JP4195994B2

JP4195994B2 - 回路板の製造方法及び回路板

Info

Publication number: JP4195994B2
Application number: JP2003331441A
Authority: JP
Inventors: 正英武藤; 良幸内野々
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 2003-09-24
Filing date: 2003-09-24
Publication date: 2008-12-17
Anticipated expiration: 2023-09-24
Also published as: JP2005101164A

Description

本発明は、複数個の回路単位を絶縁性基板の表面に形成した後、前記絶縁性基板を、前記各回路単位を有する分割個片に分割することによって得られる回路板の製造方法及びこの製造方法により製造した回路板に関するものである。

複数個の回路単位を絶縁性基板の表面に形成した後、この絶縁性基板を、前記各回路単位を有する分割個片に分割することによって回路板を製造するに際しては、例えば、特許第３１５３６８２号明細書に開示されている回路板の製造方法等がかかる用途に適用可能である。すなわち、前記複数個の回路単位は、一括して、同時に電気めっきを施す必要があるため、その形成の段階では、前記複数個の回路単位が、隣接する該回路単位間を隔てる分割溝を跨ぐめっき給電のための導体部を介して相互に導通可能な構造を有しており、事後的に、前記各回路単位を有する分割個片に分割する際には、上記した分割溝を跨ぐ前記導体部を分断することが必要とされる。

しかしながら、この分割個片に分割する際に、前記導体部の分割溝に跨っている部分が障害となり、分割溝に沿ってスムーズに分割されず、各分割個片に欠けや割れが発生するという問題がある。また、回路形成した前記基板を回路板である分割個片に分割する際に、導電パターンが剥離するという不良が発生し、製品である回路板の歩留りが悪くなるという問題も生じる。

かかる問題に対処する方法としては、例えば、特開平１０−２２３９９３号公報に開示するように（図１０参照）、分割溝３を跨ぐ導体部１１において分割される部位（破断部位２０）で最も幅狭となるように形成し、分割溝３に沿って分割する回路板の製造方法等が提案されている。しかし、このような方法を採用したとしても、依然として、回路板を分割する際に、分割溝３を跨ぐ回路パターン１２である導体部１１が上記破断部位２０の近傍において剥離する不良を生じ、歩留りが低下するという問題を完全に解決するには至っていないのが実情である。
特許第３１５３６８２号公報特開平１０−２２３９９３号公報

本発明は、上記従背景技術に鑑みて発明されたものであり、その課題は、複数個の回路単位を絶縁性基板の表面に形成した後、前記絶縁性基板を、前記各回路単位を有する回路板である分割個片に歩留り良く分割し得る回路板の製造方法及びこの製造方法により製造した回路板を提供することである。

上記課題を解決するために、請求項１に係る発明の回路板の製造方法にあっては、相互に分割溝で隔てられた複数個の回路単位を絶縁性基板の表面に形成した後、前記絶縁性基板を、前記分割溝に沿って、前記各回路単位を有する回路板である分割個片に分割する回路板の製造方法において、前記複数個の回路単位が、隣接する前記回路単位間を隔てる前記分割溝を跨ぐめっき給電のための導体部を介して相互に導通可能な構造を有する一方、前記分割個片に分割する工程に先だって、前記導体部の全部または一部を除去する工程を有し、前記導体部は前記分割溝を跨ぐ橋梁部上面に形成されていて、前記導体部の全部または一部を除去する工程が切削加工により達成されることを特徴とするものである。なお、ここでいう基板とは、その形状が、板状で、その板状面上にのみ回路形成可能なもののみに限定されず、立体的形状の板状面以外の面上にも回路形成可能なものを含むものとする。

請求項２に係る発明の回路板の製造方法にあっては、請求項１記載の回路板の製造方法において、前記橋梁部上面が、前記分割溝を形成した面よりも、突出して形成されたことを特徴とするものである。

請求項３に係る発明の回路板の製造方法にあっては、請求項１または請求項２記載の回路板の製造方法において、前記分割溝を跨ぐめっき給電のための導体部の厚みを、回路パターンの他の部位よりも薄く形成したことを特徴とするものである。

請求項４に係る発明の回路板の製造方法にあっては、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の回路板の製造方法において、前記分割溝を前記絶縁性基板の相対する両側の表面に形成したことを特徴とするものである。

請求項５に係る発明の回路板の製造方法にあっては、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の回路板の製造方法において、前記絶縁性基板が、セラミック粉末を射出成形の後燒結した絶縁性基板であることを特徴とするものである。

請求項６に係る発明の回路板の製造方法にあっては、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の回路板の製造方法において、前記分割個片に分割する工程に先だって、前記分割溝に電磁波を照射してスクライブ加工を施すことを特徴とするものである。

請求項７に係る発明の回路板にあっては、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の回路板の製造方法により製造されたことを特徴とするものである。

請求項１に係る発明の回路板の製造方法にあっては、相互に分割溝で隔てられた複数個の回路単位を絶縁性基板の表面に形成した後、前記絶縁性基板を、前記分割溝に沿って、前記各回路単位を有する回路板である分割個片に分割する回路板の製造方法において、前記複数個の回路単位が、隣接する前記回路単位間を隔てる前記分割溝を跨ぐめっき給電のための導体部を介して相互に導通可能な構造を有する一方、前記分割個片に分割する工程に先だって、前記導体部の全部または一部を除去する工程を有することを特徴とするので、前記分割個片に分割する工程に際して、前記導体部の剥離が生じ難いという優れた効果を奏する。

更に、請求項１に係る発明の回路板の製造方法にあっては、前記導体部が前記分割溝を跨ぐ橋梁部上面に形成されていて、前記導体部の全部または一部を除去する工程が切削加工により達成されることを特徴とするので、前記発明の効果に加えて、導体部を除去する際に、前記分割溝近傍に必要以上の残留応力や加工痕を残すことがなく、前記分割個片に分割する工程においても、前記各回路単位を有する分割個片である回路板に割れや欠けが生じ難いという優れた効果を奏する。

請求項２に係る発明の回路板の製造方法にあっては、請求項１記載の回路板の製造方法において、前記橋梁部上面が、前記分割溝を形成した面よりも、突出して形成されたことを特徴とするので、請求項１記載の回路板の製造方法の発明の効果に加えて、前記分割溝を形成した面よりも、突出して形成された前記橋梁部上面に除去すべき導体部が形成されることとなり、切削加工が容易となり、結果的に生産性が向上するという優れた効果を奏する。

請求項３に係る発明の回路板の製造方法にあっては、請求項１または請求項２記載の回路板の製造方法において、前記分割溝を跨ぐめっき給電のための導体部の厚みを、回路パターンの他の部位よりも薄く形成したことを特徴とするので、請求項１または請求項２記載の回路板の製造方法の発明の効果に加えて、前記導体部を除去する工程における前記導体部の除去が容易となるという優れた効果を奏する。

請求項４に係る発明の回路板の製造方法にあっては、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の回路板の製造方法において、前記分割溝を前記絶縁性基板の相対する両側の表面に形成したことを特徴とするので、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の回路板の製造方法の発明の効果に加えて、分割個片に分割する工程における分割精度が向上し、結果的に生産性が向上するという優れた効果を奏する。

請求項５に係る発明の回路板の製造方法にあっては、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の回路板の製造方法において、前記絶縁性基板が、セラミック粉末を射出成形の後燒結した絶縁性基板であることを特徴とするので、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の回路板の製造方法の発明の効果に加えて、粉末燒結したセラミック製絶縁性基板の結晶方位がランダムとなるため、分割溝形成の際、セラミック製絶縁性基板の結晶方位を考慮した設計を行う必要がなく、回路板設計の自由度を向上せしめ得るという優れた効果を奏する。

請求項６に係る発明の回路板の製造方法にあっては、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の回路板の製造方法において、前記分割個片に分割する工程に先だって、前記分割溝に電磁波を照射してスクライブ加工を施すことを特徴とするので、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の回路板の製造方法の発明の効果に加えて、前記分割溝中にマイクロクラックが形成され、分割個片に分割する工程における分割が容易になり、分割精度が向上するため、結果的に生産性が向上するという優れた効果を奏する。

請求項７に係る発明の回路板にあっては、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の回路板の製造方法により製造されたことを特徴とするので、前記分割個片に分割する工程に際して、前記導体部の剥離が生じ難く、分割精度が向上するため、結果的に産性向上に寄与し得るという優れた効果を奏する。

以下、本発明の実施形態を図面に基づき説明する。なお、本発明の回路板の製造方法は、下記の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。

［第１の実施形態］
本実施形態の回路板の製造方法は、複数個の回路単位１である回路部１ａを絶縁性基板２の表面に形成した後、この絶縁性基板２を、隣接する回路部１ａの間を隔てる分割溝３に沿って、各回路単位１（回路部１ａ）を有する回路板４である分割個片５に分割する回路板の製造方法である。

図１は、本発明に係る回路板の製造方法の概略を模式的に示す図である。すなわち、先ず、個片分割を予定する分割ライン６上に分割溝３を形成した絶縁性基板２を準備する（図１（ａ））。分割溝３を形成する方法としては、先ず、絶縁性基板２を成形等の方法で所定の形状に形成した後に機械加工、レーザ加工等の方法で形成し得る。絶縁性基板２としては、例えば、ＰＰＡ（ポリフタルアミド）、ＬＣＰ（液晶ポリマ）等の樹脂材料が好適に使用可能であるが、アルミナ等のセラミックス基板とすることも可能である。

一方、絶縁性基板２の分割溝３は、金型による射出成形やプレス成形などの基板成形時に同時に形成してもよい。この場合は、後工程による分割溝３形成の必要がなく、製造工程が簡略化できる利点もある。また分割溝３の位置精度が向上し、製造する回路板の一層の小型化にも寄与し得ることとなる。

次に、絶縁性基板２の表面にめっき下地層となる導体膜７を被覆したシート基板８を形成する（図１（ｂ））。導体膜７は、真空蒸着やスパッタリング等の物理的蒸着法、或いは、無電解めっき法等によって形成することができる。例えば、銅スパッタリング法による場合、絶縁性基板２の表面全体に、導体膜７として、厚さ０．１〜３μｍ程度の銅薄膜を形成するのが適当である。

次に、このシート基板８において回路として必要な部分である回路部１ａと不必要な部分である非回路部９との境界領域１０に高エネルギーの電磁波１３等を照射してその領域１０の導体膜７を除去する（図１（ｃ））。使用可能な高エネルギーの電磁波としては、導体膜７の除去が可能なものであれば、特に制限は無いが、ＴＨＧ−ＹＡＧレーザやＳＨＧ−ＹＡＧレーザ等の導体膜７での吸収率の高い波長のものを用いることが好ましい。

次に、回路部１ａの導体抵抗を小さくするために、回路部１ａに電気めっきを施して厚膜化する（図１（ｄ））。めっきは、銅、ニッケル、金の順序で、順次行い、その全体としての膜厚はおよそ５〜５０μｍの範囲が好適である。このとき、回路単位１である回路部１ａは、隣接する回路部１ａ間を隔てる分割ライン６上の分割溝３を跨ぐめっき給電のための導体部１１を介して相互に導通可能な構造を有しており、最終的に、各回路部１ａは外部の給電部（図示せず）と接続されている。

次に、分割ライン６近傍の導体部１１の全部または一部、或いは、分割溝３を部分的に除去することとなる（図１（ｅ））。導体部１１或いは分割溝３は切削加工、具体的には、ダイシング加工や研削加工、あるいは周囲をマスキングしてブラスト加工する等して除去することができる（図２参照）。このように加工した絶縁性基板２を所定の回路単位１（回路部１ａ）を有する分割個片５（回路板４）に分割することにより所望の回路板４を製造することができる（図１（ｆ））。かかる個片分割方法としては、打ち抜き加工や曲げ破断等、公知の方法が適用できる。

かかる製造方法によって形成した回路板４は、個片分割前に予め分割ライン６上の導体部１１の全部または一部、或いは、絶縁性基板２の一部である分割溝３そのものを部分的に除去してあるので、分割時に導体部１１の剥離が生じ難い。

また、かかる導体部１１の全部または一部を除去する工程が、上記のように絶縁性基板２の一部である分割溝３そのものを部分的に除去する等、絶縁性基板２の一部をも除去することにより達成される場合には、分割個片５に分割する工程に際して、導体部１１の剥離がさらに生じ難い結果となる。さらに、絶縁性基板２の表面に分割溝３を設けているので、製品である回路板４の割れや欠けが発生し難い。その結果、回路板４の製造歩留りを向上させることができることとなる。

以上のように、本実施形態の回路板の製造方法では、相互に分割溝３で隔てられた複数個の回路単位１を絶縁性基板２の表面に形成した後、この絶縁性基板を、分割溝３に沿って、前記各回路単位１を有する回路板４である分割個片５に分割する回路板の製造方法において、かかる複数個の回路単位１が、隣接する回路単位１の間を隔てる分割溝３を跨ぐめっき給電のための導体部１１を介して相互に導通可能な構造を有する一方、分割個片５に分割する工程に先だって、前記導体部１１の全部または一部を除去する工程を有するので、分割個片５に分割する工程に際して、前記導体部１１の剥離が生じ難いこととなる。また、絶縁性基板２の表面に分割溝３を設けているので、各回路単位１を有する分割個片５である回路板４に割れや欠けが生じ難い。この結果、回路板の製造歩留りを向上させることができることとなる。
また、本実施形態の回路板の製造方法では、導体部１１の全部または一部を除去する工程が、絶縁性基板２の一部をも除去することにより達成される場合には、分割個片５に分割する工程に際して、導体部１１の剥離がさらに生じ難い結果となる。

さらに、かかる本実施形態の回路板の製造方法により製造された回路板４は、分割個片５に分割する工程に際して、前記導体部１１の剥離が生じ難く、分割精度が向上するため、結果的に生産性向上に寄与し得ることとなる。

［第２の実施形態］
本実施形態の回路板の製造方法は、基本的に上記第１の実施形態と同様であるが、絶縁性基板２としてセラミックス基板であるアルミナ基板を使用し、導体部１１の全部または一部を除去する工程が、電磁波１３を照射することにより達成されるというものである。

図３は、本実施形態に係る回路板の製造方法の概略を模式的に示すもので、（ａ）は、分割溝３に電磁波を照射している様子を示す断面図、（ｂ）は、電磁波照射後の様子を示す断面図である。すなわち、本実施形態においては、分割ライン６上の分割溝３を跨ぐめっき給電のための導体部１１に電磁波１３として、ＴＨＧ−ＹＡＧレーザを照射するというものである。ＴＨＧ−ＹＡＧレーザの照射エネルギーを０．１〜１ｍＪ／パルスにて走査スピード１〜１０ｍｍ／ｓで、必要に応じて複数回照射することにより、導体部１１及び絶縁性基板２の一部を除去することができる。この場合において、導体部１１或いは導体部１１を構成する金属成分等と絶縁性基板２とが一時的に溶融して凝固する過程において、両者の界面近傍にて中間化合物が形成され、これにより導体部１１或いは導体部１１を構成する金属成分等と絶縁性基板２とが融着して、融着部１４を形成する結果、両者の密着が一層強固となるというものである。すなわち、本実施形態においては、導体部１１が銅で、絶縁性基板２がアルミナであるので、両者の界面にアルミン酸銅（ＣｕＡｌ₂Ｏ₄）が形成される。これにより導体部１１或いは導体部１１を構成する金属成分等と絶縁性基板２が融着する結果、切断部の回路剥離が抑制できるというものである。

なお、本実施形態においては、絶縁性基板２としてアルミナ基板を使用したが、導体部１１と絶縁性基板２とが相互に融着し得る材質のものであれば同様の効果を得ることが可能であり、アルミナ基板のみに限定されない。

このように、本実施形態においては、導体部１１の全部または一部を除去する工程が、電磁波１３を照射することにより達成されるので、導体部１１と絶縁性基板２の材質を適切に選択することにより、除去された導体部１１或いは該導体部１１を構成する金属成分等と絶縁性基板２とを融着せしめ、導体部１１の剥離が一層生じ難くできることとなる。

［第３の実施形態］
本実施形態の回路板の製造方法は、基本的に上記第１の実施形態と同様であるが、図４に示すように絶縁性基板２において導体部１１が分割溝３を跨ぐ橋梁部１５の上面１６に形成されていて、導体部１１の全部または一部（及び橋梁部１５の一部）を除去する工程が切削加工により達成されるというものである。図４は、本実施形態に係る回路板の製造方法の概略を模式的に示すもので、（ａ）は、導体部１１の全部または一部を除去する工程前の分割溝３近傍を示す斜視図、（ｂ）は、導体部１１の全部または一部を切削加工により除去する工程後の分割溝３近傍を示す斜視図である。

すなわち、本実施形態においては、絶縁性基板２において、導体部１１と分割溝３の近傍のみ加工するため、すでに形成されている分割溝３近傍のそれ以外の部分は、導体部１１を除去する際にも、切削加工を受けないので、分割溝３の近傍に必要以上の残留応力や加工痕を残すことがなく、後に、個片分割する工程においても、各回路単位１を有する分割個片５である回路板４に割れや欠けが生じ難い結果となる。

このように、本実施形態においては、導体部１１が分割溝３を跨ぐ橋梁部１５の上面１６に形成されていて、導体部１１の全部または一部を除去する工程が切削加工により達成されるので、導体部１１を除去する際に、分割溝３の近傍に必要以上の残留応力や加工痕を残すことがなく、個片分割する工程においても、各回路単位１を有する分割個片５である回路板４に割れや欠けが生じ難いこととなる。

［第４の実施形態］
本実施形態の回路板の製造方法は、基本的に上記第３の実施形態と同様であるが、図５に示すように絶縁性基板２において橋梁部１５の上面１６が、分割溝３を形成した分割溝形成面１７よりも、突出して形成されているというものである。なお、ここでいう分割溝形成面１７とは、分割溝３を形成した、分割溝３近傍の絶縁性基板２の表面の一部を構成する平面または曲面をいうものとする。また、図５は、本実施形態に係る回路板の製造方法の概略を模式的に示すもので、（ａ）は、導体部１１の全部または一部を除去する工程前の分割溝３近傍を示す斜視図、（ｂ）は、導体部１１の全部または一部を切削加工により除去する工程後の分割溝３近傍を示す斜視図である。

すなわち、本実施形態においては、絶縁性基板２において橋梁部１５の上面１６が、分割溝３を形成した分割溝形成面１７よりも、突出して形成されている（図５（ａ）参照）ので、分割溝形成面１７よりも、突出して形成された橋梁部１５の上面１６に除去すべき導体部１１が形成されることとなり、切削加工が容易であるため、結果的に生産性が向上することとなる。

［第５の実施形態］
本実施形態の回路板の製造方法は、基本的に上記第１の実施形態と同様であるが、後述の図６（ｂ）に示すように絶縁性基板２において、分割溝３を跨ぐめっき給電のための導体部１１のめっき層の厚みが、回路パターン１２の他の部位よりも薄く形成されるというものである。ここで、図６は、本実施形態に係る回路板の製造方法の特徴点を模式的に示すもので、（ａ）は、めっき層形成中の導体部１１と分割溝３の近傍の様子を示す断面図、（ｂ）は、めっき層形成後の導体部１１と分割溝３の近傍の様子を示す断面図である。

すなわち、本実施形態においては、シート基板８の回路部１ａに電気めっきを施して厚膜化する工程（上記図１（ｄ）参照）において、図６（ａ）に示すように、めっき治具１８にて分割溝３及びその近傍を遮蔽してめっきするというものである。このようにすることにより、分割溝３及びその近傍の回路部１ａのめっき析出を抑制できるため、結果として、分割溝３を跨ぐめっき給電のための導体部１１のめっき層の厚みを、回路パターン１２の他の部位よりも薄く形成できることとなる（図６（ｂ）参照）。

この結果、後の導体部１１の全部または一部を除去する工程において、導体部１１の膜厚が小さいので、その除去が容易となり他の部位への影響を防止できることとなる。

このように、本実施形態においては、分割溝３を跨ぐめっき給電のための導体部１１の厚みを、回路単位１等を構成する回路パターン１２の他の部位よりも薄く形成しているので、導体部１１を除去する工程における導体部１１の除去が容易になるというものである。

［第６の実施形態］
本実施形態の回路板の製造方法は、基本的に上記第１の実施形態と同様であるが、後述の図７（ｃ）に示すように絶縁性基板２において、分割溝３を跨ぐめっき給電のための導体部１１のめっき層の厚みが、回路パターン１２の他の部位よりも薄く形成されるというものである。ここで、図７は、本実施形態に係る回路板の製造方法の特徴点を模式的に示すもので、（ａ）は、めっき層形成直前の導体部１１と分割溝３の近傍の様子を示す断面図、（ｂ）は、めっき層形成中の導体部１１と分割溝３の近傍の様子を示す断面図、（ｃ）は、めっき層形成後の導体部１１と分割溝３の近傍の様子を示す断面図である。

すなわち、本実施形態においては、シート基板８の回路部１ａに電気めっきを施して厚膜化する工程（上記図１（ｄ）参照）において、図７（ａ）に示すように、シート基板８の回路部１ａに電気めっきを施して厚膜化する前に、あらかじめ絶縁性基材２の分割溝３及びその近傍に形成した絶縁材よりなる遮蔽層１９で分割溝３及びその近傍を遮蔽してめっきするというものである。このようにして、分割溝３及びその近傍の回路部１ａのめっき析出を効果的に抑制して、めっき層を選択的に形成せしめることにより（図７（ｂ）参照）、結果として、分割溝３を跨ぐめっき給電のための導体部１１のめっき層の厚みを、回路パターン１２の他の部位よりも薄く形成できることとなる（図７（ｃ）参照）。絶縁材よりなる遮蔽層１９の形成方法としては、例えばエポキシ樹脂などをポッティングする方法、感光性樹脂を塗布する方法、絶縁性テープなどを貼り付ける方法等が例示可能である。これら絶縁材よりなる遮蔽層１９は、めっき層形成後に除去することができる。この結果、後の導体部１１の全部または一部を除去する工程において、導体部１１の膜厚が小さいので、その除去が容易となり他の部位への影響を防止できることとなる。

このように、本実施形態においても、上記第５の実施形態の場合と同様に、分割溝３を跨ぐめっき給電のための導体部１１の厚みを、回路単位１等を構成する回路パターン１２の他の部位よりも薄く形成しているので、導体部１１を除去する工程における導体部１１の除去が容易になるというものである。

［第７の実施形態］
本実施形態の回路板の製造方法は、基本的に上記第１の実施形態と同様であるが、図８に示すように、分割溝３を絶縁性基板２の相対する両側の表面に形成するという点に特徴を有するものである。また、本実施形態では、絶縁性基板２としてセラミックス粉末であるアルミナ粉末を粉末射出成形して焼結したものを用いている。

すなわち、本実施形態では、分割溝３を絶縁性基板２の相対する両側の表面に形成するというものである。この結果、後の分割個片に分割する工程における分割精度が向上し、結果的に生産性が向上することとなる。具体的には、絶縁性基板２が、例えば、図８に示すように略平板状のものである場合、分割個片に分割する工程における破断部位２０における絶縁性基板２の厚み（ｔ〔ｍｍ〕）が、絶縁性基板２の平坦部における厚み（Ｔ〔ｍｍ〕）の１／２以下であることが望ましい。

また、本実施形態では、絶縁性基板２としてセラミックス粉末であるアルミナ粉末を粉末射出成形して焼結したものを用いているので、粉末燒結したセラミック製絶縁性基板の結晶方位がランダムとなるため、分割溝３形成の際、セラミック製絶縁性基板の結晶方位を考慮した設計を行う必要がなく、回路板設計の自由度を向上せしめ得るという利点がある。

なお、シート基板８を形成する工程（上記図１（ｂ）参照）、回路部１ａと不必要な部分である非回路部９との境界領域１０に高エネルギーの電磁波１３等を照射してその領域１０の導体膜７を除去する工程（上記図１（ｃ）参照）、回路部１ａに電気めっきを施して厚膜化する工程（上記図１（ｄ）参照）。導体部１１の全部または一部または分割溝３を除去する工程（上記図１（ｅ）参照）、さらには、シート基板８を所定の回路単位１（回路部１ａ）を有する分割個片５（回路板４）に分割することにより所望の回路板４を製造する工程等については、上記第１の実施形態と同様に、実施し得ることはいうまでもない。

さらに、本実施形態では、絶縁性基板２としてアルミナ粉末を粉末射出成形して焼結したものを用いたが、窒化アルミニウム、ジルコニア等の他のセラミックス粉末を粉末射出成形して焼結したものを用いても同様な効果が得られることは、勿論であり、アルミナ粉末のみに限定されない。

また、かかる本実施形態の回路板の製造方法により製造された回路板４は、分割個片５に分割する工程に際して、前記導体部１１の剥離が生じ難く、分割精度が向上するため、結果的に生産性向上に寄与し得ることとなる。

［第８の実施形態］
本実施形態の回路板の製造方法は、上記第２の実施形態と同様に、絶縁性基板２としてセラミックス基板であるアルミナ基板を使用し、導体部１１の全部または一部を除去する工程を電磁波１３を照射することにより行うというものである。本実施形態においては、分割溝３に、さらに電磁波を照射してスクライブ加工を施すというものである。また、ここでは、分割溝３は、絶縁性基板２であるアルミナ基板の成形時に同時に形成されている。

図９は、本実施形態に係る回路板の製造方法の特徴点の概略を模式的に示すもので、（ａ）は、分割溝３に電磁波を照射してスクライブ加工を施している様子を示す断面図、（ｂ）は、かかる電磁波照射によるスクライブ加工の結果、分割溝３の最深部に深溝形状部２１及びマイクロクラック２２を形成せしめた様子を示す断面図である。

すなわち、本実施形態においては、シート基板８の分割工程前に、基板成形時に同時に形成した分割溝３にＴＨＧ−ＹＡＧレーザ、ＣＯ２レーザなどの電磁波を照射してスクライブ加工を施すことにより、分割溝３内部により深い溝（深溝形状部２１）が形成され、さらに、かかる電磁波照射を受けた部位にマイクロクラック２２が形成されるので、シート基板８を所定の回路単位１（回路部１ａ）を有する分割個片５（回路板４）に分割する個片分割工程において、より小さい荷重で精度の良い分割が実現できることとなる。

このように、本実施形態においては、前記分割個片に分割する工程に先だって、前記分割溝に電磁波を照射してスクライブ加工を施すことを特徴とするので、前記分割溝中にマイクロクラック２２が形成され、分割個片に分割する工程における分割が容易になり、分割精度が向上するため、結果的に生産性が向上することが可能となる。

なお、本実施形態においては、基板の成形と同時に形成した分割溝３にＴＨＧ−ＹＡＧレーザ、ＣＯ２レーザなどの電磁波を照射するようにしたが、分割溝３の形成のタイミングは、これに限定されず、基板の成形の後に形成した分割溝３でも同様に上記スクライブ加工は、適用可能である。また、本実施形態においては、上記第２の実施形態と同様に、絶縁性基板２としてセラミックス基板であるアルミナ基板を使用し、導体部１１の全部または一部を除去する工程を電磁波１３を照射することにより行うこととしたが、導体部１１の全部または一部を除去する工程において、例えば、導体部１１或いは分割溝３をダイシング加工や研削加工、或いは、ブラスト加工等の他の方法を併用して除去した後に、上記スクライブ加工を適用することも当然可能である。また、使用可能な絶縁性基板２は、アルミナ基板のみに限定されるものではなく、上記課題解決に寄与し得る限りにおいて、限定されない。

本発明に係る回路板の製造方法の概略を模式的に示すもので、（ａ）は、分割ライン６上に分割溝３を形成した絶縁性基板２を示す図、（ｂ）は、絶縁性基板２の表面に導体膜７を被覆したシート基板８を示す図、（ｃ）は、シート基板８の境界領域１０の導体膜７を除去する様子を示す図、（ｄ）は、回路部１ａに電気めっきを施して厚膜化した後の様子を示す図、（ｅ）は、導体部１１の全部または一部、或いは、分割溝３を部分的に除去した後の様子を示す図である。本発明の第１の実施形態に係る回路板の製造方法の概略を模式的に示すもので、（ａ）は、導体部１１の全部または一部を除去する工程前の分割溝３近傍を示す断面図、（ｂ）は、導体部１１の全部または一部を切削加工により除去する工程後の分割溝３近傍を示す断面図である。本発明の第２の実施形態に係る回路板の製造方法の概略を模式的に示すもので、（ａ）は、分割溝３に電磁波を照射している様子を示す断面図、（ｂ）は、電磁波照射後の様子を示す断面図である。本発明の第３の実施形態に係る回路板の製造方法の概略を模式的に示すもので、（ａ）は、導体部１１の全部または一部を除去する工程前の分割溝３近傍を示す斜視図、（ｂ）は、導体部１１の全部または一部を切削加工により除去する工程後の分割溝３近傍を示す斜視図である。本発明の第４の実施形態に係る回路板の製造方法の概略を模式的に示すもので、（ａ）は、導体部１１の全部または一部を除去する工程前の分割溝３近傍を示す斜視図、（ｂ）は、導体部１１の全部または一部を切削加工により除去する工程後の分割溝３近傍を示す斜視図である。本発明の第５の実施形態に係る回路板の製造方法の特徴点を模式的に示すもので、（ａ）は、めっき層形成中の導体部１１と分割溝３の近傍の様子を示す断面図、（ｂ）は、めっき層形成後の導体部１１と分割溝３の近傍の様子を示す断面図である。本発明の第６の実施形態に係る回路板の製造方法の特徴点を模式的に示すもので、（ａ）は、めっき層形成直前の導体部１１と分割溝３の近傍の様子を示す断面図、（ｂ）は、めっき層形成中の導体部１１と分割溝３の近傍の様子を示す断面図、（ｃ）は、めっき層形成後の導体部１１と分割溝３の近傍の様子を示す断面図である。本発明の第７の実施形態に係る回路板の製造方法において使用する絶縁性基板２の要部を示す断面図である。本発明の第８の実施形態に係る回路板の製造方法の特徴点の概略を模式的に示すもので、（ａ）は、分割溝３に電磁波を照射してスクライブ加工を施している様子を示す断面図、（ｂ）は、電磁波照射によるスクライブ加工の結果、分割溝３に深溝形状部２１及びマイクロクラック２２を形成せしめた様子を示す断面図である。従来例に係る回路板の製造方法の特徴点の概略を模式的に示すもので、（ａ）は、分割前の回路板における分割溝３の近傍を示す一部拡大平面図、（ｂ）は、（ａ）のＸ‐Ｘ直線を含む垂直面での断面図である。

符号の説明

１回路単位
１ａ回路部
２絶縁性基板
３分割溝（絶縁性基板２）
４回路板
５分割個片
６分割ライン（絶縁性基板２）
７導体膜
８シート基板
９非回路部
１０境界領域
１１導体部
１２回路パターン
１３電磁波
１４融着部（絶縁性基板２）
１５橋梁部（絶縁性基板２）
１６上面（橋梁部１５）
１７分割溝形成面（絶縁性基板２）
１８めっき治具
１９遮蔽層
２０破断部位（絶縁性基板２）
２１深溝形状部（分割溝３）
２２マイクロクラック（分割溝３）

Claims

相互に分割溝で隔てられた複数個の回路単位を絶縁性基板の表面に形成した後、前記絶縁性基板を、前記分割溝に沿って、前記各回路単位を有する回路板である分割個片に分割する回路板の製造方法において、前記複数個の回路単位が、隣接する前記回路単位間を隔てる前記分割溝を跨ぐめっき給電のための導体部を介して相互に導通可能な構造を有する一方、前記分割個片に分割する工程に先だって、前記導体部の全部または一部を除去する工程を有し、前記導体部は前記分割溝を跨ぐ橋梁部上面に形成されていて、前記導体部の全部または一部を除去する工程が切削加工により達成されることを特徴とする回路板の製造方法。
前記橋梁部上面が、前記分割溝を形成した面よりも、突出して形成されたことを特徴とする請求項１記載の回路板の製造方法。
前記分割溝を跨ぐめっき給電のための導体部の厚みを、回路パターンの他の部位よりも薄く形成したことを特徴とする請求項１または請求項２記載の回路板の製造方法。
前記分割溝を前記絶縁性基板の相対する両側の表面に形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の回路板の製造方法。
前記絶縁性基板が、セラミック粉末を射出成形の後燒結した絶縁性基板であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の回路板の製造方法。
前記分割個片に分割する工程に先だって、前記分割溝に電磁波を照射してスクライブ加工を施すことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の回路板の製造方法。
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の回路板の製造方法により製造されたことを特徴とする回路板。