JP4177310B2 - 4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)−ビフェニル系シリコン化合物及びそれを利用した有機電界発光素子 - Google Patents

4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)−ビフェニル系シリコン化合物及びそれを利用した有機電界発光素子 Download PDF

Info

Publication number
JP4177310B2
JP4177310B2 JP2004265417A JP2004265417A JP4177310B2 JP 4177310 B2 JP4177310 B2 JP 4177310B2 JP 2004265417 A JP2004265417 A JP 2004265417A JP 2004265417 A JP2004265417 A JP 2004265417A JP 4177310 B2 JP4177310 B2 JP 4177310B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
substituted
unsubstituted
compound
organic electroluminescent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2004265417A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005097301A (ja
Inventor
錫 宗 李
栄 国 金
▲せき▼ 煥 黄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung SDI Co Ltd
Original Assignee
Samsung SDI Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung SDI Co Ltd filed Critical Samsung SDI Co Ltd
Publication of JP2005097301A publication Critical patent/JP2005097301A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4177310B2 publication Critical patent/JP4177310B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/08Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0803Compounds with Si-C or Si-Si linkages
    • C07F7/081Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
    • C07F7/0812Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/40Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10Triplet emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/321Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917Electroluminescent

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Indole Compounds (AREA)

Description

本発明は、4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)−ビフェニル(CBP)系シリコン化合物及びそれを利用した有機電界発光素子に係り、さらに詳細には赤色、緑色、青色、白色のような多様なりん光または蛍光ドーパントに対してホストとして使用できるCBP系化合物及びそれを利用して高効率、高輝度、長寿命、低消費電力特性を有する有機電界発光素子に関する。
電界発光素子(Electro Luminescent Device:EL素子)は、自発光型の表示素子であって、視野角が広く、コントラストに優れるだけでなく、応答時間が早いという長所を有している。
EL素子は、発光層形成用の材料によって無機EL素子と有機EL素子とに区分される。ここで、有機EL素子は、無機EL素子に比べて輝度、駆動電圧及び応答速度特性に優れ、多色化が可能であるという長所を有している。
一般的な有機EL素子は、基板の上部にアノードが形成されており、このアノードの上部にホール輸送層、発光層、電子輸送層及びカソードが順次に形成されている構造を有している。ここで、ホール輸送層、発光層及び電子輸送層は、有機化合物よりなる有機薄膜である。
前述したような構造を有する有機EL素子の駆動原理は、次の通りである。
前記アノード及びカソード間に電圧を印加すれば、アノードから注入されたホールはホール輸送層を経由して発光層に移動する。一方、電子はカソードから電子輸送層を経由して発光層に注入され、発光層領域でキャリヤが再結合してエキシトンを生成する。このエキシトンが励起状態から基底状態に変化し、これにより、発光層の蛍光性分子が発光することによって画像が形成される。この時、励起状態が一重項励起状態を通じて基底状態に落ちつつ発光することを“蛍光”といい、三重項励起状態を通じて基底状態に落ちつつ発光することを“りん光”という。蛍光の場合、一重項励起状態の比率が25%(三重項状態の比率が75%)であるので、発光効率の限界があるが、一方、りん光を利用すれば、三重項及び一重項励起状態を何れも利用できるので、理論的には内部量子効率100%まで可能である。
りん光を利用した有機電界発光素子として、CBP系ホストとスピン軌道結合が大きいIr、Ptのような重い元素を中心に有するりん光色素であるIr(ppy)とPtOEPとをりん光ドーパントとして使用した緑色及び赤色の高効率有機電界発光素子を開発した(非特許文献1)。しかし、前記有機電界発光素子は、その寿命が150時間以下と短いため、商業的な使用側面で見る時、十分ではない。その原因はCBPのガラス転移温度が110℃以下と低く、結晶化が容易に生じるためである。
また、りん光を利用した有機電界発光素子の他の例として、青色のりん光ドーパントである(4,6−F2ppy)Irpicとフッ素化されたppyリガンド構造に基づくIr化合物を採用した有機電界発光素子が開発された。このような有機電界発光素子においては、CBPにおいて、三重項状態と基底状態とのエネルギーギャップが緑色及び赤色りん光ドーパント材料の三重項エネルギーギャップには十分なエネルギー転移を可能にするが、青色材料のエネルギーギャップよりは少なくてPL(Photoluminescent)ピークが475nmと495nmとで現れるスカイブルー(4,6−F2ppy)Irpicのような材料でも発熱エネルギー転移ではない非常に非効率的な吸熱転移が起こると報告されている。その結果、CBPホストは、青色りん光ドーパントへのエネルギー転移が十分ではないので、青色の発光効率が低く、寿命が短い問題点の原因として指摘されている。
また、特許文献1は、CBP系化合物を利用した有機電界発光素子を開示している。
最近、CBPより大きい三重項エネルギーギャップを有するmCP(1,3−ビス(カルバゾール−9−イル)−ベンゼン)化合物が使われているが、この分子は分子量があまりにも小さく、安定性が低い問題点を有している。したがって、高効率長寿命の青色発光特性を得るためには、CBPより三重項エネルギーギャップがさらに大きくて青色ドーパントへのエネルギー転移が効率的で高いTg(ガラス転移温度)を有するホスト材料の確保が非常に重要である。
米国特許公開2002/0125818A1号 Phys.Lett.,4(1999年 vol.75)&Nature750(2000年 vol.75)
本発明が解決しようとする技術的課題は、前述した問題点を解決するために電気的な安定性と高い電荷輸送能力とを有し、ガラス転移温度が高く、結晶化を防止できる赤色、緑色、青色、白色などの全てのカラーの蛍光及びりん光ドーパントに適したホスト物質を提供することである。
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、前記物質を利用して高効率、低電圧、高輝度及び長寿命を有する有機電界発光素子を提供することである。
前記課題を達成するために本発明では、下記化学式1で表示されることを特徴とする化合物を提供する。
Figure 0004177310
前記化学式中で、n及びnは独立的に1または2であり、Xは−Si(A)(A−であり、A、A、RないしR24は独立的に水素原子、C1−C30のYで置換されたまたは非置換のアルキル基、C1−C30のYで置換されたまたは非置換のアシル基、C1−C30のYで置換されたまたは非置換のアルコキシカルボニル基、C1−C30のYで置換されたまたは非置換のアルコキシ基、C2−C30のYで置換されたまたは非置換のアルケニル基、C2−C30のYで置換されたまたは非置換のアルキニル基、C2−C30のYで置換されたまたは非置換のアルキルカルボキシル基、C6−C30のYで置換されたまたは非置換のアリール基、C6−C30のYで置換されたまたは非置換のアラルキル基、C6−C30のYで置換されたまたは非置換のアラルキルオキシ基、C2−C30のYで置換されたまたは非置換のヘテロアリール基、C2−C30のYで置換されたまたは非置換のヘテロアリールオキシ基、C6−C30のYで置換されたまたは非置換のアリールオキシ基、C6−C30のYで置換されたまたは非置換のアリールオキシカルボニル基、C6−C30のYで置換されたまたは非置換のアリールアルケニル基、C6−C30のYで置換されたまたは非置換のアリールアルキニル基、C6−C30のYで置換されたまたは非置換のアリールカルボキシル基、C2−C30のYで置換されたまたは非置換のヘテロアラルキル基、C4ないしC30のYで置換されたまたは非置換のシクロアルキル基、−N(R)(R’)(但し、RとR’とは相互独立的に水素原子、C1−C30のアルキル基、C6−C30のアリール基またはC2−C30のヘテロアリール基である)、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基であり、Yはハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジノ基(−HN−NH )、ヒドラゾノ基(=N−NH )、カルボキシル基もしくはその塩、スルホン酸基もしくはその塩、リン酸基もしくはその塩、またはC1−C30のアルキル基、C1−C30のアルケニル基、C1−C30のアルキニル基、C6−C30のアリール基、C7−C20のアリールアルキル基、C2−C20のヘテロアリール基、またはC3−C30のヘテロアリールアルキル基であり、ないしR24のうち隣接した2個以上が相互連結されて環が形成されていてもよい。なお、本明細書中では、置換基の炭素原子数の範囲を規定する場合、Cx−Cy(xは炭素原子数の下限値であり、yは炭素原子数の上限値を表す。)と表記する場合もある。例えば、炭素原子数1ないし30個のアルキル基は、C1−C30のアルキル基と表記する。
本発明の他の課題は、一対の電極間に有機膜を含む有機電界発光素子において、前記有機膜が前述した化合物を含むことを特徴とする有機電界発光素子よりなる。
本発明によるCBP系シリコン化合物は、青色発光特性及びホール伝達特性に優れ、これは青色発光材料として使用するか、または赤色、緑色、青色、白色のような多様なりん光または蛍光ドーパントに対するホストとして使用できる。このようなCBP系シリコン化合物を採用した有機電界発光素子は、高効率、高輝度、長寿命及び低消費電力特性を有する。
本発明による前記化学式1で表示される化合物は青色発光材料であって、従来に提案された分子より濃い青色発光特性を有するので、フルカラー有機電界発光素子のための青色ホストとして使用可能である。特に、Ir、Pt、Os、Re金属を含む青色りん光ドーパントに適した三重項エネルギーギャップと熱的安定性とを有する青色りん光ホストとして有用であり、この他にも赤色、緑色、青色、白色など多様なりん光または蛍光ドーパントに対するホストとして使用して高効率、高輝度、長寿命、低消費電力などの特性を有する有機電界発光素子が得られる。
前記化学式1で、RないしR24のうち隣接した2個以上が相互連結されて環を形成できる。例えば、RとR、RとR、RとR、RとR、RとR、RとRなどのように隣接した一対の置換基は、それぞれベンゼン環、シクロヘキサン環などを形成できる。
前記化学式1で表示される化合物のn及びnは独立的に1または2であればよく、n及びnが何れも1である化合物、n及びnが何れも2である化合物、さらにはn及びnの何れか一方が1で、他方が2である化合物であってもよい。
前記化学式1で表示される化合物の代表的な例として、下記化学式2または3で表示される化合物が挙げられる。
Figure 0004177310
Figure 0004177310
前記化学式で、A及びAは、前記の通りである。
前記化学式2または3で表示される化合物の具体的な例として、下記化学式4ないし18で表示される化合物がある。
Figure 0004177310
Figure 0004177310
Figure 0004177310
Figure 0004177310
Figure 0004177310
Figure 0004177310
Figure 0004177310
Figure 0004177310
Figure 0004177310
Figure 0004177310
Figure 0004177310
Figure 0004177310
Figure 0004177310
Figure 0004177310
Figure 0004177310
本発明の化学式1ないし3で使われた非置換のC1−C30のアルキル基の具体的な例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、へキシル基などが挙げられる。前記アルキル基のうち一つ以上の水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジノ基(−HN−NH)、ヒドラゾノ基(=N−NH)、カルボキシル基やその塩、スルホン酸基やその塩、リン酸基やその塩、またはC1−C30のアルキル基、C1−C30のアルケニル基、C1−C30のアルキニル基、C6−C30のアリール基、C7−C20のアリールアルキル基、C2−C20のヘテロアリール基、またはC3−C30のヘテロアリールアルキル基に置換できる。
本発明の化学式1ないし3で使われた非置換のC1−C30のアシル基の具体的な例として、アセチル基、エチルカルボニル基、イソプロピルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチレンカルボニル基、ジフェニルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基などがあり、これらアシル基のうち少なくとも一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様な置換基に置換可能である。
本発明の化学式1ないし3で使われた非置換のC2−C30のアルコキシカルボニル基の具体的な例として、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル基などがあり、これらアルコキシカルボニル基のうち少なくとも一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様な置換基に置換可能である。
本発明の化学式1ないし3で使われた非置換のC1−C30のアルコキシ基の具体的な例として、メトキシ基、エトキシ基、シクロヘキシルオキシ基、イソプロピルオキシ基などがあり、これらアルコキシ基のうち少なくとも一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様な置換基に置換可能である。
本発明の化学式1ないし3で使われた非置換のC2−C30のアルケニル基は、前記定義されたようなアルキル基の中間や最末端に炭素二重結合を含有していることを意味する。前記C2−C30のアルケニル基の具体的な例としては、ビニル基、1−プロペニル基、アリル基、イソプロペニル基、1−ブテニル基、2−ブテニル基、2−ペンテニル基などがある。これらアルケニル基のうち少なくとも一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様な置換基に置換可能である。
本発明の化学式1ないし3で使われた非置換のC2−C30のアルキニル基は、前記定義されたようなアルキル基の中間や最末端に炭素三重結合を含有していることを意味する。前記C2−C30のアルキニル基の具体的な例としては、エチニル基、2−プロピニル基、2−ブチニル基などがある。これらアルキニル基のうち少なくとも一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様な置換基に置換可能である。
本発明の化学式1ないし3で使われた非置換のC2−C30のアルキルカルボキシル基の例としては、メチルカルボキシル基、エチルカルボキシル基、シクロへキシルカルボキシル基、イソプロピルカルボキシル基などがあり、これらアルキルカルボキシル基のうち少なくとも一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様な置換基に置換可能である。
本発明の化学式1ないし3で使われた非置換のアリール基は、単独または組み合わせて使われて、一つ以上の環を含む炭素原子数6ないし30個のカルボサイクル芳香族システムを意味し、前記環はペンダント方法で互いに結合(共に付着)されるか、または縮合(融合)されうる。アリールという用語は、フェニル、ナフチル、テトラヒドロナフチルのような芳香族ラジカルを含む。よって、非置換のアリール基の例としては、フェニル基、ナフチル基、テトラヒドロナフチル基などがあり、これらアリール基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様な置換基に置換可能である。例えば、化学式1ないし3のAやAで使われる置換アリール基には、化学式18に示すように、アリール基の1種であるフェニル基のうち一つの水素原子が、C2−C20のヘテロアリール基の1種であるカルバゾイル基で置換されたようなものも含まれる。
本発明の化学式1ないし3で使われたC6−C30の非置換のアリールオキシ基の例としては、フェニルオキシ基、ナフチレンオキシ基、ジフェニルオキシ基などがある。前記アリールオキシ基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様な置換基に置換可能である。
本発明の化学式1ないし3で使われたC6−C30の置換または非置換のアリールオキシカルボニル基の例としては、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基などがある。前記アリールオキシカルボニル基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様な置換基に置換可能である。
本発明の化学式1ないし3で使われたC6−C30の置換または非置換のアリールアルケニル基の例としては、スチリル基、シンナミル基などがある。前記アリールアルケニル基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様な置換基に置換可能である。
本発明の化学式1ないし3で使われたC6−C30の置換または非置換のアリールアルキニル基の例としては、CC≡C−、C10C≡C−、C−CC≡C−などがある。前記アリールアルキニル基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様な置換基に置換可能である。
本発明の化学式1ないし3で使われたC6−C30の置換または非置換のアリールカルボキシル基の例としては、フェニルカルボキシル基、ナフチルカルボキシル基などがある。前記アリールカルボキシル基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様な置換基に置換可能である。
本発明の化学式1ないし3で使われるC6−C30の非置換のアラルキル基は、前記定義されたようなアリール基で水素原子のうち一部が低級アルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基のような置換基に置換されたことを意味する。例えば、ベンジル基、フェニルエチル基などがある。前記アラルキル基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様な置換基に置換可能である。
本発明で使用するC2−C30の非置換のヘテロアリール基は、N、O、PまたはSのうち選択された1個以上(例えば、1、2または3個)のヘテロ原子を含む環原子数5ないし30の環システムを意味する。ヘテロアリール基の例として、チエニル基、ピリジル基、フリル基などがある。前記ヘテロアリール基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様な置換基に置換可能である。
本発明で使われるC2−C30の非置換のヘテロアリールオキシ基は、前記定義されたようなヘテロアリール基に酸素が結合されたことを意味する。例えば、チエニルオキシ基、ピリジルオキシ基、フリルオキシ基などがある。前記ヘテロアリールオキシ基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様な置換基に置換可能である。
本発明で使用するC6−C30の非置換のアラルキルオキシ基の例としては、ベンジルオキシ基、フェニルエチルオキシ基などがあり、前記アラルキルオキシ基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様な置換基に置換可能である。
本発明で使われるC2−C30の非置換のヘテロアラルキル基は、前記ヘテロアリール基の水素原子の一部が低級アルキル基に置換されたことを意味する。ヘテロアラルキル基としては、例えば、チエニルメチル基、チエニルエチル基などがある。前記ヘテロアラルキル基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様な置換基に置換可能である。
本発明で使用するC4ないしC30の非置換のシクロアルキル基の例としては、シクロへキシル基、シクロペンチル基などがあり、シクロアルキル基のうち一つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同様な置換基に置換可能である。
本発明で使用する−N(R)(R’)の例としては、アミノ基、ジメチルアミノ基などがある。
前述したアルキル基などに置換可能な置換基であるC1−C30のアルキル基、C1−C30のアルケニル基、C1−C30のアルキニル基、C6−C30のアリール基、C7−C20のアリールアルキル基、C2−C20のヘテロアリール基、C3−C30のヘテロアリールアルキル基の具体例については、上述した本発明の化学式で使われるC1−C30のアルキル基、C2−C30のアルケニル基、C2−C30のアルキニル基、C6−C30のアリール基、C6−C30のアラルキル基、C2−C30のヘテロアリール基、C2−C30のヘテロアラルキル基の例と同様のものが例示できるため、ここでの説明は省略する。
同様に、前述した−N(R)(R’)のRとR’として使われるC1−C30のアルキル基、C6−C30のアリール基、C2−C30のヘテロアリール基の具体例については、上述した本発明の化学式で使われるC1−C30のアルキル基、C6−C30のアリール基、C2−C30のヘテロアリール基の例と同様のものが例示できるため、ここでの説明は省略する。
化学式1の化合物は、当該技術分野で公知の色々な反応経路によって合成可能であり、そのうち一実施例による合成方法を説明すれば、次の通りである。
まず、下記反応式1のように、カルバゾール(A)及びフェニルハライド(B)を反応して化合物(C)を得る。
Figure 0004177310
前記反応式で、−X’は−Cl、−Brまたは−Iであり、RないしR、R17ないしR20は前記の通りである。
次いで、下記反応式2に示されたように、前記化合物(C)をn−ブチルリチウムのような有機リチウム化合物(organic lithium compound)と反応させた後、(A)(A)SiX’のようなシリコンハロゲン化物と反応して化学式1で表示される化合物を得る。
Figure 0004177310
前記反応式で、−X’は−Cl、−Brまたは−Iであり、A及びA、RないしR、R17ないしR20は前記の通りである。
以下、本発明の化学式1による化合物を有機膜形成材料として利用する有機電界発光素子及びその製造方法を説明する。
図1は、有機電界発光素子の構造を示す断面図である。
まず、基板10の上部にアノード電極用物質をコーティングしてアノード12を形成する。ここで、前記基板には通常、一般的な有機電界発光素子(有機EL素子ともいう)として使われる基板を使用するが、透明性、表面平滑性、取扱い容易性及び防水性に優れるガラス基板または透明プラスチック基板が望ましい。そして、アノード電極用物質としては、透明で伝導性に優れるITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、SnO、ZnOなどを使用する。
前記アノード12の上部にホール注入物質を真空熱蒸着、またはスピンコーティングしてホール注入層(HIL:Hole Injection Layer)14を形成する。前記ホール注入物質としては、特別に制限されていないが、銅フタロシアニン(CuPc;copper phthalocyanine)またはスターバースト型アミン類のTCTA、m−MTDATA、m−MTDAPB(ここで、TCTA、m−MTDATA、m−MTDAPBは、参照文献J.Chem.Inf.Comput.Sci.2003年 vol.43,pp970〜977にその化学構造式が示されている)を使用することが望ましい。
次いで、前記HIL14の上部にホール輸送層(HTL:Hole Transport Layer)物質を真空熱蒸着またはスピンコーティングしてHTL16を形成する。前記HTL物質としては、特別に制限されず、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(TPD)、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニルベンジジン(α−NPD)などが使われる。
前記過程によって形成されたHTL16の上部に発光層(EML:Light Emitting Layer)18を形成する。ここで、EML18の材料としては、特別に制限されず、前記化学式1の化合物を単独に使用するか、またはこれをホストとして使用し、可視光領域のりん光または蛍光ドーパントを共に使用することもある。
前記蛍光ドーパントとしては、イデミツ社(出光興産株式会社)から購入可能なIDE102、IDE105を使用し、前記りん光ドーパントとしてはIr(ppy)(ppyはフェニルピリジンの略語である)(緑色)、(4,6−F2ppy)Irpic(参照文献:Chihaya Adachietc.Appl.Phys.Lett.,79,2082−2084,2001)、コビオン(Cobion)社のTEB002、PtOEPなどを使用する。
前記EML18の形成方法は、EML18の材料によって変わり、例えば、真空熱共蒸着法が使われる。
前記ドーパントの含量は、EML形成材料(すなわち、ホストである化学式1の化合物及びドーパントの総重量)100重量部に基づいて0.1ないし20重量部、特に、0.5〜12重量部であることが望ましい。ドーパントの含量が0.1重量部未満であれば、付加による効果が微小であり、20重量部を超えれば、りん光や蛍光の何れに対しても濃度(増量)によるケンチングのような濃度消光が起こって望ましくない。
前記EML18上に電子輸送物質を真空蒸着またはスピンコーティングして電子輸送層(ETL:Electron Transport Layer)22を形成する。ここで、電子輸送物質としては、特別に制限されず、下記構造式で表示されるAlq3(トリス(8−キノリノラト)−アルミニウム)、BCP(2,9−ジメチル−4,7−ジフェニルフェナントロリン)、TAZ(3−フェニル−4−(1’−ナフタル)−5−フェニル−1,2,4−トリアゾール)、OXD7(1,3−ビス(N,N−tブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール)などを利用できる。そして、EML18の形成時にりん光ドーパントを利用する場合、三重項励起子またはホールがETL22に拡散される現象を防止するために、ホールブロッキング物質をさらに真空熱蒸着して、図1のようにホールブロッキング層(HBL:Hole Blocking Layer)20を形成する。この時、ホールブロッキング物質としては、特別に制限されていないが、電子輸送能力を有しつつ発光化合物より高いイオン化ポテンシャルを有さなければならず、代表的に下記構造式で表示されるBalq、フェナントロリン系化合物(例:UDC社、BCP)などが使われる。
Figure 0004177310
また、図1に示されたように、前記ETL22上に電子注入層(EIL:Electron Injection Layer)24が積層されうる。ここで、EIL形成物質の例としては、LiF、NaCl、CsF、LiO、BaOなどがある。
次いで、EIL24の上部にカソード形成用金属を真空熱蒸着してカソード26を形成することによって有機EL素子1が完成される。ここで、カソード形成用金属としては、Li、Mg、Al、Al−Li、Ca、Mg−In、Mg−Agなどが利用される。また、前面発光型の有機電界発光素子を得るためにカソードとして、ITO、IZOのような透明物質を使用した透過型カソードを使用することもある。
化学式1のCBP系シリコン化合物は、前述したようにEML形成材料として使われることもあるが、ホール伝達能力に優れていることからHTLおよび/またはHIL形成材料として使用されることもある。
本発明の有機電界発光素子は、前述したアノード、HIL、HTL、EML、HBL、ETL、EIL、カソードのうち選択された膜間に必要に応じて1層以上の中間層をさらに形成することもある。
下記の合成例及び実施例は、本発明を具体的に例示するためのものであり、これによって本発明が制限されてはならない。
合成例1.化学式4及び5で表示される化合物の製造
下記反応式3の反応経路によって化学式4の化合物と化学式5の化合物とを合成した。
Figure 0004177310
中間体(A’)の合成
カルバゾール(335mg、2mmol)、1,4−ジブロモベンゼン(1.2g、5mmol)、CuI(76mg、0.4mmol)、KCO(1.1g、8mmol)及び18−クラウン−6(上記反応式3では、18−C−6と略記した)(10mg、0.04mmol)をDMPU(1,3−ジメチル−3,4,5,6−テトラヒドロ−(1H)−ピリミジノン)(5mL)に溶かした後、175℃で8時間加熱した。前記反応混合物を常温に冷ました後、固体物質を濾過して濾過液に少量のアンモニア水を添加した後、ジエチルエーテル(10mL)で3回洗浄した。洗浄されたジエチルエーテル層をMgSOで乾燥させた後、減圧乾燥して粗生成物を得、シリカゲルカラムクロマトグラフィで分離、精製して中間体(A’)である480mg(収率75%)の白色の固体を得た。
H−NMR(CDCl、400MHz)δ(ppm)8.12(d,2H)、7.70(d,2H)、7.43−7.34(m,6H)、7.30−7.26(m,2H)
化学式4の化合物の合成
中間体(A’)(2g、6.29mmol)をTHF(20mL)に溶かした後、−78℃でn−へキサンに溶けているn−ブチルリチウム(上記反応式3では、n−BuLiと記した)(2.75mL、7.2mmol、2.5eqiv.)を一滴ずつ滴下した後、1時間攪拌した。前記反応混合物にジクロロジメチルシラン(上記反応式3では、(CHSiClと記した)(0.365mL、3.0mmol)を付加した後、常温で5時間攪拌した。
前記反応が完結すれば、反応混合物に水酸化アンモニウム溶液(1ml)を添加し、1時間攪拌した後、酢酸エチル20mLを利用して3回抽出した。集められた酢酸エチル層を硫酸マグネシウムで乾燥して溶媒を蒸発して得られた残留物を酢酸エチルとn−へキサンとの混合溶媒(1:4体積比)に溶かし、溶けない固体を濾過分離して化学式4の化合物である1.2g(収率74%)の白色の固体を得た。
H−NMR(CDCl、300MHz)δ(ppm)8.14(d,4H)、7.83(d,4H)、7.62(d,4H)、7.49(d,4H)、7.41(dt,4H)、7.29(dt,4H)、0.773(s,6H);
13CNMR(CDCl、100MHz)δ(ppm)140.7、138.7、137.1、135.7、126.3、125.9、123.5、120.3、120.0、109.9、−2.2
前記化学式4の化合物をCHClに0.2mMの濃度に薄くしてUVスペクトルを得、最大吸収波長293nmを観察した。そして、化学式4の化合物をCHClに10mMの濃度に薄くして293nmでフォトルミネセンス(PL;photoluminescent)スペクトルを測定して364nmで最大発光を観察した(図2)。この時の色純度は、NTSC色座標計でCIE(x,y):0.2534,0.3029を得た。
また、化学式4の化合物とポリメチルメタクリレート(PMMA)高分子を1:15混合重量比で混合し、これをクロロホルムに溶かしたものをガラス基板(厚さ:1.0mm、50mm×50mm)の上部にスピンコーティングして薄膜を形成し、そのPL特性を調べ、その結果、365nmで最大発光を観察した(図3)。この時の色純度は、NTSC色座標計でCIE(x,y):0.1523,0.1235を得た。
また、化学式4の化合物に対する熱重量分析(TGA:Thermo Gravimetric Analysis)及び示差走査熱量計(DSC:Differential Scanning Calorimetry)を利用した熱分析を実施した。この時、熱分析はNガス雰囲気下で、TGAは常温〜600℃(昇温速度:10℃/min)範囲で、そしてDSCは常温〜400℃の温度範囲で実施した。
その結果、化学式4の化合物の分解温度(Td)は379℃、ガラス移転温度(Tg)は89℃、溶ける点、即ち融点(Tm)は271℃で現れた(図4、図5)。
紫外線(UV)吸収スペクトル及びイオン化ポテンシャル測定器の光電子分光器(Riken計器AC−2)を利用して分析を実施し、その結果、化学式4の化合物のHOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)エネルギー準位5.92eVとLOMO(Lowest Occupied Molecular Orbital)エネルギー準位2.43eVとを得、エネルギーギャップ(Eg)は3.49eVで現れた。
化学式5の化合物の合成
中間体(A’)(710mg、2.2mmol)をTHF(10mL)に溶かした後、−78℃でn−へキサンに溶けているn−ブチルリチウム(0.92mL、2.3mmol、2.5equiv.)を一滴ずつ滴下した後、1時間攪拌した。この反応混合物にジクロロジフェニルシラン(上記反応式3では、PhSiClと記した)(0.205mL、1.0mmol)を付加した後、−78℃で1時間攪拌し、常温で5時間攪拌した。
前記反応が完結すれば、反応混合物に水酸化アンモニウム溶液(1ml)を添加し、1時間攪拌した後、酢酸エチル(10mL)を利用して3回抽出した。集められた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥して溶媒を蒸発して得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィで分離、精製して化学式5の化合物である335mg(収率50%)の白色の固体を得た。
H−NMR(CDCl、300MHz)δ(ppm)8.13(d,4H)、7.88(d,4H)、7.72(dd,4H)、7.65(d,4H)、7.53−7.46(m,10H)、7.40(t,4H)、7.28(t,4H);
13CNMR(CDCl、100MHz)δ(ppm)140.5、139.2、137.9、136.4、133.6、133.1、130.0、128.2、126.3、125.9、123.5、120.3、120.1、109.9
前記化学式5の化合物をCHClに0.2mMの濃度に薄くしてUVスペクトルを得、最大吸収波長293nmを観察した。そして、化学式5の化合物をCHClに10mMの濃度に薄くして293nmでPLを測定して365nmで最大発光を観察した(図6)。この時の色純度は、NTSC色座標計でCIE(x,y):0.2166,0.1401を得た。
また、化学式5の化合物と、PMMA高分子を1:15混合重量比で混合し、これをクロロホルムに溶かしたものをガラス基板(1.0T、50mm×50mm)の上部にスピンコーティングして薄膜を形成し、PLを測定した。その結果、364nmで最大発光を観察し(図7)、この時の色純度は、NTSC色座標計でCIE(x,y):0.1921,0.2018を得た。
また、UV吸収スペクトル及びイオン化ポテンシャル測定器のAC−2を通じて化学式5の化合物のHOMOエネルギー準位6.09eVとLOMOエネルギー準位2.61eVとを得、Egは3.48eVで現れた。
また、化学式5の化合物に対するTGA及びDSCを利用した熱分析を実施した。この時、熱分析はNガス雰囲気下で、TGAは常温〜600℃(昇温速度:10℃/min)範囲で、そしてDSCは常温〜400℃の温度範囲で実施した。
その結果、化学式5の化合物のTdは393℃、Tgは109℃で現れた。
合成例2.化学式6の化合物の製造
下記反応式4によって化学式6の化合物を合成した。
Figure 0004177310
中間体(B)の合成
カルバゾール(1g、6mmol)、1,3,5−トリブロモベンゼン(944mg、6mmol)、CuI(50mg、0.6mmol)、KCO(3g、48mmol)、そして18−クラウン−6(30mg、0.24mmol)をDMPU(15mL)に溶かした後、175℃で8時間加熱した。
前記反応混合物を常温に冷ました後、固体物質を濾過し、濾過液に少量のアンモニア水を添加した後、ジエチルエーテル(20mL)で3回洗浄した。洗浄されたジエチルエーテル層をMgSOで乾燥させた後、減圧乾燥して粗生成物を得、シリカゲルカラムクロマトグラフィで分離、精製して中間体(B)である560mg(収率20%)の白色の固体を得た。
H−NMR(CDCl、400MHz)δ(ppm)8.12(d,4H)、7.84(d,2H)、7.77(t,1H)、7.53(d,4H)、7.45(dt,4H)、7.31(dt,4H);
13CNMR(CDCl、100MHz)δ(ppm)140.4、140.2、134.4、128.6、126.3、123.9、123.8、120.7、120.5、109.5
化学式6の化合物の合成
中間体(B)(200mg、0.41mmol)をTHF(3mL)に溶かした後、−78℃でノルマルへキサン(n−へキサン)に溶けているノルマルブチルリチウム(n−ブチルリチウム)(0.2mL、0.49mmol、2.5eqiv.)を一滴ずつ滴下した後、1時間攪拌した。この反応混合物にジクロロジメチルシラン(0.02mL、0.16mmol)を付加した後、−78℃で1時間、そして常温で5時間攪拌した。
前記反応が完結すれば、反応混合物に水酸化アンモニウム溶液(1ml)を添加し、1時間攪拌した後、酢酸エチル5mLずつ3回抽出した。集められた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発して得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィで分離、精製して化学式6の化合物である70mg(収率49%)の白色の固体を得た。
HNMR(CDCl、300MHz)δ(ppm)8.16−8.11(m,8H)、7.91(d,4H)、7.84(t,2H)、7.44(d,8H)、7.32−7.24(m,16H)、0.78(s,6H);
13CNMR(CDCl、100MHz)δ(ppm)141.7、140.5、139.3、131.0、126.4、126.2、123.6、120.5、120.4、109.5、−2.5
前記過程による化学式6の化合物をCHClに0.2mMの濃度に薄くしてUVスペクトルを得、最大吸収波長292.5nmを観察した。そして、化学式6の化合物をCHClに10mMの濃度に薄くして292.5nmでPLを測定し、364nmで最大発光を観察した(図8)。この時の色純度は、NTSC色座標計でCIE(x,y):0.2241,0.1926を得た。
また、化学式6の化合物をPMMA高分子と15:1混合重量比で混合し、これをクロロホルムに溶かしたものをガラス基板(1.0T、50mm×50mm)の上部にスピンコーティングして薄膜を形成し、PLを測定した。その結果、373nmで最大発光を観察し(図9)、この時の色純度は、NTSC色座標計でCIE(x,y):0.1878,0.2088を得、Egは3.51eVで現れた。
また、化学式6の化合物に対するTGA及びDSCを利用した熱分析を実施した。この時、熱分析はNガス雰囲気下で、TGAは常温〜600℃(昇温速度:10℃/min)範囲で、そしてDSCは常温〜400℃の温度範囲で実施した。
その結果、化学式6の化合物のTdは409℃、Tgは130℃で現れた。
参考例1
アノードとしては、コーニング社の10Ω/cmITO基板を使用し、前記基板の上部にIDE406(イデミツ社)を真空蒸着してHILを600Åの厚さに形成した。次いで、前記HILの上部に前記IDE320(イデミツ社)を300Åの厚さに真空蒸着してHTLを形成した。前記HTLの上部に90:10混合重量比の化学式4の化合物とTEB002(コビオン社)の混合物とを真空蒸着して300Åの厚さにEMLを形成した。
その後、前記EMLの上部にBAlqを真空蒸着して50Åの厚さのHBL層を形成した。その後、前記HBL層の上部にAlq3を真空蒸着して200Åの厚さのETLを形成した。このETLの上部にLiF 10ÅとAl 3000Åとを順次に真空蒸着してカソードを形成することによって有機電界発光素子を完成した。
参考例2
EML形成時、90:10混合重量比の化学式4の化合物及びTEB002(コビオン社)の混合物の代わりに、80:20混合重量比の化学式4の化合物及びTEB002(コビオン社)の混合物を使用したことを除いては、参考例1と同じ方法で実施して有機電界発光素子を完成した。
参考例3
EML形成時、90:10混合重量比の化学式4の化合物及びTEB002(コビオン社)の混合物の代わりに、90:10混合重量比の化学式5の化合物及びTEB002(コビオン社)の混合物を使用したことを除いては、参考例1と同じ方法で実施して有機電界発光素子を完成した。
実施例
EML形成時、90:10混合重量比の化学式4の化合物及びTEB002(コビオン社)の混合物の代わりに、90:10混合重量比の化学式6の化合物及びTEB002(コビオン社)の混合物を使用したことを除いては、参考例1と同じ方法で実施して有機電界発光素子を完成した。
前記参考例1及び2によって製造された有機電界発光素子において、駆動電圧、電流密度、輝度、電流効率、電力効率及び色座標特性を調べ、その結果を下記表1に表した。
Figure 0004177310
前記表1で、参考例1及び2の有機電界発光素子は、電圧、電流密度、輝度、効率特性に優れ、色座標特性にも優れることが確認できた。
前記参考例1、3及び実施例1によるEML形成用混合物をPMMA高分子と1:15混合重量比でクロロホルムに溶かした後、これをスピンコーティングして薄膜を形成し、膜PL特性を調べ、その結果は下記表2及び図10の通りである。
Figure 0004177310
前記表2で、化学式4の化合物から青色りん光ドーパントであるTEB002へのエネルギー移動が効率的に発生することが分かった。
本発明について前記合成例及び実施例を参考として説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施例が可能であることが分かる。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されなければならない。
本発明によるCBP系シリコン化合物は、有機電界発光素子の発光層のような有機膜形成材料として有用に使用されうる。
一般的な有機電界発光素子の構造を示す断面図である。 化学式4の化合物を含有した溶液のPLスペクトルを示す。 化学式4の化合物含有膜のPLスペクトルを示す。 化学式4の化合物に対するTGAグラフである。 化学式4の化合物に対するDSCを利用した熱分析グラフである。 化学式5の化合物を含有した溶液のPLスペクトルを示す。 化学式5の化合物含有膜のPLスペクトルを示す。 化学式6の化合物を含有した溶液のPLスペクトルを示す。 化学式6の化合物含有膜のPLスペクトルを示す。 化学式4の化合物とTEB002との混合物、化学式5の化合物とTEB002との混合物、化学式6の化合物とTEB002との混合物を含有した膜において、PLスペクトルを示す。
符号の説明
1 有機EL素子、
10 基板、
12 アノード、
14 ホール注入層(HIL)、
16 ホール輸送層(HTL)、
18 発光層(EML)、
20 ホールブロッキング層(HBL)、
22 電子輸送層(ETL)、
24 電子注入層(EIL)、
26 カソード。

Claims (8)

  1. 下記化学式1で表示されることを特徴とする化合物:
    Figure 0004177310
    前記化学式中で、n及びn は2であり、
    Xは−Si(A)(A−であり、
    、A、RないしR24は、独立的に水素原子、C1−C30のYで置換されたまたは非置換のアルキル基、C1−C30のYで置換されたまたは非置換のアシル基、C1−C30のYで置換されたまたは非置換のアルコキシカルボニル基、C1−C30のYで置換されたまたは非置換のアルコキシ基、C2−C30のYで置換されたまたは非置換のアルケニル基、C2−C30のYで置換されたまたは非置換のアルキニル基、C2−C30のYで置換されたまたは非置換のアルキルカルボキシル基、C6−C30のYで置換されたまたは非置換のアリール基、C6−C30のYで置換されたまたは非置換のアラルキル基、C6−C30のYで置換されたまたは非置換のアラルキルオキシ基、C2−C30のYで置換されたまたは非置換のヘテロアリール基、C2−C30のYで置換されたまたは非置換のヘテロアリールオキシ基、C6−C30のYで置換されたまたは非置換のアリールオキシ基、C6−C30のYで置換されたまたは非置換のアリールオキシカルボニル基、C6−C30のYで置換されたまたは非置換のアリールアルケニル基、C6−C30のYで置換されたまたは非置換のアリールアルキニル基、C6−C30のYで置換されたまたは非置換のアリールカルボキシル基、C2−C30のYで置換されたまたは非置換のヘテロアラルキル基、C4ないしC30のYで置換されたまたは非置換のシクロアルキル基、−N(R)(R’)(但し、RとR’とは相互独立的に水素原子、C1−C30のアルキル基、C6−C30のアリール基またはC2−C30のヘテロアリール基である)、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基であり、
    Yはハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジノ基(−HN−NH )、ヒドラゾノ基(=N−NH )、カルボキシル基もしくはその塩、スルホン酸基もしくはその塩、リン酸基もしくはその塩、またはC1−C30のアルキル基、C1−C30のアルケニル基、C1−C30のアルキニル基、C6−C30のアリール基、C7−C20のアリールアルキル基、C2−C20のヘテロアリール基、またはC3−C30のヘテロアリールアルキル基であり、
    またはRないしR24のうち隣接した2個以上が相互に連結されて環が形成されていてもよい。
  2. およびA は、独立的に水素原子、C1−C30のYで置換されたまたは非置換のアルキル基、C1−C30のYで置換されたまたは非置換のアシル基、C1−C30のYで置換されたまたは非置換のアルコキシカルボニル基、C1−C30のYで置換されたまたは非置換のアルコキシ基、C2−C30のYで置換されたまたは非置換のアルケニル基、C2−C30のYで置換されたまたは非置換のアルキニル基、C2−C30のYで置換されたまたは非置換のアルキルカルボキシル基、フェニル基、ビフェニル基、もしくはナフチル基、C6−C30のYで置換されたまたは非置換のアラルキル基、C6−C30のYで置換されたまたは非置換のアラルキルオキシ基、C2−C30のYで置換されたまたは非置換のヘテロアリール基、C2−C30のYで置換されたまたは非置換のヘテロアリールオキシ基、C6−C30のYで置換されたまたは非置換のアリールオキシ基、C6−C30のYで置換されたまたは非置換のアリールオキシカルボニル基、C6−C30のYで置換されたまたは非置換のアリールアルケニル基、C6−C30のYで置換されたまたは非置換のアリールアルキニル基、C6−C30のYで置換されたまたは非置換のアリールカルボキシル基、C2−C30のYで置換されたまたは非置換のヘテロアラルキル基、C4ないしC30のYで置換されたまたは非置換のシクロアルキル基、−N(R)(R’)(但し、RとR’とは相互独立的に水素原子、C1−C30のアルキル基、C6−C30のアリール基またはC2−C30のヘテロアリール基である)、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基であり、
    Yはハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジノ基(−HN−NH )、ヒドラゾノ基(=N−NH )、カルボキシル基もしくはその塩、スルホン酸基もしくはその塩、リン酸基もしくはその塩、またはC1−C30のアルキル基、C1−C30のアルケニル基、C1−C30のアルキニル基、C6−C30のアリール基、C7−C20のアリールアルキル基、C2−C20のヘテロアリール基、またはC3−C30のヘテロアリールアルキル基であることを特徴とする請求項1に記載の化合物。
  3. 化学式3で表示されることを特徴とする請求項1または2に記載の化合物:
    Figure 0004177310
    前記化学式中で、A及びAは、前記請求項1または2に規定の通りである。
  4. 下記化学式6、7、10、11、15、16、17で表示される化合物のうちから選択されることを特徴とする請求項1に記載の化合物。
    Figure 0004177310
    Figure 0004177310
    Figure 0004177310
  5. 一対の電極間に有機膜を含む有機電界発光素子において、
    前記有機膜が請求項1〜4のいずれか1項に記載の化合物を含むことを特徴とする有機電界発光素子。
  6. 前記有機膜が発光層であることを特徴とする請求項に記載の有機電界発光素子。
  7. 前記発光層が可視領域のりん光または蛍光ドーパントをさらに含むことを特徴とする請求項に記載の有機電界発光素子。
  8. 前記有機膜がホール注入層またはホール輸送層であることを特徴とする請求項に記載の有機電界発光素子。
JP2004265417A 2003-09-22 2004-09-13 4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)−ビフェニル系シリコン化合物及びそれを利用した有機電界発光素子 Active JP4177310B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0065538A KR100522697B1 (ko) 2003-09-22 2003-09-22 4,4'-비스(카바졸-9-일)-비페닐계 실리콘 화합물 및 이를이용한 유기 전계 발광 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005097301A JP2005097301A (ja) 2005-04-14
JP4177310B2 true JP4177310B2 (ja) 2008-11-05

Family

ID=34309479

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004265417A Active JP4177310B2 (ja) 2003-09-22 2004-09-13 4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)−ビフェニル系シリコン化合物及びそれを利用した有機電界発光素子

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7413817B2 (ja)
JP (1) JP4177310B2 (ja)
KR (1) KR100522697B1 (ja)
CN (1) CN100577668C (ja)

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005220088A (ja) * 2004-02-06 2005-08-18 Chemiprokasei Kaisha Ltd ケイ素含有多価アミン、それよりなるホール輸送材料およびそれを用いた有機el素子
JP4849812B2 (ja) * 2004-03-26 2012-01-11 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子およびケイ素化合物
US7527878B2 (en) * 2004-03-26 2009-05-05 Fujifilm Corporation Organic electroluminescence element and silicon compound
DE102004023277A1 (de) * 2004-05-11 2005-12-01 Covion Organic Semiconductors Gmbh Neue Materialmischungen für die Elektrolumineszenz
JP4214482B2 (ja) * 2004-08-26 2009-01-28 独立行政法人科学技術振興機構 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4762527B2 (ja) * 2004-11-10 2011-08-31 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
TWI260340B (en) * 2004-11-26 2006-08-21 Au Optronics Corp Organic electroluminescent device
US20060250078A1 (en) * 2005-05-09 2006-11-09 City University Of Hong Kong Organic electroluminescent devices incorporating UV-illuminated fluorocarbon layers
TWI268952B (en) 2005-09-21 2006-12-21 Au Optronics Corp Spiro silane compound and organic electroluminescent device using the same
US7807839B2 (en) * 2005-10-18 2010-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic complex, and light-emitting element and light-emitting device using the same
US7588839B2 (en) * 2005-10-19 2009-09-15 Eastman Kodak Company Electroluminescent device
KR100730178B1 (ko) 2005-12-07 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 카바졸 고리-함유 실리콘계 화합물 및 이를 포함한유기막을 구비한 유기 발광 소자
KR100732820B1 (ko) 2006-01-11 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 유기 금속 화합물, 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 및그의 제조방법
KR100786471B1 (ko) 2006-01-11 2007-12-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 금속 화합물, 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 및그의 제조방법
KR100732821B1 (ko) 2006-01-11 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 유기 금속 화합물, 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 및그의 제조방법
US20070173657A1 (en) * 2006-01-26 2007-07-26 Academia Sinica Tetraphenylsilane-carbazole compound, its preparation method and its use as host material for dopants of organic light emitting diode
US8920942B2 (en) 2006-03-23 2014-12-30 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display device and illuminating device
KR101299098B1 (ko) * 2006-04-14 2013-08-28 주식회사 동진쎄미켐 전기화학적 증착을 통한 유기발광소자의 유기박막층형성방법
KR101352021B1 (ko) * 2006-05-17 2014-01-15 주식회사 동진쎄미켐 분자 내 비스(페닐카바졸)기를 가지는 실리콘계 화합물 및이를 이용한 유기발광소자의 유기박막층 형성방법
KR20090016684A (ko) * 2006-06-02 2009-02-17 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기발광 소자용 재료 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자
US7579773B2 (en) * 2006-06-05 2009-08-25 The Trustees Of Princeton University Organic light-emitting device with a phosphor-sensitized fluorescent emission layer
CN100446297C (zh) * 2006-12-13 2008-12-24 南通大学 发蓝光的有机电致发光装置
KR100822212B1 (ko) 2007-01-15 2008-04-16 삼성에스디아이 주식회사 실란일아민계 화합물 및 이를 포함한 유기막을 구비한 유기발광 소자
JP5353245B2 (ja) * 2007-01-24 2013-11-27 宇部興産株式会社 ビス(3−アリールアミノ)ジフェニル金属化合物及び当該金属化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5233185B2 (ja) * 2007-07-04 2013-07-10 富士ゼロックス株式会社 カルバゾール含有化合物
US8247088B2 (en) * 2008-08-28 2012-08-21 Global Oled Technology Llc Emitting complex for electroluminescent devices
JP5753658B2 (ja) * 2010-01-08 2015-07-22 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 電荷輸送材料及び有機電界発光素子
CN101747373B (zh) * 2010-01-20 2013-04-10 中国科学院长春应用化学研究所 咔唑类化合物、含有咔唑类化合物的有机电致发光器件及其制备方法
TWI425865B (zh) * 2010-03-04 2014-02-01 Nat Univ Tsing Hua 一種有機發光二極體裝置之製造方法
CN101863914B (zh) * 2010-05-28 2011-12-28 武汉大学 一种磷光主体材料及其应用
US9590189B2 (en) 2011-07-13 2017-03-07 Youl Chon Chemical Co., Ltd. Host material for blue phosphor, and organic thin film and organic light-emitting device including same
US8409729B2 (en) 2011-07-28 2013-04-02 Universal Display Corporation Host materials for phosphorescent OLEDs
US8652656B2 (en) * 2011-11-14 2014-02-18 Universal Display Corporation Triphenylene silane hosts
KR102040874B1 (ko) * 2013-01-04 2019-11-06 삼성디스플레이 주식회사 실리콘계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR20150006952A (ko) 2013-07-09 2015-01-20 중앙대학교 산학협력단 게르마늄 중심 덴드리머 화합물, 이를 포함하는 유기광전자소자
KR101775750B1 (ko) * 2013-09-27 2017-09-07 주식회사 엘지화학 내열성이 우수한 oled용 도너 필름
KR101562883B1 (ko) 2013-10-11 2015-10-23 (주)피엔에이치테크 새로운 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자
KR102167045B1 (ko) 2013-12-17 2020-10-19 삼성디스플레이 주식회사 실란계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR101612319B1 (ko) * 2014-08-28 2016-04-15 주식회사 네패스 시안계 호스트 화합물 및 이를 채용한 유기발광 소자
US9761814B2 (en) 2014-11-18 2017-09-12 Universal Display Corporation Organic light-emitting materials and devices
US11706972B2 (en) 2015-09-08 2023-07-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR20200075191A (ko) * 2018-12-17 2020-06-26 삼성디스플레이 주식회사 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
US20210395276A1 (en) * 2020-06-11 2021-12-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3865996B2 (ja) 1999-04-07 2007-01-10 富士フイルムホールディングス株式会社 特定のシラン化合物及びそれらからなる発光素子材料、及び、それを含有する発光素子。
JP4712232B2 (ja) 2000-07-17 2011-06-29 富士フイルム株式会社 発光素子及びアゾール化合物
EP1175128B1 (en) * 2000-07-17 2010-09-22 FUJIFILM Corporation Light emitting element and azole compound
US6893743B2 (en) 2000-10-04 2005-05-17 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescent device
JP2002329579A (ja) 2001-05-01 2002-11-15 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子
JP4048792B2 (ja) 2002-02-20 2008-02-20 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
JP4265215B2 (ja) 2002-12-20 2009-05-20 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
JP4265216B2 (ja) 2002-12-20 2009-05-20 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置
US7011871B2 (en) * 2004-02-20 2006-03-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Charge transport compounds and electronic devices made with such compounds
US7527878B2 (en) * 2004-03-26 2009-05-05 Fujifilm Corporation Organic electroluminescence element and silicon compound

Also Published As

Publication number Publication date
CN100577668C (zh) 2010-01-06
US7413817B2 (en) 2008-08-19
KR100522697B1 (ko) 2005-10-20
CN1600787A (zh) 2005-03-30
KR20050029769A (ko) 2005-03-28
US20050064238A1 (en) 2005-03-24
JP2005097301A (ja) 2005-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4177310B2 (ja) 4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)−ビフェニル系シリコン化合物及びそれを利用した有機電界発光素子
TWI429650B (zh) Organic electroluminescent elements
JP4870245B2 (ja) 燐光発光素子用材料及びこれを用いた有機電界発光素子
EP2521196B1 (en) Organic electroluminescent element
KR101800869B1 (ko) 유기 전계 발광 소자
KR101792175B1 (ko) 스피로 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
WO2011081061A1 (ja) 有機電界発光素子
KR20160089693A (ko) 유기발광소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
CN104471022B (zh) 包含吖啶衍生物的有机发光化合物及包含该有机发光化合物的有机发光元件
JP2013136582A (ja) 新規なアントラセン誘導体およびこれを用いた有機電子素子
CN103958486A (zh) 用于发光器件的螺双芴化合物
JP4264048B2 (ja) イミダゾール環含有化合物及びそれを利用した有機電界発光素子
JP2021525000A (ja) 有機発光素子
JP2009269909A (ja) 新規な電子材料用化合物及びこれを使用する有機電子素子
KR101794557B1 (ko) 아민계 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
JP7193649B2 (ja) 有機発光素子用化合物及びこれを含む長寿名の有機発光素子
US20210167304A1 (en) New emitter materials and matrix materials for optoelectronic and electronic components, in particular organic light-emitting diodes (oleds)
KR101551466B1 (ko) 신규한 유기발광화합물 및 이를 포함하는 유기전기발광소자
US10224489B2 (en) Compound and organic electronic device using the same
KR20150058082A (ko) 신규한 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR100647583B1 (ko) 이미다졸 고리 함유 화합물 및 이를 이용한 유기 전계발광 소자
KR20150058080A (ko) 신규한 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
CN105745301B (zh) 新型发光化合物以及包含其的有机发光元件
CN108779080B (zh) 新型化合物及包含它的有机发光元件
JP2006199699A (ja) ビフェニル誘導体及びそれを採用した有機el素子

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080408

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080707

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080729

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080821

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4177310

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829

Year of fee payment: 3

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829

Year of fee payment: 3

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120829

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130829

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130829

Year of fee payment: 5

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130829

Year of fee payment: 5

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130829

Year of fee payment: 5

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250