JP6491484B2 - シリコン化学蒸気輸送による炭化シリコン結晶成長 - Google Patents
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Description
図2を参照すると、グラファイト製坩堝21は、以下の寸法を有して準備される。すなわち、直径は、望ましくは、100から200mm、高さは、望ましくは、150から250mm、壁厚は、望ましくは、8から16mmである。坩堝21は、ガス入口23a、23b、1つまたは複数のガス出口24、および蓋22を備える。多孔グラファイト製支持板25は、複数の貫通孔25aを有し、例えば、坩堝21の中間部分の辺りで、蓋22と坩堝21の底29との間に配置される。
矢印48として示される、生成されたSi蒸気は、ガス入口23aおよび23bに導入されるプロセスガスの流れによって上方に輸送され、有孔のグラファイト製支持板25に作られた貫通孔25aを通る。
Claims (18)
- シリコンを用いる化学蒸気輸送によるSiC結晶成長のための方法であって、
(a)隙間を空けて位置づけられる炭化シリコン種結晶と固体炭素原料とを含むSiC成長システムを提供するステップと、
(b)前記SiC成長システムを加熱し、前記SiC成長システムに、ガス状ハロシランおよび還元ガスを導入するステップであって、前記ガス状ハロシランおよび前記還元ガスは、前記SiC成長システム内で反応して、元素シリコン蒸気を生成するステップと、
(c)ステップ(b)の前記元素シリコン蒸気をステップ(a)の前記固体炭素原料と反応させて、シリコンベアリングおよび炭素ベアリング蒸気を生成するステップと、
(d)ステップ(c)の前記シリコンベアリングおよび炭素ベアリング蒸気をステップ(a)の前記SiC種に輸送するステップと、
(e)ステップ(c)の前記シリコンベアリングおよび炭素ベアリング蒸気をステップ(a)の前記SiC種上に析出して、前記炭化シリコン単結晶を成長させるステップと、
を備え、
前記固体炭素原料は、
0.5mmから6mmの平均粒度、および、
0.4g/cm3から1.0g/cm3の密度、および、
200m2/gから2000m2/gの表面積、
の少なくともいずれか1つを有するペレット、球、および粒子、のうちの1つ以上の形態の多孔質炭素を含む、方法。 - 前記ハロシランガスおよび前記還元ガスは、前記SiC成長システムに、別々に導入される、請求項1に記載の方法。
- ステップ(b)の前記ガス状ハロシランおよび前記還元ガスの反応は、炭化シリコン種結晶の反対側の前記固体炭素原料の側に存在する反応域で生じる、請求項1に記載の方法。
- 前記SiC成長システムは、前記炭化シリコン種結晶は、前記固体炭素原料よりも低い温度である温度勾配を形成するよう加熱される、請求項1に記載の方法。
- 前記SiC成長システムは、成長用坩堝を含み、
前記固体炭素原料のすべては、前記成長用坩堝の端間に隙間を空けて位置づけられ、
前記炭化シリコン種結晶は、前記成長用坩堝の一端に位置づけられる、
請求項1に記載の方法。 - 前記成長用坩堝は、前記ガス状ハロシランおよび前記還元ガスを、前記炭化シリコン種結晶と反対側の前記成長用坩堝の端に導入するための1つまたは複数のガス入口を含み、
前記成長用坩堝は、1つまたは複数のガス出口を含む、
請求項5に記載の方法。 - ステップ(b、c、およびe)のガス状副生成物は、前記1つまたは複数のガス出口を介して、前記成長用坩堝を出る、請求項6に記載の方法。
- 前記成長用坩堝は、前記炭化シリコン種結晶の反対側の前記成長用坩堝の端に隙間を空けて配置された前記固体炭素原料のすべてを支持する多孔板を含み、
前記多孔板と前記炭化シリコン種結晶の反対側の前記成長用坩堝の前記端との間の前記空間は、ステップ(b)が生じる反応域を画定する、
請求項5に記載の方法。 - 前記炭化シリコン種結晶は、前記固体炭素原料よりも低い温度となる温度勾配を形成するように加熱が生じる、請求項8に記載の方法。
- 前記成長用坩堝および前記多孔板は、SiC結晶成長温度でSi蒸気による腐食に対して実質的に安定である材料から作られる、請求項8に記載の方法。
- 前記成長用坩堝および前記多孔板は、グラファイトから作られる、請求項10に記載の方法。
- 前記還元ガスは水素であり、または、
前記ハロシランガスはSiCl4であり、または、
前記還元ガスは水素であり且つ前記ハロシランガスはSiCl4である、
請求項1に記載の方法。 - 前記炭化シリコン種結晶は、4H、6H、または3Cポリタイプである、請求項1に記載の方法。
- 窒素含有ガスを前記SiC成長システムに導入して、n型炭化シリコン単結晶を成長させるステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- ガス状アルミニウム前駆体を前記SiC成長システムに導入して、p型炭化シリコン単結晶を成長させるステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- ガス状バナジウム前駆体を前記SiC成長システムに導入して、バナジウムドープ、半絶縁性炭化シリコン単結晶を成長させるステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記固体炭素原料は、
0.5mmから6mmの平均粒度と、
0.4g/cm3から1.0g/cm3の密度と、
200m2/gから2000m2/gの表面積と、
を有する前記ペレット、前記球、および前記粒子、のうちの1つ以上の形態の前記多孔質炭素を含む、請求項1に記載の方法。 - ステップ(b)の前記ガス状ハロシランおよび前記還元ガスは、前記SiC成長システム内のガス反応で反応して、前記元素シリコン蒸気を生成する、請求項1に記載の方法。
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