JP5041121B2 - インクジェット式記録ヘッドおよびインクジェットプリンタ - Google Patents

Description

本発明は、圧電材料および圧電素子に関する。

インクジェットプリンタのヘッド等に用いられる圧電素子は、圧電材料からなる圧電体層を有する。この圧電材料としては、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３（ＰＺＴ）などが代表的である（例えば特開２００１−２２３４０４号公報参照）。しかしながら、ＰＺＴなどは鉛（Ｐｂ）を含むため、環境上、非常に問題となる。
特開２００１−２２３４０４号公報

本発明の目的は、環境に優しく、圧電特性に優れた新規な圧電材料、および、該圧電材料からなる圧電体層を有する圧電素子を提供することにある。

本発明に係る圧電材料は、
下記一般式（１）で表される。
(Ｂｉ_１−ｘＬａ_ｘ)（Ｆｅ_１−ｙ（Ｍｇ_２／３Ｎｂ_１／３）_ｙ）Ｏ_３ ・・・（１）

但し、０＜ｘ＜１であり、０＜ｙ＜１である。

この圧電材料は、環境上問題となる鉛（Ｐｂ）を含まないため、極めて有用である。さらに、この圧電材料は、鉛フリーでありながら、良好な圧電特性、例えば充分な格子のひずみ量を得ることができる。

本発明に係る圧電材料において、
０＜ｘ≦０．２０であり、０＜ｙ≦０．３０であることができる。

本発明に係る圧電材料において、
擬立方晶の表示で（１００）に配向していることができる。

なお、本発明において、例えば、「（１００）に配向」とは、（１００）にすべての結晶が配向している場合と、（１００）にほとんどの結晶（例えば９０％以上）が配向しており、（１００）に配向していない残りの結晶が（１１０）等に配向している場合と、を含む。即ち、「（１００）に配向」とは、「（１００）に優先配向」ということもできる。このことは、本発明において、例えば、「（１１０）に配向」という場合も同様である。

本発明に係る圧電材料において、
擬立方晶の表示で（１１０）に配向していることができる。

本発明に係る圧電材料において、
分極方向は、擬立方晶の表示で［１１１］方向であることができる。

なお、本発明において、「分極方向は、擬立方晶の表示で［１１１］方向である」とは、分極方向が、擬立方晶の表示で、［１１１］方向に完全に一致している場合と、分極方向が、擬立方晶の表示で、［１１１］方向から僅かにずれてはいるが、ほぼ［１１１］方向になっている場合と、を含む。分極方向が、擬立方晶の表示で、ほぼ［１１１］方向になっている場合とは、例えば、分極方向が、擬立方晶の表示で、＜１１１＞方向と、＜１００＞方向との間にあり、分極方向と、＜１１１＞方向との成す角が、例えば１０°以下である場合などである。

本発明に係る第１の圧電素子は、
基体と、
前記基体の上方に形成された下部電極と、
前記下部電極の上方に形成された圧電体層と、
前記圧電体層の上方に形成された上部電極と、を含み、
前記圧電体層は、下記一般式（１）で表される圧電材料からなる。
(Ｂｉ_１−ｘＬａ_ｘ)（Ｆｅ_１−ｙ（Ｍｇ_２／３Ｎｂ_１／３）_ｙ）Ｏ_３ ・・・（１）

但し、０＜ｘ＜１であり、０＜ｙ＜１である。

なお、本発明に係る記載では、「上方」という文言を、例えば、「特定のもの（以下「Ａ」という）の「上方」に形成された他の特定のもの（以下「Ｂ」という）」などと用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、Ａ上に直接Ｂが形成されているような場合と、Ａ上に他のものを介してＢが形成されているような場合とが含まれるものとして、「上方」という文言を用いている。

本発明に係る圧電素子において、
前記基体の上方であって、前記下部電極の下方に形成された弾性層を有することができる。

なお、本発明に係る記載では、「下方」という文言を、例えば、「特定のもの（以下「Ａ」という）の「下方」に形成された他の特定のもの（以下「Ｂ」という）」などと用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、Ａの下に直接Ｂが形成されているような場合と、Ａの下に他のものを介してＢが形成されているような場合とが含まれるものとして、「下方」という文言を用いている。

本発明に係る第２の圧電素子は、
基体と、
前記基体の上方に形成された圧電体層と、
前記圧電体層の上方に形成された第１電極と、
前記圧電体層の上方に形成され、前記第１電極と離間している第２電極と、を含み、
前記圧電体層は、下記一般式（１）で表される圧電材料からなる。
(Ｂｉ_１−ｘＬａ_ｘ)（Ｆｅ_１−ｙ（Ｍｇ_２／３Ｎｂ_１／３）_ｙ）Ｏ_３ ・・・（１）

但し、０＜ｘ＜１であり、０＜ｙ＜１である。

本発明に係る圧電素子において、
０＜ｘ≦０．２０であり、０＜ｙ≦０．３０であることができる。

本発明に係る圧電素子において、
前記圧電材料は、擬立方晶の表示で（１００）に配向していることができる。

本発明に係る圧電素子において、
前記圧電材料は、擬立方晶の表示で（１１０）に配向していることができる。

本発明に係る圧電素子において、
前記圧電材料の分極方向は、擬立方晶の表示で［１１１］方向であることができる。

本発明に係る圧電素子において、
前記圧電材料は、ロンボヘドラル構造を有することができる。

本発明に係る圧電素子において、
前記圧電材料は、モノクリニック構造を有することができる。

以下、本発明に好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。

１．１． まず、本実施形態に係る圧電材料について説明する。本実施形態に係る圧電材料は、下記一般式（１）で表される。
(Ｂｉ，Ｌａ)（Ｆｅ，（Ｍｇ_２／３Ｎｂ_１／３））Ｏ_３ ・・・（１）

本実施形態に係る圧電材料は、ペロブスカイト型構造を有する。該圧電材料は、擬立方晶の表示で（１００）または（１１０）に配向していることが望ましい。該圧電材料の分極方向は、擬立方晶の表示で［１１１］方向であることが望ましい。擬立方晶の表示で（１００）または（１１０）に配向しており、分極方向が擬立方晶の表示で［１１１］方向にある圧電材料は、良好な圧電特性を有することができる。本実施形態に係る圧電材料は、ロンボヘドラル構造またはモノクリニック構造を有することが望ましい。また、該圧電材料における各元素の価数は、Ｂｉは＋３価、Ｌａは＋３価、Ｆｅは＋３価、Ｍｇは＋２価、Ｎｂは＋５価、Ｏは−２価であることが望ましい。これにより、該圧電材料は、電荷中性であることができる。

また、前記一般式（１）は、下記一般式（１’）で表されることもできる。
(Ｂｉ_１−ｘＬａ_ｘ)（Ｆｅ_１−ｙ（Ｍｇ_２／３Ｎｂ_１／３）_ｙ）Ｏ_３ ・・・（１’）

但し、０＜ｘ＜１であり、好ましくは、０＜ｘ≦０．２０である。また、０＜ｙ＜１であり、好ましくは、０＜ｙ≦０．３０である。ｘは、ペロブスカイト型構造のＡサイトにおけるＬａ組成であり、ｙは、ＢサイトにおけるＭｇおよびＮｂの組成である。

１．２． 本実施形態に係る圧電材料は、環境上問題となる鉛（Ｐｂ）を含まないため、極めて有用である。さらに、本実施形態に係る圧電材料は、鉛フリーでありながら、良好な圧電特性、例えば充分な格子のひずみ量を得ることができる。このことは、後述する実験例において確認されている。

２．１． 次に、本実施形態に係る第１の圧電素子１００について説明する。図１は、本実施形態に係る圧電材料からなる圧電体層６を有する第１の圧電素子１００の一例を模式的に示す断面図である。

圧電素子１００は、基体２と、基体２の上方に形成された下部電極４と、下部電極４上に形成され、上述した圧電材料からなる圧電体層６と、圧電体層６上に形成された上部電極７と、を含む。圧電素子１００は、さらに、基体２の上であって下部電極４の下に形成された弾性層３を有することができる。下部電極４は、弾性層３上に形成されていることができる。なお、圧電素子１００は、弾性層３を有しないこともできる。

基体２としては、例えば、（１１０）配向の単結晶シリコン基板などを用いることができ、特に限定されない。基体２は、基板単体あるいは基板上に他の層が積層された積層体であってもよい。弾性層３は、例えば、インクジェット式記録ヘッドにおける弾性板として適用されることができる。弾性層３としては、例えば、酸化シリコン、酸化ジルコニウムをこの順に積層した膜などを用いることができ、特に限定されない。弾性層３の膜厚は、例えば１μｍ程度である。基体２は、例えば、弾性層３の下であって、基体２に開口されたキャビティ２０を有することができる。

下部電極４は、圧電体層６に電圧を印加するための一方の電極である。下部電極４の膜厚は、例えば１００ｎｍ〜３００ｎｍである。下部電極４としては、特に限定されないが、例えば、白金（Ｐｔ）等の金属膜の上にペロブスカイト型構造の導電性酸化物（例えばＬａＮｉＯ_３、ＳｒＲｕＯ_３など）を積層した膜などを用いることができる。例えば、この導電性酸化物からなる膜は、上述した圧電材料からなる圧電体層６と同様に、擬立方晶の表示で（１００）または（１１０）に配向していることが望ましい。これにより、該導電性酸化物膜の結晶構造および配向を引き継いで、下部電極４の上に、ペロブスカイト型構造を有し、擬立方晶の表示で（１００）または（１１０）に配向している圧電材料からなる圧電体層６を容易に得ることができる。

圧電体層６は、上述した本実施形態に係る圧電材料からなる。圧電体層６の膜厚は特に限定されないが、例えば２００ｎｍ〜１．５μｍである。

上部電極７は、圧電体層６に電圧を印加するための他方の電極である。上部電極７としては、例えば、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、酸化イリジウム（ＩｒＯｘ）、ペロブスカイト型構造の導電性酸化物（例えばＬａＮｉＯ_３、ＳｒＲｕＯ_３等）などの単層、あるいは、これらの積層体を用いることができ、特に限定されない。上部電極７の膜厚は、例えば１００ｎｍ〜２００ｎｍである。

下部電極４、圧電体層６、および上部電極７は、例えば図１に示すようにパターニングされて、柱状の堆積体（柱状部）５０を構成することができる。

２．２． 次に、本実施形態に係る第１の圧電素子１００の製造方法について図１を参照しながら説明する。

（Ａ）まず、基体２上に弾性層３を形成する。弾性層３は、例えば、熱酸化法、化学気相成長（ＣＶＤ）法、スパッタ法、蒸着法などにより形成されることができる。

（Ｂ）次に、弾性層３上に下部電極４を形成する。下部電極４は、例えば、スパッタ法、スピンコート法、ＣＶＤ法、レーザアブレーション法などにより形成されることができる。

（Ｃ）次に、下部電極４上に、本実施形態に係る圧電材料からなる圧電体層６を形成する。圧電体層６は、例えば、ゾルゲル法、ＭＯＤ（Metal Organic Decomposition）法などを用いて形成されることができる。ゾルゲル法やＭＯＤ法を用いる場合の圧電体層６の形成方法は、具体的には以下の通りである。

まず、例えば、スピンコート法などを用いて、圧電体層６を形成するための前駆体溶液を下部電極４上に塗布する（前駆体溶液塗布工程）。前駆体溶液については、例えば、圧電体層６となる圧電材料の構成金属をそれぞれ含む有機金属化合物を、各構成金属が所望のモル比となるように混合し、該混合物をアルコールなどの有機溶媒を用いて溶解または分散させることにより作製できる。圧電材料の構成金属を含む有機金属化合物としては、例えば、金属アルコキシド、有機酸塩、βジケトン錯体などを用いることができる。圧電材料の構成金属（Ｂｉ、Ｌａ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｎｂ）を含む有機金属化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。

ビスマス（Ｂｉ）を含む有機金属化合物としては、例えばビスマスイソプロポキシドなどが挙げられる。ランタン（Ｌａ）を含む有機金属化合物としては、例えばランタンアセチルアセトナート二水和物などが挙げられる。鉄（Ｆｅ）を含む有機金属化合物としては、例えば酢酸鉄などが挙げられる。マグネシウム（Ｍｇ）を含む有機金属化合物としては、例えば酢酸マグネシウムなどが挙げられる。ニオブ（Ｎｂ）を含む有機金属化合物としては、例えばニオブエトキシドなどが挙げられる。なお、圧電材料の構成金属を含む有機金属化合物としては、これらに限定されるわけではない。

前駆体溶液には、必要に応じて安定化剤等の各種添加剤を添加することができる。前駆体溶液に加水分解・重縮合を起こさせる場合には、前駆体溶液に適当な量の水とともに、触媒として酸または塩基を添加することができる。前駆体溶液への添加剤としては、例えば、ジエタノールアミン、酢酸などを挙げることができる。

スピンコートにおけるスピンの回転数は、例えば、初期では５００ｒｐｍ程度とし、続いて塗布ムラが起こらないように回転数を２０００ｒｐｍ程度に上げることができる。

次に、大気雰囲気下でホットプレート等を用い、前駆体溶液に用いた溶媒の沸点よりも例えば１０℃程度高い温度で熱処理を行う（乾燥熱処理工程）。

次に、前駆体溶液に用いた有機金属化合物の配位子を分解、除去すべく、大気雰囲気下でホットプレート等を用い、例えば３００℃〜４００℃程度で熱処理を行う（脱脂熱処理工程）。

なお、上述した前駆体溶液塗布工程、乾燥熱処理工程、脱脂熱処理工程の一連の工程を所望の膜厚に応じて適宜回数繰り返すことができる。

次に、結晶化アニール、即ち結晶化のための焼成工程を行うことで圧電体層６を得る。結晶化アニールは、例えば、ＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）等により、酸素雰囲気中にて、５５０℃〜６５０℃程度で行われることができる。

なお、圧電体層６は、ゾルゲル法やＭＯＤ法の液相法のみならず、例えば、レーザアブレーション法やスパッタ法等の気相法などを用いて形成されることもできる。

（Ｄ）次に、圧電体層６上に上部電極７を形成する。上部電極７は、例えば、スパッタ法、スピンコート法、化学気相成長（ＣＶＤ）法、レーザアブレーション法などにより形成されることができる。

（Ｅ）次に、必要に応じて、ポストアニールを行うことができる。これにより、圧電体層６と上下電極との良好な界面を形成することができ、かつ、圧電体層６の結晶性を改善することができる。ポストアニールは、例えば、ＲＴＡ等により、酸素雰囲気中にて行われることができる。

（Ｆ）次に、必要に応じて、各部材をエッチングによりパターニングして、例えば、柱状部５０やキャビティ２０などを形成することができる。

以上の工程によって、本実施形態に係る第１の圧電素子１００を製造することができる。

２．３． 本実施形態に係る第１の圧電素子１００では、圧電体層６は、上述した圧電材料からなる。この圧電材料は、上述したように、鉛フリーでありながら、良好な圧電特性を有することができる。従って、本実施形態によれば、環境に優しく、圧電特性に優れた圧電素子を提供することができる。

２．４． 次に、実験例について説明する。

以下の方法によって、本実施形態に係る第１の圧電素子１００の実験サンプルを得た。

まず、（１１０）配向のシリコン基板（基体２）上に、ＳｉＯ_２膜を５００ｎｍ、ＺｒＯ_２膜を５００ｎｍの膜厚で積層して弾性層３を得た。ＳｉＯ_２膜を熱酸化法によって形成し、ＺｒＯ_２膜をスパッタ法によって形成した。次に、スパッタ法によって、ＺｒＯ_２膜上に、下部電極４として、Ｐｔ膜を２００ｎｍ、ＬａＮｉＯ_３膜を１００ｎｍの膜厚で順に積層した。Ｐｔ膜およびＬａＮｉＯ_３膜のスパッタリングの電力は、２００Ｗとした。得られたＬａＮｉＯ_３膜の配向は、擬立方晶の表示で（１００）に配向していることが確認された。

次に、ＬａＮｉＯ_３膜上に、上述した圧電材料からなる圧電体層６を形成した。本実験例では、圧電材料として、上述した一般式（１’）：
(Ｂｉ_１−ｘＬａ_ｘ)（Ｆｅ_１−ｙ（Ｍｇ_２／３Ｎｂ_１／３）_ｙ）Ｏ_３ ・・・（１’）
におけるｘを、０．１０に固定して、ｙを、０．０５から、０．０５ずつ、０．３５まで変化させたもの、および、ｙを、０．２０に固定して、ｘを、０．０５から、０．０５ずつ、０．３０まで変化させたものを用いた。

圧電体層６は、具体的には、以下のようにして得た。

まず、圧電材料の構成金属を含む有機金属化合物（ビスマスイソプロポキシド、ランタンアセチルアセトナート二水和物、酢酸鉄、酢酸マグネシウム、ニオブエトキシド）の試薬をそれぞれ用意した。次に、所望の圧電材料の組成に対応したモル比となるようにこれらを混合するとともに、これらをブチルセロソルブに溶解（分散）させた。さらに、この溶液の安定化剤としてジエタノールアミンを添加した。このようにして上述した圧電材料の前駆体溶液を調整した。

次に、この前駆体溶液をスピンコート法によって下部電極４上に塗布した（前駆体溶液塗布工程）。次に、溶媒の沸点（ブチルセロソルブの場合、１７０℃程度）より約１０℃高い温度で熱処理（乾燥）して溶媒を除去しゲル化させた（乾燥熱処理工程）。次に、さらに４００℃程度に加熱することで膜中に残存している溶媒以外の有機成分を分解／除去し（脱脂熱処理工程）、膜厚１００ｎｍのアモルファス膜を形成した。以上の工程を５回繰り返して行った。次に、ＲＴＡにより酸素雰囲気中にて、６００℃で１分間加熱し、結晶化を行うことで、膜厚５００ｎｍの圧電体層６を形成した。

得られた圧電体層６を構成する圧電材料の結晶構造は、ペロブスカイト型構造であって、ロンボヘドラル構造またはモノクリニック構造であることが確認された。該圧電材料の分極方向は、擬立方晶の表示で［１１１］方向であることが確認された。該圧電材料は、擬立方晶の表示で（１００）に配向していることが確認された。該圧電材料の結晶構造、分極方向、および配向の同定には、Ｘ線θ−２θ測定およびラマン散乱を用いた。

また、得られた圧電体層６を構成する圧電材料のｘおよびｙは、各実験サンプルにおいて、所望の値となっていることを、ＸＰＳ（X-ray Photoelectron Spectroscopy）法によって確認した。

次に、スパッタ法によって、圧電体層６上に、上部電極７として、膜厚２００ｎｍのＰｔ膜を形成した。

以上のようにして圧電素子１００の各実験サンプルを得た。これらの実験サンプルの圧電体層６に対して、上下電極から１００ｋＶ／ｃｍの電界を印加したときの圧電材料の格子のひずみ量を表１および表２に示す。なお、表１は、ｘの変化に対する格子のひずみ量を示しており、表２は、ｙの変化に対する格子のひずみ量を示している。格子のひずみ量は、電界Ｘ線によるθ−２θ測定から求めた。

表１に示すように、Ｌａ組成ｘが０．０５〜０．２０の実験サンプルでは、格子のひずみ量は、０．１６％以上であり、良好な圧電特性が確認された。なお、参考例として、ｘが０（ゼロ）の場合の実験サンプルも作製したが、この場合の格子のひずみ量は、表１に示すように、０．０５％であった。

また、表２に示すように、ＭｇおよびＮｂの組成ｙが０．０５〜０．３０の実験サンプルでは、格子のひずみ量は、０．１７％以上であり、良好な圧電特性が確認された。なお、参考例として、ｙが０（ゼロ）の場合の実験サンプルも作製したが、この場合の格子のひずみ量は、表２に示すように、０．１５％であった。

以上の実験結果から、本実施形態に係る圧電材料が良好な圧電特性を有することが確認された。

３．１． 次に、本実施形態に係る第２の圧電素子２００について説明する。図２は、本実施形態に係る圧電材料からなる圧電体層６を有する第２の圧電素子２００の一例を模式的に示す断面図である。なお、上述した第１の圧電素子１００と同一の部材については、同一の符合を付し、その詳細な説明を省略する。

圧電素子２００は、基体２と、基体２の上方に形成され、上述した圧電材料からなる圧電体層６と、圧電体層６上に形成された第１電極４０と、圧電体層６上に形成された第２電極７０と、を含む。圧電素子２００は、基体２上に形成されたバッファ層３０を有することができる。圧電体層６は、このバッファ層３０上に形成されていることができる。

バッファ層３０は、圧電体層６の結晶配向性を制御する機能を有することができる。なお、例えば基体２にこの機能がある場合などに、バッファ層３０を設けないこともできる。バッファ層３０は、例えば、ペロブスカイト型構造を有し、擬立方晶の表示で（１００）または（１１０）に配向している酸化物からなることが望ましい。これにより、バッファ層３０の結晶構造および配向を引き継いで、バッファ層３０の上に、ペロブスカイト型構造を有し、擬立方晶の表示で（１００）または（１１０）に配向している圧電材料からなる圧電体層６を容易に得ることができる。バッファ層３０を構成する酸化物としては、例えば、ＬａＮｉＯ_３、ＳｒＲｕＯ_３などを挙げることができる。

第１電極４０および第２電極７０は、圧電体層６に電圧を印加するための電極である。第１電極４０および第２電極７０としては、例えば、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、酸化イリジウム（ＩｒＯｘ）、ペロブスカイト型構造の導電性酸化物（例えばＬａＮｉＯ_３、ＳｒＲｕＯ_３等）などの単層、あるいは、これらの積層体を用いることができ、特に限定されない。第１電極４０および第２電極７０の膜厚は、例えば１００ｎｍ〜２００ｎｍである。

３．２． 次に、本実施形態に係る第２の圧電素子２００の製造方法について図２を参照しながら説明する。

（Ａ）まず、基体２上にバッファ層３０を形成する。バッファ層３０は、例えば、スパッタ法、スピンコート法、ＣＶＤ法、レーザアブレーション法などにより形成されることができる。

（Ｂ）次に、バッファ層３０上に圧電体層６を形成する。本工程は、上述した第１の圧電素子１００の一製造工程と同様であるので、詳細な説明を省略する。

（Ｃ）次に、圧電体層６上に、第１電極４０および第２電極７０を形成する。第１電極４０および第２電極７０は、例えば、スパッタ法、スピンコート法、ＣＶＤ法、レーザアブレーション法などにより形成されることができる。第１電極４０および第２電極７０は、公知の方法によりパターニングされることができる。

（Ｄ）次に、必要に応じて、ポストアニールを行うことができる。本工程は、上述した第１の圧電素子１００の一製造工程と同様であるので、詳細な説明を省略する。

以上の工程によって、本実施形態に係る第２の圧電素子２００を製造することができる。

３．３． 本実施形態に係る第２の圧電素子２００は、第１の圧電素子１００と同様に、環境に優しく、優れた圧電特性を有することができる。

４． 上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。

例えば、上述した本発明の実施形態に係る圧電素子は、例えば、インクジェットプリンタ等に用いられるインクジェット式記録ヘッド、アクチュエータ、ジャイロセンサ、ＦＢＡＲ（film bulk acoustic resonator）型やＳＭＲ（solid mounted resonator）型等のＢＡＷ（bulk acoustic wave）フィルタ、ＳＡＷ（surface acoustic wave）フィルタ、超音波モータなどに適用されることができる。本発明の実施形態に係る圧電素子は、圧電特性に優れており、各種の用途に好適に適用できる。

本実施形態に係る第１の圧電素子を示す断面図。 本実施形態に係る第２の圧電素子を示す断面図。

符号の説明

２ 基体、３ 弾性層、４ 下部電極、６ 圧電体層、７ 上部電極、２０ キャビティ、３０ バッファ層、４０ 第１電極、５０ 柱状部、７０ 第２電極、１００ 第１の圧電素子，２００ 第２の圧電素子

Claims (9)

1. 下部電極と、
   前記下部電極の上方に形成され、下記一般式（１）で表される圧電材料からなる圧電体層と、
   前記圧電体層の上方に形成された上部電極と、を有する圧電素子を備えた、インクジェット式記録ヘッド。
   （Ｂｉ_１−ｘＬａ_ｘ）（Ｆｅ_１−ｙ（Ｍｇ_２／３Ｎｂ_１／３）_ｙ）Ｏ_３ ・・・（１）
   但し、０＜ｘ＜１であり、０＜ｙ＜１である。
2. 請求項１において、
   ０＜ｘ≦０．２０であり、０＜ｙ≦０．３０である、インクジェット式記録ヘッド。
3. 下部電極と、
   前記下部電極の上方に形成され、Ｂｉ、Ｌａ、Ｆｅ、ＭｇおよびＮｂを構成金属として含む圧電体層と、
   前記圧電体層の上方に形成された上部電極と、を有する圧電素子を備え、
   前記圧電体層のペロブスカイト型構造のＡサイトにおけるＬａの組成ｘが０＜ｘ≦０．２０であり、
   前記圧電体層のペロブスカイト型構造のＢサイトにおけるＭｇおよびＮｂの組成ｙが０＜ｙ≦０．３０である、インクジェット式記録ヘッド。
4. 請求項１乃至３のいずれかにおいて、
   前記圧電体層の膜厚は２００ｎｍ〜１．５μｍである、インクジェット式記録ヘッド。
5. 請求項１乃至４のいずれかにおいて、
   前記圧電材料は、擬立方晶の表示で（１００）に配向している、インクジェット式記録ヘッド。
6. 請求項１乃至５のいずれかにおいて、
   前記圧電材料は、擬立方晶の表示で（１１０）に配向している、インクジェット式記録ヘッド。
7. 請求項１乃至６のいずれかにおいて、
   前記圧電材料は、ロンボヘドラル構造を有する、インクジェット式記録ヘッド。
8. 請求項１乃至７のいずれかにおいて、
   前記圧電材料は、モノクリニック構造を有する、インクジェット式記録ヘッド。
9. 請求項１乃至８のいずれかに記載のインクジェット式記録ヘッドを備える、インクジェットプリンタ。

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