JP2003298177A - 光源装置の制御方法 - Google Patents
光源装置の制御方法Info
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- JP2003298177A JP2003298177A JP2002097223A JP2002097223A JP2003298177A JP 2003298177 A JP2003298177 A JP 2003298177A JP 2002097223 A JP2002097223 A JP 2002097223A JP 2002097223 A JP2002097223 A JP 2002097223A JP 2003298177 A JP2003298177 A JP 2003298177A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザ光源と第２高調波発生デバイス
とを備え、安定した高調波光出力を得ることのできる光
源装置を提供する。 【解決手段】 発光部（活性層領域）３０１と位相可変
部（位相調整領域）３０２と波長可変部（ＤＢＲ領域）
３０３とにより構成される半導体レーザ光源３００と、
導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４とを備えた光源
装置である。プリセット値記憶部に、光源装置を製造す
る際に半導体レーザ光源３００が所望の光出力で発光す
るように調整されたプリセット電流値を記憶しておく。
光源装置の起動時に、プリセット値記憶部に記憶された
プリセット電流値でそれぞれ発光部３０１、位相可変部
３０２及び波長可変部３０３への電流注入を行う。
とを備え、安定した高調波光出力を得ることのできる光
源装置を提供する。 【解決手段】 発光部（活性層領域）３０１と位相可変
部（位相調整領域）３０２と波長可変部（ＤＢＲ領域）
３０３とにより構成される半導体レーザ光源３００と、
導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４とを備えた光源
装置である。プリセット値記憶部に、光源装置を製造す
る際に半導体レーザ光源３００が所望の光出力で発光す
るように調整されたプリセット電流値を記憶しておく。
光源装置の起動時に、プリセット値記憶部に記憶された
プリセット電流値でそれぞれ発光部３０１、位相可変部
３０２及び波長可変部３０３への電流注入を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光源装置の制御方
法に関する。さらに詳細には、本発明は、半導体レーザ
光源と第２高調波発生デバイスとを備え、安定した高調
波光出力を得ることのできる光源装置の制御方法に関す
る。
法に関する。さらに詳細には、本発明は、半導体レーザ
光源と第２高調波発生デバイスとを備え、安定した高調
波光出力を得ることのできる光源装置の制御方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクの高密度化、及びディスプレ
イの高繊細化を実現するためには、小型の短波長光源が
必要とされる。小型の短波長光源として、半導体レーザ
と擬似位相整合（以下『ＱＰＭ』と記す）方式の光導波
路型第２高調波発生（以下『ＳＨＧ』と記す）デバイス
（光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス）を用いたコヒー
レント光源が注目されている（山本他、Optics Letters
Vol.16, No.15, 1156 (1991)参照）。
イの高繊細化を実現するためには、小型の短波長光源が
必要とされる。小型の短波長光源として、半導体レーザ
と擬似位相整合（以下『ＱＰＭ』と記す）方式の光導波
路型第２高調波発生（以下『ＳＨＧ』と記す）デバイス
（光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス）を用いたコヒー
レント光源が注目されている（山本他、Optics Letters
Vol.16, No.15, 1156 (1991)参照）。
【０００３】図２１に、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバ
イスを用いたＳＨＧ青色光源の概略構成を示す。図２１
に示すように、半導体レーザとして、分布ブラッグ反射
器（以下『ＤＢＲ』と記す）領域を有する波長可変ＤＢ
Ｒ半導体レーザ５４が用いられている。波長可変ＤＢＲ
半導体レーザ５４は、０．８５μｍ帯の１００ｍＷ級Ａ
ｌＧａＡｓ系波長可変ＤＢＲ半導体レーザであり、活性
層領域５６と位相調整領域５７とＤＢＲ領域５８とによ
り構成されている。そして、位相調整領域５７とＤＢＲ
領域５８への注入電流を或る一定の比率で制御すること
により、連続的に発振波長を変化させることができる。
イスを用いたＳＨＧ青色光源の概略構成を示す。図２１
に示すように、半導体レーザとして、分布ブラッグ反射
器（以下『ＤＢＲ』と記す）領域を有する波長可変ＤＢ
Ｒ半導体レーザ５４が用いられている。波長可変ＤＢＲ
半導体レーザ５４は、０．８５μｍ帯の１００ｍＷ級Ａ
ｌＧａＡｓ系波長可変ＤＢＲ半導体レーザであり、活性
層領域５６と位相調整領域５７とＤＢＲ領域５８とによ
り構成されている。そして、位相調整領域５７とＤＢＲ
領域５８への注入電流を或る一定の比率で制御すること
により、連続的に発振波長を変化させることができる。
【０００４】第２高調波発生デバイスである光導波路型
ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス５５は、Ｘ板ＭｇＯドープＬｉ
ＮｂＯ3 基板５９上に形成された、光導波路６０と周期
的な分極反転領域６１とにより構成されている。光導波
路６０は、ピロリン酸中でプロトン交換することによっ
て形成される。また、周期的な分極反転領域６１は、櫛
形の電極をＸ板ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 基板５９上に
形成し、電界を印加することによって作製される。
ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス５５は、Ｘ板ＭｇＯドープＬｉ
ＮｂＯ3 基板５９上に形成された、光導波路６０と周期
的な分極反転領域６１とにより構成されている。光導波
路６０は、ピロリン酸中でプロトン交換することによっ
て形成される。また、周期的な分極反転領域６１は、櫛
形の電極をＸ板ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 基板５９上に
形成し、電界を印加することによって作製される。
【０００５】図２１に示すＳＨＧ青色光源においては、
１００ｍＷのレーザ出力に対して７５ｍＷのレーザ光が
光導波路６０に結合する。そして、波長可変ＤＢＲ半導
体レーザ５４の位相調整領域５７及びＤＢＲ領域５８へ
の注入電流量を制御することにより、発振波長が光導波
路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス５５の位相整合波長許容幅
内に固定される。このＳＨＧ青色光源を用いることによ
り、波長４２５ｎｍの青色光が２５ｍＷ程度得られてい
るが、得られた青色光は、横モードがＴＥ00モードで回
折限界の集光特性を有し、ノイズ特性も相対雑音強度が
−１４０ｄＢ／Ｈｚ以下と小さく、光ディスクの再生に
適した特性を有する。
１００ｍＷのレーザ出力に対して７５ｍＷのレーザ光が
光導波路６０に結合する。そして、波長可変ＤＢＲ半導
体レーザ５４の位相調整領域５７及びＤＢＲ領域５８へ
の注入電流量を制御することにより、発振波長が光導波
路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス５５の位相整合波長許容幅
内に固定される。このＳＨＧ青色光源を用いることによ
り、波長４２５ｎｍの青色光が２５ｍＷ程度得られてい
るが、得られた青色光は、横モードがＴＥ00モードで回
折限界の集光特性を有し、ノイズ特性も相対雑音強度が
−１４０ｄＢ／Ｈｚ以下と小さく、光ディスクの再生に
適した特性を有する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】第２高調波発生デバイ
スである光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスは、基本波
光の波長に対する青色光出力特性を評価すると、その青
色光出力が半分になる波長幅（位相整合に対する波長許
容幅）が０．１ｎｍ程度と小さいことが分かる。これ
は、青色光出力を安定に得るためには大きな問題とな
る。この問題を解決するために、従来においては、基本
波光として波長可変ＤＢＲ半導体レーザが用いられ、基
本波光の波長（発振波長）を光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧ
デバイスの位相整合波長許容幅内に固定し、安定な青色
光出力を実現している。
スである光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスは、基本波
光の波長に対する青色光出力特性を評価すると、その青
色光出力が半分になる波長幅（位相整合に対する波長許
容幅）が０．１ｎｍ程度と小さいことが分かる。これ
は、青色光出力を安定に得るためには大きな問題とな
る。この問題を解決するために、従来においては、基本
波光として波長可変ＤＢＲ半導体レーザが用いられ、基
本波光の波長（発振波長）を光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧ
デバイスの位相整合波長許容幅内に固定し、安定な青色
光出力を実現している。
【０００７】一般に、半導体レーザ光源の発振波長は周
囲温度によって変化し、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバ
イスの最適波長も周囲温度によって変化する。このた
め、従来においては、半導体レーザ光源及び光導波路型
ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスを、ペルチエ素子等を利用して
その温度を一定に保つことにより、青色光の出力安定化
を図っていた。
囲温度によって変化し、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバ
イスの最適波長も周囲温度によって変化する。このた
め、従来においては、半導体レーザ光源及び光導波路型
ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスを、ペルチエ素子等を利用して
その温度を一定に保つことにより、青色光の出力安定化
を図っていた。
【０００８】しかし、光ディスクやレーザプリンタ等の
光情報処理機器への搭載を考えた場合、稼働状態におい
て、平均的な出力パワーは時々刻々と変化する。このと
き、半導体レーザ光源の発生する熱量が変化し、ペルチ
エ素子等を利用して周囲温度を一定に保っている場合で
あっても、半導体レーザ光源自体の温度が変化し、ひい
ては発振波長が変化するために、安定な青色光出力が得
られないという問題がある。
光情報処理機器への搭載を考えた場合、稼働状態におい
て、平均的な出力パワーは時々刻々と変化する。このと
き、半導体レーザ光源の発生する熱量が変化し、ペルチ
エ素子等を利用して周囲温度を一定に保っている場合で
あっても、半導体レーザ光源自体の温度が変化し、ひい
ては発振波長が変化するために、安定な青色光出力が得
られないという問題がある。
【０００９】また、装置の小型化のためにペルチエ素子
等の温度制御装置を用いない場合には、周囲温度の変動
はより大きくなり、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス
の出力変動を引き起こすことになる。
等の温度制御装置を用いない場合には、周囲温度の変動
はより大きくなり、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス
の出力変動を引き起こすことになる。
【００１０】本発明は、従来技術における前記課題を解
決するためになされたものであり、半導体レーザ光源と
第２高調波発生デバイスとを備え、安定した高調波光出
力を得ることのできる光源装置の制御方法を提供するこ
とを目的とする。
決するためになされたものであり、半導体レーザ光源と
第２高調波発生デバイスとを備え、安定した高調波光出
力を得ることのできる光源装置の制御方法を提供するこ
とを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る光源装置の第１の制御方法は、少なく
とも活性層領域と位相調整領域と分布ブラッグ反射器
（ＤＢＲ）領域を有する半導体レーザ光源と、前記半導
体レーザ光源の出射光から第２高調波を発生させる第２
高調波発生デバイスと、前記第２高調波発生デバイスか
らの光出力を検出する手段とを備えた光源装置の制御方
法であって、前記ＤＢＲ領域への注入電流Ｉdbr を所定
の範囲で逐次変化させ、前記逐次変化に対応した光出力
の検出値の増加分が最大となるときの注入電流値Ｉdbr_
llと、光出力の検出値の減少分が最大となるときの注入
電流値Ｉdbr_ulを求め、前記ＤＢＲ領域への注入電流Ｉ
dbr を前記Ｉdbr_llと前記Ｉdbr_ulとの間の値に決定す
ることを特徴とする。
め、本発明に係る光源装置の第１の制御方法は、少なく
とも活性層領域と位相調整領域と分布ブラッグ反射器
（ＤＢＲ）領域を有する半導体レーザ光源と、前記半導
体レーザ光源の出射光から第２高調波を発生させる第２
高調波発生デバイスと、前記第２高調波発生デバイスか
らの光出力を検出する手段とを備えた光源装置の制御方
法であって、前記ＤＢＲ領域への注入電流Ｉdbr を所定
の範囲で逐次変化させ、前記逐次変化に対応した光出力
の検出値の増加分が最大となるときの注入電流値Ｉdbr_
llと、光出力の検出値の減少分が最大となるときの注入
電流値Ｉdbr_ulを求め、前記ＤＢＲ領域への注入電流Ｉ
dbr を前記Ｉdbr_llと前記Ｉdbr_ulとの間の値に決定す
ることを特徴とする。
【００１２】この光源装置の第１の制御方法によれば、
一度のＩdbr 波長探査処理で確実に第２高調波発生デバ
イスの最大効率波長にほぼ等しい波長を得ることができ
る。
一度のＩdbr 波長探査処理で確実に第２高調波発生デバ
イスの最大効率波長にほぼ等しい波長を得ることができ
る。
【００１３】また、前記本発明の光源装置の第１の制御
方法においては、前記光源装置を起動するに際し、前記
ＤＢＲ領域への注入電流Ｉdbr を所定の範囲で逐次変化
させたときに前記注入電流値Ｉdbr_llと前記注入電流値
Ｉdbr_ulが前記所定の範囲に含まれるように、前記活性
層領域と前記位相調整領域と前記ＤＢＲ領域へそれぞれ
予め決められた所定のプリセット値Ｉop（ｐｒ）、Ｉph
（ｐｒ）、Ｉdbr （ｐｒ）で電流の注入を開始するのが
好ましい。
方法においては、前記光源装置を起動するに際し、前記
ＤＢＲ領域への注入電流Ｉdbr を所定の範囲で逐次変化
させたときに前記注入電流値Ｉdbr_llと前記注入電流値
Ｉdbr_ulが前記所定の範囲に含まれるように、前記活性
層領域と前記位相調整領域と前記ＤＢＲ領域へそれぞれ
予め決められた所定のプリセット値Ｉop（ｐｒ）、Ｉph
（ｐｒ）、Ｉdbr （ｐｒ）で電流の注入を開始するのが
好ましい。
【００１４】この好ましい例によれば、半導体レーザ光
源の発振波長を第２高調波発生デバイスの最大効率波長
にほぼ等しくすることができるので、一度のＩdbr 波長
探査処理で確実に第２高調波発生デバイスの最大効率波
長にほぼ等しい波長を得ることができる。
源の発振波長を第２高調波発生デバイスの最大効率波長
にほぼ等しくすることができるので、一度のＩdbr 波長
探査処理で確実に第２高調波発生デバイスの最大効率波
長にほぼ等しい波長を得ることができる。
【００１５】また、この場合には、前記光源装置を起動
するに際し、前記活性層領域と前記位相調整領域と前記
ＤＢＲ領域へのそれぞれの前記所定のプリセット値Ｉop
（ｐｒ）、Ｉph（ｐｒ）、Ｉdbr （ｐｒ）のうち、少な
くとも１つの前記プリセット値よりも大きな電流値で電
流の注入を開始し、所定時間経過後に、前記プリセット
値に注入電流値を切り替えるのが好ましい。この好まし
い例によれば、半導体レーザ光源の発振波長の整定時間
を短くすることができ、素早くＩdbr 波長探査処理に切
り替わることが可能となるので、起動時間の短縮を図る
ことができる。
するに際し、前記活性層領域と前記位相調整領域と前記
ＤＢＲ領域へのそれぞれの前記所定のプリセット値Ｉop
（ｐｒ）、Ｉph（ｐｒ）、Ｉdbr （ｐｒ）のうち、少な
くとも１つの前記プリセット値よりも大きな電流値で電
流の注入を開始し、所定時間経過後に、前記プリセット
値に注入電流値を切り替えるのが好ましい。この好まし
い例によれば、半導体レーザ光源の発振波長の整定時間
を短くすることができ、素早くＩdbr 波長探査処理に切
り替わることが可能となるので、起動時間の短縮を図る
ことができる。
【００１６】また、この場合には、前記位相調整領域と
前記ＤＢＲ領域への電流の注入を開始し、所定時間経過
後に、前記活性層領域への電流の注入を開始するのが好
ましい。この好ましい例によっても、半導体レーザ光源
の発振波長の整定時間を短くすることができ、素早くＩ
dbr 波長探査処理に切り替わることが可能となるので、
起動時間の短縮を図ることができる。
前記ＤＢＲ領域への電流の注入を開始し、所定時間経過
後に、前記活性層領域への電流の注入を開始するのが好
ましい。この好ましい例によっても、半導体レーザ光源
の発振波長の整定時間を短くすることができ、素早くＩ
dbr 波長探査処理に切り替わることが可能となるので、
起動時間の短縮を図ることができる。
【００１７】本発明に係る光源装置の第２の制御方法
は、少なくとも活性層領域と位相調整領域と分布ブラッ
グ反射器（ＤＢＲ）領域を有する半導体レーザ光源と、
前記半導体レーザ光源の出射光から第２高調波を発生さ
せる第２高調波発生デバイスと、前記第２高調波発生デ
バイスからの光出力を検出する手段とを備えた光源装置
の制御方法であって、前記位相調整領域への注入電流Ｉ
phを所定の範囲で逐次変化させ、前記逐次変化に対応し
た光出力の検出値が最大となるときの注入電流値Ｉ
ph（ｍａｘ）を求め、前記位相調整領域への注入電流値
を前記Ｉph（ｍａｘ）に決定することを特徴とする。
は、少なくとも活性層領域と位相調整領域と分布ブラッ
グ反射器（ＤＢＲ）領域を有する半導体レーザ光源と、
前記半導体レーザ光源の出射光から第２高調波を発生さ
せる第２高調波発生デバイスと、前記第２高調波発生デ
バイスからの光出力を検出する手段とを備えた光源装置
の制御方法であって、前記位相調整領域への注入電流Ｉ
phを所定の範囲で逐次変化させ、前記逐次変化に対応し
た光出力の検出値が最大となるときの注入電流値Ｉ
ph（ｍａｘ）を求め、前記位相調整領域への注入電流値
を前記Ｉph（ｍａｘ）に決定することを特徴とする。
【００１８】この光源装置の第２の制御方法によれば、
半導体レーザ光源の発振波長を第２高調波発生デバイス
の最大効率波長に確実に等しくすることができる。
半導体レーザ光源の発振波長を第２高調波発生デバイス
の最大効率波長に確実に等しくすることができる。
【００１９】本発明に係る光源装置の第３の制御方法
は、少なくとも活性層領域と位相調整領域と分布ブラッ
グ反射器（ＤＢＲ）領域を有する半導体レーザ光源と、
前記半導体レーザ光源の出射光から第２高調波を発生さ
せる第２高調波発生デバイスと、前記第２高調波発生デ
バイスからの光出力を検出する手段とを備えた光源装置
の制御方法であって、光出力の制御目標値と光出力の検
出値との誤差を算出し、前記誤差の積分値を前記活性層
領域に注入する電流に加算すると共に、前記誤差の積分
値に所定の定数を乗じた値を、前記位相調整領域に注入
することにより、光出力を制御目標値に制御することを
特徴とする。
は、少なくとも活性層領域と位相調整領域と分布ブラッ
グ反射器（ＤＢＲ）領域を有する半導体レーザ光源と、
前記半導体レーザ光源の出射光から第２高調波を発生さ
せる第２高調波発生デバイスと、前記第２高調波発生デ
バイスからの光出力を検出する手段とを備えた光源装置
の制御方法であって、光出力の制御目標値と光出力の検
出値との誤差を算出し、前記誤差の積分値を前記活性層
領域に注入する電流に加算すると共に、前記誤差の積分
値に所定の定数を乗じた値を、前記位相調整領域に注入
することにより、光出力を制御目標値に制御することを
特徴とする。
【００２０】この光源装置の第３の制御方法によれば、
半導体レーザ光源の発振波長を第２高調波発生デバイス
の最大効率波長に追従させながら、所望の注入電流値を
得ることができる。
半導体レーザ光源の発振波長を第２高調波発生デバイス
の最大効率波長に追従させながら、所望の注入電流値を
得ることができる。
【００２１】本発明に係る光源装置の第４の制御方法
は、少なくとも活性層領域と位相調整領域と分布ブラッ
グ反射器（ＤＢＲ）領域を有する半導体レーザ光源と、
前記半導体レーザ光源の出射光から第２高調波を発生さ
せる第２高調波発生デバイスと、前記第２高調波発生デ
バイスからの光出力を検出する手段とを備え、前記半導
体レーザ光源の光出力を低出力と高出力の少なくとも２
値以上の値に切り替える光源装置の制御方法であって、
まず、前記半導体レーザ光源の光出力が高出力になる状
態で、前記半導体レーザ光源の出射光の波長を前記第２
高調波発生デバイスの最適波長にするための較正と、前
記第２高調波発生デバイスからの光出力を制御目標値に
するための制御の少なくとも一方を行い、次いで、前記
半導体レーザ光源の光出力が低出力になる状態で、前記
半導体レーザ光源の出射光の波長を前記第２高調波発生
デバイスの最適波長にするための較正と、前記第２高調
波発生デバイスからの光出力を制御目標値にするための
制御の少なくとも一方を行うことを特徴とする。
は、少なくとも活性層領域と位相調整領域と分布ブラッ
グ反射器（ＤＢＲ）領域を有する半導体レーザ光源と、
前記半導体レーザ光源の出射光から第２高調波を発生さ
せる第２高調波発生デバイスと、前記第２高調波発生デ
バイスからの光出力を検出する手段とを備え、前記半導
体レーザ光源の光出力を低出力と高出力の少なくとも２
値以上の値に切り替える光源装置の制御方法であって、
まず、前記半導体レーザ光源の光出力が高出力になる状
態で、前記半導体レーザ光源の出射光の波長を前記第２
高調波発生デバイスの最適波長にするための較正と、前
記第２高調波発生デバイスからの光出力を制御目標値に
するための制御の少なくとも一方を行い、次いで、前記
半導体レーザ光源の光出力が低出力になる状態で、前記
半導体レーザ光源の出射光の波長を前記第２高調波発生
デバイスの最適波長にするための較正と、前記第２高調
波発生デバイスからの光出力を制御目標値にするための
制御の少なくとも一方を行うことを特徴とする。
【００２２】この光源装置の第４の制御方法によれば、
リトライ処理を行うことなく、レーザパワー較正処理を
終えることができる。
リトライ処理を行うことなく、レーザパワー較正処理を
終えることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、実施の形態を用いて本発明
をさらに具体的に説明する。
をさらに具体的に説明する。
【００２４】図１は本発明の一実施の形態における光源
装置を示す概略構成図である。
装置を示す概略構成図である。
【００２５】図１に示すように、本実施の形態の光源装
置においては、基本波として用いられる半導体レーザ光
源として、分布ブラッグ反射器（以下『ＤＢＲ』と記
す）領域１と、注入電流によってレーザ内の光の位相を
調整する位相調整領域２と、注入電流によってその出力
パワーを制御する活性層領域３とを有する０．８５μｍ
帯の１００ｍＷ級ＡｌＧａＡｓ系波長可変ＤＢＲ半導体
レーザ光源４が用いられている。
置においては、基本波として用いられる半導体レーザ光
源として、分布ブラッグ反射器（以下『ＤＢＲ』と記
す）領域１と、注入電流によってレーザ内の光の位相を
調整する位相調整領域２と、注入電流によってその出力
パワーを制御する活性層領域３とを有する０．８５μｍ
帯の１００ｍＷ級ＡｌＧａＡｓ系波長可変ＤＢＲ半導体
レーザ光源４が用いられている。
【００２６】また、第２高調波発生デバイスとしては、
擬似位相整合（以下『ＱＰＭ』と記す）方式の光導波路
型第２高調波発生（以下『ＳＨＧ』と記す）デバイス
（光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス）５が用いられて
いる。すなわち、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス５
は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）を用いた光学結
晶基板（０．５ｍｍ厚のＸ板ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3
基板）１１の上面に形成された、光導波路１２と、基本
波と高調波の伝搬定数差を補償するための、光導波路１
２と直交する周期的な分極反転領域とにより構成されて
いる。光導波路１２は、ピロリン酸中でプロトン交換す
ることによって形成される。また、周期的な分極反転領
域は、櫛形の電極をＸ板ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 基板
１１上に形成し、電界を印加することによって作製され
る。光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス５は、大きな非
線形光学定数を利用することができ、また、光導波路型
であり、長い相互作用長とすることが可能であるため、
高い変換効率を実現することができる。
擬似位相整合（以下『ＱＰＭ』と記す）方式の光導波路
型第２高調波発生（以下『ＳＨＧ』と記す）デバイス
（光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス）５が用いられて
いる。すなわち、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス５
は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）を用いた光学結
晶基板（０．５ｍｍ厚のＸ板ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3
基板）１１の上面に形成された、光導波路１２と、基本
波と高調波の伝搬定数差を補償するための、光導波路１
２と直交する周期的な分極反転領域とにより構成されて
いる。光導波路１２は、ピロリン酸中でプロトン交換す
ることによって形成される。また、周期的な分極反転領
域は、櫛形の電極をＸ板ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 基板
１１上に形成し、電界を印加することによって作製され
る。光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス５は、大きな非
線形光学定数を利用することができ、また、光導波路型
であり、長い相互作用長とすることが可能であるため、
高い変換効率を実現することができる。
【００２７】半導体レーザ光源４と光導波路型ＱＰＭ−
ＳＨＧデバイス５は、Ｓｉサブマウント６上で一体化さ
れ、ペルチエ素子によって温度コントロールされてい
る。基本波光である半導体レーザ光は、レンズを用いる
ことなく、直接結合によって光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧ
デバイス５の光導波路１２に結合する。すなわち、半導
体レーザ光源４から出射された基本波光は、光導波路型
ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス５に入射され、光導波路型ＱＰ
Ｍ−ＳＨＧデバイス５に入射した基本波光は、光導波路
１２の内部に閉じ込められて伝搬する。光導波路１２内
を伝搬する基本波光は、光学結晶（Ｘ板ＭｇＯドープＬ
ｉＮｂＯ3 ）が有する非線形性によって第２高調波に変
換され、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス５の出射端
面から基本波光の２分の１の波長を有する高調波光が出
射される。
ＳＨＧデバイス５は、Ｓｉサブマウント６上で一体化さ
れ、ペルチエ素子によって温度コントロールされてい
る。基本波光である半導体レーザ光は、レンズを用いる
ことなく、直接結合によって光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧ
デバイス５の光導波路１２に結合する。すなわち、半導
体レーザ光源４から出射された基本波光は、光導波路型
ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス５に入射され、光導波路型ＱＰ
Ｍ−ＳＨＧデバイス５に入射した基本波光は、光導波路
１２の内部に閉じ込められて伝搬する。光導波路１２内
を伝搬する基本波光は、光学結晶（Ｘ板ＭｇＯドープＬ
ｉＮｂＯ3 ）が有する非線形性によって第２高調波に変
換され、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス５の出射端
面から基本波光の２分の１の波長を有する高調波光が出
射される。
【００２８】上記の構造を有する光導波路型ＱＰＭ−Ｓ
ＨＧデバイス５は、光学結晶（Ｘ板ＭｇＯドープＬｉＮ
ｂＯ3 ）が有する波長分散特性により、入射される基本
波光の波長に対して、図２に示すような波長特性を有す
る。図２は、入射した基本波光の波長に対して出射され
る高調波光の出力パワーを示している。高調波光は、基
本波光の最適波長λ０をピークとして、基本波光の波長
λに対して、下記（数１）に示すようなＳＩＮＣ関数に
よって表される出力特性を示す。 ［数１］ ｙ＝Sinc｛（λ−λ０）×π／ａ｝ ＝sin｛（λ−λ０）×π／ａ｝／｛（λ−λ０）×π／ａ｝ ここで、高調波出力パワーが最大値の半分になる波長幅
によって表される波長許容度は、約０．１ｎｍの幅を有
し、安定に青色出力を得るためには、基本波光の波長を
正確かつ安定にλ０に制御する必要がある。
ＨＧデバイス５は、光学結晶（Ｘ板ＭｇＯドープＬｉＮ
ｂＯ3 ）が有する波長分散特性により、入射される基本
波光の波長に対して、図２に示すような波長特性を有す
る。図２は、入射した基本波光の波長に対して出射され
る高調波光の出力パワーを示している。高調波光は、基
本波光の最適波長λ０をピークとして、基本波光の波長
λに対して、下記（数１）に示すようなＳＩＮＣ関数に
よって表される出力特性を示す。 ［数１］ ｙ＝Sinc｛（λ−λ０）×π／ａ｝ ＝sin｛（λ−λ０）×π／ａ｝／｛（λ−λ０）×π／ａ｝ ここで、高調波出力パワーが最大値の半分になる波長幅
によって表される波長許容度は、約０．１ｎｍの幅を有
し、安定に青色出力を得るためには、基本波光の波長を
正確かつ安定にλ０に制御する必要がある。
【００２９】以下、図１に示す半導体レーザ光源４の発
振波長を制御する方法について説明する。
振波長を制御する方法について説明する。
【００３０】半導体レーザ光源においては、一般に、前
後の反射面の光学的距離Ｌに対して下記（数２）を満た
す波長λの光のみが励振される。 ［数２］ ２Ｌ＝ｎλ（ｎ：整数） 上記（数２）を満たす波長λの列は『縦モード』と呼ば
れ、この場合の発振波長は離散的な値をとる。図１に示
す半導体レーザ光源４においては、ＤＢＲ領域１と半導
体レーザ光源４の出射端面との間に位相調整領域２が設
けられており、位相調整領域２に印加される電流によっ
て半導体レーザ光源４の光学的距離Ｌを変化させて、縦
モードの波長λを変化させることができる。このように
位相調整領域２に印加される電流によって半導体レーザ
光源４の発振波長を制御することができる。
後の反射面の光学的距離Ｌに対して下記（数２）を満た
す波長λの光のみが励振される。 ［数２］ ２Ｌ＝ｎλ（ｎ：整数） 上記（数２）を満たす波長λの列は『縦モード』と呼ば
れ、この場合の発振波長は離散的な値をとる。図１に示
す半導体レーザ光源４においては、ＤＢＲ領域１と半導
体レーザ光源４の出射端面との間に位相調整領域２が設
けられており、位相調整領域２に印加される電流によっ
て半導体レーザ光源４の光学的距離Ｌを変化させて、縦
モードの波長λを変化させることができる。このように
位相調整領域２に印加される電流によって半導体レーザ
光源４の発振波長を制御することができる。
【００３１】しかし、この波長制御方法では、以下に述
べる理由により、波長制御範囲が制限される。すなわ
ち、図１に示す半導体レーザ光源４のＤＢＲ領域１には
グレーティングが形成されており、その周期によって規
定される波長の光のみが反射される。具体的には、ＤＢ
Ｒ領域１の屈折率をｎdbr 、ＤＢＲ領域１のグレーティ
ング周期をΛとしたとき、ＤＢＲ領域１で反射され得る
光の波長の範囲は、２Λ／ｎdbr ±０．１ｎｍ程度であ
り、この範囲内の波長制御しか行うことができない。
べる理由により、波長制御範囲が制限される。すなわ
ち、図１に示す半導体レーザ光源４のＤＢＲ領域１には
グレーティングが形成されており、その周期によって規
定される波長の光のみが反射される。具体的には、ＤＢ
Ｒ領域１の屈折率をｎdbr 、ＤＢＲ領域１のグレーティ
ング周期をΛとしたとき、ＤＢＲ領域１で反射され得る
光の波長の範囲は、２Λ／ｎdbr ±０．１ｎｍ程度であ
り、この範囲内の波長制御しか行うことができない。
【００３２】本実施の形態においては、上記の波長制御
範囲を拡大するために以下の方法が採られる。すなわ
ち、ＤＢＲ領域１には電極が形成されており、この電極
に印加される電流によって、ＤＢＲ領域１の実効的なグ
レーティング周期が変化すると共に、ＤＢＲ領域１での
最適波長が変化する。位相調整領域２に印加される電流
による縦モードの波長の変化に追従するように、ＤＢＲ
領域１の最適波長を変化させることにより、連続的に発
振波長を制御することが可能となる。実際には、ＤＢＲ
領域１と位相調整領域２に、一定比率の電流を印加する
ことになる。
範囲を拡大するために以下の方法が採られる。すなわ
ち、ＤＢＲ領域１には電極が形成されており、この電極
に印加される電流によって、ＤＢＲ領域１の実効的なグ
レーティング周期が変化すると共に、ＤＢＲ領域１での
最適波長が変化する。位相調整領域２に印加される電流
による縦モードの波長の変化に追従するように、ＤＢＲ
領域１の最適波長を変化させることにより、連続的に発
振波長を制御することが可能となる。実際には、ＤＢＲ
領域１と位相調整領域２に、一定比率の電流を印加する
ことになる。
【００３３】図３は本発明の一実施の形態における光源
装置の制御回路を示すブロック図である。図３におい
て、３００は半導体レーザ光源としての波長可変ＤＢＲ
半導体レーザ光源であり、この波長可変ＤＢＲ半導体レ
ーザ光源３００は、発光部（活性層領域）３０１と位相
可変部（位相調整領域）３０２と波長可変部（ＤＢＲ領
域）３０３とにより構成されている。また、３０４は第
２高調波発生デバイスとしての導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧ
デバイスであり、この導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス
３０４からの第２高調波出力は、フォトディテクタ３０
５によって検出される。そして、この第２高調波出力の
検出結果は、Ｉ／Ｖアンプ３０６によってモニタ電圧Ｆ
Ｓmon として光出力／波長制御手段３４０にフィードバ
ックされる。
装置の制御回路を示すブロック図である。図３におい
て、３００は半導体レーザ光源としての波長可変ＤＢＲ
半導体レーザ光源であり、この波長可変ＤＢＲ半導体レ
ーザ光源３００は、発光部（活性層領域）３０１と位相
可変部（位相調整領域）３０２と波長可変部（ＤＢＲ領
域）３０３とにより構成されている。また、３０４は第
２高調波発生デバイスとしての導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧ
デバイスであり、この導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス
３０４からの第２高調波出力は、フォトディテクタ３０
５によって検出される。そして、この第２高調波出力の
検出結果は、Ｉ／Ｖアンプ３０６によってモニタ電圧Ｆ
Ｓmon として光出力／波長制御手段３４０にフィードバ
ックされる。
【００３４】波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の
発光部３０１は、発光部駆動電流源３１０によって駆動
される。ここで、発光部駆動電流源３１０は、ピーク電
流源３１１とバイアス電流源３１２とＤＣ電流源３１３
とにより構成されている。ピーク電流源３１１とバイア
ス電流源３１２とＤＣ電流源３１３の電流値は、光出力
／波長制御手段３４０により、それぞれＩopＰＫ、Ｉop
ＢＳ、ＩopＤＣで設定される。
発光部３０１は、発光部駆動電流源３１０によって駆動
される。ここで、発光部駆動電流源３１０は、ピーク電
流源３１１とバイアス電流源３１２とＤＣ電流源３１３
とにより構成されている。ピーク電流源３１１とバイア
ス電流源３１２とＤＣ電流源３１３の電流値は、光出力
／波長制御手段３４０により、それぞれＩopＰＫ、Ｉop
ＢＳ、ＩopＤＣで設定される。
【００３５】波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の
位相可変部３０２は、位相可変部駆動電流源３２０によ
って駆動される。ここで、位相可変部駆動電流源３２０
は、ピーク電流源３２１とバイアス電流源３２２とＤＣ
電流源３２３とにより構成されている。ピーク電流源３
２１とバイアス電流源３２２とＤＣ電流源３２３の電流
値は、光出力／波長制御手段３４０により、それぞれＩ
phＰＫ、ＩphＢＳ、Ｉ phＤＣで設定される。そして、記
録波形生成手段３５０からの変調信号ＰＫＭＤ、ＢＳＭ
Ｄによってピーク電流源３２１とバイアス電流源３２２
をそれぞれスイッチングすることにより、波長可変ＤＢ
Ｒ半導体レーザ光源３００の光出力変調が高速に実現さ
れる。
位相可変部３０２は、位相可変部駆動電流源３２０によ
って駆動される。ここで、位相可変部駆動電流源３２０
は、ピーク電流源３２１とバイアス電流源３２２とＤＣ
電流源３２３とにより構成されている。ピーク電流源３
２１とバイアス電流源３２２とＤＣ電流源３２３の電流
値は、光出力／波長制御手段３４０により、それぞれＩ
phＰＫ、ＩphＢＳ、Ｉ phＤＣで設定される。そして、記
録波形生成手段３５０からの変調信号ＰＫＭＤ、ＢＳＭ
Ｄによってピーク電流源３２１とバイアス電流源３２２
をそれぞれスイッチングすることにより、波長可変ＤＢ
Ｒ半導体レーザ光源３００の光出力変調が高速に実現さ
れる。
【００３６】以下、位相可変部駆動電流源３２０の動作
について説明する。記録動作時においては、高いレーザ
パワーで変調するために、当然、発光部３０１に注入さ
れる電流は増加するが、そのときの発熱によって発光部
３０１の温度が上昇する。発光部３０１も導波路構造と
なっているため、発熱による屈折率変化が位相及び波長
のずれを引き起こす。その結果、光導波路型ＱＰＭ−Ｓ
ＨＧデバイス３０４の変換効率の低下やモードホッピン
グが発生する。これを防止するために、本実施の形態に
おいては、発光部３０１に注入されるのとほぼ逆相の電
流を位相可変部駆動電流源３２０によって位相可変部３
０２に供給している。すなわち、まず、反転手段３６０
によって記録波形生成手段３５０からの変調信号ＰＫＭ
Ｄ、ＢＳＭＤを反転し、ピーク電流源３２１とバイアス
電流源３２２を変調する。その結果、図４に示すよう
に、発光部３０１に注入される電流が増加する一方、位
相可変部（ヒータ）３０２に注入される電流が減少し、
全体として、発熱量は、記録動作時・消去動作時・再生
動作時にかかわらず、一定に保たれる。
について説明する。記録動作時においては、高いレーザ
パワーで変調するために、当然、発光部３０１に注入さ
れる電流は増加するが、そのときの発熱によって発光部
３０１の温度が上昇する。発光部３０１も導波路構造と
なっているため、発熱による屈折率変化が位相及び波長
のずれを引き起こす。その結果、光導波路型ＱＰＭ−Ｓ
ＨＧデバイス３０４の変換効率の低下やモードホッピン
グが発生する。これを防止するために、本実施の形態に
おいては、発光部３０１に注入されるのとほぼ逆相の電
流を位相可変部駆動電流源３２０によって位相可変部３
０２に供給している。すなわち、まず、反転手段３６０
によって記録波形生成手段３５０からの変調信号ＰＫＭ
Ｄ、ＢＳＭＤを反転し、ピーク電流源３２１とバイアス
電流源３２２を変調する。その結果、図４に示すよう
に、発光部３０１に注入される電流が増加する一方、位
相可変部（ヒータ）３０２に注入される電流が減少し、
全体として、発熱量は、記録動作時・消去動作時・再生
動作時にかかわらず、一定に保たれる。
【００３７】波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の
波長可変部３０３は、波長可変部駆動電流源３３０によ
って駆動され、波長可変部駆動電流源３３０の電流値を
変化させることにより、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光
源３００の最適な発振波長を変化させることができる。
波長可変部駆動電流源３３０の電流値は、光出力／波長
制御手段３４０によりＩdbr で設定される。
波長可変部３０３は、波長可変部駆動電流源３３０によ
って駆動され、波長可変部駆動電流源３３０の電流値を
変化させることにより、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光
源３００の最適な発振波長を変化させることができる。
波長可変部駆動電流源３３０の電流値は、光出力／波長
制御手段３４０によりＩdbr で設定される。
【００３８】図５は、図３の光出力／波長制御手段３４
０を詳細に示すブロック図である。図５に示すように、
光出力／波長制御手段３４０は、レジスタブロック５２
０と、プリセット値記憶部５１０と、光出力／波長制御
部５３０とにより構成されている。ここで、レジスタブ
ロック５２０は、各々の電流源の電流値を設定するため
のものである。
０を詳細に示すブロック図である。図５に示すように、
光出力／波長制御手段３４０は、レジスタブロック５２
０と、プリセット値記憶部５１０と、光出力／波長制御
部５３０とにより構成されている。ここで、レジスタブ
ロック５２０は、各々の電流源の電流値を設定するため
のものである。
【００３９】記録動作時においては、発光部駆動電流源
３１０に対して、ＩopＤＣ、ＩopＢＳ、ＩopＰＫは所望
のボトムパワー、バイアスパワー、ピークパワーを実現
するように決定される。ここで、ＩopＤＣは、下記（数
３）によって定義される。 ［数３］ ＩopＤＣ＝ＩopＢＭ＋ΔＩop 上記（数３）中、右辺第１項目のＩopＢＭは、ボトムパ
ワーを実現するように決定される。尚、右辺第２項目の
ΔＩopは、光出力／波長制御部５３０による光出力制御
成分である。
３１０に対して、ＩopＤＣ、ＩopＢＳ、ＩopＰＫは所望
のボトムパワー、バイアスパワー、ピークパワーを実現
するように決定される。ここで、ＩopＤＣは、下記（数
３）によって定義される。 ［数３］ ＩopＤＣ＝ＩopＢＭ＋ΔＩop 上記（数３）中、右辺第１項目のＩopＢＭは、ボトムパ
ワーを実現するように決定される。尚、右辺第２項目の
ΔＩopは、光出力／波長制御部５３０による光出力制御
成分である。
【００４０】また、位相可変部駆動電流源３２０に対し
て、ＩphＰＫは、下記（数４）によって定義され、発光
部駆動電流源３１０のピーク電流源３１１の動作による
波長変化を相殺するように決定される。 ［数４］ ＩphＰＫ＝β3 ×ＩopＰＫ また、位相可変部駆動電流源３２０に対して、ＩphＢＳ
は、下記（数５）によって定義され、発光部駆動電流源
３１０のバイアス電流源３１２の動作による波長変化を
相殺するように決定される。 ［数５］ ＩphＢＳ＝β2 ×ＩopＢＳ また、位相可変部駆動電流源３２０に対して、ＩphＤＣ
は下記（数６）によって定義される。 ［数６］ ＩphＤＣ＝ＩphＭＡＩＮ−γ3 ×β3 ×ＩopＰＫ−γ2
×β2 ×ＩopＢＳ−β1 ×ΔＩop＋ΔＩph 上記（数６）中、右辺第１項目のＩphＭＡＩＮは、波長
可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の波長が光導波路型
ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長となるよ
うに決定される。尚、右辺第２項目のγ3 ×β3×Ｉop
ＰＫは、ＩopＰＫを増減させたときに波長可変ＤＢＲ半
導体レーザ光源３００の波長が光導波路型ＱＰＭ−ＳＨ
Ｇデバイス３０４の最大効率波長を追従するようにＩph
ＤＣを変化させる成分である。また、右辺第３項目のγ
2 ×β2 ×ＩopＢＳは、ＩopＢＳを増減させたときに波
長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の波長が光導波路
型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長を追従
するようにＩphＤＣを変化させる成分である。また、右
辺第４項目のβ1 ×ΔＩopは、光出力／波長制御部５３
０による光出力制御成分ΔＩopを増減させたときに波長
可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の波長が光導波路型
ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長を追従す
るようにＩphＤＣを変化させる成分である。また、右辺
第５項目のΔＩphは、波長制御時にＩphＤＣを変化させ
る成分である。
て、ＩphＰＫは、下記（数４）によって定義され、発光
部駆動電流源３１０のピーク電流源３１１の動作による
波長変化を相殺するように決定される。 ［数４］ ＩphＰＫ＝β3 ×ＩopＰＫ また、位相可変部駆動電流源３２０に対して、ＩphＢＳ
は、下記（数５）によって定義され、発光部駆動電流源
３１０のバイアス電流源３１２の動作による波長変化を
相殺するように決定される。 ［数５］ ＩphＢＳ＝β2 ×ＩopＢＳ また、位相可変部駆動電流源３２０に対して、ＩphＤＣ
は下記（数６）によって定義される。 ［数６］ ＩphＤＣ＝ＩphＭＡＩＮ−γ3 ×β3 ×ＩopＰＫ−γ2
×β2 ×ＩopＢＳ−β1 ×ΔＩop＋ΔＩph 上記（数６）中、右辺第１項目のＩphＭＡＩＮは、波長
可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の波長が光導波路型
ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長となるよ
うに決定される。尚、右辺第２項目のγ3 ×β3×Ｉop
ＰＫは、ＩopＰＫを増減させたときに波長可変ＤＢＲ半
導体レーザ光源３００の波長が光導波路型ＱＰＭ−ＳＨ
Ｇデバイス３０４の最大効率波長を追従するようにＩph
ＤＣを変化させる成分である。また、右辺第３項目のγ
2 ×β2 ×ＩopＢＳは、ＩopＢＳを増減させたときに波
長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の波長が光導波路
型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長を追従
するようにＩphＤＣを変化させる成分である。また、右
辺第４項目のβ1 ×ΔＩopは、光出力／波長制御部５３
０による光出力制御成分ΔＩopを増減させたときに波長
可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の波長が光導波路型
ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長を追従す
るようにＩphＤＣを変化させる成分である。また、右辺
第５項目のΔＩphは、波長制御時にＩphＤＣを変化させ
る成分である。
【００４１】さらに、波長可変部駆動電流源３３０に対
して、Ｉdbr は下記（数７）によって定義される。 ［数７］ Ｉdbr ＝Ｉdbr ＩＮ＋α×ΔＩph 上記（数７）中、右辺第１項目のＩdbr ＩＮは、波長可
変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の波長が光導波路型Ｑ
ＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長となるよう
に決定される。右辺第２項目のα×ΔＩphは、波長制御
時にΔＩphを変化させたときに波長の連続可変を可能と
するように、Ｉdbr とΔＩphを一定比率αで変化させる
成分である。
して、Ｉdbr は下記（数７）によって定義される。 ［数７］ Ｉdbr ＝Ｉdbr ＩＮ＋α×ΔＩph 上記（数７）中、右辺第１項目のＩdbr ＩＮは、波長可
変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の波長が光導波路型Ｑ
ＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長となるよう
に決定される。右辺第２項目のα×ΔＩphは、波長制御
時にΔＩphを変化させたときに波長の連続可変を可能と
するように、Ｉdbr とΔＩphを一定比率αで変化させる
成分である。
【００４２】再生動作時おいては、発光部駆動電流源３
１０に対して、ＩopＤＣは、下記（数８）によって定義
される。 ［数８］ ＩopＤＣ＝ＩopＢＭ＋ΔＩop＋ＩopＲＤ 上記（数８）中、右辺第１項目のＩopＢＭと右辺第２項
目のΔＩopは、記録動作時と同様にして決定される。ま
た、右辺第３項目のＩopＲＤは、リードパワーを実現す
るように決定される。
１０に対して、ＩopＤＣは、下記（数８）によって定義
される。 ［数８］ ＩopＤＣ＝ＩopＢＭ＋ΔＩop＋ＩopＲＤ 上記（数８）中、右辺第１項目のＩopＢＭと右辺第２項
目のΔＩopは、記録動作時と同様にして決定される。ま
た、右辺第３項目のＩopＲＤは、リードパワーを実現す
るように決定される。
【００４３】また、位相可変部駆動電流源３２０に対し
て、ＩphＰＫ、ＩphＢＳは、記録動作時と同様に定義さ
れる。
て、ＩphＰＫ、ＩphＢＳは、記録動作時と同様に定義さ
れる。
【００４４】また、位相可変部駆動電流源３２０に対し
て、ＩphＤＣは下記（数９）によって定義される。 ［数９］ ＩphＤＣ＝ＩphＭＡＩＮ−γ3 ×β3 ×ＩopＰＫ−γ2
×β2 ×ＩopＢＳ−β1 ×ΔＩop＋ΔＩph−β1 ×Ｉop
ＲＤ 上記（数９）中、右辺第１項目から第５項目までは、記
録動作時と同様にして決定される。また、右辺第６項目
のβ1 ×ＩopＲＤは、ＩopＲＤを増減させたときに波長
可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の波長が光導波路型
ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長を追従す
るようにＩphＤＣを変化させる成分である。
て、ＩphＤＣは下記（数９）によって定義される。 ［数９］ ＩphＤＣ＝ＩphＭＡＩＮ−γ3 ×β3 ×ＩopＰＫ−γ2
×β2 ×ＩopＢＳ−β1 ×ΔＩop＋ΔＩph−β1 ×Ｉop
ＲＤ 上記（数９）中、右辺第１項目から第５項目までは、記
録動作時と同様にして決定される。また、右辺第６項目
のβ1 ×ＩopＲＤは、ＩopＲＤを増減させたときに波長
可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の波長が光導波路型
ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長を追従す
るようにＩphＤＣを変化させる成分である。
【００４５】さらに、波長可変部駆動電流源３３０に対
して、Ｉdbr は、記録動作時と同様に定義される。
して、Ｉdbr は、記録動作時と同様に定義される。
【００４６】それぞれの電流値ＩopＰＫ、ＩopＢＳ、Ｉ
opＢＭ、ＩopＲＤ、ＩphＭＡＩＮ、Ｉdbr ＩＮ、及びそ
れぞれのパラメータα、β1 、β2 、β3 、γ2 、γ3
は、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００が所望の光
出力で発光するように、光源装置の製造工程において調
整されている。そして、そのときの値が、それぞれＩ op
ＰＫ（ｐｒ）、ＩopＢＳ（ｐｒ）、ＩopＢＭ（ｐｒ）、
ＩopＲＤ（ｐｒ）、Ｉ phＭＡＩＮ（ｐｒ）、Ｉdbr ＩＮ
（ｐｒ）、α（ｐｒ）、β1 （ｐｒ）、β2 （ｐｒ）、
β3 （ｐｒ）、γ2 （ｐｒ）、γ3 （ｐｒ）としてプリ
セット値記憶部５１０に記憶されている。これらの値
は、後述する『起動時レーザ処理』と『初期レーザパワ
ー較正処理』に使用される。
opＢＭ、ＩopＲＤ、ＩphＭＡＩＮ、Ｉdbr ＩＮ、及びそ
れぞれのパラメータα、β1 、β2 、β3 、γ2 、γ3
は、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００が所望の光
出力で発光するように、光源装置の製造工程において調
整されている。そして、そのときの値が、それぞれＩ op
ＰＫ（ｐｒ）、ＩopＢＳ（ｐｒ）、ＩopＢＭ（ｐｒ）、
ＩopＲＤ（ｐｒ）、Ｉ phＭＡＩＮ（ｐｒ）、Ｉdbr ＩＮ
（ｐｒ）、α（ｐｒ）、β1 （ｐｒ）、β2 （ｐｒ）、
β3 （ｐｒ）、γ2 （ｐｒ）、γ3 （ｐｒ）としてプリ
セット値記憶部５１０に記憶されている。これらの値
は、後述する『起動時レーザ処理』と『初期レーザパワ
ー較正処理』に使用される。
【００４７】光出力／波長制御部５３０は、Ｉ／Ｖアン
プ３０６（図３）からフィードバックされるモニタ電圧
ＦＳmon にしたがって、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光
源３００が常に所望の光出力で発光するように、それぞ
れの電流値を制御する。
プ３０６（図３）からフィードバックされるモニタ電圧
ＦＳmon にしたがって、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光
源３００が常に所望の光出力で発光するように、それぞ
れの電流値を制御する。
【００４８】また、図３、図５に示すように、光出力／
波長制御手段３４０は、発光部駆動電流源３１０と位相
可変部駆動電流源３２０と波長可変部駆動電流源３３０
に対して、それぞれの動作を許可するイネーブル信号Ｃ
Ｅ_Ｉop、ＣＥ_Ｉph、ＣＥ_Ｉdbr を出力する。
波長制御手段３４０は、発光部駆動電流源３１０と位相
可変部駆動電流源３２０と波長可変部駆動電流源３３０
に対して、それぞれの動作を許可するイネーブル信号Ｃ
Ｅ_Ｉop、ＣＥ_Ｉph、ＣＥ_Ｉdbr を出力する。
【００４９】次に、本発明の光源装置を起動する場合に
おいて、短時間で波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３０
０の発振波長を、導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０
４の最大効率波長に到達させるための起動手順（以下
『起動時レーザ処理』と呼ぶ）と、波長可変ＤＢＲ半導
体レーザ光源３００を所望の光出力で発光させるための
較正（以下『初期レーザパワー較正処理』と呼ぶ）を短
時間で行う方法ついて説明する。
おいて、短時間で波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３０
０の発振波長を、導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０
４の最大効率波長に到達させるための起動手順（以下
『起動時レーザ処理』と呼ぶ）と、波長可変ＤＢＲ半導
体レーザ光源３００を所望の光出力で発光させるための
較正（以下『初期レーザパワー較正処理』と呼ぶ）を短
時間で行う方法ついて説明する。
【００５０】〈起動時レーザ処理〉光源装置の起動時に
おいて、図５に示す光出力／波長制御手段３４０のレジ
スタブロック５２０の各々のレジスタには、プリセット
値記憶部５１０に記憶されたそれぞれのプリセット値：
ＩopＰＫ（ｐｒ）、ＩopＢＳ（ｐｒ）、ＩopＢＭ（ｐ
ｒ）、ＩopＲＤ（ｐｒ）、ＩphＭＡＩＮ（ｐｒ）、Ｉ
dbr ＩＮ（ｐｒ）、α（ｐｒ）、β1 （ｐｒ）、β
2 （ｐｒ）、β3 （ｐｒ）、γ2 （ｐｒ）、γ3 （ｐ
ｒ）が格納されている。尚、それぞれの電流源の電流値
は、これらのプリセット値から演算される値によって決
定されている。
おいて、図５に示す光出力／波長制御手段３４０のレジ
スタブロック５２０の各々のレジスタには、プリセット
値記憶部５１０に記憶されたそれぞれのプリセット値：
ＩopＰＫ（ｐｒ）、ＩopＢＳ（ｐｒ）、ＩopＢＭ（ｐ
ｒ）、ＩopＲＤ（ｐｒ）、ＩphＭＡＩＮ（ｐｒ）、Ｉ
dbr ＩＮ（ｐｒ）、α（ｐｒ）、β1 （ｐｒ）、β
2 （ｐｒ）、β3 （ｐｒ）、γ2 （ｐｒ）、γ3 （ｐ
ｒ）が格納されている。尚、それぞれの電流源の電流値
は、これらのプリセット値から演算される値によって決
定されている。
【００５１】起動時レーザ処理において、発光部駆動電
流源３１０と位相可変部駆動電流源３２０と波長可変部
駆動電流源３３０は、図３、図５、図６に示すように、
まず、光出力／波長制御手段３４０からそれぞれイネー
ブル信号ＣＥ_Ｉop、ＣＥ_Ｉ ph、ＣＥ_Ｉdbr を受信す
る。そして、発光部駆動電流源３１０は、イネーブル信
号ＣＥ_Ｉopを受信すると同時に、下記（数１０）によ
って表記される再生動作時のプリセット電流値で駆動を
開始する。 ［数１０］ ＩopＤＣ＝ＩopＢＭ（ｐｒ）＋ＩopＲＤ（ｐｒ） また、位相可変部駆動電流源３２０は、イネーブル信号
ＣＥ_Ｉphを受信すると同時に、下記（数１１）によっ
て表記される再生動作時のプリセット電流値で駆動を開
始する。 ［数１１］ ＩphＤＣ＝ＩphＭＡＩＮ（ｐｒ） −γ3 （ｐｒ）×β3 （ｐｒ）×ＩopＰＫ（ｐｒ） −γ2 （ｐｒ）×β2 （ｐｒ）×ＩopＢＳ（ｐｒ） −β1 （ｐｒ）×ＩopＲＤ（ｐｒ） また、波長可変部駆動電流源３３０は、イネーブル信号
ＣＥ_Ｉdbr を受信すると同時に、下記（数１２）によ
って表記されるプリセット電流値で駆動を開始する。 ［数１２］ Ｉdbr ＝Ｉdbr ＩＮ（ｐｒ） 以上のように、起動時レーザ処理において、それぞれの
電流源は、光源装置を製造する際に波長可変ＤＢＲ半導
体レーザ光源３００が所望の光出力で発光するように調
整され、プリセット値記憶部５１０に記憶された（すな
わち、予め決められた）プリセット電流値で駆動を開始
することになる。光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３
０４の最大効率波長は、必ず常温における波長可変ＤＢ
Ｒ半導体レーザ光源３００の発振波長よりも長波長側に
ある。常温の状態から、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光
源３００への電流注入が開始されると、注入電流によっ
て発光部３０１、位相可変部３０２、波長可変部３０３
の温度が上昇し、これにより発光部３０１、位相可変部
３０２、波長可変部３０３の屈折率が変化して、波長可
変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長が長波長側
に変化する。図７に示すように、この波長の変化は、温
度上昇に依存し、１次遅れ系の過渡応答特性を示し、一
定時間が経過した後にほぼ整定する。
流源３１０と位相可変部駆動電流源３２０と波長可変部
駆動電流源３３０は、図３、図５、図６に示すように、
まず、光出力／波長制御手段３４０からそれぞれイネー
ブル信号ＣＥ_Ｉop、ＣＥ_Ｉ ph、ＣＥ_Ｉdbr を受信す
る。そして、発光部駆動電流源３１０は、イネーブル信
号ＣＥ_Ｉopを受信すると同時に、下記（数１０）によ
って表記される再生動作時のプリセット電流値で駆動を
開始する。 ［数１０］ ＩopＤＣ＝ＩopＢＭ（ｐｒ）＋ＩopＲＤ（ｐｒ） また、位相可変部駆動電流源３２０は、イネーブル信号
ＣＥ_Ｉphを受信すると同時に、下記（数１１）によっ
て表記される再生動作時のプリセット電流値で駆動を開
始する。 ［数１１］ ＩphＤＣ＝ＩphＭＡＩＮ（ｐｒ） −γ3 （ｐｒ）×β3 （ｐｒ）×ＩopＰＫ（ｐｒ） −γ2 （ｐｒ）×β2 （ｐｒ）×ＩopＢＳ（ｐｒ） −β1 （ｐｒ）×ＩopＲＤ（ｐｒ） また、波長可変部駆動電流源３３０は、イネーブル信号
ＣＥ_Ｉdbr を受信すると同時に、下記（数１２）によ
って表記されるプリセット電流値で駆動を開始する。 ［数１２］ Ｉdbr ＝Ｉdbr ＩＮ（ｐｒ） 以上のように、起動時レーザ処理において、それぞれの
電流源は、光源装置を製造する際に波長可変ＤＢＲ半導
体レーザ光源３００が所望の光出力で発光するように調
整され、プリセット値記憶部５１０に記憶された（すな
わち、予め決められた）プリセット電流値で駆動を開始
することになる。光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３
０４の最大効率波長は、必ず常温における波長可変ＤＢ
Ｒ半導体レーザ光源３００の発振波長よりも長波長側に
ある。常温の状態から、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光
源３００への電流注入が開始されると、注入電流によっ
て発光部３０１、位相可変部３０２、波長可変部３０３
の温度が上昇し、これにより発光部３０１、位相可変部
３０２、波長可変部３０３の屈折率が変化して、波長可
変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長が長波長側
に変化する。図７に示すように、この波長の変化は、温
度上昇に依存し、１次遅れ系の過渡応答特性を示し、一
定時間が経過した後にほぼ整定する。
【００５２】起動時レーザ処理の後に、初期レーザパワ
ー較正処理を行い、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３
００の発振波長が光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３
０４の最大効率波長にほぼ等しくなるようにＩdbr 波長
探査処理を行う。
ー較正処理を行い、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３
００の発振波長が光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３
０４の最大効率波長にほぼ等しくなるようにＩdbr 波長
探査処理を行う。
【００５３】Ｉdbr 波長探査処理において、波長可変部
（ＤＢＲ領域）３０３への注入電流Ｉdbr を所定の範囲
で逐次変化させ、逐次変化に対応した光出力の検出値の
増加分が最大となるときの注入電流値Ｉdbr_llと、光出
力の検出値の減少分が最大となるときの注入電流値Ｉ
dbr_ulを求め、波長可変部（ＤＢＲ領域）３０３への注
入電流を、Ｉdbr_llとＩdbr_ulとの間の値に決定する。
（ＤＢＲ領域）３０３への注入電流Ｉdbr を所定の範囲
で逐次変化させ、逐次変化に対応した光出力の検出値の
増加分が最大となるときの注入電流値Ｉdbr_llと、光出
力の検出値の減少分が最大となるときの注入電流値Ｉ
dbr_ulを求め、波長可変部（ＤＢＲ領域）３０３への注
入電流を、Ｉdbr_llとＩdbr_ulとの間の値に決定する。
【００５４】この波長可変部（ＤＢＲ領域）３０３への
注入電流Ｉdbr を所定の範囲で逐次変化させたときに注
入電流値Ｉdbr_llとＩdbr_ulが前記所定の範囲に必ず含
まれるように、プリセット値が設定されている。尚、注
入電流値Ｉdbr_llとＩdbr_ulが前記所定の範囲に含まれ
ない場合には、Ｉdbr を変化させる範囲を変えて再度Ｉ
dbr 波長探査処理を行わなければならず（『リトライ処
理』）、起動時間の大幅なロスに繋がってしまう。
注入電流Ｉdbr を所定の範囲で逐次変化させたときに注
入電流値Ｉdbr_llとＩdbr_ulが前記所定の範囲に必ず含
まれるように、プリセット値が設定されている。尚、注
入電流値Ｉdbr_llとＩdbr_ulが前記所定の範囲に含まれ
ない場合には、Ｉdbr を変化させる範囲を変えて再度Ｉ
dbr 波長探査処理を行わなければならず（『リトライ処
理』）、起動時間の大幅なロスに繋がってしまう。
【００５５】プリセット電流値で電流の注入を開始する
ことにより、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の
発振波長を光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の
最大効率波長にほぼ等しくすることができるので、一度
のＩdbr 波長探査処理で確実に光導波路型ＱＰＭ−ＳＨ
Ｇデバイス３０４の最大効率波長にほぼ等しい波長を得
ることができる。
ことにより、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の
発振波長を光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の
最大効率波長にほぼ等しくすることができるので、一度
のＩdbr 波長探査処理で確実に光導波路型ＱＰＭ−ＳＨ
Ｇデバイス３０４の最大効率波長にほぼ等しい波長を得
ることができる。
【００５６】以上の説明では、起動時レーザ処理におい
て、位相可変部駆動電流源３２０は、上記（数１１）に
よって表記される再生動作時のプリセット電流値で駆動
を開始するとしている。しかし、図８に示すように、位
相可変部駆動電流源３２０のＤＣ電流源３２３が、ま
ず、上記（数１１）によって表記されるプリセット電流
値よりも大きな電流値で駆動を開始し、所定時間経過後
に、上記（数１１）によって表記されるプリセット電流
値に切り替えるようにすれば、波長可変ＤＢＲ半導体レ
ーザ光源３００の発振波長の整定時間を短くすることが
でき、素早く波長探査処理に切り替わることが可能とな
るので、起動時間の短縮を図ることができる。
て、位相可変部駆動電流源３２０は、上記（数１１）に
よって表記される再生動作時のプリセット電流値で駆動
を開始するとしている。しかし、図８に示すように、位
相可変部駆動電流源３２０のＤＣ電流源３２３が、ま
ず、上記（数１１）によって表記されるプリセット電流
値よりも大きな電流値で駆動を開始し、所定時間経過後
に、上記（数１１）によって表記されるプリセット電流
値に切り替えるようにすれば、波長可変ＤＢＲ半導体レ
ーザ光源３００の発振波長の整定時間を短くすることが
でき、素早く波長探査処理に切り替わることが可能とな
るので、起動時間の短縮を図ることができる。
【００５７】また、図９に示すように、光源装置の起動
後に、起動時レーザ処理よりも先に位相可変部駆動電流
源３２０と波長可変部駆動電流源３３０を動作させるよ
うにすれば、すなわち、位相可変部駆動電流源３２０及
び波長可変部駆動電流源３３０がそれぞれイネーブル信
号ＣＥ_Ｉph、ＣＥ_Ｉdbr を受信し、所定時間経過後
に、発光部駆動電流源３１０がイネーブル信号ＣＥ_Ｉ
opを受信するようにすれば、波長可変ＤＢＲ半導体レー
ザ光源３００の発振波長の整定時間を短くすることがで
き、素早く波長探査処理に切り替わることが可能となる
ので、起動時間の短縮を図ることができる。
後に、起動時レーザ処理よりも先に位相可変部駆動電流
源３２０と波長可変部駆動電流源３３０を動作させるよ
うにすれば、すなわち、位相可変部駆動電流源３２０及
び波長可変部駆動電流源３３０がそれぞれイネーブル信
号ＣＥ_Ｉph、ＣＥ_Ｉdbr を受信し、所定時間経過後
に、発光部駆動電流源３１０がイネーブル信号ＣＥ_Ｉ
opを受信するようにすれば、波長可変ＤＢＲ半導体レー
ザ光源３００の発振波長の整定時間を短くすることがで
き、素早く波長探査処理に切り替わることが可能となる
ので、起動時間の短縮を図ることができる。
【００５８】〈初期レーザパワー較正処理〉光源装置
は、起動して所定時間が経過した後に、初期レーザパワ
ー較正処理を行う。初期レーザパワー較正処理は、波長
可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００を所望の光出力で発
光させることができるように、それぞれの電流値ＩopＰ
Ｋ、Ｉ opＢＳ、ＩopＢＭ、ＩopＲＤ、ＩphＭＡＩＮ、Ｉ
dbr ＩＮを求める処理である。初期レーザパワー較正処
理においては、以下のような処理が行われる。まず、Ｉ
dbr 波長探査処理が行われる。これは、波長可変ＤＢＲ
半導体レーザ光源３００の発振波長を、おおよそ光導波
路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に近
づけるために、波長可変部駆動電流源３３０の電流値Ｉ
dbr を最適化するものであり、いわば波長可変ＤＢＲ半
導体レーザ光源３００の発振波長の粗調整である。次
に、ＩphＭＡＩＮ波長探査処理が行われる。これは、波
長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長を、光
導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長
にするために、ＩphＭＡＩＮの値を最適化するものであ
り、いわば波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発
振波長の微調整である。次に、記録パワー較正、再生パ
ワー較正が行われる。記録パワー較正には、ボトムパワ
ー較正とバイアスパワー較正とピークパワー較正が含ま
れる。ボトムパワー較正は、所望のボトムパワーが得ら
れるように、ＩopＢＭの電流値を較正するものであり、
バイアスパワー較正は、所望のバイアスパワーが得られ
るように、ＩopＢＳの電流値を較正するものであり、ピ
ークパワー較正は、所望のピークパワーが得られるよう
に、ＩopＰＫの電流値を較正するものである。ここで、
記録パワー較正のための光強度検出手段について、詳細
に説明する。
は、起動して所定時間が経過した後に、初期レーザパワ
ー較正処理を行う。初期レーザパワー較正処理は、波長
可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００を所望の光出力で発
光させることができるように、それぞれの電流値ＩopＰ
Ｋ、Ｉ opＢＳ、ＩopＢＭ、ＩopＲＤ、ＩphＭＡＩＮ、Ｉ
dbr ＩＮを求める処理である。初期レーザパワー較正処
理においては、以下のような処理が行われる。まず、Ｉ
dbr 波長探査処理が行われる。これは、波長可変ＤＢＲ
半導体レーザ光源３００の発振波長を、おおよそ光導波
路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に近
づけるために、波長可変部駆動電流源３３０の電流値Ｉ
dbr を最適化するものであり、いわば波長可変ＤＢＲ半
導体レーザ光源３００の発振波長の粗調整である。次
に、ＩphＭＡＩＮ波長探査処理が行われる。これは、波
長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長を、光
導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長
にするために、ＩphＭＡＩＮの値を最適化するものであ
り、いわば波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発
振波長の微調整である。次に、記録パワー較正、再生パ
ワー較正が行われる。記録パワー較正には、ボトムパワ
ー較正とバイアスパワー較正とピークパワー較正が含ま
れる。ボトムパワー較正は、所望のボトムパワーが得ら
れるように、ＩopＢＭの電流値を較正するものであり、
バイアスパワー較正は、所望のバイアスパワーが得られ
るように、ＩopＢＳの電流値を較正するものであり、ピ
ークパワー較正は、所望のピークパワーが得られるよう
に、ＩopＰＫの電流値を較正するものである。ここで、
記録パワー較正のための光強度検出手段について、詳細
に説明する。
【００５９】記録動作時においては、図１０に示すよう
に、ピーク電流源とバイアス電流源を高速スイッチング
させて、レーザの光強度をピークパワー−ボトムパワー
間で高速に変調する動作と、図１６に示すように、バイ
アス電流源のみを常時オンさせてレーザの光強度を一定
のバイアスパワーにする動作とを繰り返す。その結果、
ピークパワー−ボトムパワー間で光強度を高速変調して
いるときにはマークが形成され、光強度を一定のバイア
スパワーにしているときにはマークが消去される（この
マークが存在しない箇所を『スペース』と呼ぶ）。
に、ピーク電流源とバイアス電流源を高速スイッチング
させて、レーザの光強度をピークパワー−ボトムパワー
間で高速に変調する動作と、図１６に示すように、バイ
アス電流源のみを常時オンさせてレーザの光強度を一定
のバイアスパワーにする動作とを繰り返す。その結果、
ピークパワー−ボトムパワー間で光強度を高速変調して
いるときにはマークが形成され、光強度を一定のバイア
スパワーにしているときにはマークが消去される（この
マークが存在しない箇所を『スペース』と呼ぶ）。
【００６０】ここで、ピークパワー−ボトムパワー間で
高速変調しているときの光強度を有する光をフォトディ
テクタ３０５で受光したときに得られるモニタ電圧ＦＳ
monの平均値を求めることを『マーク部平均値検出』と
呼び、バイアスパワーの光をフォトディテクタ３０５で
受光したときに得られるモニタ電圧ＦＳmon を求めるこ
とを『スペース部検出』と呼ぶ。
高速変調しているときの光強度を有する光をフォトディ
テクタ３０５で受光したときに得られるモニタ電圧ＦＳ
monの平均値を求めることを『マーク部平均値検出』と
呼び、バイアスパワーの光をフォトディテクタ３０５で
受光したときに得られるモニタ電圧ＦＳmon を求めるこ
とを『スペース部検出』と呼ぶ。
【００６１】以後、ピークパワー較正時など、ピークパ
ワー−ボトムパワー間で高速変調しているときの光強度
を得たいときには、マーク部平均値検出を行い、バイア
スパワー較正時など、バイアスパワーを得たいときに
は、スペース部検出を行う。
ワー−ボトムパワー間で高速変調しているときの光強度
を得たいときには、マーク部平均値検出を行い、バイア
スパワー較正時など、バイアスパワーを得たいときに
は、スペース部検出を行う。
【００６２】以上の記録パワー較正がなされた後、再生
パワー較正が行われる。これは、所望のリードパワーが
得られるように、ＩopＲＤの電流値を較正するものであ
る。以上の処理を経て、所望の光出力が得られるように
なる。
パワー較正が行われる。これは、所望のリードパワーが
得られるように、ＩopＲＤの電流値を較正するものであ
る。以上の処理を経て、所望の光出力が得られるように
なる。
【００６３】初期レーザパワー較正処理を開始するにあ
たって、それぞれの電流源の電流値は、図５に示す光出
力／波長制御手段３４０のレジスタブロック５２０の各
々のレジスタに格納されているそれぞれのプリセット
値：ＩopＰＫ（ｐｒ）、ＩopＢＳ（ｐｒ）、ＩopＢＭ
（ｐｒ）、ＩopＲＤ（ｐｒ）、ＩphＭＡＩＮ（ｐｒ）、
Ｉ dbr ＩＮ（ｐｒ）、α（ｐｒ）、β1 （ｐｒ）、β2
（ｐｒ）、β3 （ｐｒ）、γ2 （ｐｒ）、γ3 （ｐｒ）
から演算される値によって決定されている。
たって、それぞれの電流源の電流値は、図５に示す光出
力／波長制御手段３４０のレジスタブロック５２０の各
々のレジスタに格納されているそれぞれのプリセット
値：ＩopＰＫ（ｐｒ）、ＩopＢＳ（ｐｒ）、ＩopＢＭ
（ｐｒ）、ＩopＲＤ（ｐｒ）、ＩphＭＡＩＮ（ｐｒ）、
Ｉ dbr ＩＮ（ｐｒ）、α（ｐｒ）、β1 （ｐｒ）、β2
（ｐｒ）、β3 （ｐｒ）、γ2 （ｐｒ）、γ3 （ｐｒ）
から演算される値によって決定されている。
【００６４】また、初期レーザパワー較正処理を開始す
るにあたっては、それぞれの電流源は、図１０に示すよ
うなテストパターン（以下『テストパターン１』と呼
ぶ）を用いることにより、記録動作時の駆動形態に近い
駆動形態にしておく。
るにあたっては、それぞれの電流源は、図１０に示すよ
うなテストパターン（以下『テストパターン１』と呼
ぶ）を用いることにより、記録動作時の駆動形態に近い
駆動形態にしておく。
【００６５】（Ｉdbr 波長探査処理）まず、Ｉdbr 波長
探査処理を行う。図１１に示すように、このＩdbr 波長
探査処理においては、Ｉdbr ＩＮの値をステップ状に変
化させる。Ｉdbr ＩＮの値をステップ状に変化させる
と、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振モー
ドが変化する。このとき、Ｉ／Ｖアンプ３０６からフィ
ードバックされるモニタ電圧ＦＳmon （図３参照）の変
化を検出する。この検出結果に基づき、そのときの波長
可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振モードにおけ
る発振波長がおおよそ光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイ
ス３０４の最大効率波長に近くなるＩdbrＩＮの値を求
める（以下、この発振モードのことを『最適モード』と
呼ぶ）。同時に、最適モードからモードホップしないよ
うにＩdbr ＩＮの中心値を求める。
探査処理を行う。図１１に示すように、このＩdbr 波長
探査処理においては、Ｉdbr ＩＮの値をステップ状に変
化させる。Ｉdbr ＩＮの値をステップ状に変化させる
と、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振モー
ドが変化する。このとき、Ｉ／Ｖアンプ３０６からフィ
ードバックされるモニタ電圧ＦＳmon （図３参照）の変
化を検出する。この検出結果に基づき、そのときの波長
可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振モードにおけ
る発振波長がおおよそ光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイ
ス３０４の最大効率波長に近くなるＩdbrＩＮの値を求
める（以下、この発振モードのことを『最適モード』と
呼ぶ）。同時に、最適モードからモードホップしないよ
うにＩdbr ＩＮの中心値を求める。
【００６６】Ｉdbr ＩＮを変化させる中心値をＩdbr Ｉ
Ｎ（ｐｒ）、Ｉdbr ＩＮを変化させる範囲をＩdbr ＩＮ
（ａｍｐ）、１ステップにおけるＩdbr ＩＮの変化分を
ΔＩ dbr ＩＮとする。ここで、波長可変ＤＢＲ半導体レ
ーザ光源３００の発振モードを１モード変化させるため
に必要なＩdbr ＩＮの典型的な値を、Ｉdbr ＩＮ（１ｍ
ｏｄｅ）と定義する。すると、Ｉdbr ＩＮを変化させる
範囲であるＩdbr ＩＮ（ａｍｐ）は、Ｉdbr 波長探査処
理を行ったときに必ず最適モードを求めることができる
ように、Ｉdbr ＩＮ（１ｍｏｄｅ）に対して十分大きく
なければならない。また、同時に、最適モードからモー
ドホップしないＩdbr ＩＮの中心値を求めることができ
るように、ΔＩdbr ＩＮはＩdbr ＩＮ（１ｍｏｄｅ）に
対して十分小さくなければならない。
Ｎ（ｐｒ）、Ｉdbr ＩＮを変化させる範囲をＩdbr ＩＮ
（ａｍｐ）、１ステップにおけるＩdbr ＩＮの変化分を
ΔＩ dbr ＩＮとする。ここで、波長可変ＤＢＲ半導体レ
ーザ光源３００の発振モードを１モード変化させるため
に必要なＩdbr ＩＮの典型的な値を、Ｉdbr ＩＮ（１ｍ
ｏｄｅ）と定義する。すると、Ｉdbr ＩＮを変化させる
範囲であるＩdbr ＩＮ（ａｍｐ）は、Ｉdbr 波長探査処
理を行ったときに必ず最適モードを求めることができる
ように、Ｉdbr ＩＮ（１ｍｏｄｅ）に対して十分大きく
なければならない。また、同時に、最適モードからモー
ドホップしないＩdbr ＩＮの中心値を求めることができ
るように、ΔＩdbr ＩＮはＩdbr ＩＮ（１ｍｏｄｅ）に
対して十分小さくなければならない。
【００６７】以下、Ｉdbr 波長探査処理の手順につい
て、図１１を参照しながら図１２に示すフローチャート
を用いて、より詳細に説明する。
て、図１１を参照しながら図１２に示すフローチャート
を用いて、より詳細に説明する。
【００６８】最初、それぞれの電流源は、テストパター
ン１（図１０）を用いることにより、記録動作時の駆動
形態に近い駆動形態となっている（Ｓ１）。
ン１（図１０）を用いることにより、記録動作時の駆動
形態に近い駆動形態となっている（Ｓ１）。
【００６９】この状態で、まず、波長可変部駆動電流源
３３０の電流値Ｉdbr ＩＮを下記（数１３）で表記され
るＩdbr ＩＮ（０）として、波長可変ＤＢＲ半導体レー
ザ光源３００の波長可変部３０３を駆動する（Ｓ２）。 ［数１３］ Ｉdbr ＩＮ（０）＝Ｉdbr ＩＮ（ｐｒ）−Ｉdbr ＩＮ
（ａｍｐ）／２ そして、このときの波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３
００の光出力の平均値を検出し、そのときのモニタ電圧
をＦＳmon （０）とする。次いで、１ステップにつきＩ
dbr ＩＮの値をΔＩdbr ＩＮずつ増加させて、波長可変
ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の光出力の平均値を検出
し、ステップｔにおけるモニタ電圧をＦＳ mon （ｔ）と
する。ここで、下記（数１４）によって表記されるモニ
タ電圧ＦＳ mon （ｔ）の時間変化量ΔＦＳmon （ｔ）を
求める。 ［数１４］ ΔＦＳmon （ｔ）＝ＦＳmon （ｔ）−ＦＳmon （ｔ−
１） 以上の処理を、Ｉdbr ＩＮが下記（数１５）によって表
記されるＩdbr ＩＮ（ｔ）となるまで繰り返す（Ｓ
３）。 ［数１５］ Ｉdbr ＩＮ（ｔ）＝Ｉdbr ＩＮ（ｐｒ）＋Ｉdbr ＩＮ
（ａｍｐ）／２ このようにＩdbr ＩＮを変化させた場合、図１１に示す
ように、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ３００の発振モー
ドが最適モードに始めて到達したときに増加分が最大と
なる（ΔＦＳmon （ｔ）が正の値となる範囲で、その絶
対値が最大値となる）。このときのＩdbr ＩＮの値が、
最適モードからモードホップしないＩdb r ＩＮの下限と
なる。この値を、Ｉdbr_llと定義する。また、波長可変
ＤＢＲ半導体レーザ３００の発振モードが最適モードか
ら次のモードにモードホップしたときに減少分が最大と
なる（ΔＦＳmon （ｔ）が負の値となる範囲で、その絶
対値が最大値となる）。このときのＩdbr ＩＮの値が、
最適モードからモードホップしないＩdbr ＩＮの上限と
なる。この値を、Ｉdbr_ulと定義する。
３３０の電流値Ｉdbr ＩＮを下記（数１３）で表記され
るＩdbr ＩＮ（０）として、波長可変ＤＢＲ半導体レー
ザ光源３００の波長可変部３０３を駆動する（Ｓ２）。 ［数１３］ Ｉdbr ＩＮ（０）＝Ｉdbr ＩＮ（ｐｒ）−Ｉdbr ＩＮ
（ａｍｐ）／２ そして、このときの波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３
００の光出力の平均値を検出し、そのときのモニタ電圧
をＦＳmon （０）とする。次いで、１ステップにつきＩ
dbr ＩＮの値をΔＩdbr ＩＮずつ増加させて、波長可変
ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の光出力の平均値を検出
し、ステップｔにおけるモニタ電圧をＦＳ mon （ｔ）と
する。ここで、下記（数１４）によって表記されるモニ
タ電圧ＦＳ mon （ｔ）の時間変化量ΔＦＳmon （ｔ）を
求める。 ［数１４］ ΔＦＳmon （ｔ）＝ＦＳmon （ｔ）−ＦＳmon （ｔ−
１） 以上の処理を、Ｉdbr ＩＮが下記（数１５）によって表
記されるＩdbr ＩＮ（ｔ）となるまで繰り返す（Ｓ
３）。 ［数１５］ Ｉdbr ＩＮ（ｔ）＝Ｉdbr ＩＮ（ｐｒ）＋Ｉdbr ＩＮ
（ａｍｐ）／２ このようにＩdbr ＩＮを変化させた場合、図１１に示す
ように、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ３００の発振モー
ドが最適モードに始めて到達したときに増加分が最大と
なる（ΔＦＳmon （ｔ）が正の値となる範囲で、その絶
対値が最大値となる）。このときのＩdbr ＩＮの値が、
最適モードからモードホップしないＩdb r ＩＮの下限と
なる。この値を、Ｉdbr_llと定義する。また、波長可変
ＤＢＲ半導体レーザ３００の発振モードが最適モードか
ら次のモードにモードホップしたときに減少分が最大と
なる（ΔＦＳmon （ｔ）が負の値となる範囲で、その絶
対値が最大値となる）。このときのＩdbr ＩＮの値が、
最適モードからモードホップしないＩdbr ＩＮの上限と
なる。この値を、Ｉdbr_ulと定義する。
【００７０】ここで、Ｉdbr ＩＮの値を、Ｉdbr_llとＩ
dbr_ulとの間の値に決定する（Ｓ４）。このようにすれ
ば、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ３００の発振モードを
最適モードに選択することができる。以後、この電流値
Ｉdbr ＩＮで波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の
波長可変部３０３を駆動する。
dbr_ulとの間の値に決定する（Ｓ４）。このようにすれ
ば、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ３００の発振モードを
最適モードに選択することができる。以後、この電流値
Ｉdbr ＩＮで波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の
波長可変部３０３を駆動する。
【００７１】尚、本実施の形態においては、Ｉdbr ＩＮ
の値を、Ｉdbr_llとＩdbr_ulとの間の値に決定するよう
にしているが、Ｉdbr ＩＮの値を、Ｉdbr_llとＩdbr_ul
のほぼ平均値に等しくなるような値とするのが望まし
い。このようにすれば、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ３
００の発振モードが最適モードからモードホップしない
上限、下限の両側から均等にマージンを保持することが
可能となる。
の値を、Ｉdbr_llとＩdbr_ulとの間の値に決定するよう
にしているが、Ｉdbr ＩＮの値を、Ｉdbr_llとＩdbr_ul
のほぼ平均値に等しくなるような値とするのが望まし
い。このようにすれば、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ３
００の発振モードが最適モードからモードホップしない
上限、下限の両側から均等にマージンを保持することが
可能となる。
【００７２】（ＩphＭＡＩＮ波長探査処理）次に、Ｉph
ＭＡＩＮ波長探査処理を行う。ＩphＭＡＩＮの値を変化
させると、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発
振波長が変化する。このとき、Ｉ／Ｖアンプ３０６から
フィードバックされるモニタ電圧ＦＳmon （図３参照）
を、マーク部の平均値として検出する。この検出結果に
基づき、そのときの波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３
００の発振波長が光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３
０４の最大効率波長となるように、ＩphＭＡＩＮの値を
求める（以下、この発振波長のことを『最適波長』と呼
ぶ）。
ＭＡＩＮ波長探査処理を行う。ＩphＭＡＩＮの値を変化
させると、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発
振波長が変化する。このとき、Ｉ／Ｖアンプ３０６から
フィードバックされるモニタ電圧ＦＳmon （図３参照）
を、マーク部の平均値として検出する。この検出結果に
基づき、そのときの波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３
００の発振波長が光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３
０４の最大効率波長となるように、ＩphＭＡＩＮの値を
求める（以下、この発振波長のことを『最適波長』と呼
ぶ）。
【００７３】ＩphＭＡＩＮを変化させる中心値をＩphＭ
ＡＩＮ（ｐｒ）、ＩphＭＡＩＮを変化させる範囲をＩph
ＭＡＩＮ（ａｍｐ）、１ステップにおけるＩphＭＡＩＮ
の変化分をΔＩphＭＡＩＮとする。ここで、波長可変Ｄ
ＢＲ半導体レーザ光源３００の光出力が、光導波路型Ｑ
ＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の効率が最大効率のときの
光出力の１／２となる波長の許容幅をλ（１／２）、Ｉ
phＤＣを変化させたときに波長可変ＤＢＲ半導体レーザ
光源３００の波長がλ（１／２）だけ変化するＩphＤＣ
の典型的な値をＩphＤＣ（１／２）と定義する。する
と、ＩphＭＡＩＮを変化させる範囲であるＩphＭＡＩＮ
（ａｍｐ）は、ＩphＭＡＩＮ波長探査処理を行ったとき
に必ず最適波長が得られるように、ＩphＤＣ（１／２）
に対して十分大きくなければならない。また、ΔＩphＭ
ＡＩＮは、最適波長の検出精度を向上させるために、Ｉ
phＤＣ（１／２）に対して十分小さくなければならな
い。
ＡＩＮ（ｐｒ）、ＩphＭＡＩＮを変化させる範囲をＩph
ＭＡＩＮ（ａｍｐ）、１ステップにおけるＩphＭＡＩＮ
の変化分をΔＩphＭＡＩＮとする。ここで、波長可変Ｄ
ＢＲ半導体レーザ光源３００の光出力が、光導波路型Ｑ
ＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の効率が最大効率のときの
光出力の１／２となる波長の許容幅をλ（１／２）、Ｉ
phＤＣを変化させたときに波長可変ＤＢＲ半導体レーザ
光源３００の波長がλ（１／２）だけ変化するＩphＤＣ
の典型的な値をＩphＤＣ（１／２）と定義する。する
と、ＩphＭＡＩＮを変化させる範囲であるＩphＭＡＩＮ
（ａｍｐ）は、ＩphＭＡＩＮ波長探査処理を行ったとき
に必ず最適波長が得られるように、ＩphＤＣ（１／２）
に対して十分大きくなければならない。また、ΔＩphＭ
ＡＩＮは、最適波長の検出精度を向上させるために、Ｉ
phＤＣ（１／２）に対して十分小さくなければならな
い。
【００７４】以下、ＩphＭＡＩＮ波長探査処理の手順に
ついて、図１３に示すフローチャートを用いて、より詳
細に説明する。
ついて、図１３に示すフローチャートを用いて、より詳
細に説明する。
【００７５】最初、それぞれの電流源は、テストパター
ン１（図１０）を用いることにより、記録動作時の駆動
形態に近い駆動形態となっている（Ｓ５）。
ン１（図１０）を用いることにより、記録動作時の駆動
形態に近い駆動形態となっている（Ｓ５）。
【００７６】この状態で、まず、位相可変部駆動電流源
３２０の電流値ＩphＭＡＩＮを下記（数１６）で表記さ
れるＩphＭＡＩＮ（０）として、波長可変ＤＢＲ半導体
レーザ光源３００の位相可変部３０２を駆動する（Ｓ
６）。 ［数１６］ ＩphＭＡＩＮ（０）＝ＩphＭＡＩＮ（ｐｒ）−ＩphＭＡ
ＩＮ（ａｍｐ）／２ そして、このときのマーク部における波長可変ＤＢＲ半
導体レーザ光源３００の光出力の平均値を検出し、その
ときのモニタ電圧をＦＳmon （０）とする。次いで、１
ステップにつきＩphＭＡＩＮの値をΔＩphＭＡＩＮずつ
増加させて、マーク部における波長可変ＤＢＲ半導体レ
ーザ光源３００の光出力の平均値を検出し、ステップｔ
におけるモニタ電圧をＦＳmon （ｔ）とする。
３２０の電流値ＩphＭＡＩＮを下記（数１６）で表記さ
れるＩphＭＡＩＮ（０）として、波長可変ＤＢＲ半導体
レーザ光源３００の位相可変部３０２を駆動する（Ｓ
６）。 ［数１６］ ＩphＭＡＩＮ（０）＝ＩphＭＡＩＮ（ｐｒ）−ＩphＭＡ
ＩＮ（ａｍｐ）／２ そして、このときのマーク部における波長可変ＤＢＲ半
導体レーザ光源３００の光出力の平均値を検出し、その
ときのモニタ電圧をＦＳmon （０）とする。次いで、１
ステップにつきＩphＭＡＩＮの値をΔＩphＭＡＩＮずつ
増加させて、マーク部における波長可変ＤＢＲ半導体レ
ーザ光源３００の光出力の平均値を検出し、ステップｔ
におけるモニタ電圧をＦＳmon （ｔ）とする。
【００７７】以上の処理を、ＩphＭＡＩＮが下記（数１
７）によって表記されるＩphＭＡＩＮ（ｔ）となるまで
繰り返す（Ｓ７）。 ［数１７］ ＩphＭＡＩＮ（ｔ）＝ＩphＭＡＩＮ（ｐｒ）＋ＩphＭＡ
ＩＮ（ａｍｐ）／２ ＩphＭＡＩＮをこのように変化させた場合、波長可変Ｄ
ＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長が最適波長とな
ったときにＦＳmon （ｔ）が最大となる。位相可変部駆
動電流源３２０の電流値ＩphＭＡＩＮを、このときのＩ
phＭＡＩＮの値に決定する（Ｓ８）。この時点で、波長
可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の最適波長が選択さ
れている。以後、この電流値ＩphＭＡＩＮで波長可変Ｄ
ＢＲ半導体レーザ光源３００の位相可変部３０２を駆動
する。
７）によって表記されるＩphＭＡＩＮ（ｔ）となるまで
繰り返す（Ｓ７）。 ［数１７］ ＩphＭＡＩＮ（ｔ）＝ＩphＭＡＩＮ（ｐｒ）＋ＩphＭＡ
ＩＮ（ａｍｐ）／２ ＩphＭＡＩＮをこのように変化させた場合、波長可変Ｄ
ＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長が最適波長とな
ったときにＦＳmon （ｔ）が最大となる。位相可変部駆
動電流源３２０の電流値ＩphＭＡＩＮを、このときのＩ
phＭＡＩＮの値に決定する（Ｓ８）。この時点で、波長
可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の最適波長が選択さ
れている。以後、この電流値ＩphＭＡＩＮで波長可変Ｄ
ＢＲ半導体レーザ光源３００の位相可変部３０２を駆動
する。
【００７８】以上のように、位相可変部駆動電流源３２
０の電流値ＩphＭＡＩＮを所定の範囲で逐次変化させ、
この逐次変化に対応した光出力の検出値が最大となると
きの電流値を求め、位相可変部駆動電流源３２０の電流
値ＩphＭＡＩＮをこの値に決定するようにすれば、波長
可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長を光導波
路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に確
実に等しくすることができる。
０の電流値ＩphＭＡＩＮを所定の範囲で逐次変化させ、
この逐次変化に対応した光出力の検出値が最大となると
きの電流値を求め、位相可変部駆動電流源３２０の電流
値ＩphＭＡＩＮをこの値に決定するようにすれば、波長
可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長を光導波
路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に確
実に等しくすることができる。
【００７９】［ボトムパワー較正］次に、ボトムパワー
較正を行う。
較正を行う。
【００８０】以下、ボトムパワー較正の手順について、
図１５に示すフローチャートを用いて、詳細に説明す
る。
図１５に示すフローチャートを用いて、詳細に説明す
る。
【００８１】それぞれの電流源は、図１４に示すような
テストパターン２を用いることにより、定常動作するも
のとする（Ｓ２１）。
テストパターン２を用いることにより、定常動作するも
のとする（Ｓ２１）。
【００８２】ボトムパワー較正の開始時点においては、
ＩopＢＭはプリセット値ＩopＢＭ（ｐｒ）となってい
る。波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の光出力を
検出し、そのときのモニタ電圧をＦＳmon とする。ここ
で、ボトムパワーの制御目標値をＢＭref とする。ま
た、ＢＭref とＦＳmon との誤差ｅを下記（数１８）で
表記する（Ｓ２２）。 ［数１８］ ｅ＝ＢＭref −ＦＳmon そして、この誤差ｅの積分値をＩopＢＭ（ｐｒ）に加算
して、下記（数１９）を得る。 ［数１９］ ＩopＢＭ＝ＩopＢＭ（ｐｒ）＋Ｋｂｍ×∫ｅｄｔ 上記（数１９）中、Ｋｂｍは比例定数であり、光出力の
制御特性が最適化されるように設計される。
ＩopＢＭはプリセット値ＩopＢＭ（ｐｒ）となってい
る。波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の光出力を
検出し、そのときのモニタ電圧をＦＳmon とする。ここ
で、ボトムパワーの制御目標値をＢＭref とする。ま
た、ＢＭref とＦＳmon との誤差ｅを下記（数１８）で
表記する（Ｓ２２）。 ［数１８］ ｅ＝ＢＭref −ＦＳmon そして、この誤差ｅの積分値をＩopＢＭ（ｐｒ）に加算
して、下記（数１９）を得る。 ［数１９］ ＩopＢＭ＝ＩopＢＭ（ｐｒ）＋Ｋｂｍ×∫ｅｄｔ 上記（数１９）中、Ｋｂｍは比例定数であり、光出力の
制御特性が最適化されるように設計される。
【００８３】それと同時に、ＩphＭＡＩＮから誤差ｅの
積分値にβ1 を乗じた値を減算して、下記（数２０）を
得る。 ［数２０］ ＩphＭＡＩＮ＝ＩphＭＡＩＮ−β1 ×Ｋｂｍ×∫ｅｄｔ 以上の処理を、誤差ｅが０となるまで繰り返し（Ｓ２
３）、発光部駆動電流源３１０の電流値ＩopＢＭを、こ
のときのＩopＢＭに決定する（Ｓ２４）。以後、この電
流値ＩopＢＭで波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００
の発光部３０１を駆動する。それと同時に、位相可変部
駆動電流源３２０の電流値ＩphＭＡＩＮを、このときの
ＩphＭＡＩＮに決定する（Ｓ２４）。以後、この電流値
ＩphＭＡＩＮで波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００
の発光部３０１を駆動する。
積分値にβ1 を乗じた値を減算して、下記（数２０）を
得る。 ［数２０］ ＩphＭＡＩＮ＝ＩphＭＡＩＮ−β1 ×Ｋｂｍ×∫ｅｄｔ 以上の処理を、誤差ｅが０となるまで繰り返し（Ｓ２
３）、発光部駆動電流源３１０の電流値ＩopＢＭを、こ
のときのＩopＢＭに決定する（Ｓ２４）。以後、この電
流値ＩopＢＭで波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００
の発光部３０１を駆動する。それと同時に、位相可変部
駆動電流源３２０の電流値ＩphＭＡＩＮを、このときの
ＩphＭＡＩＮに決定する（Ｓ２４）。以後、この電流値
ＩphＭＡＩＮで波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００
の発光部３０１を駆動する。
【００８４】以上のような処理を行えば、ＩopＢＭの加
算による波長変化を、ＩphＭＡＩＮの減算によって相殺
することができるので、常時波長可変ＤＢＲ半導体レー
ザ光源３００の発振波長を光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデ
バイス３０４の最大効率波長に保ちながら、所望のボト
ムパワーを得ることができる。
算による波長変化を、ＩphＭＡＩＮの減算によって相殺
することができるので、常時波長可変ＤＢＲ半導体レー
ザ光源３００の発振波長を光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデ
バイス３０４の最大効率波長に保ちながら、所望のボト
ムパワーを得ることができる。
【００８５】［バイアスパワー較正］次に、バイアスパ
ワー較正を行う。
ワー較正を行う。
【００８６】以下、バイアスパワー較正の手順につい
て、図１７に示すフローチャートを用いて、詳細に説明
する。
て、図１７に示すフローチャートを用いて、詳細に説明
する。
【００８７】それぞれの電流源は、図１６に示すような
テストパターン２を用いることにより、バイアス−ボト
ム間でスイッチング動作するものとする（Ｓ９）。
テストパターン２を用いることにより、バイアス−ボト
ム間でスイッチング動作するものとする（Ｓ９）。
【００８８】バイアスパワー較正の開始時点において
は、ＩopＢＳはプリセット値ＩopＢＳ（ｐｒ）となって
いる。波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の光出力
をスペース部のみ検出し、そのときのモニタ電圧をＦＳ
mon とする。ここで、バイアスパワーの制御目標値をＢ
Ｓref とする。また、ＢＳref とＦＳmon との誤差ｅを
下記（数２１）で表記する（Ｓ１０）。 ［数２１］ ｅ＝ＢＳref −ＦＳmon そして、この誤差ｅの積分値をＩopＢＳ（ｐｒ）に加算
して、下記（数２２）を得る。 ［数２２］ ＩopＢＳ＝ＩopＢＳ（ｐｒ）＋Ｋｂｓ×∫ｅｄｔ 上記（数２２）中、Ｋｂｓは比例定数であり、光出力の
制御特性が最適化されるように設計される。
は、ＩopＢＳはプリセット値ＩopＢＳ（ｐｒ）となって
いる。波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の光出力
をスペース部のみ検出し、そのときのモニタ電圧をＦＳ
mon とする。ここで、バイアスパワーの制御目標値をＢ
Ｓref とする。また、ＢＳref とＦＳmon との誤差ｅを
下記（数２１）で表記する（Ｓ１０）。 ［数２１］ ｅ＝ＢＳref −ＦＳmon そして、この誤差ｅの積分値をＩopＢＳ（ｐｒ）に加算
して、下記（数２２）を得る。 ［数２２］ ＩopＢＳ＝ＩopＢＳ（ｐｒ）＋Ｋｂｓ×∫ｅｄｔ 上記（数２２）中、Ｋｂｓは比例定数であり、光出力の
制御特性が最適化されるように設計される。
【００８９】このＩopＢＳの加算に伴い、レジスタブロ
ック５２０の演算にしたがって、Ｉ phＢＳには、発光部
駆動電流源３１０のバイアス電流源３１２の波長変化を
位相可変部駆動電流源３２０のバイアス電流源３２２の
波長変化で相殺するように、−β2 ×Ｋｂｓ×∫ｅｄｔ
の値が加算される。さらに、ＩphＤＣには、波長可変Ｄ
ＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長が光導波路型Ｑ
ＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に追従する
ように、−γ2 ×β2 ×Ｋｂｓ×∫ｅｄｔの値が加算さ
れる。
ック５２０の演算にしたがって、Ｉ phＢＳには、発光部
駆動電流源３１０のバイアス電流源３１２の波長変化を
位相可変部駆動電流源３２０のバイアス電流源３２２の
波長変化で相殺するように、−β2 ×Ｋｂｓ×∫ｅｄｔ
の値が加算される。さらに、ＩphＤＣには、波長可変Ｄ
ＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長が光導波路型Ｑ
ＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に追従する
ように、−γ2 ×β2 ×Ｋｂｓ×∫ｅｄｔの値が加算さ
れる。
【００９０】以上の処理を、誤差ｅが０となるまで繰り
返し（Ｓ１１）、発光部駆動電流源３１０の電流値Ｉop
ＢＳを、このときのＩopＢＳに決定する（Ｓ１２）。以
後、この電流値ＩopＢＳで波長可変ＤＢＲ半導体レーザ
光源３００の発光部３０１を駆動する。
返し（Ｓ１１）、発光部駆動電流源３１０の電流値Ｉop
ＢＳを、このときのＩopＢＳに決定する（Ｓ１２）。以
後、この電流値ＩopＢＳで波長可変ＤＢＲ半導体レーザ
光源３００の発光部３０１を駆動する。
【００９１】以上のような処理を行えば、波長可変ＤＢ
Ｒ半導体レーザ光源３００の発振波長を光導波路型ＱＰ
Ｍ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に追従させな
がら、ＩopＢＭを変化させて所望のバイアスパワーを得
ることができる。
Ｒ半導体レーザ光源３００の発振波長を光導波路型ＱＰ
Ｍ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に追従させな
がら、ＩopＢＭを変化させて所望のバイアスパワーを得
ることができる。
【００９２】［ピークパワー較正］次に、ピークパワー
較正を行う。
較正を行う。
【００９３】以下、ピークパワー較正の手順について、
図１８に示すフローチャートを用いて、詳細に説明す
る。
図１８に示すフローチャートを用いて、詳細に説明す
る。
【００９４】それぞれの電流源は、テストパターン１
（図１０）を用いることにより、ピーク−バイアス−ボ
トム間でスイッチング動作するものとする（Ｓ１３）。
（図１０）を用いることにより、ピーク−バイアス−ボ
トム間でスイッチング動作するものとする（Ｓ１３）。
【００９５】ピークパワー較正の開始時点においては、
ＩopＰＫはプリセット値ＩopＰＫ（ｐｒ）となってい
る。マーク部における波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源
３００の光出力の平均値を検出し、そのときのモニタ電
圧をＦＳmon とする。ここで、マーク部平均値の制御目
標値をＡＣref とする。また、ＡＣref とＦＳmon との
誤差ｅを下記（数２３）で表記する（Ｓ１４）。 ［数２３］ ｅ＝ＡＣref −ＦＳmon そして、この誤差ｅの積分値をＩopＰＫ（ｐｒ）に加算
して、下記（数２４）を得る。 ［数２４］ ＩopＰＫ＝ＩopＰＫ（ｐｒ）＋Ｋｐｋ×∫ｅｄｔ 上記（数２４）中、Ｋｐｋは比例定数であり、光出力の
制御特性が最適化されるように設計される。
ＩopＰＫはプリセット値ＩopＰＫ（ｐｒ）となってい
る。マーク部における波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源
３００の光出力の平均値を検出し、そのときのモニタ電
圧をＦＳmon とする。ここで、マーク部平均値の制御目
標値をＡＣref とする。また、ＡＣref とＦＳmon との
誤差ｅを下記（数２３）で表記する（Ｓ１４）。 ［数２３］ ｅ＝ＡＣref −ＦＳmon そして、この誤差ｅの積分値をＩopＰＫ（ｐｒ）に加算
して、下記（数２４）を得る。 ［数２４］ ＩopＰＫ＝ＩopＰＫ（ｐｒ）＋Ｋｐｋ×∫ｅｄｔ 上記（数２４）中、Ｋｐｋは比例定数であり、光出力の
制御特性が最適化されるように設計される。
【００９６】このＩopＰＫの加算に伴い、レジスタブロ
ック５２０の演算にしたがって、Ｉ phＰＫには、発光部
駆動電流源３１０のピーク電流源３１１の波長変化を位
相可変部駆動電流源３２０のピーク電流源３２１の波長
変化で相殺するように、−β 3 ×Ｋｐｋ×∫ｅｄｔの値
が加算される。さらに、ＩphＤＣには、波長可変ＤＢＲ
半導体レーザ光源３００の発振波長が光導波路型ＱＰＭ
−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に追従するよう
に、−γ3 ×β3 ×Ｋｐｋ×∫ｅｄｔの値が加算され
る。
ック５２０の演算にしたがって、Ｉ phＰＫには、発光部
駆動電流源３１０のピーク電流源３１１の波長変化を位
相可変部駆動電流源３２０のピーク電流源３２１の波長
変化で相殺するように、−β 3 ×Ｋｐｋ×∫ｅｄｔの値
が加算される。さらに、ＩphＤＣには、波長可変ＤＢＲ
半導体レーザ光源３００の発振波長が光導波路型ＱＰＭ
−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に追従するよう
に、−γ3 ×β3 ×Ｋｐｋ×∫ｅｄｔの値が加算され
る。
【００９７】以上の処理を、誤差ｅが０となるまで繰り
返し（Ｓ１５）、発光部駆動電流源３１０の電流値Ｉop
ＰＫを、このときのＩopＰＫに決定する（Ｓ１６）。以
後、この電流値ＩopＰＫで波長可変ＤＢＲ半導体レーザ
光源３００の発光部３０１を駆動する。
返し（Ｓ１５）、発光部駆動電流源３１０の電流値Ｉop
ＰＫを、このときのＩopＰＫに決定する（Ｓ１６）。以
後、この電流値ＩopＰＫで波長可変ＤＢＲ半導体レーザ
光源３００の発光部３０１を駆動する。
【００９８】以上のような処理を行えば、波長可変ＤＢ
Ｒ半導体レーザ光源３００の発振波長を光導波路型ＱＰ
Ｍ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に追従させな
がら、ＩopＰＫを変化させて所望のピークパワーを得る
ことができる。
Ｒ半導体レーザ光源３００の発振波長を光導波路型ＱＰ
Ｍ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に追従させな
がら、ＩopＰＫを変化させて所望のピークパワーを得る
ことができる。
【００９９】［再生パワー較正］次に、再生パワー較正
を行う。
を行う。
【０１００】以下、再生パワー較正の手順について、図
２０に示すフローチャートを用いて、詳細に説明する。
２０に示すフローチャートを用いて、詳細に説明する。
【０１０１】最初、それぞれの電流源は、図１９に示す
ようなテストパターン３を用いることにより、再生動作
時の駆動形態となっている（Ｓ１７）。
ようなテストパターン３を用いることにより、再生動作
時の駆動形態となっている（Ｓ１７）。
【０１０２】再生パワー較正の開始時点においては、Ｉ
opＲＤはプリセット値ＩopＲＤ（ｐｒ）となっている。
マーク部における波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３０
０の光出力の平均値を検出し、そのときのモニタ電圧を
ＦＳmon とする。ここで、リードパワーの制御目標値を
ＲＤref とする。また、ＲＤref とＦＳmon との誤差ｅ
を下記（数２５）で表記する（Ｓ１８）。 ［数２５］ ｅ＝ＲＤref −ＦＳmon そして、この誤差ｅの積分値をＩopＲＤ（ｐｒ）に加算
して、下記（数２６）を得る。 ［数２６］ ＩopＲＤ＝ＩopＲＤ（ｐｒ）＋Ｋｒｄ×∫ｅｄｔ 上記（数２６）中、Ｋｒｄは比例定数であり、光出力の
制御特性が最適化されるように設計される。
opＲＤはプリセット値ＩopＲＤ（ｐｒ）となっている。
マーク部における波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３０
０の光出力の平均値を検出し、そのときのモニタ電圧を
ＦＳmon とする。ここで、リードパワーの制御目標値を
ＲＤref とする。また、ＲＤref とＦＳmon との誤差ｅ
を下記（数２５）で表記する（Ｓ１８）。 ［数２５］ ｅ＝ＲＤref −ＦＳmon そして、この誤差ｅの積分値をＩopＲＤ（ｐｒ）に加算
して、下記（数２６）を得る。 ［数２６］ ＩopＲＤ＝ＩopＲＤ（ｐｒ）＋Ｋｒｄ×∫ｅｄｔ 上記（数２６）中、Ｋｒｄは比例定数であり、光出力の
制御特性が最適化されるように設計される。
【０１０３】このＩopＲＤの加算に伴い、レジスタブロ
ック５２０の演算にしたがって、Ｉ phＤＣには、波長可
変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長が光導波路
型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に追従
するように、−β1 ×Ｋｒｄ×∫ｅｄｔの値が加算され
る。
ック５２０の演算にしたがって、Ｉ phＤＣには、波長可
変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長が光導波路
型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に追従
するように、−β1 ×Ｋｒｄ×∫ｅｄｔの値が加算され
る。
【０１０４】以上の処理を、誤差ｅが０となるまで繰り
返し（Ｓ１９）、発光部駆動電流源３１０の電流値Ｉop
ＲＤを、このときのＩopＲＤに決定する（Ｓ２０）。以
後、この電流値ＩopＲＤで波長可変ＤＢＲ半導体レーザ
光源３００の発光部３０１を駆動する。
返し（Ｓ１９）、発光部駆動電流源３１０の電流値Ｉop
ＲＤを、このときのＩopＲＤに決定する（Ｓ２０）。以
後、この電流値ＩopＲＤで波長可変ＤＢＲ半導体レーザ
光源３００の発光部３０１を駆動する。
【０１０５】以上のような処理を行えば、波長可変ＤＢ
Ｒ半導体レーザ光源３００の発振波長を光導波路型ＱＰ
Ｍ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に追従させな
がら、ＩopＲＤを変化させて所望の再生パワーを得るこ
とができる。
Ｒ半導体レーザ光源３００の発振波長を光導波路型ＱＰ
Ｍ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に追従させな
がら、ＩopＲＤを変化させて所望の再生パワーを得るこ
とができる。
【０１０６】以上のように、本実施の形態においては、
まず、記録動作時の駆動形態でＩdb r 波長探査処理とＩ
phＭＡＩＮ波長探査処理を行い、その後、記録パワー較
正と再生パワー較正を行ったが、以下にその効果を述べ
る。
まず、記録動作時の駆動形態でＩdb r 波長探査処理とＩ
phＭＡＩＮ波長探査処理を行い、その後、記録パワー較
正と再生パワー較正を行ったが、以下にその効果を述べ
る。
【０１０７】まず、再生動作時の駆動形態でＩdbr 波長
探査処理とＩphＭＡＩＮ波長探査処理を行った場合、最
適波長となるＩphＭＡＩＮの値は、波長可変ＤＢＲ半導
体レーザ光源３００の複数のモードに対して複数個存在
し得る。そして、記録動作時の位相可変部駆動電流源３
２０から波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の位相
可変部３０２に供給される電流は再生動作時よりも低く
なるため、再生動作時のＩphＭＡＩＮの値を低い値に決
定してしまうと、位相可変部駆動電流源３２０から波長
可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の位相可変部３０２
に供給される電流が、０ｍＡ以下になってしまうか、位
相可変部３０２のダイオード特性の低電流領域における
非線形な領域に到達してしまう。このような場合には、
所望の光出力が得られない。従って、かかる場合には、
リトライ処理により、Ｉdbr 波長探査処理、ＩphＭＡＩ
Ｎ波長探査処理、再生パワー較正、記録パワー較正を再
び繰り返す必要があり、起動時間の大幅なロスに繋がっ
てしまう。
探査処理とＩphＭＡＩＮ波長探査処理を行った場合、最
適波長となるＩphＭＡＩＮの値は、波長可変ＤＢＲ半導
体レーザ光源３００の複数のモードに対して複数個存在
し得る。そして、記録動作時の位相可変部駆動電流源３
２０から波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の位相
可変部３０２に供給される電流は再生動作時よりも低く
なるため、再生動作時のＩphＭＡＩＮの値を低い値に決
定してしまうと、位相可変部駆動電流源３２０から波長
可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の位相可変部３０２
に供給される電流が、０ｍＡ以下になってしまうか、位
相可変部３０２のダイオード特性の低電流領域における
非線形な領域に到達してしまう。このような場合には、
所望の光出力が得られない。従って、かかる場合には、
リトライ処理により、Ｉdbr 波長探査処理、ＩphＭＡＩ
Ｎ波長探査処理、再生パワー較正、記録パワー較正を再
び繰り返す必要があり、起動時間の大幅なロスに繋がっ
てしまう。
【０１０８】これに対し、本実施の形態においては、ま
ず、記録動作時の駆動形態でＩdbr波長探査処理とＩph
ＭＡＩＮ波長探査処理を行い、その後、記録パワー較正
と再生パワー較正を順次行うようにしたので、ＩphＭＡ
ＩＮとして記録動作時に必要な高い値が必然的に求めら
れる。従って、リトライ処理を行うことなく初期レーザ
較正処理を終えることができる。
ず、記録動作時の駆動形態でＩdbr波長探査処理とＩph
ＭＡＩＮ波長探査処理を行い、その後、記録パワー較正
と再生パワー較正を順次行うようにしたので、ＩphＭＡ
ＩＮとして記録動作時に必要な高い値が必然的に求めら
れる。従って、リトライ処理を行うことなく初期レーザ
較正処理を終えることができる。
【０１０９】また、上記したレーザパワーの較正方法に
おいて決定されたそれぞれの電流値を、プリセット値記
憶部５１０に記憶しておき、これらの電流値を次回の起
動時に用いるようにすれば、起動時間をより短縮するこ
とが可能となる。
おいて決定されたそれぞれの電流値を、プリセット値記
憶部５１０に記憶しておき、これらの電流値を次回の起
動時に用いるようにすれば、起動時間をより短縮するこ
とが可能となる。
【０１１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光源装置
の第１の制御方法によれば、一度のＩ dbr 波長探査処理
で確実に第２高調波発生デバイスの最大効率波長にほぼ
等しい波長を得ることができる。
の第１の制御方法によれば、一度のＩ dbr 波長探査処理
で確実に第２高調波発生デバイスの最大効率波長にほぼ
等しい波長を得ることができる。
【０１１１】また、本発明の光源装置の第２の制御方法
によれば、半導体レーザ光源の発振波長を第２高調波発
生デバイスの最大効率波長に確実に等しくすることがで
きる。
によれば、半導体レーザ光源の発振波長を第２高調波発
生デバイスの最大効率波長に確実に等しくすることがで
きる。
【０１１２】また、本発明の光源装置の第３の制御方法
によれば、半導体レーザ光源の発振波長を第２高調波発
生デバイスの最大効率波長に追従させながら、所望の注
入電流値を得ることができる。
によれば、半導体レーザ光源の発振波長を第２高調波発
生デバイスの最大効率波長に追従させながら、所望の注
入電流値を得ることができる。
【０１１３】また、本発明の光源装置の第４の制御方法
によれば、リトライ処理を行うことなく、レーザパワー
較正処理を終えることができる。
によれば、リトライ処理を行うことなく、レーザパワー
較正処理を終えることができる。
【図１】本発明の一実施の形態における光源装置を示す
概略構成図
概略構成図
【図２】本発明の一実施の形態における基本波光の波長
に対して出射される高調波光の出力パワーを示す図
に対して出射される高調波光の出力パワーを示す図
【図３】本発明の一実施の形態における光源装置の制御
回路を示すブロック図
回路を示すブロック図
【図４】本発明の一実施の形態における発光部駆動電流
と位相可変部駆動電流との関係を示す図
と位相可変部駆動電流との関係を示す図
【図５】図３の光出力／波長制御手段を詳細に示すブロ
ック図
ック図
【図６】本発明の一実施の形態の起動時レーザ処理にお
ける各電流源の電流印加状態を示す図
ける各電流源の電流印加状態を示す図
【図７】本発明の一実施の形態における起動時レーザ処
理の効果を説明するための図
理の効果を説明するための図
【図８】本発明の一実施の形態の起動時レーザ処理にお
ける各電流源の電流印加状態の他の例を示す図
ける各電流源の電流印加状態の他の例を示す図
【図９】本発明の一実施の形態の起動時レーザ処理にお
ける各電流源の電流印加状態のさらに他の例を示す図
ける各電流源の電流印加状態のさらに他の例を示す図
【図１０】本発明の一実施の形態のＩdbr 波長探査処理
における記録動作時の駆動形態に近い駆動形態にしてお
くためのテストパターンを示す図
における記録動作時の駆動形態に近い駆動形態にしてお
くためのテストパターンを示す図
【図１１】本発明の一実施の形態のＩdbr 波長探査処理
における波長可変部駆動電流波形を示す図
における波長可変部駆動電流波形を示す図
【図１２】本発明の一実施の形態におけるＩdbr 波長探
査処理の手順を示すフローチャート
査処理の手順を示すフローチャート
【図１３】本発明の一実施の形態におけるＩphＭＡＩＮ
波長探査処理の手順を示すフローチャート
波長探査処理の手順を示すフローチャート
【図１４】本発明の一実施の形態のボトムパワー較正に
おける定常動作させるためのテストパターンを示す図
おける定常動作させるためのテストパターンを示す図
【図１５】本発明の一実施の形態におけるボトムパワー
較正の手順を示すフローチャート
較正の手順を示すフローチャート
【図１６】本発明の一実施の形態のバイアスパワー較正
における記録動作時の駆動形態に近い駆動形態にしてお
くためのテストパターンを示す図
における記録動作時の駆動形態に近い駆動形態にしてお
くためのテストパターンを示す図
【図１７】本発明の一実施の形態におけるバイアスパワ
ー較正の手順を示すフローチャート
ー較正の手順を示すフローチャート
【図１８】本発明の一実施の形態におけるピークパワー
較正の手順を示すフローチャート
較正の手順を示すフローチャート
【図１９】本発明の一実施の形態のリードパワー較正に
おける再生動作時の駆動形態にしておくためのテストパ
ターンを示す図
おける再生動作時の駆動形態にしておくためのテストパ
ターンを示す図
【図２０】本発明の一実施の形態における再生パワー較
正の手順を示すフローチャート
正の手順を示すフローチャート
【図２１】従来技術における光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧ
デバイスを用いたＳＨＧ青色光源の概略構成図
デバイスを用いたＳＨＧ青色光源の概略構成図
１ ＤＢＲ領域
２ 位相調整領域
３ 活性層領域
４ 半導体レーザ光源
５、３０４ 光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス
１１ Ｘ板ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 基板
１２ 光導波路
３００ 波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源
３０１ 発光部（活性層領域）
３０２ 位相可変部（位相調整領域）
３０３ 波長可変部（ＤＢＲ領域）
３０５ フォトディテクタ
３０６ Ｉ／Ｖアンプ
３１０ 発光部駆動電流源
３１１、３２１ ピーク電流源
３１２、３２２ バイアス電流源
３１３、３２３ ＤＣ電流源
３２０ 位相可変部駆動電流源
３３０ 波長可変部駆動電流源
３４０ 光出力／波長制御手段
３５０ 記録波形生成手段
３６０ 反転手段
５１０ プリセット値記憶部
５２０ レジスタブロック
３４０ 光出力／波長制御手段
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 古宮 成
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 石橋 広通
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 2K002 AA05 AB12 CA03 DA06 EB15
HA20
5F073 AA61 AA65 AB23 BA04 EA15
GA02 GA12
Claims (7)
- 【請求項１】 少なくとも活性層領域と位相調整領域と
分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）領域を有する半導体レー
ザ光源と、前記半導体レーザ光源の出射光から第２高調
波を発生させる第２高調波発生デバイスと、前記第２高
調波発生デバイスからの光出力を検出する手段とを備え
た光源装置の制御方法であって、 前記ＤＢＲ領域への注入電流Ｉdbr を所定の範囲で逐次
変化させ、前記逐次変化に対応した光出力の検出値の増
加分が最大となるときの注入電流値Ｉdbr_llと、光出力
の検出値の減少分が最大となるときの注入電流値Ｉdbr_
ulを求め、 前記ＤＢＲ領域への注入電流Ｉdbr を前記Ｉdbr_llと前
記Ｉdbr_ulとの間の値に決定することを特徴とする光源
装置の制御方法。 - 【請求項２】 前記光源装置を起動するに際し、前記Ｄ
ＢＲ領域への注入電流Ｉdbr を所定の範囲で逐次変化さ
せたときに前記注入電流値Ｉdbr_llと前記注入電流値Ｉ
dbr_ulが前記所定の範囲に含まれるように、前記活性層
領域と前記位相調整領域と前記ＤＢＲ領域へそれぞれ予
め決められた所定のプリセット値Ｉop（ｐｒ）、Ｉ
ph（ｐｒ）、Ｉdbr （ｐｒ）で電流の注入を開始する請
求項１に記載の光源装置の制御方法。 - 【請求項３】 前記光源装置を起動するに際し、前記活
性層領域と前記位相調整領域と前記ＤＢＲ領域へのそれ
ぞれの前記所定のプリセット値Ｉop（ｐｒ）、Ｉph（ｐ
ｒ）、Ｉdbr （ｐｒ）のうち、少なくとも１つの前記プ
リセット値よりも大きな電流値で電流の注入を開始し、
所定時間経過後に、前記プリセット値に注入電流値を切
り替える請求項２に記載の光源装置の制御方法。 - 【請求項４】 前記位相調整領域と前記ＤＢＲ領域への
電流の注入を開始し、所定時間経過後に、前記活性層領
域への電流の注入を開始する請求項２に記載の光源装置
の駆動方法。 - 【請求項５】 少なくとも活性層領域と位相調整領域と
分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）領域を有する半導体レー
ザ光源と、前記半導体レーザ光源の出射光から第２高調
波を発生させる第２高調波発生デバイスと、前記第２高
調波発生デバイスからの光出力を検出する手段とを備え
た光源装置の制御方法であって、 前記位相調整領域への注入電流Ｉphを所定の範囲で逐次
変化させ、前記逐次変化に対応した光出力の検出値が最
大となるときの注入電流値Ｉph（ｍａｘ）を求め、 前記位相調整領域への注入電流値を前記Ｉph（ｍａｘ）
に決定することを特徴とする光源装置の制御方法。 - 【請求項６】 少なくとも活性層領域と位相調整領域と
分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）領域を有する半導体レー
ザ光源と、前記半導体レーザ光源の出射光から第２高調
波を発生させる第２高調波発生デバイスと、前記第２高
調波発生デバイスからの光出力を検出する手段とを備え
た光源装置の制御方法であって、 光出力の制御目標値と光出力の検出値との誤差を算出
し、 前記誤差の積分値を前記活性層領域に注入する電流に加
算すると共に、 前記誤差の積分値に所定の定数を乗じた値を、前記位相
調整領域に注入することにより、光出力を制御目標値に
制御することを特徴とする光源装置の制御方法。 - 【請求項７】 少なくとも活性層領域と位相調整領域と
分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）領域を有する半導体レー
ザ光源と、前記半導体レーザ光源の出射光から第２高調
波を発生させる第２高調波発生デバイスと、前記第２高
調波発生デバイスからの光出力を検出する手段とを備
え、前記半導体レーザ光源の光出力を低出力と高出力の
少なくとも２値以上の値に切り替える光源装置の制御方
法であって、 まず、前記半導体レーザ光源の光出力が高出力になる状
態で、前記半導体レーザ光源の出射光の波長を前記第２
高調波発生デバイスの最適波長にするための較正と、前
記第２高調波発生デバイスからの光出力を制御目標値に
するための制御の少なくとも一方を行い、 次いで、前記半導体レーザ光源の光出力が低出力になる
状態で、前記半導体レーザ光源の出射光の波長を前記第
２高調波発生デバイスの最適波長にするための較正と、
前記第２高調波発生デバイスからの光出力を制御目標値
にするための制御の少なくとも一方を行うことを特徴と
する光源装置の制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002097223A JP4181333B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | 光源装置の制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002097223A JP4181333B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | 光源装置の制御方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007216297A Division JP4714716B2 (ja) | 2007-08-22 | 2007-08-22 | 光源装置の制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003298177A true JP2003298177A (ja) | 2003-10-17 |
| JP4181333B2 JP4181333B2 (ja) | 2008-11-12 |
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|---|---|---|---|
| JP2002097223A Expired - Fee Related JP4181333B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | 光源装置の制御方法 |
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|---|---|
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2002
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