KR101775750B1 - 내열성이 우수한 oled용 도너 필름 - Google Patents
내열성이 우수한 oled용 도너 필름 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101775750B1 KR101775750B1 KR1020130115427A KR20130115427A KR101775750B1 KR 101775750 B1 KR101775750 B1 KR 101775750B1 KR 1020130115427 A KR1020130115427 A KR 1020130115427A KR 20130115427 A KR20130115427 A KR 20130115427A KR 101775750 B1 KR101775750 B1 KR 101775750B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- carbon atoms
- oled
- donor film
- heat resistance
- Prior art date
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 66
- -1 carbazole compound Chemical class 0.000 claims abstract description 61
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 35
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 190
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 188
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 39
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 38
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 35
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 24
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 22
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims description 20
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 20
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 20
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 claims description 19
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 19
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 19
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 19
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 18
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 17
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 17
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 17
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 claims description 16
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 239000011254 layer-forming composition Substances 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 54
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 27
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 8
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 8
- 125000004974 2-butenyl group Chemical group C(C=CC)* 0.000 description 7
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 7
- 125000004975 3-butenyl group Chemical group C(CC=C)* 0.000 description 7
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 7
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 7
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 7
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 7
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 7
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 125000004973 1-butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 5
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 5
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 3
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 230000009878 intermolecular interaction Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxycyclohexyl)-phenylmethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1(O)CCCCC1 QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000001975 deuterium Chemical group 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241000557626 Corvus corax Species 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- JLAVCPKULITDHO-UHFFFAOYSA-N tetraphenylsilane Chemical compound C1=CC=CC=C1[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 JLAVCPKULITDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- AKQNYQDSIDKVJZ-UHFFFAOYSA-N triphenylsilane Chemical compound C1=CC=CC=C1[SiH](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AKQNYQDSIDKVJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
기재층; 상기 기재층 상부에 광흡수를 위한 광열변환층; 및 상기 광열변환층 상부에 표면 보호를 위한 중간층의 적층 구조를 포함하고, 상기 기재층, 광열변환층 및 중간층 중 하나 이상이 카바졸 화합물, 플루오렌 화합물, 카도-타입 화합물, 페닐-실레인 화합물 및 에폭시 화합물 중 하나 이상을 함유하는 고내열성 물질을 포함하는 내열성이 우수한 OLED용 도너 필름이 제공된다.
Description
OLED(Organic Light Emitting Diode)용 도너 필름에 관한 것으로, 보다 상세하게는 OLED의 색상 구현(color patterning)에 사용되는 도너 필름에 관한 것이다.
OLED (Organic Light Emitting Diode)란 저분자 또는 고분자의 유기물 박막에서 음극과 양극을 통하여 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 재결합(recombination)하며 여기자(exciton)을 형성하고, 형성된 여기자의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생되는, 이른바 유기 전계 발광(Organic electroluminescence) 현상을 이용한 발광 소자를 말한다.
디스플레이에 있어서, OLED는 LCD(LiquidCrystal Display)에 비하여 자체 발광성, 고휘도, 빠른 응답속도 등의 여러 장점이 있어, 이에 대한 많은 연구가 이루어지고 있다.
OLED를 이용하는 디스플레이 장치는 발광 소자에 색상을 구현하는 컬러 패터닝(Patterning) 과정을 거치며, 발광 소자의 색상을 결정하는 유기 발광 표시 장치의 유기막층을 형성하는 방법에 따러 구현 효과의 차이가 발생한다. OLED에 유기막층을 형성하는 방법 중 하나로 레이저 열전사 방법(LITI, laser induced thermal imaging)이 있다. 레이저 열전사 방법(LITI)은 레이저에서 나온 광에너지를 열에너지로 변환하고, 변환된 열에너지에 의해 전사층이 OLED 기판으로 전사되어 OLED의 유기막층을 형성하는 방법이다. 이러한 레이저 열전사법은 증착 방법에 비하여, OLED에 함유된 유기발광 물질의 균질화에 유리하고, 건식 공정이라는 장점이 있다.
본 발명의 일 구현예는 OLED 색상 구현을 위해 높은 광에너지가 조사된 후에도 손상되지 않는 고내열성의 OLED용 도너 필름을 제공한다.
본 발명의 일 구현예에서, 기재층; 상기 기재층 상부에 광흡수를 위한 광열변환층; 및 상기 광열변환층 상부에 표면 보호를 위한 중간층의 적층 구조를 포함하고, 상기 기재층, 광열변환층 및 중간층 중 하나 이상이 카바졸 화합물, 플루오렌 화합물, 카도-타입 화합물, 페닐-실레인 화합물 및 에폭시 화합물 중 하나 이상을 함유하는 고내열성 물질을 포함하는 내열성이 우수한 OLED용 도너 필름을 제공한다.
상기 광열변환층 및 중간층이 일체화된 단일 구조를 포함할 수 있다.
상기 카바졸 화합물은 하기 [화학식 1]의 구조를 포함할 수 있다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서, R1, R2 또는 R3는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 히드록시기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 5~30의 아릴기, 탄소수 3~30의 헤테로 아릴기, 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 2~30의 알키닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 탄소수 3~30의 시클로 알킬기, 탄소수 3~30의 시클로 알케닐기, 아미노기, 또는 탄소수 1~30의 알킬 아미노기일 수 있다.
상기 카바졸 화합물은 하기 [화학식 2]를 반복 단위로 포함하는 중합체일 수 있다.
[화학식 2]
상기 화학식 2에서, R4는 수소, 중수소, 히드록시기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 5~30의 아릴기, 탄소수 3~30의 헤테로 아릴기, 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 2~30의 알키닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 탄소수 3~30의 시클로 알킬기, 탄소수 3~30의 시클로 알케닐기, 아미노기, 또는 탄소수 1~30의 알킬 아미노기이고, n은 1 내지 10의 정수이다.
상기 플루오렌 화합물은 하기 [화학식 3]의 구조를 포함할 수 있다.
[화학식 3]
상기 화학식 3에서, R5, R6 및 R7은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 히드록시기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 5~30의 아릴기, 탄소수 3~30의 헤테로 아릴기, 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 2~30의 알키닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 탄소수 3~30의 시클로 알킬기, 탄소수 3~30의 시클로 알케닐기, 아미노기, 또는 탄소수 1~30의 알킬 아미노기이다.
상기 플루오렌 화합물은 하기 [화학식 4]를 반복 단위로 포함하는 중합체일 수 있다.
[화학식 4]
상기 화학식 4에서, R8은 수소, 중수소, 히드록시기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 5~30의 아릴기, 탄소수 3~30의 헤테로 아릴기, 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 2~30의 알키닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 탄소수 3~30의 시클로 알킬기, 탄소수 3~30의 시클로 알케닐기, 아미노기, 또는 탄소수 1~30의 알킬 아미노기이고, n은 1 내지 10의 정수이다.
상기 카도-타입 화합물은 하기 [화학식 5]의 구조를 포함할 수 있다.
[화학식 5]
상기 화학식 5에서, R9, R10, R11, 또는 R12는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 히드록시기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 5~30의 아릴기, 탄소수 3~30의 헤테로 아릴기, 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 2~30의 알키닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 탄소수 3~30의 시클로 알킬기, 탄소수 3~30의 시클로 알케닐기, 아미노기, 또는 탄소수 1~30의 알킬 아미노기이다.
상기 카도-타입 화합물은 하기 [화학식 6]을 반복 단위로 포함하는 중합체일 수 있다.
[화학식 6]
상기 화학식 6에서, R13 또는 R14는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 히드록시기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 5~30의 아릴기, 탄소수 3~30의 헤테로 아릴기, 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 2~30의 알키닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 탄소수 3~30의 시클로 알킬기, 탄소수 3~30의 시클로 알케닐기, 아미노기, 또는 탄소수 1~30의 알킬 아미노기이고, n은 1 내지 10의 정수이다.
상기 페닐-실레인 화합물은 하기 [화학식 7]의 구조를 포함할 수 있다.
[화학식 7]
상기 화학식 7에서, R15는 수소, 중수소, 탄소수 5~30의 아릴기, 탄소수 3~30의 헤테로 아릴기, 또는 탄소수 1~20의 알킬기이고, R16, R17, 또는 R18은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 히드록시기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 5~30의 아릴기, 탄소수 3~30의 헤테로 아릴기, 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 2~30의 알키닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 탄소수 3~30의 시클로 알킬기, 탄소수 3~30의 시클로 알케닐기, 아미노기, 또는 탄소수 1~30의 알킬 아미노기이다.
상기 기재층이 상기 고내열성 물질을 포함하고, 상기 고내열성 물질은 기재층 형성 조성물 100 중량부에 대하여 10 내지 90 중량부 포함될 수 있다.
상기 기재층의 유리전이온도는 150 ℃이상일 수 있다.
상기 기재층은 T5%가 400 ℃이상일 수 있다.
상기 기재층의 두께는 25 내지 250 ㎛일 수 있다.
상기 광열변환층이 상기 고내열성 물질을 포함하고, 상기 고내열성 물질은 광열변환층 형성 조성물 100 중량부에 대하여 10 내지 80 중량부 포함될 수 있다.
상기 광열변환층의 유리전이온도는 150℃ 이상일 수 있다.
상기 광열변환층은 T5%가 300℃ 이상일 수 있다.
상기 광열변환층의 두께는 0.5 내지 4 ㎛일 수 있다.
상기 중간층이 상기 고내열성 물질을 포함하고, 상기 고내열성 물질은 중간층 형성 조성물 100 중량부에 대하여 10 내지 80 중량부 포함될 수 있다. ,
상기 중간층의 유리전이온도는 150℃ 이상일 수 있다.
상기 중간층은 T5%가 250℃ 이상일 수 있다.
상기 중간층의 두께는 0.5 내지 4 ㎛일 수 있다.
상기 OLED용 도너 필름은 특정 분자 구조의 화합물을 함유함으로써, 분자 간 결합력을 향상시켜 OLED의 색상 구현을 위해 높은 광에너지가 조사된 후에도 손상되지 않는 고내열성을 가질 수 있다.
이로써, OLED 제조 공정에서 우수한 전사 품질을 보장할 수 있고, 결과적으로 OLED 소자 효율의 향상에 유리하다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 OLED용 도너 필름 구조의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 구현예에 따른 OLED용 도너 필름 구조의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 구현예에 따른 OLED용 도너 필름 구조의 개략적인 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하, 상기 내열성이 우수한 OLED용 도너 필름에 관하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 내열성이 우수한 OLED용 도너 필름(100) 구조의 개략적인 단면을 나타낸 것이다.
도 1을 참조하면, 상기 내열성이 우수한 OLED용 도너 필름(100)은 기재층(110); 상기 기재층 상부에 광흡수를 위한 광열변환층(120); 및 상기 광열변환층 상부에 표면 보호를 위한 중간층(130)의 적층 구조를 포함하고, 상기 기재층, 광열변환층 및 중간층 중 하나 이상이 카바졸 화합물, 플루오렌 화합물, 카도-타입 화합물, 페닐-실레인 화합물 및 에폭시 화합물 중 하나 이상을 함유하는 고내열성 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 내열성이 우수한 OLED용 도너 필름(100)은 상기 중간층(130)의 상부에 전사층을 더 포함할 수 있고, 상기 전사층은 OLED 발광 소자의 색상을 결정하는 유기물을 포함하여 OLED 기판으로 전사되는 층을 나타낸다.
상기 기재층(110)은 상기 광열변환층, 중간층 및 전사층을 지지하는 역할을 하며, 폴리에틸렌(PE, polyethylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET, polyethyleneterephthalate), 폴리프로필렌(PP, polypropylene), 폴리(메틸 메타아크릴레이트)(PMMA, Poly(methyl methacrylate)), 폴리비닐 클로라이드 (PVC, polyvinyl chloride), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 폴리스티렌(PS, polystyrene), 싸이클로-올레핀 폴리머(COP, cyclo-olefin polymer), 싸이클로-올레핀 코폴리머(COC, cyclo-olefin copolymer), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethylene naphthalate) 등 다양한 재질의 고분자를 포함할 수 있고, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)를 포함할 수 있다.
상기 기재층이 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)를 주성분으로 포함하는 경우 압출(extrusion) 형식으로 제조하는 것이 가능하므로, 캐스팅(casting) 형식으로 제조된 기재층에 비해 잘 깨지지 않는 특성을 가질 수 있고, 도너 필름을 대용량으로 제작하는 경우에 유리할 수 있으며, 광 투과율이 높아 변형 방지를 통한 형상 유지가 용이한 장점이 있다.
상기 광열변환층(120)은 광에너지를 흡수하여 열에너지로 전환하는 광열변환물질을 포함하고, 상기 광열변환물질에 의해 전환된 열에너지를 통하여 상기 전사층이 OLED 기판으로 전사될 수 있다.
상기 광열변환물질은, 예를 들어, 염료(예컨대, 가시광선 염료, 자외선 염료, 적외선 염료, 형광/인광 염료 및 방사선 편광 염료), 안료, 금속, 금속 화합물, 금속 필름, 및 다른 적합한 흡수 재료를 포함할 수 있고, 예를 들어, 카본 블랙 또는 산화텅스텐계 물질을 포함할 수 있다.
상기 광열변환층이 상기 광열변환물질로 카본 블랙을 포함하는 경우에는 모든 파장대의 레이저 광을 흡수하여 열로 방출하는 능력이 우수하고, 산화텅스텐계 물질을 포함하는 경우에는 적외선 흡수 능력이 우수하여 레이저 조사 시 광열변환효율이 높고, 가시광선 투과율이 높아 도너 필름 제작 시 시인성이 우수하다는 장점이 있다.
상기 산화텅스텐계 물질은 WO2 .72등과 같은 산화텅스텐 분말을 포함할 수 있다. 또한, 상기 산화텅스텐계 물질은 수소 또는 금속 함유 산화텅스텐(MxWO3, M은 수소 또는 금속, 0.1<x<1) 분말을 포함할 수 있다. 상기 금속은 Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Ba, Sr, Fe, Sn, Mo, Nb, Ta, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In 및 Tl 중에서 1종 이상 선택될 수 있다.
상기 금속 함유 산화텅스텐은 예를 들어, K0 .33WO3, Rb0 .33WO3, Cs0 .33WO3 등일 수 있고, 세슘(Cs)이 함유된 Cs0 .33WO3를 이용하는 경우에 광열변환효율, 광투과도 측면에서 유리하고, 필름 내 입자의 안정적인 분산을 가능하게 한다.
상기 중간층(130)은 상기 도너 필름의 효과적인 팽창 및 전체적인 거동을 위해 필수적인 층으로서, 상기 광열변환층에서 발생하는 열에 의해 전사층이 전사될 때 광열변환물질이 함께 전사되는 것을 방지하고, 상기 광열변환층에서 발생한 열이 전사층에 전달되어 열에 의해 전사층 내부에 존재하는 유기물이 손상되는 것을 방지하는 역할을 한다.
상기 중간층은 우레탄 아크릴레이트, 에폭시 아크릴레이트, 폴리에스테르 아크릴레이트 등을 포함할 수 있고, 불소계 또는 실리콘계 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 전사층은 증발, 스퍼터링, 용액코팅 등의 방법에 의해 균일한 층으로 형성될 수 있다. 상기 전사층은 컬러 패터닝을 위하여 OLED 기판으로 전사하기 위한 하나 이상의 층을 포함한다. 예를 들어, 전계발광재료 또는 전기적으로 활성인 재료를 포함하는 유기, 무기, 유기금속성 및 다른 재료를 사용하여 형성될 수 있다.
예를 들면, 폴리(페닐렌비닐렌), 폴리-파라-페닐렌, 폴리플루오렌, 폴리디알킬플루오렌, 폴리티오펜, 폴리(9-비닐카바졸), 폴리(N-비닐카바졸-비닐알콜)공중합체, 트리아릴아민, 폴리노르보넨, 폴리아닐린, 폴리아릴폴리아민, 트리페닐아민-폴리에테르케톤 등이 사용될 수 있으며, 이들에 제한되는 것은 아니다.
상기 전사층은 제조하고자 하는 유기발광소자의 특성에 합치되도록 공지의 발광물질, 홀-전달 유기물질, 전자-전달 유기물질 중에서 선택되는 하나 이상의 물질을 더 포함할 수 있다. 이러한 전사층의 구성으로는, 통상적으로 해당 분야에서 사용되는 구성이라면 제한되지 않고 사용할 수 있다.
상기 고내열성 물질은 분자간 결합력이 뛰어난 화합물을 포함하는 것으로서, 약 200℃의 고온에서도 OLED용 도너 필름의 우수한 전사 품질을 보장한다. 상기 고내열성 물질은 카바졸 화합물, 플루오렌 화합물, 카도-타입 화합물, 페닐-실레인 화합물 및 에폭시 화합물 중 하나 이상을 함유할 수 있다.
상기 카바졸 화합물은 하기 [화학식 1]의 구조를 포함할 수 있다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서 R1, R2 또는 R3은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 히드록시기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 5~30의 아릴기, 탄소수 3~30의 헤테로 아릴기, 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 2~30의 알키닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 탄소수 3~30의 시클로 알킬기, 탄소수 3~30의 시클로 알케닐기, 아미노기, 또는 탄소수 1~30의 알킬 아미노기일 수 있다.
상기 화학식 1에서 탄소수 5~30의 아릴기는 페닐기, 톨릴기, 나프틸기, 티에닐기, 인돌릴기 또는 자이릴기 등이 포함될 수 있고, 탄소수 2~30의 알케닐기로는 알릴기, 1-프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 또는 3-부테닐기 등이 포함될 수 있다.
상기 카바졸 화합물은 하기 [화학식 2]를 반복 단위로 포함하는 중합체일 수 있다.
[화학식 2]
상기 화학식 2에서, R4는 수소, 중수소, 히드록시기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 5~30의 아릴기, 탄소수 3~30의 헤테로 아릴기, 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 2~30의 알키닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 탄소수 3~30의 시클로 알킬기, 탄소수 3~30의 시클로 알케닐기, 아미노기, 또는 탄소수 1~30의 알킬 아미노기일 수 있고, n은 1 내지 10의 정수이다.
상기 화학식 2에서 탄소수 5~30의 아릴기는 페닐기, 톨릴기, 나프틸기, 티에닐기, 인돌릴기 또는 자이릴기 등이 포함될 수 있고, 탄소수 2~30의 알케닐기로는 알릴기, 1-프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 또는 3-부테닐기 등이 포함될 수 있다.
상기 카바졸 화합물이 중합체인 경우, 동일한 종류의 단량체 또는 2종 이상의 단량체가 중합되는 것이 가능하다. 또한, 상기 중합체는 분자량이 1000 내지 20000일 수 있고, 예를 들어 5000 내지 20000인 경우, 상기 카바졸 화합물을 포함하는 도너 필름 각 층의 주된 매트릭스가 전체적으로 우수한 내열성을 구현할 수 있다.
구체적으로, 상기 카바졸 화합물은 상기 R1 내지 R4가 아릴기, 에스터기, 알케닐 또는 알콕시기 등을 포함할 수 있고, 예를 들어 상기 R1 내지 R4가 아릴기 혹은 알케닐기를 포함하는 경우에 분자간 상호 작용에 의한 스택킹(stacking)이 용이하여 분자간 결합력 향상에 유리하고, 결과적으로 도너 필름의 내열성을 향상시킬 수 있다.
상기 플루오렌 화합물은 하기 [화학식 3]의 구조를 포함할 수 있다.
[화학식 3]
상기 화학식 3에서, R5, R6 또는 R7은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 히드록시기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 5~30의 아릴기, 탄소수 3~30의 헤테로 아릴기, 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 2~30의 알키닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 탄소수 3~30의 시클로 알킬기, 탄소수 3~30의 시클로 알케닐기, 아미노기, 또는 탄소수 1~30의 알킬 아미노기일 수 있다.
상기 화학식 3에서 탄소수 5~30의 아릴기는 페닐기, 톨릴기, 나프틸기, 티에닐기, 인돌릴기 또는 자이릴기 등이 포함될 수 있고, 탄소수 2~30의 알케닐기로는 알릴기, 1-프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 또는 3-부테닐기 등이 포함될 수 있다.
상기 플루오렌 화합물은 하기 [화학식 4]를 반복 단위로 포함하는 중합체일 수 있다.
[화학식 4]
상기 화학식 4에서, R8은 수소, 중수소, 히드록시기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 5~30의 아릴기, 탄소수 3~30의 헤테로 아릴기, 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 2~30의 알키닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 탄소수 3~30의 시클로 알킬기, 탄소수 3~30의 시클로 알케닐기, 아미노기, 또는 탄소수 1~30의 알킬 아미노기이고, n은 1 내지 10의 정수이다.
상기 화학식 4에서 탄소수 5~30의 아릴기는 페닐기, 톨릴기, 나프틸기, 티에닐기, 인돌릴기 또는 자이릴기 등이 포함될 수 있고, 탄소수 2~30의 알케닐기로는 알릴기, 1-프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 또는 3-부테닐기 등이 포함될 수 있다.
상기 플루오렌 화합물이 중합체인 경우, 동일한 종류의 단량체 또는 2종 이상의 단량체가 중합되는 것이 가능하다. 또한, 상기 중합체는 분자량이 1000 내지 20000일 수 있고, 예를 들어 5000 내지 20000인 경우, 상기 플루오렌 화합물을 포함하는 도너 필름 각 층의 주된 매트릭스가 전체적으로 우수한 내열성을 구현할 수 있다.
구체적으로, 상기 플루오렌 화합물은 상기 R5 내지 R8이 아릴기, 에스터기, 알케닐 또는 알콕시기 등을 포함할 수 있고, 예를 들어 상기 R5 내지 R8이 아릴기 혹은 알케닐기를 포함하는 경우에 분자간 상호작용에 의한 스택킹(stacking)이 용이하여 분자간 결합력이 향상되고, 결과적으로 도너 필름의 내열성을 향상시킬 수 있다.
상기 카도-타입 화합물은 하기 [화학식 5]의 구조를 포함할 수 있다.
[화학식 5]
상기 화학식 5에서 R9, R10, R11, 또는 R12는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 히드록시기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 5~30의 아릴기, 탄소수 3~30의 헤테로 아릴기, 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 2~30의 알키닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 탄소수 3~30의 시클로 알킬기, 탄소수 3~30의 시클로 알케닐기, 아미노기, 또는 탄소수 1~30의 알킬 아미노기일 수 있다.
상기 화학식 5에서 탄소수 5~30의 아릴기는 페닐기, 톨릴기, 나프틸기, 티에닐기, 인돌릴기 또는 자이릴기 등이 포함되고, 탄소수 2~30의 알케닐기로는 알릴기, 1-프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 또는 3-부테닐기 등이 포함될 수 있다.
상기 카도-타입 화합물은 하기 [화학식 6]을 반복 단위로 포함하는 중합체일 수 있다.
[화학식 6]
상기 화학식 6에서, R13 또는 R14는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 히드록시기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 5~30의 아릴기, 탄소수 3~30의 헤테로 아릴기, 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 2~30의 알키닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 탄소수 3~30의 시클로 알킬기, 탄소수 3~30의 시클로 알케닐기, 아미노기, 또는 탄소수 1~30의 알킬 아미노기일 수 있고, n은 2 내지 10의 정수이다.
상기 화학식 6에서 탄소수 5~30의 아릴기는 페닐기, 톨릴기, 나프틸기, 티에닐기, 인돌릴기 또는 자이릴기 등이 포함될 수 있고, 탄소수 2~30의 알케닐기로는 알릴기, 1-프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 또는 3-부테닐기 등이 포함될 수 있다.
상기 카도-타입 화합물이 중합체인 경우, 동일한 종류의 단량체 또는 2종 이상의 단량체가 중합되는 것이 가능하다. 또한, 상기 중합체는 분자량이 1000 내지 20000일 수 있고, 예를 들어 5000 내지 20000인 경우에 상기 카도-타입 화합물을 포함하는 도너 필름 각 층의 주된 매트릭스가 전체적으로 우수한 내열성을 구현할 수 있다.
구체적으로, 상기 카도-타입 화합물은 상기 R9 내지 R14가 아릴기, 에스터기, 알케닐 또는 알콕시기 등을 포함할 수 있고, 예를 들어 상기 R9 내지 R14가 아릴기 혹은 알케닐기를 포함하는 경우에 분자간 상호 작용에 의한 스택킹(stacking)이 용이하여 분자간 결합력이 향상되고, 결과적으로 도너 필름의 내열성을 향상시킬 수 있다.
상기 페닐-실레인 화합물은 하기 [화학식 7]의 구조를 포함할 수 있다.
[화학식 7]
상기 화학식 7에서 R15는 수소, 중수소, 탄소수 5~30의 아릴기, 탄소수 3~30의 헤테로 아릴기, 또는 탄소수 1~20의 알킬기일 수 있다.
상기 화학식 7에서 R16, R17, 또는 R18은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 히드록시기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 5~30의 아릴기, 탄소수 3~30의 헤테로 아릴기, 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 2~30의 알키닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 탄소수 3~30의 시클로 알킬기, 탄소수 3~30의 시클로 알케닐기, 아미노기, 또는 탄소수 1~30의 알킬 아미노기일 수 있다.
상기 화학식 7에서 탄소수 5~30의 아릴기는 페닐기, 톨릴기, 나프틸기, 티에닐기, 인돌릴기 또는 자이릴기 등이 포함되고, 탄소수 2~30의 알케닐기로는 알릴기, 1-프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 또는 3-부테닐기 등이 포함될 수 있다.
구체적으로, 상기 페닐-실레인 화합물은 트라이 페닐-실레인, 테트라 페닐-실레인 등 다양한 구조가 가능하며, 상기 R15가 아릴기, 알케닐기 일 수 있고, 상기 R16 내지 R18은 아릴기, 에스터기, 알케닐 또는 알콕시기 등을 포함할 수 있다.
상기 페닐-실레인 화합물은 상기 R15가 아릴기이고, Si의 파라 위치에 아릴 치환기를 포함하며, 상기 R16 내지 R18이 아릴기인 테트라 페닐-실레인 화합물인 경우에, 실레인 그룹 자체가 가지는 내열성에 더하여 실레인 그룹의 반응 사이트(site)가 없어짐에 따라 상기 도너 필름의 내열성을 더욱 향상시킬 수 있고, 상기 테트라 페닐-실레인 화합물의 화학적 구조가 내열성 향상 측면에 유리하다.
상기 에폭시 화합물은 산소를 포함하는 삼각 고리 구조를 포함하거나, 상기 삼각 고리 구조가 풀린 구조일 수 있고, 구체적으로 아릴기, 에스터기, 알케닐 기 또는 알콕시기 등을 포함할 수 있고, 예를 들어 상기 에폭시 화합물이 이절환형 구조인 경우에, 분자간 결합력이 상승하여 OLED용 도너 필름의 내열성 향상 측면에서 유리하다.
상기 내열성이 우수한 OLED용 도너 필름에 있어서, 상기 기재층은 상기 고내열성 물질을 포함할 수 있고, 이 때 상기 고내열성 물질은 기재층 형성 조성물 100 중량부에 대하여 약 10 내지 약 90 중량부 포함될 수 있다. 상기 기재층이 상기 고내열성 물질을 약 10 중량부 미만으로 함유하는 경우에는 우수한 내열성을 구현하기 힘들고, 약 90 중량부를 초과하는 경우에는 기재층의 레벨링(leveling)이 좋지 못하여, 상기 기재층의 표면 거칠기(roughness)가 커지게 됨으로써 전사 효율이 저하될 수 있다.
상기 기재층은 상기 고내열성 물질을 포함할 수 있고, 이로써 상기 기재층의 유리전이온도가 약 150℃ 이상, T5%가 약 400℃ 이상이 될 수 있다. 상기 기재된 T5%는 하기 실험예에 기재된 바와 같이, 열중량분석기기를 통하여 측정된 상기 도너 필름 각 층의 질량 손실이 5% 일어나는 지점의 온도를 나타낸 것이다. T5% 측정값이 높을수록 열에 의해 잘 분해되지 않는 것을 알 수 있고, 내열성이 우수함을 알 수 있다.
상기 기재층의 유리전이온도가 약 150℃ 미만이고, T5%가 약 400℃ 미만인 경우에는 레이저 등의 광에너지 조사 후에 도너 필름 및 OLED 함유 유기 물질 등이 손상되어, OLED 소자 효율을 저하시킬 우려가 있으며, 레이저 등의 광에너지 조사 후 팽창 시 기재층이 코팅층을 지지해주는 성능을 저해하여, 전사 효율이 감소될 수 있다.
상기 기재층의 두께는 약 25 내지 약 250 ㎛일 수 있고, 상기 기재층이 고내열성 물질을 포함함으로써, 상기 내열성이 우수한 OLED용 도너 필름은 기존의 도너 필름에 비해 더 얇은 기재층을 포함하는 것이 가능하다. 상기 기재층의 두께가 약 25 ㎛미만인 경우에는 레이저 등의 광에너지 조사 시 기재층이 직접적인 손상을 입을 수 있고, 약 250 ㎛를 초과하는 경우에는 광투과도가 낮아지고 헤이즈(haze)가 높아져 레이저 등의 광에너지 조사시 필요한 에너지가 지나치게 높아질 수 있으며, 도너 필름을 대용량으로 제작 시 공정이 용이하지 못할 우려가 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 내열성이 우수한 OLED용 도너 필름에 있어서, 상기 광열변환층은 광열변환물질 외에 상기 고내열성 물질을 더 포함할 수 있고, 상기 고내열성 물질은 광열변환층 형성 조성물 100 중량부에 대하여 약 10 내지 약 80 중량부 포함될 수 있다. 상기 광열변환층이 상기 고내열성 물질을 약 10 중량부 미만으로 함유하는 경우에는 충분한 내열성을 보장하기 어렵고, 약 80 중량부를 초과하는 경우에는 광열변환층의 경화도가 낮아질 수 있고, 가공성 또는 코팅성이 저해될 수 있다.
상기 광열변환층은 상기 고내열성 물질을 포함할 수 있고, 이로써 상기 광열변환층의 유리전이온도가 약 150℃ 이상, T5%가 약 300℃ 이상이 될 수 있으며, 상기 T5%는 전술된 바와 같다.
상기 광열변환층의 유리전이온도가 약 150℃ 미만이고, T5%가 약 300℃ 미만인 경우에는 레이저 등의 광에너지 조사 후에 도너 필름 및 OLED 함유 유기 물질 등이 손상되어, OLED 소자 효율을 저하시킬 우려가 있다.
상기 광열변환층의 두께는 약 0.5 내지 약 4 ㎛일 수 있고, 상기 광열변환층이 고내열성 물질을 포함함으로써, 상기 내열성이 우수한 OLED용 도너 필름은 기존의 도너 필름에 비해 더 얇은 광열변환층을 포함하는 것이 가능하다. 상기 광열변환층의 두께가 약 0.5 ㎛ 미만인 경우에는 우수한 내열성을 보장하기 힘들고, 약 4 ㎛를 초과하는 경우에는 레이저 등의 광에너지 조사 후 과도한 열이 발생하여 OLED용 유기 물질에 손상을 입히거나, 전사를 위한 팽창 거동을 방해하여 전사 효율을 저해할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 내열성이 우수한 OLED용 도너 필름에 있어서, 상기 중간층은 상기 고내열성 물질을 포함할 수 있고, 상기 고내열성 물질은 중간층 형성 조성물 100 중량부에 대하여 약 10 내지 약 80 중량부 포함될 수 있다. 상기 중간층이 상기 고내열성 물질을 약 10 중량부 미만으로 함유하는 경우에는 전사층이 전사될 때 광열변환물질이 함께 전사되는 것을 방지하거나, 상기 광열변환층에서 발생한 열이 전사층에 전달되어 열에 의해 전사층 내부에 존재하는 유기물이 손상되는 것을 방지하는 것이 어렵고, 약 80 중량부를 초과하는 경우에는 경제성 측면에서 불리할 수 있고, 중간층의 경화도가 낮아지거나 중간층의 제조가 용이하지 못하여 가공성 또는 코팅성을 저해할 우려가 있다.
상기 중간층은 상기 고내열성 물질을 포함할 수 있고, 이로써 상기 중간층의 유리전이온도가 약 150℃ 이상이고, T5%가 약 250℃ 이상이 될 수 있으며, 상기 T5%는 전술된 바와 같다.
상기 중간층의 유리전이온도가 약 150℃ 미만이고, T5%가 약 250℃ 미만인 경우에는 레이저 등의 광에너지 조사 후에 상기 광열변환층에서 발생하는 열을 효과적으로 차단하지 못하여 도너 필름 및 OLED 함유 유기 물질 등이 손상될 수 있고, 결과적으로 OLED 소자의 효율을 저하시킬 우려가 있다. 또한, 전사 과정에서 상기 광열변환층에 함유된 광열변환물질 등이 전사층으로 전이되어 전사 효율을 저하시킬 우려가 있다.
상기 중간층의 두께는 약 0.5 내지 약 4 ㎛일 수 있고, 상기 중간층이 고내열성 물질을 포함함으로써, 상기 내열성이 우수한 OLED용 도너 필름은 기존의 도너 필름에 비해 더 얇은 중간층을 포함하는 것이 가능하다. 상기 중간층의 두께가 약 0.5 ㎛ 미만인 경우에는 상기 광열변환층에서 발생한 열을 차단하여 전사 물질을 보호하기 어렵고, 약 4 ㎛를 초과하는 경우에는 레이저 등의 광에너지 조사 후 발생하는 팽창 거동을 감소시켜 전사 효율에 저해될 우려가 있다.
도 2는 본 발명의 다른 구현예에 따른 내열성이 우수한 OLED용 도너 필름(200) 구조의 개략적인 단면을 나타낸 것이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 다른 구현예에 따른 내열성이 우수한 OLED용 도너 필름(200)은 기재층(210)을 포함하고, 상기 기재층 상부에 광흡수를 위한 광열변환층 및 표면 보호를 위한 중간층이 일체화된 단일 구조(220)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 기재층(210) 및 단일 구조(220) 중 하나 이상은 카바졸 화합물, 플루오렌 화합물, 카도-타입 화합물, 페닐-실레인 화합물 및 에폭시 화합물 중 하나 이상을 함유하는 고내열성 물질을 포함할 수 있고, 상기 화합물들은 전술한 바와 같다.
상기 단일 구조(220)는 광에너지를 흡수하여 열에너지로 전환하는 역할 및 전사층의 표면을 보호하는 역할을 동시에 가지는 층으로서, 상기 고내열성 물질 외에 우레탄계, 에스터계, 폴리올계 및 케톤계 수지 중 하나 이상을 재질로 포함할 수 있다.
상기 내열성이 우수한 OLED용 도너 필름이 광열변환층 및 중간층이 일체화된 단일 구조를 포함하는 경우, 두 층의 특성을 동시에 지니는 단일화된 층을 제작함으로써 제조 공정이 용이해지는 장점이 있다.
상기 광열변환층 및 중간층이 일체화된 단일 구조를 포함하는 경우, 상기 단일 구조의 두께는 약 0.5 내지 약 4 ㎛일 수 있다. 상기 단일 구조의 두께가 약 0.5 ㎛ 미만인 경우에는 충분한 내열성을 보장하기 어렵고, 조사된 레이저 등의 광에너지가 열로 변환되지 않고 OLED에 사용되는 유기물에 직접적으로 영향을 끼칠 수 있으며, 약 4 ㎛를 초과하는 경우에는 상기 단일 구조의 경화도가 낮아 지거나 상기 단일 구조의 가공성 또는 코팅성이 저해될 우려가 있다.
상기 OLED용 도너 필름은 카바졸 화합물, 플루오렌 화합물, 카도-타입 화합물, 페닐-실레인 화합물 및 에폭시 화합물 중 하나 이상을 함유하는 고내열성 물질을 포함함으로써 우수한 내열성 및 전사 품질을 지닐 수 있고, 이러한 내열성이 우수한 OLED용 도너 필름은 LITI공정에서 레이저를 이용하여 도너 필름에 높은 광에너지를 조사하고, 광흡수율이 높은 광열변환층을 사용하여 광에너지를 열에너지로 전환할 때, 조사된 레이저에 의해 OLED 에미터(emitter)가 손상되는 것을 방지하고, 결과적으로 OLED 소자의 효율을 증대시킬 수 있다.
이하, 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 일 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명은 생략하기로 한다.
실시예
및
비교예
실시예
<기재층 제조용 조성물>
기재층 형성 조성물 100 중량부에 대하여, 에폭시 화합물(MIRAMER SC6400, 미원스페셜티케미칼社 제조) 68 중량부 및 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 수지 32 중량부를 포함하는 기재층 제조용 조성물을 제조하였다.
<광열변환층 제조용 조성물>
광열변환층 형성 조성물 100 중량부에 대하여, 카본블랙(RAVEN ULTRA 760, 콜롬비안케미컬즈社 제조) 13 중량부, 카도-타입 화합물(EM2206, 우림켐텍社 제조) 27 중량부, 에폭시 화합물(PE210, 미원스페셜티케미칼社 제조) 53 중량부, 개시제 (IRGACURE 184, BASF社 제조) 4 중량부, 분산제(EFKA 4310, BASF社 제조) 2 중량부, 및 레벨링제(BYK354, BYK社 제조) 1 중량부를 혼합하여, 기재층 제조용 조성물을 제조하였다.
<중간층 제조용 조성물>
중간층 형성 조성물 100 중량부에 대하여, 카도-타입 화합물(EM2206, 우림켐텍社 제조) 8 중량부, 테트라 페닐-실레인 화합물 (MIRAMER SIU2400, 미원스페셜티케미칼㈜ 제조) 59 중량부, 우레탄 화합물(EB230, 에스케이사이텍社 제조) 29 중량부, 및 개시제 (IRGACURE 184, BASF社 제조) 4 중량부를 혼합하여, 기재층 제조용 조성물을 제조하였다.
<OLED용 도너 필름>
상기 기재층 제조용 조성물을 이용하여 기재층을 제조하였다. 상기 기재층 상부에 상기 광열변환층 제조용 조성물을 도포한 후, 건조 및 경화하여 광열변환층을 제조하였고, 상기 광열변환층 상부에 상기 중간층 제조용 조성물을 도포한 후, 건조 및 경화하여 중간층을 제조함으로써, 기재층, 광열변환층 및 중간층의 적층 구조를 포함하는 도너 필름을 제조하였다.
비교예
카바졸 화합물, 플루오렌 화합물, 카도-타입 화합물, 페닐-실레인 화합물, 및 에폭시 화합물을 제외하고, 동일한 조성을 가지는 기재층, 광열변환층 및 중간층 제조용 조성물을 제조한 후, 이를 이용하여 각 층을 형성하는 것 외에 실시예와 동일한 방법으로 OLED용 도너 필름을 제조하였다.
평가
실험예
1: 내열성 측정을 위한 열중량분석(
TGA
)
상기 실시예 및 비교예의 각 층을 (열중량분석기기(상품명: Perkin Elmer社 Pyris1TGA)를 이용하여, 측정 온도 25℃ 내지 800℃의 범위에서 10℃/분의 속도로 승온시키면서, 불활성 가스(N2)의 퍼징(purging)조건 하에, 중간층의 질량 변화를 측정하였다. T5%(질량 감소가 5% 일어나는 지점의 온도)를 측정하여, 하기 표 1에 기재하였다.
| T5% (℃) | ||
| 실시예 | 비교예 | |
| 기재층 | 402 | 311 |
| 광열변환층 | 344 | 251 |
| 중간층 | 306 | 204 |
상기 표 1을 통하여, 실시예의 각 층의 T5% 온도가 비교예의 각 층의 T5% 온도보다 높음을 알 수 있고, 이는 실시예 각 층의 내열성이 비교예의 각 층에 비하여 우수함을 나타내는 것이다. 그러므로, 내열성이 우수한 각 층을 적층하여 제조된 실시예의 OLED용 도너 필름은 비교예의 도너 필름에 비하여 우수한 내열성을 구현함을 알 수 있다.
실험예
2:
내열성 측정을 위한 시차주사열량측정(
DSC
)
상기 실시예 및 비교예의 각 층에 대하여, 시차주사열량측정(DSC) 기기(상품명: Perkin Elmer社 DSC8000)를 이용하여 유리전이온도(Tg)를 측정하였고, 측정 온도 0℃ 내지 200℃의 범위에서 승온 속도를 10℃/분로 하여 측정하였다. 측정된 각 층의 유리전이온도(Tg)를 하기 표 2에 기재하였다.
| Tg (℃) | ||
| 실시예 | 비교예 | |
| 기재층 | 151 | 79 |
| 광열변환층 | 167 | 62 |
| 중간층 | 165 | 49 |
상기 표 2를 통하여, 실시예 각층의 유리전이온도가 비교예 각 층의 유리전이온도보다 높음을 알 수 있고, 유리전이온도가 높을수록 내열성이 우수함을 나타내므로 실시예 각 층의 내열성이 비교예 각 층에 비하여 우수함을 알 수 있다. 따라서, 내열성이 우수한 각 층을 적층하여 제조된 실시예의 OLED용 도너 필름이 비교예보다 더 우수한 내열성을 구현함을 알 수 있다.
100, 200: 내열성이 우수한 OLED용 도너 필름
110, 210: 기재층
120: 광열변환층
130: 중간층
220: 단일 구조
110, 210: 기재층
120: 광열변환층
130: 중간층
220: 단일 구조
Claims (21)
- 기재층;
상기 기재층 상부에 광흡수를 위한 광열변환층; 및
상기 광열변환층 상부에 표면 보호를 위한 중간층의 적층 구조를 포함하고,
상기 기재층, 광열변환층 및 중간층 각각은 카바졸 화합물, 플루오렌 화합물, 카도-타입 화합물, 페닐-실레인 화합물 및 에폭시 화합물 중 하나 이상을 함유하는 고내열성 물질을 포함하고,
상기 중간층은 T5%가 250℃ 이상인
내열성이 우수한 OLED용 도너 필름.
- 제1항에 있어서,
상기 광열변환층 및 중간층이 일체화된 단일 구조를 포함하는
내열성이 우수한 OLED용 도너 필름.
- 제1항에 있어서,
상기 카바졸 화합물은 하기 [화학식 1]의 구조를 포함하는
내열성이 우수한 OLED용 도너 필름.
[화학식 1]
(상기 화학식 1에서 R1, R2 또는 R3는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 히드록시기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 5~30의 아릴기, 탄소수 3~30의 헤테로 아릴기, 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 2~30의 알키닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 탄소수 3~30의 시클로 알킬기, 탄소수 3~30의 시클로 알케닐기, 아미노기, 또는 탄소수 1~30의 알킬 아미노기일 수 있다.)
- 제1항에 있어서,
상기 카바졸 화합물은 하기 [화학식 2]를 반복 단위로 포함하는 중합체인
내열성이 우수한 OLED용 도너 필름.
[화학식 2]
(상기 화학식 2에서, R4는 수소, 중수소, 히드록시기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 5~30의 아릴기, 탄소수 3~30의 헤테로 아릴기, 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 2~30의 알키닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 탄소수 3~30의 시클로 알킬기, 탄소수 3~30의 시클로 알케닐기, 아미노기, 또는 탄소수 1~30의 알킬 아미노기이고, n은 1 내지 10의 정수이다.)
- 제1항에 있어서,
상기 플루오렌 화합물은 하기 [화학식 3]의 구조를 포함하는
내열성이 우수한 OLED용 도너 필름.
[화학식 3]
(상기 화학식 3에서, R5, R6 및 R7은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 히드록시기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 5~30의 아릴기, 탄소수 3~30의 헤테로 아릴기, 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 2~30의 알키닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 탄소수 3~30의 시클로 알킬기, 탄소수 3~30의 시클로 알케닐기, 아미노기, 또는 탄소수 1~30의 알킬 아미노기이다.)
- 제1항에 있어서,
상기 플루오렌 화합물은 하기 [화학식 4]를 반복 단위로 포함하는 중합체인
내열성이 우수한 OLED용 도너 필름.
[화학식 4]
(상기 화학식 4에서, R8은 수소, 중수소, 히드록시기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 5~30의 아릴기, 탄소수 3~30의 헤테로 아릴기, 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 2~30의 알키닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 탄소수 3~30의 시클로 알킬기, 탄소수 3~30의 시클로 알케닐기, 아미노기, 또는 탄소수 1~30의 알킬 아미노기이고, n은 1 내지 10의 정수이다.)
- 제1항에 있어서,
상기 카도-타입 화합물은 하기 [화학식 5]의 구조를 포함하는
내열성이 우수한 OLED용 도너 필름.
[화학식 5]
(상기 화학식 5에서 R9, R10, R11, 또는 R12는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 히드록시기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 5~30의 아릴기, 탄소수 3~30의 헤테로 아릴기, 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 2~30의 알키닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 탄소수 3~30의 시클로 알킬기, 탄소수 3~30의 시클로 알케닐기, 아미노기, 또는 탄소수 1~30의 알킬 아미노기이다.)
- 제1항에 있어서,
상기 카도-타입 화합물은 하기 [화학식 6]을 반복 단위로 포함하는 중합체인
내열성이 우수한 OLED용 도너 필름.
[화학식 6]
(상기 화학식 6에서, R13 또는 R14는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 히드록시기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 5~30의 아릴기, 탄소수 3~30의 헤테로 아릴기, 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 2~30의 알키닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 탄소수 3~30의 시클로 알킬기, 탄소수 3~30의 시클로 알케닐기, 아미노기, 또는 탄소수 1~30의 알킬 아미노기이고, n은 1 내지 10의 정수이다.)
- 제1항에 있어서,
상기 페닐-실레인 화합물은 하기 [화학식 7]의 구조를 포함하는
내열성이 우수한 OLED용 도너 필름.
[화학식 7]
(상기 화학식 7에서 R15는 수소, 중수소, 탄소수 5~30의 아릴기, 탄소수 3~30의 헤테로 아릴기, 또는 탄소수 1~20의 알킬기이고, R16, R17, 또는 R18은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 히드록시기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 5~30의 아릴기, 탄소수 3~30의 헤테로 아릴기, 탄소수 2~30의 알케닐기, 탄소수 2~30의 알키닐기, 탄소수 1~30의 알콕시기, 탄소수 3~30의 시클로 알킬기, 탄소수 3~30의 시클로 알케닐기, 아미노기, 또는 탄소수 1~30의 알킬 아미노기이다.)
- 제1항에 있어서,
상기 기재층이 상기 고내열성 물질을 포함하고,
상기 고내열성 물질은 기재층 형성 조성물 100 중량부에 대하여 10 내지 90 중량부 포함되는
내열성이 우수한 OLED용 도너 필름.
- 제10항에 있어서,
상기 기재층의 유리전이온도가 150℃ 이상인
내열성이 우수한 OLED용 도너 필름.
- 제10항에 있어서,
상기 기재층은 T5%가 400℃ 이상인
내열성이 우수한 OLED용 도너 필름.
- 제10항에 있어서,
상기 기재층의 두께는 25 내지 250 ㎛인
내열성이 우수한 OLED용 도너 필름.
- 제1항에 있어서,
상기 광열변환층이 상기 고내열성 물질을 포함하고,
상기 고내열성 물질은 광열변환층 형성 조성물 100 중량부에 대하여 10 내지 80 중량부 포함되는
내열성이 우수한 OLED용 도너 필름.
- 제14항에 있어서,
상기 광열변환층의 유리전이온도가 150 ℃이상인
내열성이 우수한 OLED용 도너 필름.
- 제14항에 있어서,
상기 광열변환층은 T5%가 300℃ 이상인
내열성이 우수한 OLED용 도너 필름.
- 제14항에 있어서,
상기 광열변환층의 두께는 0.5 내지 4 ㎛인
내열성이 우수한 OLED용 도너 필름.
- 제1항에 있어서,
상기 중간층이 상기 고내열성 물질을 포함하고,
상기 고내열성 물질은 중간층 형성 조성물 100 중량부에 대하여 10 내지 80 중량부 포함되는
내열성이 우수한 OLED용 도너 필름.
- 제18항에 있어서,
상기 중간층의 유리전이온도가 150℃ 이상인
내열성이 우수한 OLED용 도너 필름.
- 삭제
- 제18항에 있어서,
상기 중간층의 두께는 0.5 내지 4 ㎛인
내열성이 우수한 OLED용 도너 필름.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130115427A KR101775750B1 (ko) | 2013-09-27 | 2013-09-27 | 내열성이 우수한 oled용 도너 필름 |
| PCT/KR2014/008955 WO2015046910A1 (ko) | 2013-09-27 | 2014-09-25 | 내열성이 우수한 oled용 도너 필름 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130115427A KR101775750B1 (ko) | 2013-09-27 | 2013-09-27 | 내열성이 우수한 oled용 도너 필름 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150035651A KR20150035651A (ko) | 2015-04-07 |
| KR101775750B1 true KR101775750B1 (ko) | 2017-09-07 |
Family
ID=52743940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130115427A KR101775750B1 (ko) | 2013-09-27 | 2013-09-27 | 내열성이 우수한 oled용 도너 필름 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101775750B1 (ko) |
| WO (1) | WO2015046910A1 (ko) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030008172A1 (en) * | 2001-04-10 | 2003-01-09 | Mario Leclerc | Conjugated polycarbazole derivatives in Organic Light Emitting Diodes |
| US20090291293A1 (en) * | 2006-07-14 | 2009-11-26 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Film with transparent electroconductive membrane and its use |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100522697B1 (ko) * | 2003-09-22 | 2005-10-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 4,4'-비스(카바졸-9-일)-비페닐계 실리콘 화합물 및 이를이용한 유기 전계 발광 소자 |
| KR101332438B1 (ko) * | 2010-12-27 | 2013-11-25 | 제일모직주식회사 | 열전사 필름 |
| TWI542469B (zh) * | 2011-12-30 | 2016-07-21 | 可隆股份有限公司 | 雷射熱轉印製程用的施體薄膜 |
-
2013
- 2013-09-27 KR KR1020130115427A patent/KR101775750B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-09-25 WO PCT/KR2014/008955 patent/WO2015046910A1/ko active Application Filing
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030008172A1 (en) * | 2001-04-10 | 2003-01-09 | Mario Leclerc | Conjugated polycarbazole derivatives in Organic Light Emitting Diodes |
| US20090291293A1 (en) * | 2006-07-14 | 2009-11-26 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Film with transparent electroconductive membrane and its use |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2015046910A1 (ko) | 2015-04-02 |
| KR20150035651A (ko) | 2015-04-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100909915B1 (ko) | 전기적 활성 물질이 배치된 중합가능한 무정형 매트릭스의패턴형성을 위한 방법 및 물질 | |
| KR101011428B1 (ko) | 유기 전기발광 장치를 위한 완충층 및 그의 제조 방법 및용도 | |
| KR20110004374A (ko) | 유기 전계발광 소자 | |
| US20060008577A1 (en) | Method and materials for patterning of a polymerizable, amorphous matrix with electrically active material disposed therein | |
| KR20050037502A (ko) | 물질을 패턴에 따라 플라즈마 처리 표면에 전달하기 위한방법 및 물질 | |
| TW200305628A (en) | Electroluminescent materials and methods of manufacture and use | |
| EP2874193B1 (en) | Photothermal conversion film having good visible light transmittance, and transfer film for oled using same | |
| JP2013251191A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP5038274B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
| US20050048316A1 (en) | Donor film for organic electroluminescent display device, method thereof, and organic electroluminescent display device using the same as donor film | |
| KR101775750B1 (ko) | 내열성이 우수한 oled용 도너 필름 | |
| KR20130089443A (ko) | 대전방지 특성을 갖는 도너 필름 | |
| KR20170115180A (ko) | 유기 전계 발광 소자용 도너 필름 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자의 제조방법 | |
| Keum et al. | Molecularly doped polymeric network nanolayers for organic light-emitting devices | |
| Lee et al. | Synthesis and characterization of naphthyl‐substituted poly (p‐phenylenevinylene) s with few structural defects for polymer light‐emitting diodes | |
| JP2006089651A (ja) | アンカー層形成用塗工液およびバリア性基板、ならびにそれらの製造方法 | |
| TW201529337A (zh) | 熱轉移膜及使用其製備之電致發光裝置 | |
| TW201408484A (zh) | 熱轉印膜及使用其製備的有機電致發光裝置 | |
| Hübner et al. | Inkjet printing of multiple layers for large-scale, cadmium-free quantum dot light-emitting diodes | |
| TWI576253B (zh) | 熱轉印膜及使用其製備的有機電致發光裝置 | |
| KR101450279B1 (ko) | 레이저 열전사 방법용 도너필름 | |
| KR101587678B1 (ko) | 기재층과 광열변환층이 일체화된 광열변환필름 및 이를 이용한 ｏｌｅｄ용 전사 필름 | |
| CN108440385A (zh) | 一种有机光电材料及其应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |