JP4181333B2 - 光源装置の制御方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光源装置の制御方法に関する。さらに詳細には、本発明は、半導体レーザ光源と第2高調波発生デバイスとを備え、安定した高調波光出力を得ることのできる光源装置の制御方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
光ディスクの高密度化、及びディスプレイの高繊細化を実現するためには、小型の短波長光源が必要とされる。小型の短波長光源として、半導体レーザと擬似位相整合(以下『QPM』と記す)方式の光導波路型第2高調波発生(以下『SHG』と記す)デバイス(光導波路型QPM−SHGデバイス)を用いたコヒーレント光源が注目されている(山本他、Optics Letters Vol.16, No.15, 1156 (1991)参照)。
【0003】
図21に、光導波路型QPM−SHGデバイスを用いたSHG青色光源の概略構成を示す。図21に示すように、半導体レーザとして、分布ブラッグ反射器(以下『DBR』と記す)領域を有する波長可変DBR半導体レーザ54が用いられている。波長可変DBR半導体レーザ54は、0.85μm帯の100mW級AlGaAs系波長可変DBR半導体レーザであり、活性層領域56と位相調整領域57とDBR領域58とにより構成されている。そして、位相調整領域57とDBR領域58への注入電流を或る一定の比率で制御することにより、連続的に発振波長を変化させることができる。
【0004】
第2高調波発生デバイスである光導波路型QPM−SHGデバイス55は、X板MgOドープLiNbO3 基板59上に形成された、光導波路60と周期的な分極反転領域61とにより構成されている。光導波路60は、ピロリン酸中でプロトン交換することによって形成される。また、周期的な分極反転領域61は、櫛形の電極をX板MgOドープLiNbO3 基板59上に形成し、電界を印加することによって作製される。
【0005】
図21に示すSHG青色光源においては、100mWのレーザ出力に対して75mWのレーザ光が光導波路60に結合する。そして、波長可変DBR半導体レーザ54の位相調整領域57及びDBR領域58への注入電流量を制御することにより、発振波長が光導波路型QPM−SHGデバイス55の位相整合波長許容幅内に固定される。このSHG青色光源を用いることにより、波長425nmの青色光が25mW程度得られているが、得られた青色光は、横モードがTE00モードで回折限界の集光特性を有し、ノイズ特性も相対雑音強度が−140dB/Hz以下と小さく、光ディスクの再生に適した特性を有する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
第2高調波発生デバイスである光導波路型QPM−SHGデバイスは、基本波光の波長に対する青色光出力特性を評価すると、その青色光出力が半分になる波長幅(位相整合に対する波長許容幅)が0.1nm程度と小さいことが分かる。これは、青色光出力を安定に得るためには大きな問題となる。この問題を解決するために、従来においては、基本波光として波長可変DBR半導体レーザが用いられ、基本波光の波長(発振波長)を光導波路型QPM−SHGデバイスの位相整合波長許容幅内に固定し、安定な青色光出力を実現している。
【0007】
一般に、半導体レーザ光源の発振波長は周囲温度によって変化し、光導波路型QPM−SHGデバイスの最適波長も周囲温度によって変化する。このため、従来においては、半導体レーザ光源及び光導波路型QPM−SHGデバイスを、ペルチエ素子等を利用してその温度を一定に保つことにより、青色光の出力安定化を図っていた。
【0008】
しかし、光ディスクやレーザプリンタ等の光情報処理機器への搭載を考えた場合、稼働状態において、平均的な出力パワーは時々刻々と変化する。このとき、半導体レーザ光源の発生する熱量が変化し、ペルチエ素子等を利用して周囲温度を一定に保っている場合であっても、半導体レーザ光源自体の温度が変化し、ひいては発振波長が変化するために、安定な青色光出力が得られないという問題がある。
【0009】
また、装置の小型化のためにペルチエ素子等の温度制御装置を用いない場合には、周囲温度の変動はより大きくなり、光導波路型QPM−SHGデバイスの出力変動を引き起こすことになる。
【0010】
本発明は、従来技術における前記課題を解決するためになされたものであり、半導体レーザ光源と第2高調波発生デバイスとを備え、安定した高調波光出力を得ることのできる光源装置の制御方法を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明に係る光源装置の制御方法は、活性層領域と位相調整領域と分布ブラッグ反射器(DBR)領域を有する半導体レーザ光源と、前記半導体レーザ光源の出射光から第2高調波を発生させる第2高調波発生デバイスと、前記第2高調波発生デバイスからの光出力を検出する手段とを備えた光源装置の制御方法であって、
前記光源装置を起動するに際し、前記活性層領域へ所定の電流値I op (pr)で、前記位相調整領域へ所定の電流値I ph (pr)よりも大きな電流値で、前記DBR領域へ所定の電流値I dbr (pr)でそれぞれ電流の注入を開始し、
所定時間経過後に、前記位相調整領域への電流の注入を前記所定の電流値I ph (pr)に切り替え、
前記DBR領域への注入電流Idbrを所定の範囲で逐次変化させ、前記逐次変化に対応した光出力の検出値の増加分が最大となるときの注入電流値Idbr_llと、光出力の検出値の減少分が最大となるときの注入電流値Idbr_ulを求め、前記DBR領域への注入電流Idbrを前記Idbr_llと前記Idbr_ulとの間の値に決定する、ことを特徴とする。
【0012】
この光源装置の制御方法によれば、一度のIdbr 波長探査処理で確実に第2高調波発生デバイスの最大効率波長にほぼ等しい波長を得ることができる。また、半導体レーザ光源の発振波長を第2高調波発生デバイスの最大効率波長にほぼ等しくすることができるので、一度のIdbr 波長探査処理で確実に第2高調波発生デバイスの最大効率波長にほぼ等しい波長を得ることができる。さらに、半導体レーザ光源の発振波長の整定時間を短くすることができ、素早くIdbr 波長探査処理に切り替わることが可能となるので、起動時間の短縮を図ることができる。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、実施の形態を用いて本発明をさらに具体的に説明する。
【0024】
図1は本発明の一実施の形態における光源装置を示す概略構成図である。
【0025】
図1に示すように、本実施の形態の光源装置においては、基本波として用いられる半導体レーザ光源として、分布ブラッグ反射器(以下『DBR』と記す)領域1と、注入電流によってレーザ内の光の位相を調整する位相調整領域2と、注入電流によってその出力パワーを制御する活性層領域3とを有する0.85μm帯の100mW級AlGaAs系波長可変DBR半導体レーザ光源4が用いられている。
【0026】
また、第2高調波発生デバイスとしては、擬似位相整合(以下『QPM』と記す)方式の光導波路型第2高調波発生(以下『SHG』と記す)デバイス(光導波路型QPM−SHGデバイス)5が用いられている。すなわち、光導波路型QPM−SHGデバイス5は、ニオブ酸リチウム(LiNbO3 )を用いた光学結晶基板(0.5mm厚のX板MgOドープLiNbO3 基板)11の上面に形成された、光導波路12と、基本波と高調波の伝搬定数差を補償するための、光導波路12と直交する周期的な分極反転領域とにより構成されている。光導波路12は、ピロリン酸中でプロトン交換することによって形成される。また、周期的な分極反転領域は、櫛形の電極をX板MgOドープLiNbO3 基板11上に形成し、電界を印加することによって作製される。光導波路型QPM−SHGデバイス5は、大きな非線形光学定数を利用することができ、また、光導波路型であり、長い相互作用長とすることが可能であるため、高い変換効率を実現することができる。
【0027】
半導体レーザ光源4と光導波路型QPM−SHGデバイス5は、Siサブマウント6上で一体化され、ペルチエ素子によって温度コントロールされている。基本波光である半導体レーザ光は、レンズを用いることなく、直接結合によって光導波路型QPM−SHGデバイス5の光導波路12に結合する。すなわち、半導体レーザ光源4から出射された基本波光は、光導波路型QPM−SHGデバイス5に入射され、光導波路型QPM−SHGデバイス5に入射した基本波光は、光導波路12の内部に閉じ込められて伝搬する。光導波路12内を伝搬する基本波光は、光学結晶(X板MgOドープLiNbO3 )が有する非線形性によって第2高調波に変換され、光導波路型QPM−SHGデバイス5の出射端面から基本波光の2分の1の波長を有する高調波光が出射される。
【0028】
上記の構造を有する光導波路型QPM−SHGデバイス5は、光学結晶(X板MgOドープLiNbO3 )が有する波長分散特性により、入射される基本波光の波長に対して、図2に示すような波長特性を有する。図2は、入射した基本波光の波長に対して出射される高調波光の出力パワーを示している。高調波光は、基本波光の最適波長λ0をピークとして、基本波光の波長λに対して、下記(数1)に示すようなSINC関数によって表される出力特性を示す。
ここで、高調波出力パワーが最大値の半分になる波長幅によって表される波長許容度は、約0.1nmの幅を有し、安定に青色出力を得るためには、基本波光の波長を正確かつ安定にλ0に制御する必要がある。
【0029】
以下、図1に示す半導体レーザ光源4の発振波長を制御する方法について説明する。
【0030】
半導体レーザ光源においては、一般に、前後の反射面の光学的距離Lに対して下記(数2)を満たす波長λの光のみが励振される。
[数2]
2L=nλ(n:整数)
上記(数2)を満たす波長λの列は『縦モード』と呼ばれ、この場合の発振波長は離散的な値をとる。図1に示す半導体レーザ光源4においては、DBR領域1と半導体レーザ光源4の出射端面との間に位相調整領域2が設けられており、位相調整領域2に印加される電流によって半導体レーザ光源4の光学的距離Lを変化させて、縦モードの波長λを変化させることができる。このように位相調整領域2に印加される電流によって半導体レーザ光源4の発振波長を制御することができる。
【0031】
しかし、この波長制御方法では、以下に述べる理由により、波長制御範囲が制限される。すなわち、図1に示す半導体レーザ光源4のDBR領域1にはグレーティングが形成されており、その周期によって規定される波長の光のみが反射される。具体的には、DBR領域1の屈折率をndbr 、DBR領域1のグレーティング周期をΛとしたとき、DBR領域1で反射され得る光の波長の範囲は、2Λ/ndbr ±0.1nm程度であり、この範囲内の波長制御しか行うことができない。
【0032】
本実施の形態においては、上記の波長制御範囲を拡大するために以下の方法が採られる。すなわち、DBR領域1には電極が形成されており、この電極に印加される電流によって、DBR領域1の実効的なグレーティング周期が変化すると共に、DBR領域1での最適波長が変化する。位相調整領域2に印加される電流による縦モードの波長の変化に追従するように、DBR領域1の最適波長を変化させることにより、連続的に発振波長を制御することが可能となる。実際には、DBR領域1と位相調整領域2に、一定比率の電流を印加することになる。
【0033】
図3は本発明の一実施の形態における光源装置の制御回路を示すブロック図である。図3において、300は半導体レーザ光源としての波長可変DBR半導体レーザ光源であり、この波長可変DBR半導体レーザ光源300は、発光部(活性層領域)301と位相可変部(位相調整領域)302と波長可変部(DBR領域)303とにより構成されている。また、304は第2高調波発生デバイスとしての導波路型QPM−SHGデバイスであり、この導波路型QPM−SHGデバイス304からの第2高調波出力は、フォトディテクタ305によって検出される。そして、この第2高調波出力の検出結果は、I/Vアンプ306によってモニタ電圧FSmon として光出力/波長制御手段340にフィードバックされる。
【0034】
波長可変DBR半導体レーザ光源300の発光部301は、発光部駆動電流源310によって駆動される。ここで、発光部駆動電流源310は、ピーク電流源311とバイアス電流源312とDC電流源313とにより構成されている。ピーク電流源311とバイアス電流源312とDC電流源313の電流値は、光出力/波長制御手段340により、それぞれIopPK、IopBS、IopDCで設定される。
【0035】
波長可変DBR半導体レーザ光源300の位相可変部302は、位相可変部駆動電流源320によって駆動される。ここで、位相可変部駆動電流源320は、ピーク電流源321とバイアス電流源322とDC電流源323とにより構成されている。ピーク電流源321とバイアス電流源322とDC電流源323の電流値は、光出力/波長制御手段340により、それぞれIphPK、IphBS、IphDCで設定される。そして、記録波形生成手段350からの変調信号PKMD、BSMDによってピーク電流源321とバイアス電流源322をそれぞれスイッチングすることにより、波長可変DBR半導体レーザ光源300の光出力変調が高速に実現される。
【0036】
以下、位相可変部駆動電流源320の動作について説明する。記録動作時においては、高いレーザパワーで変調するために、当然、発光部301に注入される電流は増加するが、そのときの発熱によって発光部301の温度が上昇する。発光部301も導波路構造となっているため、発熱による屈折率変化が位相及び波長のずれを引き起こす。その結果、光導波路型QPM−SHGデバイス304の変換効率の低下やモードホッピングが発生する。これを防止するために、本実施の形態においては、発光部301に注入されるのとほぼ逆相の電流を位相可変部駆動電流源320によって位相可変部302に供給している。すなわち、まず、反転手段360によって記録波形生成手段350からの変調信号PKMD、BSMDを反転し、ピーク電流源321とバイアス電流源322を変調する。その結果、図4に示すように、発光部301に注入される電流が増加する一方、位相可変部(ヒータ)302に注入される電流が減少し、全体として、発熱量は、記録動作時・消去動作時・再生動作時にかかわらず、一定に保たれる。
【0037】
波長可変DBR半導体レーザ光源300の波長可変部303は、波長可変部駆動電流源330によって駆動され、波長可変部駆動電流源330の電流値を変化させることにより、波長可変DBR半導体レーザ光源300の最適な発振波長を変化させることができる。波長可変部駆動電流源330の電流値は、光出力/波長制御手段340によりIdbr で設定される。
【0038】
図5は、図3の光出力/波長制御手段340を詳細に示すブロック図である。図5に示すように、光出力/波長制御手段340は、レジスタブロック520と、プリセット値記憶部510と、光出力/波長制御部530とにより構成されている。ここで、レジスタブロック520は、各々の電流源の電流値を設定するためのものである。
【0039】
記録動作時においては、発光部駆動電流源310に対して、IopDC、IopBS、IopPKは所望のボトムパワー、バイアスパワー、ピークパワーを実現するように決定される。ここで、IopDCは、下記(数3)によって定義される。
[数3]
IopDC=IopBM+ΔIop
上記(数3)中、右辺第1項目のIopBMは、ボトムパワーを実現するように決定される。尚、右辺第2項目のΔIopは、光出力/波長制御部530による光出力制御成分である。
【0040】
また、位相可変部駆動電流源320に対して、IphPKは、下記(数4)によって定義され、発光部駆動電流源310のピーク電流源311の動作による波長変化を相殺するように決定される。
[数4]
IphPK=β3 ×IopPK
また、位相可変部駆動電流源320に対して、IphBSは、下記(数5)によって定義され、発光部駆動電流源310のバイアス電流源312の動作による波長変化を相殺するように決定される。
[数5]
IphBS=β2 ×IopBS
また、位相可変部駆動電流源320に対して、IphDCは下記(数6)によって定義される。
上記(数6)中、右辺第1項目のIphMAINは、波長可変DBR半導体レーザ光源300の波長が光導波路型QPM−SHGデバイス304の最大効率波長となるように決定される。尚、右辺第2項目のγ3 ×β3×IopPKは、IopPKを増減させたときに波長可変DBR半導体レーザ光源300の波長が光導波路型QPM−SHGデバイス304の最大効率波長を追従するようにIphDCを変化させる成分である。また、右辺第3項目のγ2 ×β2 ×IopBSは、IopBSを増減させたときに波長可変DBR半導体レーザ光源300の波長が光導波路型QPM−SHGデバイス304の最大効率波長を追従するようにIphDCを変化させる成分である。また、右辺第4項目のβ1 ×ΔIopは、光出力/波長制御部530による光出力制御成分ΔIopを増減させたときに波長可変DBR半導体レーザ光源300の波長が光導波路型QPM−SHGデバイス304の最大効率波長を追従するようにIphDCを変化させる成分である。また、右辺第5項目のΔIphは、波長制御時にIphDCを変化させる成分である。
【0041】
さらに、波長可変部駆動電流源330に対して、Idbr は下記(数7)によって定義される。
[数7]
Idbr =Idbr IN+α×ΔIph
上記(数7)中、右辺第1項目のIdbr INは、波長可変DBR半導体レーザ光源300の波長が光導波路型QPM−SHGデバイス304の最大効率波長となるように決定される。右辺第2項目のα×ΔIphは、波長制御時にΔIphを変化させたときに波長の連続可変を可能とするように、Idbr とΔIphを一定比率αで変化させる成分である。
【0042】
再生動作時おいては、発光部駆動電流源310に対して、IopDCは、下記(数8)によって定義される。
[数8]
IopDC=IopBM+ΔIop+IopRD
上記(数8)中、右辺第1項目のIopBMと右辺第2項目のΔIopは、記録動作時と同様にして決定される。また、右辺第3項目のIopRDは、リードパワーを実現するように決定される。
【0043】
また、位相可変部駆動電流源320に対して、IphPK、IphBSは、記録動作時と同様に定義される。
【0044】
また、位相可変部駆動電流源320に対して、IphDCは下記(数9)によって定義される。
上記(数9)中、右辺第1項目から第5項目までは、記録動作時と同様にして決定される。また、右辺第6項目のβ1 ×IopRDは、IopRDを増減させたときに波長可変DBR半導体レーザ光源300の波長が光導波路型QPM−SHGデバイス304の最大効率波長を追従するようにIphDCを変化させる成分である。
【0045】
さらに、波長可変部駆動電流源330に対して、Idbr は、記録動作時と同様に定義される。
【0046】
それぞれの電流値IopPK、IopBS、IopBM、IopRD、IphMAIN、Idbr IN、及びそれぞれのパラメータα、β1 、β2 、β3 、γ2 、γ3 は、波長可変DBR半導体レーザ光源300が所望の光出力で発光するように、光源装置の製造工程において調整されている。そして、そのときの値が、それぞれIopPK(pr)、IopBS(pr)、IopBM(pr)、IopRD(pr)、IphMAIN(pr)、Idbr IN(pr)、α(pr)、β1 (pr)、β2 (pr)、β3 (pr)、γ2 (pr)、γ3 (pr)としてプリセット値記憶部510に記憶されている。これらの値は、後述する『起動時レーザ処理』と『初期レーザパワー較正処理』に使用される。
【0047】
光出力/波長制御部530は、I/Vアンプ306(図3)からフィードバックされるモニタ電圧FSmon にしたがって、波長可変DBR半導体レーザ光源300が常に所望の光出力で発光するように、それぞれの電流値を制御する。
【0048】
また、図3、図5に示すように、光出力/波長制御手段340は、発光部駆動電流源310と位相可変部駆動電流源320と波長可変部駆動電流源330に対して、それぞれの動作を許可するイネーブル信号CE_Iop、CE_Iph、CE_Idbr を出力する。
【0049】
次に、本発明の光源装置を起動する場合において、短時間で波長可変DBR半導体レーザ光源300の発振波長を、導波路型QPM−SHGデバイス304の最大効率波長に到達させるための起動手順(以下『起動時レーザ処理』と呼ぶ)と、波長可変DBR半導体レーザ光源300を所望の光出力で発光させるための較正(以下『初期レーザパワー較正処理』と呼ぶ)を短時間で行う方法ついて説明する。
【0050】
〈起動時レーザ処理〉
光源装置の起動時において、図5に示す光出力/波長制御手段340のレジスタブロック520の各々のレジスタには、プリセット値記憶部510に記憶されたそれぞれのプリセット値:IopPK(pr)、IopBS(pr)、IopBM(pr)、IopRD(pr)、IphMAIN(pr)、Idbr IN(pr)、α(pr)、β1 (pr)、β2 (pr)、β3 (pr)、γ2 (pr)、γ3 (pr)が格納されている。尚、それぞれの電流源の電流値は、これらのプリセット値から演算される値によって決定されている。
【0051】
起動時レーザ処理において、発光部駆動電流源310と位相可変部駆動電流源320と波長可変部駆動電流源330は、図3、図5、図6に示すように、まず、光出力/波長制御手段340からそれぞれイネーブル信号CE_Iop、CE_Iph、CE_Idbr を受信する。そして、発光部駆動電流源310は、イネーブル信号CE_Iopを受信すると同時に、下記(数10)によって表記される再生動作時のプリセット電流値で駆動を開始する。
[数10]
IopDC=IopBM(pr)+IopRD(pr)
また、位相可変部駆動電流源320は、イネーブル信号CE_Iphを受信すると同時に、下記(数11)によって表記される再生動作時のプリセット電流値で駆動を開始する。
また、波長可変部駆動電流源330は、イネーブル信号CE_Idbr を受信すると同時に、下記(数12)によって表記されるプリセット電流値で駆動を開始する。
[数12]
Idbr =Idbr IN(pr)
以上のように、起動時レーザ処理において、それぞれの電流源は、光源装置を製造する際に波長可変DBR半導体レーザ光源300が所望の光出力で発光するように調整され、プリセット値記憶部510に記憶された(すなわち、予め決められた)プリセット電流値で駆動を開始することになる。光導波路型QPM−SHGデバイス304の最大効率波長は、必ず常温における波長可変DBR半導体レーザ光源300の発振波長よりも長波長側にある。常温の状態から、波長可変DBR半導体レーザ光源300への電流注入が開始されると、注入電流によって発光部301、位相可変部302、波長可変部303の温度が上昇し、これにより発光部301、位相可変部302、波長可変部303の屈折率が変化して、波長可変DBR半導体レーザ光源300の発振波長が長波長側に変化する。図7に示すように、この波長の変化は、温度上昇に依存し、1次遅れ系の過渡応答特性を示し、一定時間が経過した後にほぼ整定する。
【0052】
起動時レーザ処理の後に、初期レーザパワー較正処理を行い、波長可変DBR半導体レーザ光源300の発振波長が光導波路型QPM−SHGデバイス304の最大効率波長にほぼ等しくなるようにIdbr 波長探査処理を行う。
【0053】
Idbr 波長探査処理において、波長可変部(DBR領域)303への注入電流Idbr を所定の範囲で逐次変化させ、逐次変化に対応した光出力の検出値の増加分が最大となるときの注入電流値Idbr_llと、光出力の検出値の減少分が最大となるときの注入電流値Idbr_ulを求め、波長可変部(DBR領域)303への注入電流を、Idbr_llとIdbr_ulとの間の値に決定する。
【0054】
この波長可変部(DBR領域)303への注入電流Idbr を所定の範囲で逐次変化させたときに注入電流値Idbr_llとIdbr_ulが前記所定の範囲に必ず含まれるように、プリセット値が設定されている。尚、注入電流値Idbr_llとIdbr_ulが前記所定の範囲に含まれない場合には、Idbr を変化させる範囲を変えて再度Idbr 波長探査処理を行わなければならず(『リトライ処理』)、起動時間の大幅なロスに繋がってしまう。
【0055】
プリセット電流値で電流の注入を開始することにより、波長可変DBR半導体レーザ光源300の発振波長を光導波路型QPM−SHGデバイス304の最大効率波長にほぼ等しくすることができるので、一度のIdbr 波長探査処理で確実に光導波路型QPM−SHGデバイス304の最大効率波長にほぼ等しい波長を得ることができる。
【0056】
以上の説明では、起動時レーザ処理において、位相可変部駆動電流源320は、上記(数11)によって表記される再生動作時のプリセット電流値で駆動を開始するとしている。しかし、図8に示すように、位相可変部駆動電流源320のDC電流源323が、まず、上記(数11)によって表記されるプリセット電流値よりも大きな電流値で駆動を開始し、所定時間経過後に、上記(数11)によって表記されるプリセット電流値に切り替えるようにすれば、波長可変DBR半導体レーザ光源300の発振波長の整定時間を短くすることができ、素早く波長探査処理に切り替わることが可能となるので、起動時間の短縮を図ることができる。
【0057】
また、図9に示すように、光源装置の起動後に、起動時レーザ処理よりも先に位相可変部駆動電流源320と波長可変部駆動電流源330を動作させるようにすれば、すなわち、位相可変部駆動電流源320及び波長可変部駆動電流源330がそれぞれイネーブル信号CE_Iph、CE_Idbr を受信し、所定時間経過後に、発光部駆動電流源310がイネーブル信号CE_Iopを受信するようにすれば、波長可変DBR半導体レーザ光源300の発振波長の整定時間を短くすることができ、素早く波長探査処理に切り替わることが可能となるので、起動時間の短縮を図ることができる。
【0058】
〈初期レーザパワー較正処理〉
光源装置は、起動して所定時間が経過した後に、初期レーザパワー較正処理を行う。初期レーザパワー較正処理は、波長可変DBR半導体レーザ光源300を所望の光出力で発光させることができるように、それぞれの電流値IopPK、IopBS、IopBM、IopRD、IphMAIN、Idbr INを求める処理である。初期レーザパワー較正処理においては、以下のような処理が行われる。まず、Idbr 波長探査処理が行われる。これは、波長可変DBR半導体レーザ光源300の発振波長を、おおよそ光導波路型QPM−SHGデバイス304の最大効率波長に近づけるために、波長可変部駆動電流源330の電流値Idbr を最適化するものであり、いわば波長可変DBR半導体レーザ光源300の発振波長の粗調整である。次に、IphMAIN波長探査処理が行われる。これは、波長可変DBR半導体レーザ光源300の発振波長を、光導波路型QPM−SHGデバイス304の最大効率波長にするために、IphMAINの値を最適化するものであり、いわば波長可変DBR半導体レーザ光源300の発振波長の微調整である。次に、記録パワー較正、再生パワー較正が行われる。記録パワー較正には、ボトムパワー較正とバイアスパワー較正とピークパワー較正が含まれる。ボトムパワー較正は、所望のボトムパワーが得られるように、IopBMの電流値を較正するものであり、バイアスパワー較正は、所望のバイアスパワーが得られるように、IopBSの電流値を較正するものであり、ピークパワー較正は、所望のピークパワーが得られるように、IopPKの電流値を較正するものである。ここで、記録パワー較正のための光強度検出手段について、詳細に説明する。
【0059】
記録動作時においては、図10に示すように、ピーク電流源とバイアス電流源を高速スイッチングさせて、レーザの光強度をピークパワー−ボトムパワー間で高速に変調する動作と、図16に示すように、バイアス電流源のみを常時オンさせてレーザの光強度を一定のバイアスパワーにする動作とを繰り返す。その結果、ピークパワー−ボトムパワー間で光強度を高速変調しているときにはマークが形成され、光強度を一定のバイアスパワーにしているときにはマークが消去される(このマークが存在しない箇所を『スペース』と呼ぶ)。
【0060】
ここで、ピークパワー−ボトムパワー間で高速変調しているときの光強度を有する光をフォトディテクタ305で受光したときに得られるモニタ電圧FSmon の平均値を求めることを『マーク部平均値検出』と呼び、バイアスパワーの光をフォトディテクタ305で受光したときに得られるモニタ電圧FSmon を求めることを『スペース部検出』と呼ぶ。
【0061】
以後、ピークパワー較正時など、ピークパワー−ボトムパワー間で高速変調しているときの光強度を得たいときには、マーク部平均値検出を行い、バイアスパワー較正時など、バイアスパワーを得たいときには、スペース部検出を行う。
【0062】
以上の記録パワー較正がなされた後、再生パワー較正が行われる。これは、所望のリードパワーが得られるように、IopRDの電流値を較正するものである。以上の処理を経て、所望の光出力が得られるようになる。
【0063】
初期レーザパワー較正処理を開始するにあたって、それぞれの電流源の電流値は、図5に示す光出力/波長制御手段340のレジスタブロック520の各々のレジスタに格納されているそれぞれのプリセット値:IopPK(pr)、IopBS(pr)、IopBM(pr)、IopRD(pr)、IphMAIN(pr)、Idbr IN(pr)、α(pr)、β1 (pr)、β2 (pr)、β3 (pr)、γ2 (pr)、γ3 (pr)から演算される値によって決定されている。
【0064】
また、初期レーザパワー較正処理を開始するにあたっては、それぞれの電流源は、図10に示すようなテストパターン(以下『テストパターン1』と呼ぶ)を用いることにより、記録動作時の駆動形態に近い駆動形態にしておく。
【0065】
(Idbr 波長探査処理)
まず、Idbr 波長探査処理を行う。図11に示すように、このIdbr 波長探査処理においては、Idbr INの値をステップ状に変化させる。Idbr INの値をステップ状に変化させると、波長可変DBR半導体レーザ光源300の発振モードが変化する。このとき、I/Vアンプ306からフィードバックされるモニタ電圧FSmon (図3参照)の変化を検出する。この検出結果に基づき、そのときの波長可変DBR半導体レーザ光源300の発振モードにおける発振波長がおおよそ光導波路型QPM−SHGデバイス304の最大効率波長に近くなるIdbr INの値を求める(以下、この発振モードのことを『最適モード』と呼ぶ)。同時に、最適モードからモードホップしないようにIdbr INの中心値を求める。
【0066】
Idbr INを変化させる中心値をIdbr IN(pr)、Idbr INを変化させる範囲をIdbr IN(amp)、1ステップにおけるIdbr INの変化分をΔIdbr INとする。ここで、波長可変DBR半導体レーザ光源300の発振モードを1モード変化させるために必要なIdbr INの典型的な値を、Idbr IN(1mode)と定義する。すると、Idbr INを変化させる範囲であるIdbr IN(amp)は、Idbr 波長探査処理を行ったときに必ず最適モードを求めることができるように、Idbr IN(1mode)に対して十分大きくなければならない。また、同時に、最適モードからモードホップしないIdbr INの中心値を求めることができるように、ΔIdbr INはIdbr IN(1mode)に対して十分小さくなければならない。
【0067】
以下、Idbr 波長探査処理の手順について、図11を参照しながら図12に示すフローチャートを用いて、より詳細に説明する。
【0068】
最初、それぞれの電流源は、テストパターン1(図10)を用いることにより、記録動作時の駆動形態に近い駆動形態となっている(S1)。
【0069】
この状態で、まず、波長可変部駆動電流源330の電流値Idbr INを下記(数13)で表記されるIdbr IN(0)として、波長可変DBR半導体レーザ光源300の波長可変部303を駆動する(S2)。
そして、このときの波長可変DBR半導体レーザ光源300の光出力の平均値を検出し、そのときのモニタ電圧をFSmon (0)とする。次いで、1ステップにつきIdbr INの値をΔIdbr INずつ増加させて、波長可変DBR半導体レーザ光源300の光出力の平均値を検出し、ステップtにおけるモニタ電圧をFSmon (t)とする。ここで、下記(数14)によって表記されるモニタ電圧FSmon (t)の時間変化量ΔFSmon (t)を求める。
[数14]
ΔFSmon (t)=FSmon (t)−FSmon (t−1)
以上の処理を、Idbr INが下記(数15)によって表記されるIdbr IN(t)となるまで繰り返す(S3)。
このようにIdbr INを変化させた場合、図11に示すように、波長可変DBR半導体レーザ300の発振モードが最適モードに始めて到達したときに増加分が最大となる(ΔFSmon (t)が正の値となる範囲で、その絶対値が最大値となる)。このときのIdbr INの値が、最適モードからモードホップしないIdbr INの下限となる。この値を、Idbr_llと定義する。また、波長可変DBR半導体レーザ300の発振モードが最適モードから次のモードにモードホップしたときに減少分が最大となる(ΔFSmon (t)が負の値となる範囲で、その絶対値が最大値となる)。このときのIdbr INの値が、最適モードからモードホップしないIdbr INの上限となる。この値を、Idbr_ulと定義する。
【0070】
ここで、Idbr INの値を、Idbr_llとIdbr_ulとの間の値に決定する(S4)。このようにすれば、波長可変DBR半導体レーザ300の発振モードを最適モードに選択することができる。以後、この電流値Idbr INで波長可変DBR半導体レーザ光源300の波長可変部303を駆動する。
【0071】
尚、本実施の形態においては、Idbr INの値を、Idbr_llとIdbr_ulとの間の値に決定するようにしているが、Idbr INの値を、Idbr_llとIdbr_ulのほぼ平均値に等しくなるような値とするのが望ましい。このようにすれば、波長可変DBR半導体レーザ300の発振モードが最適モードからモードホップしない上限、下限の両側から均等にマージンを保持することが可能となる。
【0072】
(IphMAIN波長探査処理)
次に、IphMAIN波長探査処理を行う。IphMAINの値を変化させると、波長可変DBR半導体レーザ光源300の発振波長が変化する。このとき、I/Vアンプ306からフィードバックされるモニタ電圧FSmon (図3参照)を、マーク部の平均値として検出する。この検出結果に基づき、そのときの波長可変DBR半導体レーザ光源300の発振波長が光導波路型QPM−SHGデバイス304の最大効率波長となるように、IphMAINの値を求める(以下、この発振波長のことを『最適波長』と呼ぶ)。
【0073】
IphMAINを変化させる中心値をIphMAIN(pr)、IphMAINを変化させる範囲をIphMAIN(amp)、1ステップにおけるIphMAINの変化分をΔIphMAINとする。ここで、波長可変DBR半導体レーザ光源300の光出力が、光導波路型QPM−SHGデバイス304の効率が最大効率のときの光出力の1/2となる波長の許容幅をλ(1/2)、IphDCを変化させたときに波長可変DBR半導体レーザ光源300の波長がλ(1/2)だけ変化するIphDCの典型的な値をIphDC(1/2)と定義する。すると、IphMAINを変化させる範囲であるIphMAIN(amp)は、IphMAIN波長探査処理を行ったときに必ず最適波長が得られるように、IphDC(1/2)に対して十分大きくなければならない。また、ΔIphMAINは、最適波長の検出精度を向上させるために、IphDC(1/2)に対して十分小さくなければならない。
【0074】
以下、IphMAIN波長探査処理の手順について、図13に示すフローチャートを用いて、より詳細に説明する。
【0075】
最初、それぞれの電流源は、テストパターン1(図10)を用いることにより、記録動作時の駆動形態に近い駆動形態となっている(S5)。
【0076】
この状態で、まず、位相可変部駆動電流源320の電流値IphMAINを下記(数16)で表記されるIphMAIN(0)として、波長可変DBR半導体レーザ光源300の位相可変部302を駆動する(S6)。
そして、このときのマーク部における波長可変DBR半導体レーザ光源300の光出力の平均値を検出し、そのときのモニタ電圧をFSmon (0)とする。次いで、1ステップにつきIphMAINの値をΔIphMAINずつ増加させて、マーク部における波長可変DBR半導体レーザ光源300の光出力の平均値を検出し、ステップtにおけるモニタ電圧をFSmon (t)とする。
【0077】
以上の処理を、IphMAINが下記(数17)によって表記されるIphMAIN(t)となるまで繰り返す(S7)。
IphMAINをこのように変化させた場合、波長可変DBR半導体レーザ光源300の発振波長が最適波長となったときにFSmon (t)が最大となる。位相可変部駆動電流源320の電流値IphMAINを、このときのIphMAINの値に決定する(S8)。この時点で、波長可変DBR半導体レーザ光源300の最適波長が選択されている。以後、この電流値IphMAINで波長可変DBR半導体レーザ光源300の位相可変部302を駆動する。
【0078】
以上のように、位相可変部駆動電流源320の電流値IphMAINを所定の範囲で逐次変化させ、この逐次変化に対応した光出力の検出値が最大となるときの電流値を求め、位相可変部駆動電流源320の電流値IphMAINをこの値に決定するようにすれば、波長可変DBR半導体レーザ光源300の発振波長を光導波路型QPM−SHGデバイス304の最大効率波長に確実に等しくすることができる。
【0079】
[ボトムパワー較正]
次に、ボトムパワー較正を行う。
【0080】
以下、ボトムパワー較正の手順について、図15に示すフローチャートを用いて、詳細に説明する。
【0081】
それぞれの電流源は、図14に示すようなテストパターン2を用いることにより、定常動作するものとする(S21)。
【0082】
ボトムパワー較正の開始時点においては、IopBMはプリセット値IopBM(pr)となっている。波長可変DBR半導体レーザ光源300の光出力を検出し、そのときのモニタ電圧をFSmon とする。ここで、ボトムパワーの制御目標値をBMref とする。また、BMref とFSmon との誤差eを下記(数18)で表記する(S22)。
[数18]
e=BMref −FSmon
そして、この誤差eの積分値をIopBM(pr)に加算して、下記(数19)を得る。
[数19]
IopBM=IopBM(pr)+Kbm×∫edt
上記(数19)中、Kbmは比例定数であり、光出力の制御特性が最適化されるように設計される。
【0083】
それと同時に、IphMAINから誤差eの積分値にβ1 を乗じた値を減算して、下記(数20)を得る。
[数20]
IphMAIN=IphMAIN−β1 ×Kbm×∫edt
以上の処理を、誤差eが0となるまで繰り返し(S23)、発光部駆動電流源310の電流値IopBMを、このときのIopBMに決定する(S24)。以後、この電流値IopBMで波長可変DBR半導体レーザ光源300の発光部301を駆動する。それと同時に、位相可変部駆動電流源320の電流値IphMAINを、このときのIphMAINに決定する(S24)。以後、この電流値IphMAINで波長可変DBR半導体レーザ光源300の発光部301を駆動する。
【0084】
以上のような処理を行えば、IopBMの加算による波長変化を、IphMAINの減算によって相殺することができるので、常時波長可変DBR半導体レーザ光源300の発振波長を光導波路型QPM−SHGデバイス304の最大効率波長に保ちながら、所望のボトムパワーを得ることができる。
【0085】
[バイアスパワー較正]
次に、バイアスパワー較正を行う。
【0086】
以下、バイアスパワー較正の手順について、図17に示すフローチャートを用いて、詳細に説明する。
【0087】
それぞれの電流源は、図16に示すようなテストパターン2を用いることにより、バイアス−ボトム間でスイッチング動作するものとする(S9)。
【0088】
バイアスパワー較正の開始時点においては、IopBSはプリセット値IopBS(pr)となっている。波長可変DBR半導体レーザ光源300の光出力をスペース部のみ検出し、そのときのモニタ電圧をFSmon とする。ここで、バイアスパワーの制御目標値をBSref とする。また、BSref とFSmon との誤差eを下記(数21)で表記する(S10)。
[数21]
e=BSref −FSmon
そして、この誤差eの積分値をIopBS(pr)に加算して、下記(数22)を得る。
[数22]
IopBS=IopBS(pr)+Kbs×∫edt
上記(数22)中、Kbsは比例定数であり、光出力の制御特性が最適化されるように設計される。
【0089】
このIopBSの加算に伴い、レジスタブロック520の演算にしたがって、IphBSには、発光部駆動電流源310のバイアス電流源312の波長変化を位相可変部駆動電流源320のバイアス電流源322の波長変化で相殺するように、−β2 ×Kbs×∫edtの値が加算される。さらに、IphDCには、波長可変DBR半導体レーザ光源300の発振波長が光導波路型QPM−SHGデバイス304の最大効率波長に追従するように、−γ2 ×β2 ×Kbs×∫edtの値が加算される。
【0090】
以上の処理を、誤差eが0となるまで繰り返し(S11)、発光部駆動電流源310の電流値IopBSを、このときのIopBSに決定する(S12)。以後、この電流値IopBSで波長可変DBR半導体レーザ光源300の発光部301を駆動する。
【0091】
以上のような処理を行えば、波長可変DBR半導体レーザ光源300の発振波長を光導波路型QPM−SHGデバイス304の最大効率波長に追従させながら、IopBMを変化させて所望のバイアスパワーを得ることができる。
【0092】
[ピークパワー較正]
次に、ピークパワー較正を行う。
【0093】
以下、ピークパワー較正の手順について、図18に示すフローチャートを用いて、詳細に説明する。
【0094】
それぞれの電流源は、テストパターン1(図10)を用いることにより、ピーク−バイアス−ボトム間でスイッチング動作するものとする(S13)。
【0095】
ピークパワー較正の開始時点においては、IopPKはプリセット値IopPK(pr)となっている。マーク部における波長可変DBR半導体レーザ光源300の光出力の平均値を検出し、そのときのモニタ電圧をFSmon とする。ここで、マーク部平均値の制御目標値をACref とする。また、ACref とFSmon との誤差eを下記(数23)で表記する(S14)。
[数23]
e=ACref −FSmon
そして、この誤差eの積分値をIopPK(pr)に加算して、下記(数24)を得る。
[数24]
IopPK=IopPK(pr)+Kpk×∫edt
上記(数24)中、Kpkは比例定数であり、光出力の制御特性が最適化されるように設計される。
【0096】
このIopPKの加算に伴い、レジスタブロック520の演算にしたがって、IphPKには、発光部駆動電流源310のピーク電流源311の波長変化を位相可変部駆動電流源320のピーク電流源321の波長変化で相殺するように、−β3 ×Kpk×∫edtの値が加算される。さらに、IphDCには、波長可変DBR半導体レーザ光源300の発振波長が光導波路型QPM−SHGデバイス304の最大効率波長に追従するように、−γ3 ×β3 ×Kpk×∫edtの値が加算される。
【0097】
以上の処理を、誤差eが0となるまで繰り返し(S15)、発光部駆動電流源310の電流値IopPKを、このときのIopPKに決定する(S16)。以後、この電流値IopPKで波長可変DBR半導体レーザ光源300の発光部301を駆動する。
【0098】
以上のような処理を行えば、波長可変DBR半導体レーザ光源300の発振波長を光導波路型QPM−SHGデバイス304の最大効率波長に追従させながら、IopPKを変化させて所望のピークパワーを得ることができる。
【0099】
[再生パワー較正]
次に、再生パワー較正を行う。
【0100】
以下、再生パワー較正の手順について、図20に示すフローチャートを用いて、詳細に説明する。
【0101】
最初、それぞれの電流源は、図19に示すようなテストパターン3を用いることにより、再生動作時の駆動形態となっている(S17)。
【0102】
再生パワー較正の開始時点においては、IopRDはプリセット値IopRD(pr)となっている。マーク部における波長可変DBR半導体レーザ光源300の光出力の平均値を検出し、そのときのモニタ電圧をFSmon とする。ここで、リードパワーの制御目標値をRDref とする。また、RDref とFSmon との誤差eを下記(数25)で表記する(S18)。
[数25]
e=RDref −FSmon
そして、この誤差eの積分値をIopRD(pr)に加算して、下記(数26)を得る。
[数26]
IopRD=IopRD(pr)+Krd×∫edt
上記(数26)中、Krdは比例定数であり、光出力の制御特性が最適化されるように設計される。
【0103】
このIopRDの加算に伴い、レジスタブロック520の演算にしたがって、IphDCには、波長可変DBR半導体レーザ光源300の発振波長が光導波路型QPM−SHGデバイス304の最大効率波長に追従するように、−β1 ×Krd×∫edtの値が加算される。
【0104】
以上の処理を、誤差eが0となるまで繰り返し(S19)、発光部駆動電流源310の電流値IopRDを、このときのIopRDに決定する(S20)。以後、この電流値IopRDで波長可変DBR半導体レーザ光源300の発光部301を駆動する。
【0105】
以上のような処理を行えば、波長可変DBR半導体レーザ光源300の発振波長を光導波路型QPM−SHGデバイス304の最大効率波長に追従させながら、IopRDを変化させて所望の再生パワーを得ることができる。
【0106】
以上のように、本実施の形態においては、まず、記録動作時の駆動形態でIdbr 波長探査処理とIphMAIN波長探査処理を行い、その後、記録パワー較正と再生パワー較正を行ったが、以下にその効果を述べる。
【0107】
まず、再生動作時の駆動形態でIdbr 波長探査処理とIphMAIN波長探査処理を行った場合、最適波長となるIphMAINの値は、波長可変DBR半導体レーザ光源300の複数のモードに対して複数個存在し得る。そして、記録動作時の位相可変部駆動電流源320から波長可変DBR半導体レーザ光源300の位相可変部302に供給される電流は再生動作時よりも低くなるため、再生動作時のIphMAINの値を低い値に決定してしまうと、位相可変部駆動電流源320から波長可変DBR半導体レーザ光源300の位相可変部302に供給される電流が、0mA以下になってしまうか、位相可変部302のダイオード特性の低電流領域における非線形な領域に到達してしまう。このような場合には、所望の光出力が得られない。従って、かかる場合には、リトライ処理により、Idbr 波長探査処理、IphMAIN波長探査処理、再生パワー較正、記録パワー較正を再び繰り返す必要があり、起動時間の大幅なロスに繋がってしまう。
【0108】
これに対し、本実施の形態においては、まず、記録動作時の駆動形態でIdbr 波長探査処理とIphMAIN波長探査処理を行い、その後、記録パワー較正と再生パワー較正を順次行うようにしたので、IphMAINとして記録動作時に必要な高い値が必然的に求められる。従って、リトライ処理を行うことなく初期レーザ較正処理を終えることができる。
【0109】
また、上記したレーザパワーの較正方法において決定されたそれぞれの電流値を、プリセット値記憶部510に記憶しておき、これらの電流値を次回の起動時に用いるようにすれば、起動時間をより短縮することが可能となる。
【0110】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の光源装置の制御方法によれば、一度のIdbr 波長探査処理で確実に第2高調波発生デバイスの最大効率波長にほぼ等しい波長を得ることができる。また、半導体レーザ光源の発振波長を第2高調波発生デバイスの最大効率波長にほぼ等しくすることができるので、一度のIdbr 波長探査処理で確実に第2高調波発生デバイスの最大効率波長にほぼ等しい波長を得ることができる。さらに、半導体レーザ光源の発振波長の整定時間を短くすることができ、素早くIdbr 波長探査処理に切り替わることが可能となるので、起動時間の短縮を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態における光源装置を示す概略構成図
【図2】本発明の一実施の形態における基本波光の波長に対して出射される高調波光の出力パワーを示す図
【図3】本発明の一実施の形態における光源装置の制御回路を示すブロック図
【図4】本発明の一実施の形態における発光部駆動電流と位相可変部駆動電流との関係を示す図
【図5】図3の光出力/波長制御手段を詳細に示すブロック図
【図6】本発明の一実施の形態の起動時レーザ処理における各電流源の電流印加状態を示す図
【図7】本発明の一実施の形態における起動時レーザ処理の効果を説明するための図
【図8】本発明の一実施の形態の起動時レーザ処理における各電流源の電流印加状態の他の例を示す図
【図9】本発明の一実施の形態の起動時レーザ処理における各電流源の電流印加状態のさらに他の例を示す図
【図10】本発明の一実施の形態のIdbr 波長探査処理における記録動作時の駆動形態に近い駆動形態にしておくためのテストパターンを示す図
【図11】本発明の一実施の形態のIdbr 波長探査処理における波長可変部駆動電流波形を示す図
【図12】本発明の一実施の形態におけるIdbr 波長探査処理の手順を示すフローチャート
【図13】本発明の一実施の形態におけるIphMAIN波長探査処理の手順を示すフローチャート
【図14】本発明の一実施の形態のボトムパワー較正における定常動作させるためのテストパターンを示す図
【図15】本発明の一実施の形態におけるボトムパワー較正の手順を示すフローチャート
【図16】本発明の一実施の形態のバイアスパワー較正における記録動作時の駆動形態に近い駆動形態にしておくためのテストパターンを示す図
【図17】本発明の一実施の形態におけるバイアスパワー較正の手順を示すフローチャート
【図18】本発明の一実施の形態におけるピークパワー較正の手順を示すフローチャート
【図19】本発明の一実施の形態のリードパワー較正における再生動作時の駆動形態にしておくためのテストパターンを示す図
【図20】本発明の一実施の形態における再生パワー較正の手順を示すフローチャート
【図21】従来技術における光導波路型QPM−SHGデバイスを用いたSHG青色光源の概略構成図
【符号の説明】
1 DBR領域
2 位相調整領域
3 活性層領域
4 半導体レーザ光源
5、304 光導波路型QPM−SHGデバイス
11 X板MgOドープLiNbO3 基板
12 光導波路
300 波長可変DBR半導体レーザ光源
301 発光部(活性層領域)
302 位相可変部(位相調整領域)
303 波長可変部(DBR領域)
305 フォトディテクタ
306 I/Vアンプ
310 発光部駆動電流源
311、321 ピーク電流源
312、322 バイアス電流源
313、323 DC電流源
320 位相可変部駆動電流源
330 波長可変部駆動電流源
340 光出力/波長制御手段
350 記録波形生成手段
360 反転手段
510 プリセット値記憶部
520 レジスタブロック
340 光出力/波長制御手段
Claims (1)
- 活性層領域と位相調整領域と分布ブラッグ反射器(DBR)領域を有する半導体レーザ光源と、前記半導体レーザ光源の出射光から第2高調波を発生させる第2高調波発生デバイスと、前記第2高調波発生デバイスからの光出力を検出する手段とを備えた光源装置の制御方法であって、
前記光源装置を起動するに際し、前記活性層領域へ所定の電流値I op (pr)で、前記位相調整領域へ所定の電流値I ph (pr)よりも大きな電流値で、前記DBR領域へ所定の電流値I dbr (pr)でそれぞれ電流の注入を開始し、
所定時間経過後に、前記位相調整領域への電流の注入を前記所定の電流値I ph (pr)に切り替え、
前記DBR領域への注入電流Idbrを所定の範囲で逐次変化させ、前記逐次変化に対応した光出力の検出値の増加分が最大となるときの注入電流値Idbr_llと、光出力の検出値の減少分が最大となるときの注入電流値Idbr_ulを求め、前記DBR領域への注入電流Idbrを前記Idbr_llと前記Idbr_ulとの間の値に決定する、ことを特徴とする光源装置の制御方法。
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