JP7187223B2 - 多数個取り基板及び多数個取り基板の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1実施形態における多数個取り基板1を示す平面図である。後述するように、この多数個取り基板1を個片化することにより、電子部品を搭載可能な部品搭載基板10を複数得ることができる。図1に示すように、この多数個取り基板1は、絶縁基板2と、絶縁基板2の表面2Aに形成される配線部11と、配線部11の一部を覆う複数の絶縁保護部20と、を主な構成要素として備える。
次に、本発明の第2実施形態について図4及び図5を参照して説明する。なお、第1実施形態と同一又は同等の構成要素については、特に説明する場合を除き、同一の参照符号を付して重複する説明を省略することがある。
本工程は、多数個取り基板1の絶縁基板2を形成する工程であり、本製造方法の例では、基板母材準備工程P11と、第1溝形成工程P12と、第2溝形成工程P13と、焼成工程P14と、を含んでいる。
本工程では、絶縁基板2の基板母材としてのセラミックグリーンシートを準備する。セラミックグリーンシートとは、焼成することによりセラミック焼結体となる生シートのことであって、焼成前のセラミック基板のことをいう。図8は、本工程において準備されるセラミックグリーンシートを示す斜視図である。図8に示すように、本工程においては、平坦なセラミックグリーンシート2Sを準備する。なお、図8の破線は、上述した部品搭載基板10の外縁部を仮想的に画定する仮想境界部4Sであり、上述した絶縁基板2の境界部4に相当するものである。すなわち、セラミックグリーンシート2Sは複数の基板個片が連結した構成を有する。
次に、第1溝形成工程P12及び第2溝形成工程P13を行う。第1溝形成工程P12はセラミックグリーンシート2Sの表面に分割溝を形成する工程であり、第2溝形成工程P13はセラミックグリーンシート2Sの裏面に分割溝を形成する工程である。
本工程は、セラミックグリーンシート2Sを焼成してセラミックグリーンシート2Sを焼結させる工程である。本製造方法の例では、溝形成工程P12,P13の後に本工程が行われる。本工程において、上述のように絶縁基板2が例えばアルミナセラミックスから成る場合には、アルミナが焼結し得る所定の温度(例えば、1400℃から1800℃程度の温度)で焼成する。この焼成によってセラミックグリーンシート2Sが焼結し、表面2Aと裏面2Bとに分割溝が形成された絶縁基板2が得られる。
次に、導電部形成工程P2を行う。本工程では、例えば図4に示されるような配線パターンが絶縁基板2に形成されるように、絶縁基板2の表面2Aに導電部13を設ける。本製造方法の例では、図10に示すように、上記配線パターンを形成する位置に、高温焼成タイプの銀ペーストが例えば厚さ10μmとなるように印刷される。この印刷の方法として、例えば、スクリーン印刷、インクジェット印刷、あるいはオフセット印刷などを挙げることができる。本実施形態では、絶縁基板2の境界部4に分割溝30が形成されているため、印刷された導電部13のうち分割溝30を跨ぐ部分が分割溝30に入り込み、分割溝30の内壁31に接触した状態になり得る。このように銀ペーストを印刷した後、例えば150℃の温度で銀ペーストを5分間乾燥した上、例えば850℃の温度で銀ペーストを1時間焼成する。
次に、絶縁保護部形成工程P3を行う。本工程は、導電部13のうち上記跨部12A及びその周辺部に上記絶縁保護部20を設ける工程である。本実施形態では、図11に示すように、導電部13の跨部12A上に、高温焼成タイプの結晶化ガラスペーストが例えば厚さ10μmとなるように印刷される。本実施形態では、導電部13が分割溝30に入り込んで形成された導電部13の窪みに、結晶化ガラスペーストが入り込んだ状態になる。この結晶化ガラスペーストとして、上述のように、SiO2-ZnO-RO(Rはアルカリ元素)系のガラスペーストを挙げることができる。また、この印刷の方法として、スクリーン印刷、インクジェット印刷、あるいはオフセット印刷などを挙げることができる。なお、上述のように、この結晶化ガラスペーストの上記長さWは、跨部12Aの上記長さW0の2倍以上であることが好ましい。また、結晶化ガラスペーストの上記長さLは、上記長さW0以上であることが好ましい。
次に、めっき工程P4を行う。本工程は、導電部13にめっき層14を形成する工程である。本実施形態では、上記導電部形成工程P2で形成されためっき用配線15の給電部15A(図1参照)に電極を接続して電解めっき処理を行う。具体的には、まず、絶縁基板2の給電部15Aを陰極にセットし、ニッケル棒を陽極にセットした上で、絶縁基板2及びニッケル棒をスルファミン酸ニッケル電解液に浸漬する。この状態で電圧を印加することで、導電部13にニッケルめっきが施される。この際、上述のように、導電部13の跨部12A及びその周辺部は絶縁保護部20で覆われているため、図5に示すように、跨部12A及びその周辺部にニッケルめっきが形成されることが抑制される。すなわち、本実施形態では、導電部13のうち絶縁保護部20に覆われている部分以外の部分にニッケルめっきが形成される。
2・・・絶縁基板
3・・・基板個片集合部
4・・・境界部(基板個片の外縁部)
4A・・・第1境界部
10・・・部品搭載基板
11・・・配線部
12・・・主配線
12A・・・跨部
13・・・導電部
14・・・めっき層
20・・・絶縁保護部
30・・・分割溝
31・・・内壁
Claims (15)
- 複数の基板個片が連結した絶縁基板と、
前記基板個片の外縁部を跨いで前記絶縁基板に形成される導電部と、
脆性材料からなる絶縁保護部と、
を備え、
前記絶縁保護部は、前記導電部における前記基板個片の前記外縁部を跨ぐ跨部の少なくとも一部を覆って前記絶縁基板及び前記導電部に固定され、側面の少なくとも一部が露出する
ことを特徴とする多数個取り基板。 - 前記絶縁保護部は、前記跨部の全体を覆って前記絶縁基板及び前記導電部に固定される
ことを特徴とする請求項1に記載の多数個取り基板。 - 前記外縁部のうち前記跨部と重なる部分が延在する第1方向における前記絶縁保護部の長さが、前記第1方向における前記跨部の長さの2倍以上である
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の多数個取り基板。 - 前記外縁部のうち前記跨部と重なる部分が延在する第1方向に垂直な第2方向における前記絶縁保護部の長さが、前記第1方向における前記跨部の長さ以上である
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の多数個取り基板。 - 前記絶縁保護部は結晶化ガラスからなる
請求項1から4のいずれか1項に記載の多数個取り基板。 - 前記絶縁保護部の抗折強度が前記絶縁基板の抗折強度よりも小さい
ことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の多数個取り基板。 - 前記絶縁基板のうち前記絶縁保護部が形成される側の面には、前記基板個片の前記外縁部に沿って延在する分割溝が形成され、
前記導電部の一部が前記分割溝の内壁に固定される
ことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の多数個取り基板。 - 前記導電部のうち前記絶縁保護部が位置する部分以外の部分にめっき層が形成される
ことを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の多数個取り基板。 - 複数の基板個片が連結した絶縁基板と、
前記基板個片の外縁部を跨いで前記絶縁基板に形成される導電部と、
脆性材料からなる絶縁保護部と、
を備え、
前記絶縁保護部は、前記導電部における前記基板個片の前記外縁部を跨ぐ跨部の少なくとも一部を覆って前記絶縁基板及び前記導電部に固定され、
前記絶縁基板のうち前記絶縁保護部が形成される側の面には、前記基板個片の前記外縁部に沿って延在する分割溝が形成され、
前記導電部の一部が前記分割溝の内壁に固定される
ことを特徴とする多数個取り基板。 - 前記導電部のうち前記絶縁保護部が位置する部分以外の部分にめっき層が形成される
ことを特徴とする請求項9に記載の多数個取り基板。 - 前記絶縁保護部の少なくとも一部が前記導電部に設けられる溝の内壁に固定される
ことを特徴とする請求項9又は10に記載の多数個取り基板。 - 複数の基板個片が連結した絶縁基板を焼成により形成する絶縁基板形成工程と、
前記絶縁基板に導電部を前記基板個片の外縁部を跨いで形成する導電部形成工程と、
前記導電部における前記基板個片の前記外縁部を跨ぐ跨部の少なくとも一部を脆性材料からなる絶縁保護部で覆う絶縁保護部形成工程と、
を備え、
前記絶縁保護部形成工程において、前記絶縁保護部は前記絶縁基板及び前記導電部に固定される
ことを特徴とする多数個取り基板の製造方法。 - 前記導電部形成工程において、前記導電部は印刷により形成され、
前記絶縁保護部形成工程の後に前記導電部をめっき層で覆うめっき層形成工程をさらに備える
ことを特徴とする請求項12に記載の多数個取り基板の製造方法。 - 前記絶縁基板形成工程には、前記絶縁基板のうち前記絶縁保護部を形成する側の面に前記外縁部に沿って延在する第1分割溝を形成する第1溝形成工程が含まれる
請求項12又は13に記載の多数個取り基板の製造方法。 - 前記絶縁基板のうち前記絶縁保護部を形成する側と反対側の面に前記外縁部に沿って延在する第2分割溝を形成する第2溝形成工程をさらに備える
請求項12から14のいずれか1項に記載の多数個取り基板の製造方法。
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