JP4265073B2 - FeSi2の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、FeSi2の新規な製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
英国サリー大学のHomewood等がベータ鉄シリサイド(FeSi2)からなる発光素子を発表したことから、近年、鉄シリサイドが大きな関心を集めている。また、この鉄シリサイドを形成するFe及びSiは、地球に豊富に存在すると共に毒性の少ない環境にやさしい物質であることから、鉄シリサイドは環境型半導体としても大きな注目を集めている。
【0003】
そして、このような鉄シリサイドの製造方法としては、イオン注入法、分子線エピタキシャル法(MBE)、熱反応堆積法(RDE)、焼結法、及び、有機金属気相成長法(MOVPE)等が各研究機関から報告されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の鉄シリサイドの各製造方法には、次のような問題があった。すなわち、有機金属気相成長法以外の物理的製法には、Fe及びSi量を制御し難い等の理由により、量産性が悪いという問題がある。一方、有機金属気相成長法は、量産には適しているが、炭素化合物からなるフェロセン等の鉄化合物を使用するためSiC等の不純物が発生し易い。この不純物が鉄シリサイド中に取り込まれると、炭素汚染を招くことになる。
【0005】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、炭素汚染を防止できると共に量産性に優れたFeSi2の製造方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明のFeSi2の製造方法は、表面にSiCコーティングを施した炭素製の筒が導入された反応管の内部にて、Feのハロゲン化物とSiのハロゲン化物又は水素化物とを反応させて、種結晶上にFeSi2を気相エピタキシャル成長させることを特徴とする。
【0007】
本発明に係るFeSi2の製造方法では、FeSi2を気相エピタキシャル成長により形成するため、量産性に優れている。また、原料には、炭素を含まないFeのハロゲン化物とSiのハロゲン化物又は水素化物を用いるため、炭素汚染を防止することができる。
【0008】
また、本発明のFeSi2の製造方法において、Feのハロゲン化物は、反応管の内部に設置されたボートに収容されたFeCl3であり、Siのハロゲン化物又は水素化物は、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、又はSiH4であることが好ましい。
【0009】
さらに、Siのハロゲン化物としてSiH2Cl2を使用する場合において、成長温度を600℃〜900℃とし、Feのハロゲン化物の供給分圧を1×10-5atm〜1×10-2atmとすることが好ましい。
【0010】
成長温度を600℃以上にすることで良好なFeSi2単結晶を得ることができ、成長温度を900℃以下にすることで、ベータ型FeSi2が成長し、発光素子材料として使用することができる。また、Feのハロゲン化物の供給分圧を1×10-5atm以上にすることで、成長速度を大きくすることができ、1×10-2atm以下にすることで、成長速度が速すぎることによるFeSi2の多結晶化を防止することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明に係るFeSi2の製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。尚、同一要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省略する。
【0012】
図1は、FeSi2を気相エピタキシャル成長させるための気相成長装置1を示す図である。この気相成長装置1は、石英製の横型の反応管2とこの反応管2を取り巻くように配されたヒータ3と、を備えている。反応管2の内部には、上方にFeSi2膜30を気相エピタキシャル成長させるための種結晶としてのSi基板10、及び、FeSi2の原材料の一つであるFeCl3を収容する塩化鉄ボート20が設置されている。Si基板10は、ヒータ3により、600℃〜950℃の範囲で加熱される。また、反応管2には、FeSi2の他のもう一つの原材料であるSiH2Cl2を導入するための原料導入管4が設けられている。さらに、反応管2の内部には、石英からのSi汚染を防止するために、表面にSiCコーティングを施した炭素製の筒7が導入されている。
【0013】
FeCl3及びSiH2Cl2のキャリアガスとしては、それぞれ別系統のアルゴンガスを使用する。SiH2Cl2を輸送するためのアルゴンガスは、SiH2Cl2と共に原料導入管4より反応管2内へ導入し、FeCl3を輸送するためのアルゴンガスは、原料導入管4の下方に位置するアルゴンガス導入管5より反応管2内へ導入する。また、アルゴンガスの他に、水素ガスが原料導入管4の上方に位置する水素ガス導入管6を介して反応管2内へ導入される。
【0014】
次に、図2及び図3を参照して、鉄シリサイド(FeSi2)の気相エピタキシャル成長が実現可能であることを熱平衡解析法を用いて説明する。以下の解析結果は、本発明者らの鋭意研究により求められたものである。
【0015】
FeSi2の原料としては、Feのハロゲン化物である塩化鉄(FeCl3)及びSiのハロゲン化物であるジクロロシラン(SiH2Cl2)を用いた。反応管内に導入するガス種は、FeCl3、SiH2Cl2、H2、及び不活性ガスである。高温のSi基板10の近傍に存在するガス種としては、FeCl3、FeCl2、SiCl4、SiH2Cl2、SiHCl3、HCl、H2、及び不活性ガス(IG)の8種を考慮した。FeSi2は下記の式(1)〜(4)で示される反応により形成される。
【0016】
FeCl3(g)+2SiH2Cl2(g)+3/2H2(g)=FeSi2(s)+7HCl(g) :平衡定数K1 …式(1)
SiH2Cl2(g)+HCl(g)=SiHCl3(g)+H2(g) :平衡定数K2 …式(2)
SiHCl3(g)+HCl(g)=SiCl4(g)+H2(g) :平衡定数K3 …式(3)
FeCl3(g)+1/2H2(g)= FeCl2(g)+HCl(g) :平衡定数K4 …式(4)
そして、これらの反応式における平衡定数は以下のようになる。
K1=P7 HCl/(PFeCl3・P2 SiH2Cl2・P 3/2 H2)
K2=PSiHCl3・PH2/(PSiH2Cl2・PHCl)
K3=PSiCl4・PH2/(PSiHCl3・PHCl)
K4=PFeCl2・PHCl/(PFeCl3・P1/2 H2)
また、系の束縛条件は、
PFeCl3+PFeCl2+PSiH2Cl2+PSiHCl3+PSiCl4+PH2+PHCl+PIG=1 …式(5)
となる。
【0017】
水素に対する塩素の比率Aは、以下のように示される。
A=(3/2PFeCl3+PFeCl2+PSiH2Cl2+3/2PSiHCl3+2PSiCl4+1/2PHCl)/(PH2+1/2PHCl+1/2PSiHCl3+PSiH2Cl2) …式(6)
また、キャリアガス中の水素比率Fは、以下のように示される。
F=(PH2+1/2PHCl+1/2PSiHCl3+PSiH2Cl2)/(PH2+1/2PHCl+PSiH2Cl2+1/2PSiHCl3+PIG) …式(7)
そして、FeSi2生成反応のストイキオメトリを考慮すると、以下の式が示される。
P0 SiH2Cl2 -(PSiHCl3+PSiCl4+PSiH2Cl2)=2(P0 FeCl3-(PFeCl2+PFeCl3)) …式(8)
なお、P0 FeCl3及びP0 SiH2Cl2は、それぞれFeCl3とSiH2Cl2の供給分圧である。
【0018】
以上の式(1)〜(8)より連立方程式を解き、8つのガス種の平衡分圧を求めると図2のグラフが求まる。このグラフは、反応部における8つのガス種の平衡分圧の温度依存性を示している。なお、P0 FeCl3=1×10-3atm、R=P0 SiH2Cl2 /(P0 FeCl3- P0 SiH2Cl2)=2/3、F=1.0である。
【0019】
グラフ中の△PFeSi2は、FeSi2結晶の析出の度合いを示すものであり、求められた平衡分圧と原料ガスの分圧とを用いて算出した。これは、高温のSi基板10の近傍では各ガス種は平衡分圧になるが、原料ガスの供給分圧は供給パスを別々にすることで平衡分圧以上になっていることから、平衡分圧と原料ガスの供給分圧との差の分だけSi基板10の近傍で気相中に存在することができず、FeSi2が結晶として析出することを考慮したためである。具体的には、Feを含むガス種について、その平衡分圧を供給分圧(P0 FeCl3)から差し引き、
△PFeSi2=P0 FeCl3-(PFeCl3+PFeCl2)
として評価した。
【0020】
上述のように、P0 FeCl3を1×10-3atmとしているが、FeCl3及びFeCl2の平衡分圧が小さいため、算出された△PFeSi2はほぼ1×10-3atmとなっており、供給した原料の大半をFeSi2結晶として析出させることができることが判明した。また、図2に示すように、反応部を高温にするに連れて△PFeSi2が増加していることから、高温ほど成長速度が増加することが分かる。さらに、同図より、成長温度が600℃以上900℃以下の範囲で、FeSi2膜の気相エピタキシャル成長が可能であることが分かった。また、成長温度は、600℃以上900℃以下の範囲にすることが好ましい。これは、成長温度600℃未満では良好な単結晶を得ることができず、一方、成長温度を900℃よりも高くすると、アルファ型FeSi2が成長し、発光素子材料として使えないためである。
【0021】
図3は、FeCl3の供給分圧と△PFeSi2との関係を示すグラフである。また、このグラフは、Si基板10近傍の温度を600℃、700℃、800℃、及び900℃と変化させた場合の結果を示している。このグラフより、FeCl3の供給分圧を増加させるとFeSi2結晶の析出の度合い(成長速度)が増加することが分かる。また、原料供給分圧の比較的高い領域で、FeSi2の成長速度が反応部の温度に依存することが分かる。このような領域では、低温(図では600℃)にすると成長速度が遅くなっている。また、FeCl3の供給分圧は、1×10-5atm〜1×10-2atmの範囲にすることが好ましい。これは、供給分圧をこの範囲の下限よりも小さくすると、成長速度が低下するため工業的に実用面に問題があり、この範囲の上限よりも大きくすると、成長速度が速すぎてFeSi2が多結晶化してしまうからである。
【0022】
以上のように、本発明者らの解析によって、FeSi2の気相エピタキシャル成長が実現可能であることが見出された。そして、図1の気相成長装置1によって、FeSi2のエピタキシャル成長を実際に行った。成長過程の詳細は、以下の通りである。まず、Si基板10近傍の温度を600℃〜900℃の範囲で変化させながら、キャリアガスであるアルゴンガスによって、FeCl3及びSiH2Cl2をSi基板10の近傍まで輸送した。そして、FeCl3及びSiH2Cl2がSi基板10近傍まで輸送された際に、水素ガスによってこれらが還元されてFe及びSiが発生し、種結晶であるSi基板10上にFeSi2膜30がエピタキシャル成長した。なお、FeCl3の供給分圧を1×10-5atm〜1×10-2atmの範囲で種々変更し、Si基板10の近傍における成長温度を、400℃、500℃、600℃、700℃、800℃、900℃と変更して、複数の実験を行った。
【0023】
その結果、成長温度が600℃付近で、供給分圧が1×10-4atmという条件下で、結晶品質の良好なベータ型FeSi2膜をSi基板10上に成長させることができた。また、得られたFeSi2膜は、SIMS分析からも炭素の汚染量は1017/cm3以下となっており、有機金属気相成長法と比較して炭素汚染が著しく低減されていることが判明した。さらに、成長速度も700℃で2μm/hと有機金属気相成長法(0.4μm/h)と比較して非常に速く、量産性に優れ、工業的に有望な成長法であることが分かった。
【0024】
また、別の実験により、Si原料であるSiの水素化物又はハロゲン化物としてSiH4、SiHCl3、SiCl4を使用し、Fe原料であるFeのハロゲン化物としてFeCl2を使用した場合でも、FeSi2をエピタキシャル成長可能であることが判明した。なお、Si原料としてSiH4を使用する場合は、種結晶であるSi基板の近傍を900℃以上にすることが必要であり、SiHCl3又はSiCl4を使用する場合は、800℃以上にする必要があることが分かった。
【0025】
以上、本発明者らによってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。
【0026】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係るFeSi2の製造方法によれば、FeSi2を気相エピタキシャル成長により形成するため、量産性に優れている。また、原料には、炭素を含まないFeのハロゲン化物とSiのハロゲン化物又は水素化物を用いるため、炭素汚染を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のFeSi2の製造方法を実現するための気相成長装置を示す断面図である。
【図2】温度と反応管内に存在するガス種の平衡分圧との関係を示すグラフである。
【図3】FeCl3の供給分圧と△PFeSi2との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
1…気相成長装置、2…反応管、3…ヒータ、4…原料導入管、5…アルゴンガス導入管、6…水素ガス導入管、10…Si基板(種結晶)、20…塩化鉄ボート。
Claims (3)
- 表面にSiCコーティングを施した炭素製の筒が導入された反応管の内部にて、Feのハロゲン化物とSiのハロゲン化物又は水素化物を反応させて、種結晶上にFeSi2を気相エピタキシャル成長させることを特徴とするFeSi2の製造方法。
- 前記Feのハロゲン化物は、前記反応管の内部に設置されたボートに収容されたFeCl3であり、
前記Siのハロゲン化物又は水素化物は、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、又はSiH4であることを特徴とする請求項1記載のFeSi2の製造方法。 - 前記Siのハロゲン化物としてSiH2Cl2を使用する場合において、成長温度を600℃〜900℃とし、前記Feのハロゲン化物の供給分圧を1×10−5atm〜1×10−2atmとすることを特徴とする請求項2記載のFeSi2の製造方法。
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