JP4289429B2 - インクジェット式記録ヘッド及び圧電体素子 - Google Patents
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1)酢酸鉛・三水和物、ジルコニウムアセチルアセトナートおよび酢酸マグネシウム・三水和物を、酢酸を溶媒として攪拌し、
2)さらにチタニウムテトライソプロポキシドおよびペンタエトキシニオブを加えて攪拌し、3)さらにブトキシエタノールを加えて攪拌し、
4)さらに塩酸アルコールを加えて攪拌し、
5)さらにアセチレアセトンアセトンを加えて攪拌し、
6)さらにポリエチレングリコールを加えて攪拌する工程により生成される酢酸系溶媒を塗布して形成されたものである。
1)チタニウムテトライソプロポキシドおよびペンタエトキンイオブを、ブトキシエタノールを溶媒として攪拌し、
2)さらにジエタノールアミンを加えた攪拌し、
3)さらに酢酸鉛・三水和物、ジルコニウムアセチルアセトナートおよび酢酸マグネシウム・三水和物を加えた攪拌し、
4)さらにポリエチレングリコールを加えて攪拌する工程により生成されるアルコールアミン系溶媒を塗布して形成されたものである。
本実施形態は本発明の圧電体素子をインクジェット式記録ヘッドの圧電体素子に適用したものである。特にゾルゲル法により強誘電体PZTを形成する。
図2に本形態のインクジェット式記録ヘッドの分解斜視図を示す。図3にインクジェット式記録ヘッドの主要部一部断面図を示す。図2に示すように、本インクジェット式記録ヘッド1は、ノズル板10、圧力室基板20、振動板30および筐体25を備えて構成されている。
図11に、上記組成の強誘電体において見られるペロブスカイト結晶構造の説明図を示す。この構造図は前記したようにABO3という化学式で表される。例えば強誘電体がPZTで構成される場合、AはPb2+、BはZr4+またはTi4+、OはO2-が配置される。強誘電体がPMN−PZTで構成される場合には、PZTにおけるBに相当する原子としてMg2+またはNb5+が置換される。ここで図11のa,bおよびcのように結晶軸を規定する。
4) 全面方位に対する前記(001)面方位の占める割合の当該圧電体素子の厚みに対する増加率βと全面方位に対する(111)面方位の占める割合の当該圧電体素子の厚みに対する増加率αとの間に、α<βの関係が成り立つこと。
上記条件を満たす圧電体素子およびインクジェット式記録ヘッドの製造方法について図4乃至図6を参照して説明する。本実施形態では酢酸系溶媒からPZTを強誘電体とした圧電体素子を製造する。
本発明の実施形態2は、実施形態1と同様の結晶構造の圧電体素子を他の溶媒から製造するものである。特に有機金属熱分解法により強誘電体PMN−PZTを製造する。
本発明は、上記各実施形態によらず種々に変形して適応することが可能である。例えば、本発明の圧電体素子は、上記同一の結晶の条件を満たすものであれば、他の製造方法によって製造されるものであってもよい。上記条件を満たせば、良好な圧電特性を示す圧電体素子およびインクジェット式記録ヘッドを製造できる。
回折強度の大きさはその配向の大きさを示す。図10から判るように、(001)面方位の配向と(111)面方位の配向とが混在している。図8乃至図10において配向の割合を比べると判るように、全面方位に対する(001)面方位の割合の当該圧電体素子の厚みに対する増加率βが(111)面方位の割合の当該圧電体素子の厚みに対する増加率αより大きくなっている。すなわち両者の間に、α<βの関係が成り立つことが判る。
Claims (2)
- インクが充填される圧力室基板の圧力室に対応させて当該圧力室を加圧可能な位置に形成したインクジェット式記録ヘッドにおいて、
ペロブスカイト結晶構造を持つ強誘電体を備えて、厚みが0.2μm乃至4.0μmである圧電体層と前記圧電体層を挟んで配置される上電極および下電極とを備えた圧電体素子は、
前記圧電体層の前記ペロブスカイト結晶構造は正方晶系であって、
(001)面方位と(111)面方位とが混在しており、
全面方位に対する前記(111)面方位の割合が前記(001)面方位の割合より大きく、
前記圧電体層は、
全面方位に対する前記(001)面方位の占める割合の厚みに対する増加率βと全面方位に対する前記(111)面方位の占める割合の厚みに対する増加率αとの間に、α<βの関係が成り立つと共に、
全面方位に対する(111)面方位の占める割合が厚みの増加に伴い減少する傾向に設定されており、
且つ、全面方位に対する前記(001)面方位の占める割合が厚みの増加に伴い増加する傾向に設定されていること、
を特徴とするインクジェット式記録ヘッド。 - ペロブスカイト結晶構造を持つ強誘電体を備えて、厚みが0.2μm乃至4.0μmである圧電体層と前記圧電体層を挟んで配置される上電極および下電極とを備えた圧電体素子において、
前記圧電体層の前記ペロブスカイト結晶構造は正方晶系であって、
(001)面方位と(111)面方位とが混在しており、
全面方位に対する前記(111)面方位の割合が前記(001)面方位の割合より大きく、
前記圧電体層は、
全面方位に対する前記(001)面方位の占める割合の厚みに対する増加率βと全面方位に対する前記(111)面方位の占める割合の厚みに対する増加率αとの間に、α<βの関係が成り立つと共に、
全面方位に対する(111)面方位の占める割合が厚みの増加に伴い減少する傾向に設定されており、
且つ、全面方位に対する前記(001)面方位の占める割合が厚みの増加に伴い増加する傾向に設定されていること、
を特徴とする圧電体素子。
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