JP4154928B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4154928B2 JP4154928B2 JP2002159096A JP2002159096A JP4154928B2 JP 4154928 B2 JP4154928 B2 JP 4154928B2 JP 2002159096 A JP2002159096 A JP 2002159096A JP 2002159096 A JP2002159096 A JP 2002159096A JP 4154928 B2 JP4154928 B2 JP 4154928B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fuse
- region
- concentration
- semiconductor device
- type region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明はポリシリコンなどからなるヒューズを用いた半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来から、半導体装置において拡散工程が完了した後で基準電圧(主として電源電圧)から所望の電圧を発生させるために、あるいは内部回路の選択を行なうために、ポリシリコンヒューズをレーザを用いて切断したり、あるいは電気的に溶断していた。
【0003】
以下に従来の半導体装置について説明する。
【0004】
図4は従来の抵抗とヒューズとで構成された基準ステップ電圧発生回路であり、抵抗とポリシリコンヒューズとが並列に接続され、このユニットを直列に接続することで構成している。所望の電圧は、基準電圧(電源電圧)とGND(0V)との間でヒューズを切断することにより抵抗を有効にして作り出される。この例では、ヒューズを溶断するためにヒューズの両端に設けられたパッドより電圧を印加する。これによりヒューズ自体が発生する熱で溶ける。
【0005】
図5(a)は、ポリシリコンヒューズの断面図を示すものである。図5(a)において1はP型半導体基板、2は素子分離用の400nm厚の酸化膜、13は素子分離用の2E17cm-3の高濃度P型領域、4はリン濃度が2E20cm-3のポリシリコンで形成したヒューズであり、ヒューズの両端は、アルミ配線6によりそれぞれ抵抗と電圧印加のパッドに接続されている。なお、P型半導体基板1、および高濃度P型領域13はGNDに接地している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記従来の構成では、図5(b)の断面図中に示すようにポリシリコンヒューズを溶断した際にたとえば素子分離用の酸化膜が薄くなっていたときには酸化膜も溶融し、ポリシリコン中のリンがP型領域13に拡散していきN型領域7を形成する。このN型領域7とヒューズ4とが接続されると、ヒューズに印加されている電圧がN型領域7にかかり、P型領域13とで形成されるPN接合の逆バイアス時のブレイクダウン耐圧を超えると、リーク電流が流れ所望の電圧が得られなくなる。この場合では、P型領域が2E17cm-3で、N型領域が2E20cm-3であり、実験結果から耐圧は8〜12Vであった。
【0007】
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、安定した電圧発生ならびに回路の選択を実現できるヒューズを用いた半導体装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、第1導電型の半導体基板上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された第2導電型のヒューズとを有し、ヒューズ下の基板に第1導電型の拡散領域が形成され、この拡散領域の不純物濃度が絶縁膜下の基板の不純物濃度よりも小さいことを特徴とする。
【0009】
この構成によって、ヒューズ溶断により形成されるPN接合が高耐圧化し、PN接合のブレイクダウン電圧を電源電圧より高くできる。そして、リーク電流が流れることが無くなり安定した電圧発生および回路の選択を実現できる。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【0011】
図1(a)および(b)は本発明の第1の実施の形態における半導体装置の断面図を示すものである。図1(a)において1はP型半導体基板、2はP型半導体基板1の表面に形成された素子分離用酸化膜、3は素子分離用の高濃度P型領域、4はポリシリコンで形成されたヒューズである。なお、素子分離用の高濃度P型領域3は、ヒューズ4下の領域を選択的に除いている。図1(b)はヒューズを切断したときの一例を示す断面模式図である。7は、溶融したポリシリコン中のリンが基板に拡散してできたN型領域で、濃度はポリシリコンのリン濃度2E20cm-3程度で、深さは0.05〜0.2μm程度である。
【0012】
本実施の形態の半導体装置は、P型半導体基板に10Ω・cm(1E15cm-3)のものを用い、ポリシリコンのリン濃度が2E20cm-3、素子分離用のP型領域の濃度が2E17cm-3とすると、ポリシリコンに接続されたN型領域7とP型半導体基板1との耐圧は20〜30Vとなるのに対し、従来例で示したようにポリシリコンに接続されたN型領域7と素子分離用のP型領域3との耐圧は8〜12V程度となり基準電圧となる電源電圧が10V以上の半導体では約10%の確率でリークが発生していたものが0%となった。
【0013】
よって、前記半導体装置により基準ステップ電圧発生回路を構成したときに、安定した電圧発生を実現することができる。
【0014】
なお、第1の実施の形態において、ヒューズの切断は電気的に行なう例を示したが、レーザを用いた切断においても同様な効果が得られる。また、P型半導体基板は、N型半導体基板に形成したPウェルとしてもよい。
【0015】
次に本発明の第2の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【0016】
図2は本発明の第2の実施の形態における半導体装置の断面図を示すものである。図1と同様な機能を有するものは同一番号を付与している。図2において1はP型半導体基板、2は素子分離用酸化膜、3は素子分離用の高濃度(2E17cm-3)P型領域、14はリン濃度2E19cm-3のポリシリコンで形成されたヒューズである。この例では、ヒューズ切断の際に形成されるN型領域の濃度の上限がポリシリコンの2E19cm-3となるため、PN接合耐圧が、18V程度となり電源電圧が15Vであれば問題ない。
【0017】
なお、第2の実施の形態において、ヒューズをノンドープのポリシリコンを成長させた後にイオン注入して形成すると、濃度のバラツキが、±10%以内に制御可能となりより安定した効果が得られる。
【0018】
次に本発明の第3の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【0019】
図3は本発明の第3の実施の形態における半導体装置の断面図を示すものである。図1と同様な機能を有するものは同一番号を付与している。図3において1はP型半導体基板、2は素子分離用酸化膜、13は素子分離用の高濃度(2E17cm-3)P型領域、4はリン濃度2E20cm-3のポリシリコンで形成されたヒューズである。図1との相違点は、ヒューズ4の下の半導体領域を低濃度P型領域8としたことである。低濃度P型領域8の形成方法の一例としてヒューズ4の下の半導体領域に選択的に高濃度P型領域13よりも低濃度のN型不純物を導入することによりヒューズ4下の半導体領域のP型濃度を低減することにより前述しているPN接合耐圧を向上させることができ、安定した電圧発生を実現することができる。
【0020】
以上、本発明を好ましい実施の形態について説明したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、請求の範囲に記載した要旨内において様々な変更・変形が可能である。
【0021】
【発明の効果】
以上のように本発明は、ポリシリコンヒューズを溶断して基板との間に高耐圧のPN接合を形成することによりブレイクダウン電圧を電源電圧よりも高くすることができる。
【0022】
この構成によって、ヒューズと基板との間のリーク電流を抑制することにより、安定した電圧発生を実現できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態における半導体装置の断面図
【図2】本発明の第2の実施の形態における半導体装置の断面図
【図3】本発明の第3の実施の形態における半導体装置の断面図
【図4】従来および本発明の基準ステップ電圧発生回路の模式図
【図5】従来の半導体装置の断面図
【符号の説明】
1 P型半導体基板
2 酸化膜
3、13 高濃度P型領域
4、14 ポリシリコンヒューズ
5 層間絶縁膜
6 アルミ配線
7 N型領域
8 低濃度P型領域
Claims (3)
- 第1導電型の半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された第2導電型のヒューズとを有し、前記半導体基板表面のうちの前記ヒューズ下の第1領域の不純物濃度が、前記半導体基板表面のうちの前記第1領域の周囲の第2領域の不純物濃度よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
- 前記第1領域の不純物濃度と前記ヒューズの不純物濃度との積が、5E37以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ヒューズは電気的に溶断されるものであり、前記第1領域は前記ヒューズ直下の領域全体を含む領域に形成されたものであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002159096A JP4154928B2 (ja) | 2002-05-31 | 2002-05-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002159096A JP4154928B2 (ja) | 2002-05-31 | 2002-05-31 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004006474A JP2004006474A (ja) | 2004-01-08 |
JP4154928B2 true JP4154928B2 (ja) | 2008-09-24 |
Family
ID=30429013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002159096A Expired - Fee Related JP4154928B2 (ja) | 2002-05-31 | 2002-05-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4154928B2 (ja) |
-
2002
- 2002-05-31 JP JP2002159096A patent/JP4154928B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004006474A (ja) | 2004-01-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2642904B2 (ja) | 入出力端子での静電気放電に対してmos集積回路を保護する装置 | |
JPH0982814A (ja) | 半導体集積回路装置及びその製造方法 | |
JPH07312424A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2003273353A (ja) | 静電気放電保護のための半導体装置及びその製造方法 | |
JP2002203965A (ja) | 半導体装置 | |
JP4154928B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2010141170A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3275850B2 (ja) | 高耐圧ダイオードとその製造方法 | |
JP3239448B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS5843907B2 (ja) | 半導体集積回路およびその回路プログラム方法 | |
JPH04323851A (ja) | 半導体装置 | |
US5880501A (en) | Semiconductor integrated circuit and manufacturing method of the same | |
JPH08195443A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2003152163A (ja) | 半導体保護装置 | |
JPH0541481A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPH1012746A (ja) | 半導体装置 | |
JP2006093361A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2003204069A (ja) | 半導体装置 | |
JPS5814573A (ja) | 半導体装置 | |
JP2010056362A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH05308139A (ja) | 半導体装置 | |
JPH10144894A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
TW442941B (en) | Transistor structure with electrostatic discharge protection ion implantation and the fabricating method of the same | |
JP2006108272A (ja) | ツェナーダイオード | |
JPH04196440A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041130 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050706 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070927 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071002 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071018 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080617 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080630 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120718 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |