式会社 | シート状構造体及びその製造方法並びに電子機器 |
| KR101111127B1 (ko) * | 2007-10-22 | 2012-03-14 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 시트 형상 구조체와 그 제조 방법 및 전자기기 |
| JP5013116B2 (ja) * | 2007-12-11 | 2012-08-29 | 富士通株式会社 | シート状構造体及びその製造方法並びに電子機器 |
| US7479590B1 (en) * | 2008-01-03 | 2009-01-20 | International Business Machines Corporation | Dry adhesives, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
| JP5040728B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2012-10-03 | 株式会社デンソー | シート状熱伝導材料の製造方法 |
| US9017808B2 (en) * | 2008-03-17 | 2015-04-28 | The Research Foundation For The State University Of New York | Composite thermal interface material system and method using nano-scale components |
| JP5146256B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2013-02-20 | 富士通株式会社 | シート状構造体及びその製造方法、並びに電子機器及びその製造方法 |
| CN101559939B (zh) * | 2008-04-18 | 2011-05-04 | 清华大学 | 碳纳米管制备方法 |
| US20100122980A1 (en) * | 2008-06-13 | 2010-05-20 | Tsinghua University | Carbon nanotube heater |
| US20100126985A1 (en) * | 2008-06-13 | 2010-05-27 | Tsinghua University | Carbon nanotube heater |
| US20100000669A1 (en) * | 2008-06-13 | 2010-01-07 | Tsinghua University | Carbon nanotube heater |
| US8383459B2 (en) * | 2008-06-24 | 2013-02-26 | Intel Corporation | Methods of processing a thermal interface material |
| CN101626674B (zh) * | 2008-07-11 | 2015-07-01 | 清华大学 | 散热结构及其制备方法 |
| US8435606B1 (en) * | 2008-08-01 | 2013-05-07 | Hrl Laboratories, Llc | Polymer-infused carbon nanotube array and method |
| CN101668383B (zh) * | 2008-09-03 | 2013-03-06 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 电路板以及电路板封装结构 |
| CN101671442A (zh) * | 2008-09-12 | 2010-03-17 | 清华大学 | 碳纳米管阵列复合材料的制备方法 |
| WO2010032525A1 (ja) * | 2008-09-18 | 2010-03-25 | 日東電工株式会社 | カーボンナノチューブ集合体 |
| TWI386447B (zh) * | 2008-10-03 | 2013-02-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 奈米碳管陣列複合材料的製備方法 |
| JP5239768B2 (ja) * | 2008-11-14 | 2013-07-17 | 富士通株式会社 | 放熱材料並びに電子機器及びその製造方法 |
| CN101768427B (zh) * | 2009-01-07 | 2012-06-20 | 清华大学 | 热界面材料及其制备方法 |
| TWI414591B (zh) * | 2009-01-22 | 2013-11-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 熱介面材料及其製備方法 |
| CN102292114A (zh) | 2009-01-27 | 2011-12-21 | 加州理工学院 | 通过具有从装置表面突出的排列的碳纳米管的纳米增强的装置促进的药物递送和物质传递 |
| JP5343620B2 (ja) * | 2009-02-26 | 2013-11-13 | 富士通株式会社 | 放熱材料及びその製造方法並びに電子機器及びその製造方法 |
| CN101826467B (zh) * | 2009-03-02 | 2012-01-25 | 清华大学 | 热界面材料的制备方法 |
| JP5212253B2 (ja) * | 2009-05-13 | 2013-06-19 | 富士通株式会社 | シート状構造体の製造方法 |
| US8081468B2 (en) | 2009-06-17 | 2011-12-20 | Laird Technologies, Inc. | Memory modules including compliant multilayered thermally-conductive interface assemblies |
| US20100321897A1 (en) * | 2009-06-17 | 2010-12-23 | Laird Technologies, Inc. | Compliant multilayered thermally-conductive interface assemblies |
| US8405996B2 (en) * | 2009-06-30 | 2013-03-26 | General Electric Company | Article including thermal interface element and method of preparation |
| CN101989583B (zh) * | 2009-08-05 | 2013-04-24 | 清华大学 | 散热结构及使用该散热结构的散热系统 |
| US9469790B2 (en) | 2009-09-29 | 2016-10-18 | The Boeing Company | Adhesive compositions comprising electrically insulating-coated carbon-based particles and methods for their use and preparation |
| US8709538B1 (en) | 2009-09-29 | 2014-04-29 | The Boeing Company | Substantially aligned boron nitride nano-element arrays and methods for their use and preparation |
| JP5356972B2 (ja) * | 2009-10-20 | 2013-12-04 | 新光電気工業株式会社 | 放熱用部品及びその製造方法、半導体パッケージ |
| JP5293561B2 (ja) * | 2009-10-29 | 2013-09-18 | 富士通株式会社 | 熱伝導性シート及び電子機器 |
| TWI470749B (zh) * | 2009-12-23 | 2015-01-21 | Ind Tech Res Inst | 導熱絕緣複合膜層及晶片堆疊結構 |
| US9132364B2 (en) | 2010-02-26 | 2015-09-15 | Dionex Corporation | High capacity ion chromatography stationary phases and method of forming |
| CN102792441B (zh) * | 2010-03-12 | 2016-07-27 | 富士通株式会社 | 散热结构及其制造方法 |
| JP5447069B2 (ja) * | 2010-03-24 | 2014-03-19 | 富士通株式会社 | シート状構造体、電子機器及び電子機器の製造方法 |
| US9115424B2 (en) | 2010-04-07 | 2015-08-25 | California Institute Of Technology | Simple method for producing superhydrophobic carbon nanotube array |
| CN101880035A (zh) | 2010-06-29 | 2010-11-10 | 清华大学 | 碳纳米管结构 |
| WO2012079066A2 (en) | 2010-12-10 | 2012-06-14 | California Institute Of Technology | Method for producing graphene oxide with tunable gap |
| US8582297B2 (en) * | 2011-02-03 | 2013-11-12 | International Business Machines Corporation | Customized thermal interface to optimize mechanical loading and thermal conductivity characteristics |
| CN102161814B (zh) * | 2011-03-01 | 2012-10-17 | 复旦大学 | 一种取向碳纳米管/聚合物复合膜的制备方法 |
| US9034447B2 (en) | 2011-03-11 | 2015-05-19 | Dionex Corporation | Electrostatically bound hyperbranched anion exchange surface coating prepared via condensation polymerization using ditertiary amine linkers for improved divalent anion selectivity |
| WO2012135238A1 (en) | 2011-03-29 | 2012-10-04 | California Institute Of Technology | Method to increase the capacitance of electrochemical carbon nanotube capacitors by conformal deposition of nanoparticles |
| US9756764B2 (en) | 2011-08-29 | 2017-09-05 | Aerovironment, Inc. | Thermal management system for an aircraft avionics bay |
| US8995131B2 (en) | 2011-08-29 | 2015-03-31 | Aerovironment, Inc. | Heat transfer system for aircraft structures |
| WO2013090844A1 (en) | 2011-12-14 | 2013-06-20 | California Institute Of Technology | Sharp tip carbon nanotube microneedle devices and their fabrication |
| FR2985603B1 (fr) * | 2012-01-10 | 2016-12-23 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de gestion thermique passif |
| WO2014022314A1 (en) | 2012-07-30 | 2014-02-06 | California Institute Of Technology | Nano tri-carbon composite systems and manufacture |
| CN105003405B (zh) | 2012-08-01 | 2019-07-23 | 德克萨斯州大学系统董事会 | 卷曲和非卷曲加捻纳米纤维纱线及聚合物纤维扭转和拉伸驱动器 |
| FR2995877B1 (fr) * | 2012-09-21 | 2014-10-24 | Thales Sa | Structure meca-thermique adaptee pour un environnement spatial |
| JP6118540B2 (ja) * | 2012-11-08 | 2017-04-19 | 新光電気工業株式会社 | 放熱部品及びその製造方法 |
| CN103015540B (zh) * | 2012-12-14 | 2014-08-27 | 天津大学 | 建筑用相变蓄能板及其制造方法 |
| US9515004B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-12-06 | Laird Technologies, Inc. | Thermal interface materials |
| DE102013204690A1 (de) * | 2013-03-18 | 2014-09-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Verbundwerkstoff für einen thermischen Energiespeicher und Verfahren zum Herstellen eines Verbundwerkstoffs für einen thermischen Energiespeicher |
| JP6065724B2 (ja) * | 2013-04-16 | 2017-01-25 | 富士通株式会社 | シート状構造体、電子機器、シート状構造体の製造方法及び電子機器の製造方法 |
| CN105247674B (zh) * | 2013-06-03 | 2018-04-13 | 富士通株式会社 | 散热结构体及其制造方法以及电子装置 |
| EP3077578A4 (en) | 2013-12-05 | 2017-07-26 | Honeywell International Inc. | Stannous methansulfonate solution with adjusted ph |
| WO2015097878A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | 富士通株式会社 | シート状構造体、これを用いた電子機器、シート状構造体の製造方法、及び電子機器の製造方法 |
| JP6223903B2 (ja) * | 2014-04-30 | 2017-11-01 | 新光電気工業株式会社 | カーボンナノチューブシート及び電子機器とカーボンナノチューブシートの製造方法及び電子機器の製造方法 |
| JP2015216199A (ja) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置、熱伝導部材及び半導体装置の製造方法 |
| CA2951437C (en) | 2014-07-07 | 2022-03-15 | Honeywell International Inc. | Thermal interface material with ion scavenger |
| US9613882B2 (en) * | 2014-07-28 | 2017-04-04 | Northrop Grumman Systems Corporation | Nanoparticle thermal interface agents for reducing thermal conductance resistance |
| JP6398627B2 (ja) * | 2014-11-10 | 2018-10-03 | 富士通株式会社 | 放熱シート、放熱シートの製造方法、及び電子装置の製造方法 |
| US10287471B2 (en) | 2014-12-05 | 2019-05-14 | Honeywell International Inc. | High performance thermal interface materials with low thermal impedance |
| US20160286692A1 (en) * | 2015-03-23 | 2016-09-29 | The Boeing Company | High thermal conductivity joint utlizing continuous aligned carbon nanotubes |
| DE102015118245A1 (de) * | 2015-10-26 | 2017-04-27 | Infineon Technologies Austria Ag | Thermisches Schnittstellenmaterial mit definierten thermischen, mechanischen und elektrischen Eigenschaften |
| US10312177B2 (en) | 2015-11-17 | 2019-06-04 | Honeywell International Inc. | Thermal interface materials including a coloring agent |
| US9994741B2 (en) | 2015-12-13 | 2018-06-12 | International Business Machines Corporation | Enhanced adhesive materials and processes for 3D applications |
| US20170198551A1 (en) * | 2016-01-12 | 2017-07-13 | Baker Hughes Incorporated | Composites containing aligned carbon nanotubes, methods of manufacture and applications thereof |
| CN105716467B (zh) * | 2016-02-25 | 2017-11-17 | 浙江大学 | 一种智慧型沸腾表面及其调控沸腾方法 |
| CN109072051B (zh) | 2016-03-08 | 2023-12-26 | 霍尼韦尔国际公司 | 相变材料 |
| WO2017154885A1 (ja) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | 日立造船株式会社 | カーボンナノチューブ構造体の起毛方法、カーボンナノチューブ構造体の製造方法およびカーボンナノチューブ構造体 |
| US10292255B2 (en) | 2016-05-18 | 2019-05-14 | Raytheon Company | Expanding thermal device and system for effecting heat transfer within electronics assemblies |
| JP6720717B2 (ja) * | 2016-06-20 | 2020-07-08 | 富士通株式会社 | 放熱シートの製造方法 |
| US10501671B2 (en) | 2016-07-26 | 2019-12-10 | Honeywell International Inc. | Gel-type thermal interface material |
| US10590539B2 (en) * | 2017-02-24 | 2020-03-17 | Lintec Of America, Inc. | Nanofiber thermal interface material |
| JP6901896B2 (ja) * | 2017-03-31 | 2021-07-14 | 日立造船株式会社 | フィラー・樹脂複合体、フィラー・樹脂複合体の製造方法、フィラー・樹脂複合層、および、フィラー・樹脂複合体の使用方法 |
| US10319609B2 (en) | 2017-06-21 | 2019-06-11 | International Business Machines Corporation | Adhesive-bonded thermal interface structures |
| JP6886698B2 (ja) * | 2017-06-29 | 2021-06-16 | 北川工業株式会社 | 熱伝導液パック |
| CN107426946B (zh) * | 2017-06-30 | 2018-06-29 | 安徽大学 | 一种基于微阵列结构的振动器件直接接触散热方法 |
| US11041103B2 (en) | 2017-09-08 | 2021-06-22 | Honeywell International Inc. | Silicone-free thermal gel |
| US10428256B2 (en) | 2017-10-23 | 2019-10-01 | Honeywell International Inc. | Releasable thermal gel |
| US11072706B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-07-27 | Honeywell International Inc. | Gel-type thermal interface material |
| WO2019244890A1 (ja) | 2018-06-22 | 2019-12-26 | 積水ポリマテック株式会社 | 熱伝導性シート |
| CN112655085B (zh) * | 2018-09-07 | 2024-05-31 | 积水保力马科技株式会社 | 导热性片 |
| CN112715059B (zh) * | 2018-09-26 | 2024-09-06 | 积水保力马科技株式会社 | 导热片 |
| US11189588B2 (en) | 2018-12-31 | 2021-11-30 | Micron Technology, Inc. | Anisotropic conductive film with carbon-based conductive regions and related semiconductor assemblies, systems, and methods |
| US10854549B2 (en) | 2018-12-31 | 2020-12-01 | Micron Technology, Inc. | Redistribution layers with carbon-based conductive elements, methods of fabrication and related semiconductor device packages and systems |
| US11373921B2 (en) | 2019-04-23 | 2022-06-28 | Honeywell International Inc. | Gel-type thermal interface material with low pre-curing viscosity and elastic properties post-curing |
| JP7238586B2 (ja) * | 2019-05-08 | 2023-03-14 | 富士通株式会社 | 導電性放熱フィルム、導電性放熱フィルムの製造方法、及び電子装置の製造方法 |
| EP3761347A1 (en) * | 2019-07-04 | 2021-01-06 | Hypertac S.p.a. | Open web electrical support for contact pad and method of manufacture |
| CN111995991B (zh) * | 2020-07-27 | 2022-01-18 | 深圳陶陶科技有限公司 | 一种热界面材料及其制备方法 |
| MX2023001687A (es) * | 2020-08-13 | 2023-02-22 | R D Abbott Company Inc | Metodo de fabricacion de una matriz compuesta mediante la incorporacion de nanotubos de carbono. |
| CN112358855B (zh) * | 2020-10-26 | 2021-12-28 | 深圳烯湾科技有限公司 | 碳纳米管导热片及其制备方法 |
| DE102020128453A1 (de) | 2020-10-29 | 2022-05-05 | Erwin Quarder Systemtechnik Gmbh | Kompensationsbauteil |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1059266A3 (en) * | 1999-06-11 | 2000-12-20 | Iljin Nanotech Co., Ltd. | Mass synthesis method of high purity carbon nanotubes vertically aligned over large-size substrate using thermal chemical vapor deposition |
| US20040009353A1 (en) * | 1999-06-14 | 2004-01-15 | Knowles Timothy R. | PCM/aligned fiber composite thermal interface |
| US6407922B1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-06-18 | Intel Corporation | Heat spreader, electronic package including the heat spreader, and methods of manufacturing the heat spreader |
| US6965513B2 (en) * | 2001-12-20 | 2005-11-15 | Intel Corporation | Carbon nanotube thermal interface structures |
| US20050061496A1 (en) * | 2003-09-24 | 2005-03-24 | Matabayas James Christopher | Thermal interface material with aligned carbon nanotubes |
| US20050255304A1 (en) * | 2004-05-14 | 2005-11-17 | Damon Brink | Aligned nanostructure thermal interface material |
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