JP4163606B2 - 微細構造体、微細構造体の作製方法、ラマン分光方法および装置 - Google Patents
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Description
"A complementary study of surface-enhanced Raman scattering and metal nanorod arrays", J.L.Yao et al, Pure Appl. Chem, Vol.72, No.1, pp 221-228, 2000"
2 陽極酸化処理後の基体
3 微細構造体
4 アルミニウム層
5 アルミナ層
6 微細孔
7 微細孔底部
8,15 金微粒子
9 容器
10 透明ガラス
11 液体試料
12 レーザ光源
13 分光検出器
14 比較用構造体
16 微細構造体3により得られるラマンスペクトル
17 比較用構造体14により得られるラマンスペクトル
18 抗体物質
19 抗原物質
Claims (14)
- 一表面に複数の金属微粒子が分布配置された構造の微細構造体であって、
基体の一表面に1μm以下の間隔で分布形成された複数の微細孔内に、局在プラズモン共鳴を誘起し得る大きさの金属微粒子であって該金属微粒子の頭部が前記基体の表面よりも上に突出し且つ該頭部の径が前記微細孔の孔径よりも大きい金属微粒子が配置された構造の微細構造体。 - 前記金属微粒子の頭部同士の隙間が10nm以下であることを特徴とする請求項1記載の微細構造体。
- 前記基体が、アルミニウムを主成分とする材料を陽極酸化することにより形成されたアルミナ層を表層として備えた基体であり、前記微細孔は前記陽極酸化の過程で形成された微細孔であることを特徴とする請求項1または2記載の微細構造体。
- 前記金属微粒子の頭部の径が200nm以下であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項記載の微細構造体。
- 前記微細孔の深さが100nm以下であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項記載の微細構造体。
- 前記微細孔の孔径のばらつきが15%以下であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項記載の微細構造体。
- 前記金属微粒子の材料が、金、銀、アルミニウムまたは銅のいずれかであることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項記載の微細構造体。
- 一表面に局在プラズモン共鳴を誘起し得る大きさの複数の金属微粒子が分布配置された構造の微細構造体を作製する方法であって、
基体の表層に複数の微細孔を1μm以下の間隔で形成し、
前記各微細孔にメッキ処理により金属を充填して、前記金属微粒子の下部を形成し、
さらに、前記金属微粒子の下部の上に前記基体の表面よりも上に突出し且つ前記微細孔の孔径より大きな径を有する頭部が形成されるまで、前記メッキ処理を継続することを特徴とする微細構造体の作製方法。 - 前記基体としてアルミニウムを主成分とする材料からなる基体を用い、該基体を陽極酸化することにより、前記基体の表層に前記複数の微細孔を形成することを特徴とする請求項8記載の微細構造体の作製方法。
- 前記メッキ処理を、前記金属微粒子の頭部同士の隙間が10nm以下になるまで継続することを特徴とする請求項8または9記載の微細構造体の作製方法。
- 基体の一表面に1μm以下の間隔で分布形成された複数の微細孔内に、局在プラズモン共鳴を誘起し得る大きさの金属微粒子であって該金属微粒子の頭部が前記基体の表面よりも上に突出し且つ該頭部の径が前記微細孔の孔径よりも大きい金属微粒子が配置された構造の微細構造体の、前記金属微粒子の頭部が突出した面に試料を吸着させ、
前記試料が吸着された面に光を照射し、
前記光の前記面における散乱光を分光することにより前記散乱光のスペクトルを得ることを特徴とするラマン分光方法。 - 前記微細構造体として、前記金属微粒子の頭部同士の隙間が10nm以下の微細構造体を用いることを特徴とする請求項11記載のラマン分光方法。
- 基体の一表面に1μm以下の間隔で分布形成された複数の微細孔内に、局在プラズモン共鳴を誘起し得る大きさの金属微粒子であって該金属微粒子の頭部が前記基体の表面よりも上に突出し且つ該頭部の径が前記微細孔の孔径よりも大きい金属微粒子が配置された構造の微細構造体と、
前記微細構造体の前記金属微粒子の頭部が突出した面に対し光を照射するための光照射手段と、
前記光照射手段により照射された光の前記面における散乱光を分光することにより前記散乱光のスペクトルを得る分光手段と
を備えたことを特徴とするラマン分光装置。 - 前記微細構造体の、前記金属微粒子の頭部同士の隙間が10nm以下であることを特徴とする請求項13記載のラマン分光装置。
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US7453565B2 (en) * | 2006-06-13 | 2008-11-18 | Academia Sinica | Substrate for surface-enhanced raman spectroscopy, sers sensors, and method for preparing same |
JP2008026109A (ja) | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Fujifilm Corp | 微細構造体及びその製造方法、センサデバイス及びラマン分光用デバイス |
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EP1933130A1 (en) * | 2006-12-11 | 2008-06-18 | Fujifilm Corporation | Sensor, sensing apparatus and sensing method |
JP2008261752A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Fujifilm Corp | 微細構造体及びその製造方法、電場増強デバイス |
JP4818197B2 (ja) | 2007-05-14 | 2011-11-16 | キヤノン株式会社 | 表面増強振動分光分析用プローブおよびその製造方法 |
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JP4993360B2 (ja) * | 2007-06-08 | 2012-08-08 | 富士フイルム株式会社 | 微細構造体及びその製造方法、光電場増強デバイス |
JP5222599B2 (ja) * | 2007-07-20 | 2013-06-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 核酸分析デバイス及びそれを用いた核酸分析装置 |
JP2009042112A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Fujifilm Corp | センシング装置およびこれを用いたセンシング方法 |
JP5394627B2 (ja) * | 2007-10-10 | 2014-01-22 | 富士フイルム株式会社 | 微細構造体の作製方法および微細構造体 |
JP5031509B2 (ja) * | 2007-10-23 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 近接場光散乱用プローブおよびその製造方法 |
JP2009222483A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Fujifilm Corp | 検査チップ作製方法および被検体検出方法 |
JP5097590B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2012-12-12 | 富士フイルム株式会社 | ラマン信号測定方法およびラマン信号測定装置 |
JP2009270852A (ja) * | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Fujifilm Corp | ラマンスペクトル検出方法及びラマンスペクトル検出装置 |
JP2010027794A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Fujifilm Corp | 光電変換デバイス |
WO2010056258A1 (en) * | 2008-11-17 | 2010-05-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | A substrate for surface enhanced raman scattering (sers) |
CN102348966A (zh) | 2009-03-13 | 2012-02-08 | 惠普开发有限公司 | 用于表面增强拉曼光谱法的宽带结构 |
US8111393B2 (en) * | 2009-04-16 | 2012-02-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Structure for surface enhanced Raman spectroscopy |
CN102472665A (zh) | 2009-07-30 | 2012-05-23 | 惠普开发有限公司 | 用于进行拉曼光谱学的基于纳米线的系统 |
CA2780725A1 (en) * | 2009-11-25 | 2011-06-03 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Analytical system and method with combined differential scanning calorimetry (dsc) and raman spectroscopy |
TW201126148A (en) * | 2010-01-26 | 2011-08-01 | Ind Tech Res Inst | Method and system for Raman detection |
US8358407B2 (en) * | 2010-04-30 | 2013-01-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Enhancing signals in Surface Enhanced Raman Spectroscopy (SERS) |
US8358408B2 (en) | 2010-04-30 | 2013-01-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Apparatus for performing SERS |
US8314932B2 (en) | 2010-04-30 | 2012-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Surface-enhanced Raman spectroscopy device and a mold for creating and a method for making the same |
JP5553717B2 (ja) | 2010-09-17 | 2014-07-16 | 富士フイルム株式会社 | 光電場増強デバイスを用いた光の測定方法および測定装置 |
JP5552007B2 (ja) | 2010-09-17 | 2014-07-16 | 富士フイルム株式会社 | 光電場増強デバイス |
US9329176B2 (en) * | 2010-11-18 | 2016-05-03 | Academia Sinica | Glycopeptide-functionalized nanoparticles arrays for capturing and detecting biomolecules |
JP5854350B2 (ja) * | 2010-12-08 | 2016-02-09 | 公立大学法人大阪府立大学 | 金属ナノ粒子集積構造体を利用した圧力検出装置、温度検出装置、圧力検出方法、および温度検出方法 |
TWI456195B (zh) * | 2011-01-27 | 2014-10-11 | Univ Nat Cheng Kung | 生醫及微奈米結構物質感測晶片及其製備方法 |
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JP5801587B2 (ja) | 2011-03-31 | 2015-10-28 | 富士フイルム株式会社 | 光電場増強デバイスの製造方法 |
US9377409B2 (en) | 2011-07-29 | 2016-06-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fabricating an apparatus for use in a sensing application |
JP2013174497A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Sony Corp | ラマン散乱光測定方法及びラマン散乱光測定試料用容器 |
JP5947181B2 (ja) | 2012-09-28 | 2016-07-06 | 富士フイルム株式会社 | 光電場増強デバイスを用いた光測定装置 |
JP5947182B2 (ja) | 2012-09-28 | 2016-07-06 | 富士フイルム株式会社 | 光電場増強デバイスを用いた測定装置 |
KR101748314B1 (ko) * | 2013-03-14 | 2017-06-16 | 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. | 물질을 검출하기 위한 디바이스 및 이러한 디바이스를 제조하는 방법 |
JP2014190834A (ja) | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Fujifilm Corp | 光電場増強デバイスおよびその製造方法 |
JP2014215266A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-17 | 学校法人 東洋大学 | 薄層クロマトプレート及びその使用方法 |
GB2532356B (en) * | 2013-08-23 | 2020-04-15 | Ukon Craft Science Ltd | Substrate for surface-enhanced raman scattering spectroscopy, and device using same |
JP2015215178A (ja) * | 2014-05-08 | 2015-12-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電場増強素子、分析装置及び電子機器 |
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US10656093B2 (en) | 2015-07-20 | 2020-05-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Structures for surface enhanced Raman |
CN106248630A (zh) * | 2016-09-06 | 2016-12-21 | 大连理工大学 | 探头式lspr医用生化传感器 |
US10782014B2 (en) | 2016-11-11 | 2020-09-22 | Habib Technologies LLC | Plasmonic energy conversion device for vapor generation |
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US20220268704A1 (en) * | 2019-07-26 | 2022-08-25 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Sub-wavelength Raman imaging with combined optical and electron excitation |
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WO2001025757A1 (en) * | 1999-10-06 | 2001-04-12 | Surromed, Inc. | Novel surface enhanced raman scattering (sers)-active substrates and method for interfacing raman spectroscopy with capillary electrophoresis (ce) |
JP3989148B2 (ja) * | 1999-12-01 | 2007-10-10 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 金属微粒子の光固定化方法 |
JP4128753B2 (ja) * | 2001-03-14 | 2008-07-30 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 分子センサ |
JP4231701B2 (ja) * | 2002-01-08 | 2009-03-04 | 富士フイルム株式会社 | プラズモン共鳴デバイス |
US6970239B2 (en) * | 2002-06-12 | 2005-11-29 | Intel Corporation | Metal coated nanocrystalline silicon as an active surface enhanced Raman spectroscopy (SERS) substrate |
EP1445601A3 (en) * | 2003-01-30 | 2004-09-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Localized surface plasmon sensor chips, processes for producing the same, and sensors using the same |
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