JP4107347B2 - 赤外線センサおよび赤外線センサの製造方法 - Google Patents

赤外線センサおよび赤外線センサの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4107347B2
JP4107347B2 JP2007068475A JP2007068475A JP4107347B2 JP 4107347 B2 JP4107347 B2 JP 4107347B2 JP 2007068475 A JP2007068475 A JP 2007068475A JP 2007068475 A JP2007068475 A JP 2007068475A JP 4107347 B2 JP4107347 B2 JP 4107347B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical filter
package
adhesive
infrared sensor
peripheral wall
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007068475A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007288168A (ja
Inventor
浩仁 林
人司 多賀
健 武田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2007068475A priority Critical patent/JP4107347B2/ja
Priority to GB0816664A priority patent/GB2449596B/en
Priority to PCT/JP2007/055413 priority patent/WO2007108419A1/ja
Priority to CN2007800099513A priority patent/CN101405872B/zh
Publication of JP2007288168A publication Critical patent/JP2007288168A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4107347B2 publication Critical patent/JP4107347B2/ja
Priority to US12/233,901 priority patent/US7763855B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/10Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0216Coatings
    • H01L31/02161Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0232Optical elements or arrangements associated with the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/09Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Radiation Pyrometers (AREA)

Description

本願発明は、赤外線センサおよび赤外線センサの製造方法に関し、詳しくは、赤外線センサ素子を収容したパッケージの開口部に、赤外線センサ素子に所定の波長の赤外線を受光させる機能と、パッケージの開口部を封止する蓋としての機能とを同時に果たす光学フィルタを配設した構造を有する赤外線センサおよびその製造方法に関する。
従来の光半導体装置51として、図5に示すように、上面に凹部54aが形成された基体(パッケージ)54と、凹部54aの底面に載置された光半導体素子52と、基体54の上面の凹部54aの周囲に紫外線硬化型樹脂55を介して取着された板状の透光性蓋体(光学フィルタ)53とを備えた光半導体装置が提案されている(特許文献1参照)。
なお、この光半導体装置51においては、透光性蓋体53の凹部54a側の主面に所定の波長領域の光を遮断するための光学薄膜53aが被着されているとともに、光学薄膜53aのうち、基体54の上面の凹部54aの周囲に接着される領域53bの光学薄膜53aが機械的加工により除去されており、光学フィルタ機能を有する透光性蓋体53と基体54との接着強度を向上させることが可能になるとともに、低コストで作製することができる透光性蓋体53を備えた小型化、高信頼性の光半導体装置を提供することができるとされている。
しかしながら、上述のように、透光性蓋体(光学フィルタ)53の、基体(パッケージ)54との接着面の光学薄膜53aを除去し、その周囲を接着部として、基体(パッケージ)54に接着するようにした特許文献1の光半導体装置51には、以下のような問題点がある。
(1)高価な光学フィルタの受光面の外周部をパッケージと貼り合わせるため、光学フィルタとして機能しない部分が必要となり、コストの増大を招く。
(2)接着剤の塗布量や塗布状態にばらつきが生じ、接着不良や、接着部以外への接着剤の滲み出しにより、例えば、人体の検知や防犯機器などに用いられる赤外線センサに適用した場合、検知範囲が狭くなり、視野特性にばらつきが生じる。
(3)接着部の光学薄膜を除去して、接着時に十分な密着強度を得るためには、光学薄膜を化学的あるいは機械的な方法で除去する必要があり、製造工程が複雑になり、コストの増大を招く。
特開2003−163297号公報
本願発明は、上記課題を解決するものであり、視野が広く、高い信頼性を備えているとともに、経済性に優れた赤外線センサ、および、複雑な製造工程を必要とせずに、視野が広く、信頼性の高い赤外線センサを経済的に製造することが可能な赤外線センサの製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本願発明(請求項1)の赤外線センサは、
赤外線センサ素子と、
前記赤外線センサ素子が収納される、表面実装に対応したパッケージであって、1つの面が開口した箱型の形状を有するパッケージと、
全面が所定の波長の赤外線を透過させるように構成された光学フィルタであって、前記パッケージの開口部の全体を覆うように配設され、前記赤外線センサ素子に所定の波長の赤外線を受光させる機能と、前記パッケージの開口部を封止する蓋としての機能とを同時に果たす光学フィルタと
を具備する赤外線センサにおいて、
前記パッケージが、前記光学フィルタを支持する支持部であって、前記光学フィルタを支持する支持面が前記パッケージの周壁の上端部よりも低い位置に配置された支持部と、前記支持部に支持された前記光学フィルタの側面と前記パッケージの周壁との間に形成される隙間と連通する凹部とを備えており、
前記パッケージの開口部および前記光学フィルタの平面形状が方形であり、
前記凹部が前記開口部の四隅近傍の周壁に形成され、かつ、前記支持部が前記パッケージの四隅近傍に形成されているとともに、前記支持部の支持面が前記凹部の平面部分よりも低い位置に配置されており、
前記凹部の平面面積が、前記光学フィルタを支持している前記支持部の支持面の面積よりも大きく、かつ、
前記光学フィルタの側面と前記パッケージの周壁との間に形成される前記隙間が、毛細管現象により接着剤を浸入させることができるような隙間であり、
前記光学フィルタが、前記支持部に支持された状態で、前記パッケージの周壁と前記光学フィルタの側面との間の前記隙間に、毛細管現象によって浸入し、充填された接着剤により、前記パッケージに固定されていること
を特徴としている。
また、請求項の赤外線センサは、請求項記載の発明の構成において、前記接着剤が、前記パッケージの周壁と前記光学フィルタの側面との間に形成される隙間に、前記光学フィルタの全周に行き渡るように充填されており、前記パッケージの内部が気密になるように前記光学フィルタが配設されていることを特徴としている。
また、請求項の赤外線センサの製造方法は、
赤外線センサ素子と、
前記赤外線センサ素子が収納される、表面実装に対応したパッケージであって、1つの面が開口した箱型の形状を有するパッケージと、
全面が所定の波長の赤外線を透過させるように構成された光学フィルタであって、前記パッケージの開口部の全体を覆うように配設され、前記赤外線センサ素子に所定の波長の赤外線を受光させる機能と、前記パッケージの開口部を封止する蓋としての機能とを同時に果たす光学フィルタと
を具備する赤外線センサの製造方法において、
前記光学フィルタとして、平面形状が方形の光学フィルタを用いるとともに、前記パッケージとして、平面形状が方形である開口部と、前記光学フィルタを支持する支持部であって、前記光学フィルタを支持する支持面が前記パッケージの周壁の上端部よりも低い位置に配置された支持部と、前記支持部に支持された前記光学フィルタの側面と前記パッケージの周壁との間に形成される隙間と連通する凹部とを備え、前記凹部が前記開口部の四隅近傍の周壁に形成され、かつ、前記支持部が前記パッケージの四隅近傍に形成されているとともに、前記支持部の支持面が前記凹部の平面部分よりも低い位置に配置され、前記凹部の平面面積が、前記光学フィルタを支持する前記支持部の支持面の面積よりも大きく、かつ、前記光学フィルタの側面と前記パッケージの周壁との間に形成される前記隙間が、毛細管現象により接着剤を浸入させることができるような隙間であるパッケージを用い、
前記支持部に前記光学フィルタを支持させた状態で、前記凹部に接着剤を供給し、前記光学フィルタと前記パッケージの周壁との間に形成される隙間に、毛細管現象により接着剤を浸入させ、前記光学フィルタを、前記接着剤を介して、前記パッケージに固定すること
を特徴としている。
また、請求項の赤外線センサの製造方法は、請求項の発明の構成において、前記接着剤を、前記光学フィルタの全周に行き渡るように充填し、前記光学フィルタを、前記接着剤を介して、前記パッケージに固定することにより、前記パッケージの内部が気密になるような態様で、前記光学フィルタを前記パッケージに固定することを特徴としている。
本願発明(請求項1)の赤外線センサは、上述のように、パッケージが、光学フィルタを支持する支持面がパッケージの周壁の上端部よりも低い位置に配置された支持部と、支持部に支持された光学フィルタの側面と、パッケージの周壁との間に形成される隙間と連通する凹部とを備えており、凹部の平面面積が、光学フィルタを支持している支持部の支持面の面積よりも大きく、かつ、光学フィルタの側面とパッケージの周壁との間に形成される隙間が、毛細管現象により接着剤を浸入させることができるような隙間であり、光学フィルタが、支持部に支持された状態で、パッケージの周壁と光学フィルタの側面との間の隙間に、毛細管現象によって浸入し、充填された接着剤により、パッケージに固定された構造を有しているので、光学フィルタの光透過領域(受光領域)への接着剤の滲み出しなどがなく、所望の視野特性を有し、かつ、光学フィルタが接着剤を介してパッケージに確実に固定された、信頼性の高い赤外線センサを得ることが可能になる。
また、本願発明の赤外線センサにおいては、光学フィルタの光透過領域(受光領域)を、接着剤によりパッケージに固定するための接着しろとしていないので、高価な材料から形成される光学フィルタを効率よく利用して、コストの上昇を防止することが可能になる。
また、光学フィルタの受光面を接着しろとして用いないため、光学フィルタの受光面の光学薄膜を除去する工程が不要になり、この点でもコストの増大を抑制することが可能になる。
なお、本願発明において、「全面が所定の波長の赤外線を透過させるように構成された光学フィルタ」とは、実質的にほぼ全面が所定の波長の赤外線を透過させるような光学フィルタを意味するものである。
また、パッケージの開口部および光学フィルタの平面形状を方形としているので、構造が簡潔で、パッケージの周壁と光学フィルタの側面との間に形成される直線的な隙間に確実に接着剤が充填され、該接着剤により光学フィルタがより確実にパッケージに固定された信頼性の高い赤外線センサを得ることが可能になる。
なお、一般的に赤外線フィルタとして用いられる光学フィルタは高価であり、光学フィルタの親基板からの個々の光学フィルタの取り個数を多くするためには、光学フィルタの形状は方形であることが望ましい。また、親基板の分割加工の容易さの見地からも光学フィルタの形状は方形であることが望ましい。
また、凹部を開口部の四隅近傍の周壁に形成し、かつ、支持部をパッケージの四隅近傍に形成するとともに、支持部の支持面を凹部の平面部分よりも低い位置に配置するようにしているので、例えば、凹部に接着剤を供給して、接着剤を毛細管現象により、パッケージの周壁と光学フィルタの側面との間に形成される隙間に行き渡らせるというような製造方法により、所望の視野特性を有し、かつ、光学フィルタが接着剤を介してパッケージに確実に固定された、信頼性の高い赤外線センサを効率よく製造することが可能になり、本願発明をより実効あらしめることができる。
また、請求項2の赤外線センサのように、請求項1記載の発明の構成において、接着剤が、パッケージの周壁と、光学フィルタの側面との間に形成される隙間に、光学フィルタの全周に行き渡るように充填され、パッケージの内部が気密になるように光学フィルタがパッケージに固定された構成とすることにより、光学フィルタが接着剤を介してパッケージにさらに確実に固定され、かつ、内部が気密に保たれた、より信頼性の高い赤外線センサを提供することが可能になる。
すなわち、接着剤を、パッケージの周壁と光学フィルタの側面との間に形成される隙間に、光学フィルタの全周に行き渡るように浸入させて、パッケージの内部が気密になるように光学フィルタをパッケージの周壁に固着させることにより、光学フィルタが接着剤を介してパッケージに確実に固定され、かつ、内部が気密に保たれた信頼性の高い赤外線センサを提供することが可能になる。
また、請求項3の赤外線センサの製造方法は、上述のように、パッケージとして、光学フィルタを、光学フィルタを支持する支持面がパッケージの周壁の上端部よりも低い位置に配置された支持部と、支持部に支持された光学フィルタの側面とパッケージの周壁との間に形成される隙間と連通する凹部とを備え、凹部の平面面積が、光学フィルタを支持する支持部の支持面の面積よりも大きく、かつ、光学フィルタの側面とパッケージの周壁との間に形成される隙間が、毛細管現象により接着剤を浸入させることができるような隙間であるパッケージを用い、支持部に光学フィルタを支持させた状態で、凹部に接着剤を供給し、光学フィルタとパッケージの周壁との間に形成される隙間に、毛細管現象により接着剤を浸入させることにより、光学フィルタを、接着剤を介してパッケージに固定するようにしているので、光学フィルタが接着剤を介してパッケージに確実に固定され、かつ、光学フィルタの表面に滲み出した接着剤により光学フィルタの光透過領域(視野)の減少を招いたりすることがなく、視野が広く、信頼性の高い赤外線センサを効率よく製造することが可能になる。
なお、支持部に光学フィルタを支持させた状態で、凹部に接着剤を供給するだけで、光学フィルタの側面とパッケージの周壁との間に形成される隙間に、毛細管現象により接着剤を浸入させ、光学フィルタを、接着剤を介して、パッケージに固定することができるため、製造工程を簡略化して、製造コストの低減を図ることが可能になる。
また、光学フィルタをパッケージに接着するために適量の接着剤を、上記凹部に容易に貯留させることができるため、所望の光学フィルタの取付強度を安定して得ることが可能になり、信頼性を向上させることができる。
また、パッケージの前記開口部の平面形状を方形とし、光学フィルタの平面形状を方形とするようにしているので、光学フィルタとパッケージの周壁との間に形成される直線的な隙間に、毛細管現象により接着剤を浸入させることが可能になり、光学フィルタが接着剤により確実にパッケージに固定された信頼性の高い赤外線センサを効率よく製造することが可能になる。
また、凹部が開口部の四隅近傍の周壁に形成され、かつ、支持部がパッケージの四隅近傍に形成されているとともに、支持部の支持面が凹部の平面部分よりも低い位置に配置されたパッケージを用い、支持部に光学フィルタを支持させた状態で、凹部に接着剤を供給するようにしているので、接着剤の浸入の起点となる位置が光学フィルタの周縁のほぼ対称位置(対角位置)となるため、接着剤による光学フィルタのパッケージへの接合信頼性を向上させることが可能になり、本願発明をより実効あらしめることができる。
また、請求項の赤外線センサの製造方法のように、請求項の発明の構成において、接着剤を、光学フィルタの全周に行き渡るように充填し、光学フィルタを、接着剤を介して、パッケージに固定することにより、パッケージの内部が気密になるような態様で、光学フィルタをパッケージに固定するようにした場合、光学フィルタが接着剤を介してパッケージに確実に固定され、かつ、内部が気密に保たれた、より信頼性の高い赤外線センサを効率よく製造することが可能になる。
以下に本願発明の実施例を示して、本願発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
図1は本願発明の一実施例(実施例1)にかかる赤外線センサを示す分解斜視図、図2は赤外線センサを構成するパッケージに光学フィルタをセットした状態を示す図、図3はパッケージの凹部に接着剤を充填して、光学フィルタとパッケージの周壁との間に形成される隙間に、毛細管現象により接着剤を浸入させている状態を示す図、図4は本願発明の赤外線センサを構成する光学フィルタが接着剤を介してパッケージに固定された状態を示す断面図である。
この実施例の赤外線センサは、図1〜3に示すように、赤外線センサ素子1と、内部に配線パターンが配設され、赤外線センサ素子1が収納される、表面実装に対応した箱型の形状を有するパッケージ2と、全面が所定の波長の赤外線を透過させるように構成され、パッケージ2の開口部3の全体を覆うように配設され、赤外線センサ素子1に所定の波長の赤外線を受光させる機能と、パッケージ2の開口部3を封止する蓋としての機能とを同時に果たす光学フィルタ(赤外線フィルタ)4を備えている。
なお、赤外線センサを構成するパッケージ2の開口部3の平面形状が方形であり、光学フィルタ4も、その平面形状が、開口部3は平面形状に対応する方形とされている。なお、この実施例の赤外線センサにおいては、光学フィルタ4として、例えば、所定の波長の赤外線を通過させる単結晶シリコンを用いたものが使用されている。
また、赤外線センサを構成するパッケージ2は、金属製の本体21の主要部を、液晶ポリマー樹脂などからなる絶縁性被覆材22により被覆することにより形成されており、このパッケージ2の下部の所定の位置には、内部の配線パターンと導通する外部接続端子(外部電極)23が、パッケージ2の本体21とは絶縁された状態で設けられている。
そして、このパッケージ2は、光学フィルタ4を、パッケージ2の周壁12の上端部よりも低い位置で支持する支持部5と、支持部5に支持された光学フィルタ4の側面と、パッケージ2の周壁12との間に形成される隙間6と連通する凹部7とを備えており、光学フィルタ4が、支持部5に支持された状態で、パッケージ2の周壁12と、光学フィルタ4の側面14との間に充填された接着剤8により、パッケージ2に固定されている。
また、凹部7は開口部3の四隅近傍の周壁12の上面に形成されており、凹部7の形状は略円形とされており、その一部が、光学フィルタ4の側面とパッケージ2の周壁12との間に形成される隙間6と連通するように配設されている。
そして、接着剤8は、凹部7からパッケージ2の周壁12と光学フィルタ4の側面14との隙間6に、光学フィルタ4の全周に行き渡るように浸入しており、この接着剤8により、パッケージ2の内部が気密になるように光学フィルタ4の側面14がパッケージ2の周壁12に接着されている。
この実施例の赤外線センサにおいては、接着剤8がパッケージ2の周壁12と光学フィルタ4の側面14との隙間6に入り込むため、光学フィルタ4の光透過領域(受光領域)への接着剤の滲み出しなどがなく、所望の視野特性を得ることが可能になるとともに、光学フィルタ4が接着剤8を介してパッケージ2に確実に固定された、信頼性の高い赤外線センサを得ることが可能になる。
また、この実施例の赤外線センサにおいては、光学フィルタ4の光透過領域(受光領域)を、接着剤8によりパッケージ2に固定するための接着しろとしていないので、高価な材料から形成される光学フィルタ4を無駄なく、効率よく利用して、コスト上昇を防止することが可能になる。
さらに、光学フィルタ4の光透過領域を接着しろとして用いないため、例えば、従来は必要であった、光学フィルタの光透過領域に形成された光学薄膜を除去する工程が不要になり、この点でもコストの増大を抑制することができる。
また、パッケージ2の開口部3および光学フィルタ4の平面形状を方形とし、凹部7を開口部3の四隅近傍の周壁12の上面に形成しているので、構造が簡潔で、パッケージ2の周壁12と光学フィルタ4の側面14との間に形成される隙間6に確実に接着剤8を充填することが可能で、該接着剤8により光学フィルタ4がより確実にパッケージ2に固定された信頼性の高い赤外線センサを得ることができる。
また、凹部7の平面面積は、光学フィルタ4を支持している支持部5の支持面の面積よりも大きいことが望ましい。パッケージ2の四隅近傍は接着剤を塗布しづらいが、凹部7の面積を光学フィルタ4の支持部5よりも大きくとることにより、接着剤8の塗布量を十分に確保することができ、光学フィルタ4の四隅を確実に接着剤8によりパッケージ2に接続することが可能になり、構造上の気密性を安定させることが可能になる。
また、例えば、単結晶シリコンを用いた光学フィルタ4は高価であり、光学フィルタ用の親基板からの個々の光学フィルタの取り個数を多くするためには、上記実施例の赤外線センサのように、光学フィルタ4の形状を方形とすることが望ましい。また、親基板の分割加工の容易さの見地からも光学フィルタの形状は方形であることが望ましい。
さらに、この実施例の赤外線センサにおいては、接着剤8が、パッケージ2の周壁12と、光学フィルタ4の側面14との間の隙間6に、光学フィルタ4の全周を取り囲むように充填され、パッケージ2の内部が気密になるように構成されているので、気密に保たれたパッケージ2の内部に赤外線センサ素子1が収納され、かつ、開口部3を封止する蓋としての機能を果たす光学フィルタ4が確実にパッケージ2の開口部3に固定された信頼性の高い赤外線センサを提供することができる。
次に、上記赤外線センサの製造方法の特徴について説明する。
この実施例の赤外線センサを製造するにあたっては、図1に示すように、パッケージ2として、光学フィルタ4を、パッケージ2の周壁12の上端部よりも低い位置で支持する支持部5と、支持部5に支持された光学フィルタ4の側面14とパッケージ2の周壁12との間に形成される隙間6と連通する凹部7(パッケージ2の周壁12の四隅の上面に配設された平面形状が円形の凹部7)と、を備えたパッケージを用意する。
また、光学フィルタ4として、その側面14とパッケージ2の周壁12との間に、0.02〜0.1mm程度の隙間6が形成されるようなサイズの光学フィルタを用意する。
それから、支持部5に光学フィルタ4を支持させる。このとき、上述のように、光学フィルタ4の側面14とパッケージ2の周壁12との間に、0.02〜0.1mm程度の隙間6が形成される。
そして、パッケージ2の周壁12の上面の四隅に形成された凹部7のそれぞれに、所定の流動性を有する接着剤8を一定量供給し、各凹部7から、光学フィルタ4とパッケージ2の周壁12との間の、幅が0.02〜0.1mm程度の隙間6に、毛細管現象により接着剤8を浸入させ、光学フィルタ4の全周に行き渡らせる。
次に、例えば、接着剤8が熱硬化性の接着剤である場合には、所定の温度に加熱して接着剤8を硬化させ、光学フィルタ4を、接着剤8を介して、パッケージ2の開口部3の近傍の周壁12に固定する。
これにより、光学フィルタ4が接着剤8を介してパッケージ2に確実に固定され、かつ、内部が気密に保たれた、信頼性の高い赤外線センサが得られる。
上述の製造方法によれば、上述のような凹部7を備えたパッケージ2を用い、支持部5に光学フィルタ4を支持させた状態で、凹部7に接着剤8を供給するだけで、光学フィルタ4とパッケージ2の周壁12との隙間6に、毛細管現象により接着剤8を浸入させることが可能になり、複雑な製造工程を必要とせず、しかも接着剤8が光学フィルタ4の光透過領域を遮ることにより、光学フィルタ4の光透過領域の減少を招くことなく、効率よく信頼性の高い赤外線センサを製造することができる。
また、凹部7の配設個数にも特別の制約はなく、光学フィルタ4の寸法、接着剤8の粘度などの関係を考慮して、任意の個数とすることが可能である。
また、上記実施例では、接着剤8を光学フィルタ4の全周に行き渡らせるようにしたが、場合によっては、接着剤8が光学フィルタ4の全周には行き渡らず、部分的な位置で光学フィルタ4がパッケージ2に接合されるように構成することも可能である。
本願発明はさらにその他の点においても上記実施例に限定されるものではなく、赤外線センサ素子の具体的な構成、パッケージおよび光学フィルタの寸法や形状、パッケージに形成される凹部の深さや平面面積、平面形状、凹部の、底面に垂直な方向の断面形状、光学フィルタの具体的な構成や、光学フィルタを構成する材料の種類、接着剤の種類や粘度などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
上述のように、本願発明によれば、支持部に光学フィルタを支持させた状態で、パッケージの周壁の凹部に接着剤を供給し、光学フィルタとパッケージの周壁との隙間に、毛細管現象により接着剤を浸入させることにより、光学フィルタの側面を、接着剤を介して、パッケージに固定するようにしているので、光学フィルタの光透過領域の減少を招くことなく、光学フィルタが接着剤を介してパッケージに確実に固定された、視野が広く、信頼性の高い赤外線センサを効率よく製造することが可能になる。
したがって、本願発明は、人体の検知や、防犯機器などに用いられる汎用の赤外線センサの分野に広く利用することが可能である。
本願発明の実施例(実施例1)にかかる赤外線センサを示す分解斜視図である。 本願発明の実施例にかかる赤外線センサを構成するパッケージに光学フィルタをセットした状態を示す図である。 本願発明の実施例にかかる赤外線センサを製造する工程において、パッケージの凹部に接着剤を充填して、光学フィルタとパッケージの周壁との隙間に、毛細管現象により接着剤を浸入させている状態を示す図である。 本願発明の実施例にかかる赤外線センサを構成する光学フィルタが接着剤を介してパッケージに固定された状態を示す断面図である。 従来の光半導体装置の構成を示す図である。
符号の説明
1 赤外線センサ素子
2 パッケージ
3 開口部
4 光学フィルタ(赤外線フィルタ)
5 支持部
6 隙間
7 凹部
8 接着剤
12 パッケージの周壁
14 光学フィルタの側面
21 本体
22 絶縁性被覆材
23 外部接続端子(外部電極)

Claims (4)

  1. 赤外線センサ素子と、
    前記赤外線センサ素子が収納される、表面実装に対応したパッケージであって、1つの面が開口した箱型の形状を有するパッケージと、
    全面が所定の波長の赤外線を透過させるように構成された光学フィルタであって、前記パッケージの開口部の全体を覆うように配設され、前記赤外線センサ素子に所定の波長の赤外線を受光させる機能と、前記パッケージの開口部を封止する蓋としての機能とを同時に果たす光学フィルタと
    を具備する赤外線センサにおいて、
    前記パッケージが、前記光学フィルタを支持する支持部であって、前記光学フィルタを支持する支持面が前記パッケージの周壁の上端部よりも低い位置に配置された支持部と、前記支持部に支持された前記光学フィルタの側面と前記パッケージの周壁との間に形成される隙間と連通する凹部とを備えており、
    前記パッケージの開口部および前記光学フィルタの平面形状が方形であり、
    前記凹部が前記開口部の四隅近傍の周壁に形成され、かつ、前記支持部が前記パッケージの四隅近傍に形成されているとともに、前記支持部の支持面が前記凹部の平面部分よりも低い位置に配置されており、
    前記凹部の平面面積が、前記光学フィルタを支持している前記支持部の支持面の面積よりも大きく、かつ、
    前記光学フィルタの側面と前記パッケージの周壁との間に形成される前記隙間が、毛細管現象により接着剤を浸入させることができるような隙間であり、
    前記光学フィルタが、前記支持部に支持された状態で、前記パッケージの周壁と前記光学フィルタの側面との間の前記隙間に、毛細管現象によって浸入し、充填された接着剤により、前記パッケージに固定されていること
    を特徴とする赤外線センサ。
  2. 前記接着剤が、前記パッケージの周壁と前記光学フィルタの側面との間に形成される隙間に、前記光学フィルタの全周に行き渡るように充填されており、前記パッケージの内部が気密になるように前記光学フィルタが配設されていることを特徴とする請求項1記載の赤外線センサ。
  3. 赤外線センサ素子と、
    前記赤外線センサ素子が収納される、表面実装に対応したパッケージであって、1つの面が開口した箱型の形状を有するパッケージと、
    全面が所定の波長の赤外線を透過させるように構成された光学フィルタであって、前記パッケージの開口部の全体を覆うように配設され、前記赤外線センサ素子に所定の波長の赤外線を受光させる機能と、前記パッケージの開口部を封止する蓋としての機能とを同時に果たす光学フィルタと
    を具備する赤外線センサの製造方法において、
    前記光学フィルタとして、平面形状が方形の光学フィルタを用いるとともに、前記パッケージとして、平面形状が方形である開口部と、前記光学フィルタを支持する支持部であって、前記光学フィルタを支持する支持面が前記パッケージの周壁の上端部よりも低い位置に配置された支持部と、前記支持部に支持された前記光学フィルタの側面と前記パッケージの周壁との間に形成される隙間と連通する凹部とを備え、前記凹部が前記開口部の四隅近傍の周壁に形成され、かつ、前記支持部が前記パッケージの四隅近傍に形成されているとともに、前記支持部の支持面が前記凹部の平面部分よりも低い位置に配置され、前記凹部の平面面積が、前記光学フィルタを支持する前記支持部の支持面の面積よりも大きく、かつ、前記光学フィルタの側面と前記パッケージの周壁との間に形成される前記隙間が、毛細管現象により接着剤を浸入させることができるような隙間であるパッケージを用い、
    前記支持部に前記光学フィルタを支持させた状態で、前記凹部に接着剤を供給し、前記光学フィルタと前記パッケージの周壁との間に形成される隙間に、毛細管現象により接着剤を浸入させ、前記光学フィルタを、前記接着剤を介して、前記パッケージに固定すること
    を特徴とする赤外線センサの製造方法。
  4. 前記接着剤を、前記光学フィルタの全周に行き渡るように充填し、前記光学フィルタを、前記接着剤を介して、前記パッケージに固定することにより、前記パッケージの内部が気密になるような態様で、前記光学フィルタを前記パッケージに固定することを特徴とする請求項記載の赤外線センサの製造方法。
JP2007068475A 2006-03-22 2007-03-16 赤外線センサおよび赤外線センサの製造方法 Active JP4107347B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007068475A JP4107347B2 (ja) 2006-03-22 2007-03-16 赤外線センサおよび赤外線センサの製造方法
GB0816664A GB2449596B (en) 2006-03-22 2007-03-16 Infrared sensor and method for manufacturing infrared sensor
PCT/JP2007/055413 WO2007108419A1 (ja) 2006-03-22 2007-03-16 赤外線センサおよび赤外線センサの製造方法
CN2007800099513A CN101405872B (zh) 2006-03-22 2007-03-16 红外传感器及其制造方法
US12/233,901 US7763855B2 (en) 2006-03-22 2008-09-19 Infrared sensor and method for manufacturing infrared sensor

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006079506 2006-03-22
JP2006079506 2006-03-22
JP2007068475A JP4107347B2 (ja) 2006-03-22 2007-03-16 赤外線センサおよび赤外線センサの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007288168A JP2007288168A (ja) 2007-11-01
JP4107347B2 true JP4107347B2 (ja) 2008-06-25

Family

ID=38522448

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007068475A Active JP4107347B2 (ja) 2006-03-22 2007-03-16 赤外線センサおよび赤外線センサの製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7763855B2 (ja)
JP (1) JP4107347B2 (ja)
CN (1) CN101405872B (ja)
GB (1) GB2449596B (ja)
WO (1) WO2007108419A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102194070B1 (ko) * 2020-06-19 2020-12-22 주식회사 에스엠에스 모듈화된 세미 허메틱 구조를 구비한 압력센서

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5430071B2 (ja) * 2008-03-11 2014-02-26 キヤノン株式会社 光学素子の保持機構および撮像装置
JP5312250B2 (ja) * 2009-07-29 2013-10-09 京セラ株式会社 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JP2011054597A (ja) * 2009-08-31 2011-03-17 Kyocera Kinseki Corp 電子デバイス
US10973656B2 (en) 2009-09-18 2021-04-13 Spinal Surgical Strategies, Inc. Bone graft delivery system and method for using same
US8665364B2 (en) 2010-06-25 2014-03-04 Omnivision Technologies, Inc. Reinforcement structure for wafer-level camera module
TWI505704B (zh) * 2011-09-14 2015-10-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 相機模組組裝方法及相機模組
CN103715208B (zh) * 2012-09-28 2016-12-21 意法半导体研发(深圳)有限公司 具有粘合填充开口的成像器件及相关方法
US9528879B2 (en) 2013-01-21 2016-12-27 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Infrared detection element, infrared detector, and infrared type gas sensor
FR3050831B1 (fr) * 2016-04-29 2018-04-27 Silios Technologies Dispositif d'imagerie multispectrale
US11934028B2 (en) * 2018-10-11 2024-03-19 Mitsubishi Electric Corporation Optical multiplexer/demultiplexer
CN113382671B (zh) * 2019-03-18 2024-05-14 奥林巴斯株式会社 内窥镜的前端单元和内窥镜
TWI692068B (zh) * 2019-08-07 2020-04-21 勝麗國際股份有限公司 封裝元件
IL292624A (en) 2019-11-05 2022-07-01 Nippon Ceram Co Ltd Infrared sensor on a surface

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0743780U (ja) * 1991-10-04 1995-09-12 株式会社大真空 表面実装型赤外線検出器
JPH07183415A (ja) * 1993-11-12 1995-07-21 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH0815007A (ja) * 1994-06-29 1996-01-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 赤外線センサおよびその製造方法
JP3189653B2 (ja) * 1995-12-12 2001-07-16 株式会社村田製作所 赤外線センサの製造方法
JP4004705B2 (ja) * 2000-02-29 2007-11-07 松下電器産業株式会社 撮像装置と撮像装置組立方法
JP3073059U (ja) * 2000-05-09 2000-11-14 船井電機株式会社 レンズホルダ
JP2002071457A (ja) * 2000-08-31 2002-03-08 Fuji Denshi Kogyo Kk 光センサのフィルタ取付構造
JP3766628B2 (ja) 2001-11-28 2006-04-12 京セラ株式会社 光半導体装置
US6825540B2 (en) * 2001-12-05 2004-11-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Miniaturized, resin-sealed solid state imaging apparatus
JP2003174574A (ja) * 2001-12-05 2003-06-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
JP4670251B2 (ja) * 2004-04-13 2011-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2006120862A1 (ja) * 2005-05-11 2006-11-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. 赤外線センサおよびその製造方法
CN101175977B (zh) * 2005-05-11 2010-07-14 株式会社村田制作所 红外线传感器
WO2008084812A1 (ja) * 2007-01-09 2008-07-17 Panasonic Corporation 撮像装置、その製造方法及び携帯端末装置
US7598580B1 (en) * 2008-05-15 2009-10-06 Kingpak Technology Inc. Image sensor module package structure with supporting element

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102194070B1 (ko) * 2020-06-19 2020-12-22 주식회사 에스엠에스 모듈화된 세미 허메틱 구조를 구비한 압력센서

Also Published As

Publication number Publication date
US20090026372A1 (en) 2009-01-29
GB0816664D0 (en) 2008-10-22
CN101405872A (zh) 2009-04-08
JP2007288168A (ja) 2007-11-01
GB2449596B (en) 2011-04-20
CN101405872B (zh) 2011-04-20
US7763855B2 (en) 2010-07-27
WO2007108419A1 (ja) 2007-09-27
GB2449596A (en) 2008-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4107347B2 (ja) 赤外線センサおよび赤外線センサの製造方法
US7566874B2 (en) Infrared sensor and its manufacturing method
JP4702366B2 (ja) 赤外線センサ
JP5496552B2 (ja) 上部感知プレート設計システム中のダイ上のゲッター
US9250126B2 (en) Optical sensing element arrangement with integral package
JP2007128987A (ja) 半導体パッケージおよびこれを用いた半導体装置
CN107546194B (zh) 用于具有玻璃顶盖的混合式光学封装的结构和方法
KR20150031710A (ko) 가스센서패키지 및 그 제조방법
JPWO2011018973A1 (ja) Memsセンサパッケージ
JP5229271B2 (ja) 半導体装置
JPH09178549A (ja) 赤外線検出器
JP2006220564A (ja) 半導体力センサ
JPWO2006112122A1 (ja) 赤外線センサ
JP2010087321A (ja) Memsモジュール
US10573677B2 (en) Semiconductor device on which a transparent plate is disposed for exposing an element region
JP5358056B2 (ja) 電子部品装置
JP5589961B2 (ja) 角速度センサ装置
JP6249865B2 (ja) 半導体圧力センサおよびその製造方法
JP2011060920A (ja) 固体撮像装置
JP2007335481A (ja) 半導体装置
JP2006156528A (ja) 半導体装置
JP2017079219A (ja) 熱電素子ユニット、光学装置
JP2005353810A (ja) 受光装置、測距装置及びカメラモジュール並びにこれらの製造方法
JP2006138704A (ja) 赤外線センサ
JP2009099763A (ja) 中空パッケージを用いた半導体装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070910

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20071113

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080115

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080206

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20080214

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080311

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080324

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110411

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4107347

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110411

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120411

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130411

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140411

Year of fee payment: 6