JP2007288168A - 赤外線センサおよび赤外線センサの製造方法 - Google Patents
赤外線センサおよび赤外線センサの製造方法 Download PDFInfo
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 78
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 537
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 247
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 241
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 164
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 26
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 14
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
【解決手段】パッケージ2として、光学フィルタ4を、パッケージ2の周壁12の上端部よりも低い位置で支持する支持部5と、支持部5に支持された光学フィルタ4の側面14と、パッケージ2の周壁12との間に形成される隙間6と連通する凹部7とを備えたパッケージを用い、支持部5に光学フィルタ4を支持させた状態で、凹部7に接着剤8を供給し、光学フィルタ4とパッケージ2の周壁12との隙間6に、毛細管現象により接着剤8を浸入させ、光学フィルタ4を、接着剤8を介して、パッケージ2の開口部3に固定する。
接着剤8を、光学フィルタ4の全周を取り囲むように充填し、光学フィルタ4を、接着剤8を介して、パッケージ2に固定する。
【選択図】図3
Description
(2)接着剤の塗布量や塗布状態にばらつきが生じ、接着不良や、接着部以外への接着剤の滲み出しにより、例えば、人体の検知や防犯機器などに用いられる赤外線センサに適用した場合、検知範囲が狭くなり、視野特性にばらつきが生じる。
(3)接着部の光学薄膜を除去して、接着時に十分な密着強度を得るためには、光学薄膜を化学的あるいは機械的な方法で除去する必要があり、製造工程が複雑になり、コストの増大を招く。
赤外線センサ素子と、
前記赤外線センサ素子が収納される、表面実装に対応したパッケージであって、1つの面が開口した箱型の形状を有するパッケージと、
全面が所定の波長の赤外線を透過させるように構成された光学フィルタであって、前記パッケージの開口部の全体を覆うように配設され、前記赤外線センサ素子に所定の波長の赤外線を受光させる機能と、前記パッケージの開口部を封止する蓋としての機能とを同時に果たす光学フィルタと
を具備する赤外線センサにおいて、
前記パッケージが、前記光学フィルタを、前記パッケージの周壁の上端部よりも低い位置で支持する支持部と、前記支持部に支持された前記光学フィルタの側面と前記パッケージの周壁との間に形成される隙間と連通する凹部とを備えており、
前記光学フィルタが、前記支持部に支持された状態で、前記パッケージの周壁と前記光学フィルタの側面との間に充填された接着剤により、前記パッケージに固定されていること
を特徴としている。
赤外線センサ素子と、
前記赤外線センサ素子が収納される、表面実装に対応したパッケージであって、1つの面が開口した箱型の形状を有するパッケージと、
全面が所定の波長の赤外線を透過させるように構成された光学フィルタであって、前記パッケージの開口部の全体を覆うように配設され、前記赤外線センサ素子に所定の波長の赤外線を受光させる機能と、前記パッケージの開口部を封止する蓋としての機能とを同時に果たす光学フィルタと
を具備する赤外線センサの製造方法において、
前記パッケージとして、前記光学フィルタを、前記パッケージの周壁の上端部よりも低い位置で支持する支持部と、前記支持部に支持された前記光学フィルタの側面と、前記パッケージの周壁との間に形成される隙間と連通する凹部とを備えたパッケージを用い、
前記支持部に前記光学フィルタを支持させた状態で、前記凹部に接着剤を供給し、前記光学フィルタと前記パッケージの周壁との間に形成される隙間に、毛細管現象により接着剤を浸入させ、前記光学フィルタを、前記接着剤を介して、前記パッケージに固定すること
を特徴としている。
また、本願発明の赤外線センサにおいては、光学フィルタの光透過領域(受光領域)を、接着剤によりパッケージに固定するための接着しろとしていないので、高価な材料から形成される光学フィルタを効率よく利用して、コストの上昇を防止することが可能になる。
また、光学フィルタの受光面を接着しろとして用いないため、光学フィルタの受光面の光学薄膜を除去する工程が不要になり、この点でもコストの増大を抑制することが可能になる。
なお、本願発明において、「全面が所定の波長の赤外線を透過させるように構成された光学フィルタ」とは、実質的にほぼ全面が所定の波長の赤外線を透過させるような光学フィルタを意味するものである。
なお、一般的に赤外線フィルタとして用いられる光学フィルタは高価であり、光学フィルタの親基板からの個々の光学フィルタの取り個数を多くするためには、光学フィルタの形状は方形であることが望ましい。また、親基板の分割加工の容易さの見地からも光学フィルタの形状は方形であることが望ましい。
すなわち、接着剤を、パッケージの周壁と光学フィルタの側面との間に形成される隙間に、光学フィルタの全周に行き渡るように浸入させて、パッケージの内部が気密になるように光学フィルタをパッケージの周壁に固着させることにより、光学フィルタが接着剤を介してパッケージに確実に固定され、かつ、内部が気密に保たれた信頼性の高い赤外線センサを提供することが可能になる。
なお、支持部に光学フィルタを支持させた状態で、凹部に接着剤を供給するだけで、光学フィルタの側面とパッケージの周壁との間に形成される隙間に、毛細管現象により接着剤を浸入させ、光学フィルタを、接着剤を介して、パッケージに固定することができるため、製造工程を簡略化して、製造コストの低減を図ることが可能になる。
また、光学フィルタをパッケージに接着するために適量の接着剤を、上記凹部に容易に貯留させることができるため、所望の光学フィルタの取付強度を安定して得ることが可能になり、信頼性を向上させることができる。
なお、赤外線センサを構成するパッケージ2の開口部3の平面形状が方形であり、光学フィルタ4も、その平面形状が、開口部3は平面形状に対応する方形とされている。なお、この実施例の赤外線センサにおいては、光学フィルタ4として、例えば、所定の波長の赤外線を通過させる単結晶シリコンを用いたものが使用されている。
また、凹部7の平面面積は、光学フィルタ4を支持している支持部5の支持面の面積よりも大きいことが望ましい。パッケージ2の四隅近傍は接着剤を塗布しづらいが、凹部7の面積を光学フィルタ4の支持部5よりも大きくとることにより、接着剤8の塗布量を十分に確保することができ、光学フィルタ4の四隅を確実に接着剤8によりパッケージ2に接続することが可能になり、構造上の気密性を安定させることが可能になる。
この実施例の赤外線センサを製造するにあたっては、図1に示すように、パッケージ2として、光学フィルタ4を、パッケージ2の周壁12の上端部よりも低い位置で支持する支持部5と、支持部5に支持された光学フィルタ4の側面14とパッケージ2の周壁12との間に形成される隙間6と連通する凹部7(パッケージ2の周壁12の四隅の上面に配設された平面形状が円形の凹部7)と、を備えたパッケージを用意する。
したがって、本願発明は、人体の検知や、防犯機器などに用いられる汎用の赤外線センサの分野に広く利用することが可能である。
2 パッケージ
3 開口部
4 光学フィルタ(赤外線フィルタ)
5 支持部
6 隙間
7 凹部
8 接着剤
12 パッケージの周壁
14 光学フィルタの側面
21 本体
22 絶縁性被覆材
23 外部接続端子(外部電極)
(2)接着剤の塗布量や塗布状態にばらつきが生じ、接着不良や、接着部以外への接着剤の滲み出しにより、例えば、人体の検知や防犯機器などに用いられる赤外線センサに適用した場合、検知範囲が狭くなり、視野特性にばらつきが生じる。
(3)接着部の光学薄膜を除去して、接着時に十分な密着強度を得るためには、光学薄膜を化学的あるいは機械的な方法で除去する必要があり、製造工程が複雑になり、コストの増大を招く。
赤外線センサ素子と、
前記赤外線センサ素子が収納される、表面実装に対応したパッケージであって、1つの面が開口した箱型の形状を有するパッケージと、
全面が所定の波長の赤外線を透過させるように構成された光学フィルタであって、前記パッケージの開口部の全体を覆うように配設され、前記赤外線センサ素子に所定の波長の赤外線を受光させる機能と、前記パッケージの開口部を封止する蓋としての機能とを同時に果たす光学フィルタと
を具備する赤外線センサにおいて、
前記パッケージが、前記光学フィルタを支持する支持部であって、前記光学フィルタを支持する支持面が前記パッケージの周璧の上端部よりも低い位置に配置された支持部と、前記支持部に支持された前記光学フィルタの側面と前記パッケージの周壁との間に形成される隙間と連通する凹部とを備えており、
前記凹部の平面面積が、前記光学フィルタを支持している前記支持部の支持面の面積よりも大きく、かつ、
前記光学フィルタが、前記支持部に支持された状態で、前記パッケージの周壁と前記光学フィルタの側面との間に充填された接着剤により、前記パッケージに固定されていること
を特徴としている。
赤外線センサ素子と、
前記赤外線センサ素子が収納される、表面実装に対応したパッケージであって、1つの面が開口した箱型の形状を有するパッケージと、
全面が所定の波長の赤外線を透過させるように構成された光学フィルタであって、前記パッケージの開口部の全体を覆うように配設され、前記赤外線センサ素子に所定の波長の赤外線を受光させる機能と、前記パッケージの開口部を封止する蓋としての機能とを同時に果たす光学フィルタと
を具備する赤外線センサの製造方法において、
前記パッケージとして、前記光学フィルタを支持する支持部であって、前記光学フィルタを支持する支持面が前記パッケージの周璧の上端部よりも低い位置に配置された支持部と、前記支持部に支持された前記光学フィルタの側面と前記パッケージの周壁との間に形成される隙間と連通する凹部とを備え、前記凹部の平面面積が、前記光学フィルタを支持する前記支持部の支持面の面積よりも大きいパッケージを用い、
前記支持部に前記光学フィルタを支持させた状態で、前記凹部に接着剤を供給し、前記光学フィルタと前記パッケージの周壁との間に形成される隙間に、毛細管現象により接着剤を浸入させ、前記光学フィルタを、前記接着剤を介して、前記パッケージに固定すること
を特徴としている。
また、本願発明の赤外線センサにおいては、光学フィルタの光透過領域(受光領域)を、接着剤によりパッケージに固定するための接着しろとしていないので、高価な材料から形成される光学フィルタを効率よく利用して、コストの上昇を防止することが可能になる。
また、光学フィルタの受光面を接着しろとして用いないため、光学フィルタの受光面の光学薄膜を除去する工程が不要になり、この点でもコストの増大を抑制することが可能になる。
なお、本願発明において、「全面が所定の波長の赤外線を透過させるように構成された光学フィルタ」とは、実質的にほぼ全面が所定の波長の赤外線を透過させるような光学フィルタを意味するものである。
なお、一般的に赤外線フィルタとして用いられる光学フィルタは高価であり、光学フィルタの親基板からの個々の光学フィルタの取り個数を多くするためには、光学フィルタの形状は方形であることが望ましい。また、親基板の分割加工の容易さの見地からも光学フィルタの形状は方形であることが望ましい。
すなわち、接着剤を、パッケージの周壁と光学フィルタの側面との間に形成される隙間に、光学フィルタの全周に行き渡るように浸入させて、パッケージの内部が気密になるように光学フィルタをパッケージの周壁に固着させることにより、光学フィルタが接着剤を介してパッケージに確実に固定され、かつ、内部が気密に保たれた信頼性の高い赤外線センサを提供することが可能になる。
なお、支持部に光学フィルタを支持させた状態で、凹部に接着剤を供給するだけで、光学フィルタの側面とパッケージの周壁との間に形成される隙間に、毛細管現象により接着剤を浸入させ、光学フィルタを、接着剤を介して、パッケージに固定することができるため、製造工程を簡略化して、製造コストの低減を図ることが可能になる。
また、光学フィルタをパッケージに接着するために適量の接着剤を、上記凹部に容易に貯留させることができるため、所望の光学フィルタの取付強度を安定して得ることが可能になり、信頼性を向上させることができる。
なお、赤外線センサを構成するパッケージ2の開口部3の平面形状が方形であり、光学フィルタ4も、その平面形状が、開口部3は平面形状に対応する方形とされている。なお、この実施例の赤外線センサにおいては、光学フィルタ4として、例えば、所定の波長の赤外線を通過させる単結晶シリコンを用いたものが使用されている。
また、凹部7の平面面積は、光学フィルタ4を支持している支持部5の支持面の面積よりも大きいことが望ましい。パッケージ2の四隅近傍は接着剤を塗布しづらいが、凹部7の面積を光学フィルタ4の支持部5よりも大きくとることにより、接着剤8の塗布量を十分に確保することができ、光学フィルタ4の四隅を確実に接着剤8によりパッケージ2に接続することが可能になり、構造上の気密性を安定させることが可能になる。
この実施例の赤外線センサを製造するにあたっては、図1に示すように、パッケージ2として、光学フィルタ4を、パッケージ2の周壁12の上端部よりも低い位置で支持する支持部5と、支持部5に支持された光学フィルタ4の側面14とパッケージ2の周壁12との間に形成される隙間6と連通する凹部7(パッケージ2の周壁12の四隅の上面に配設された平面形状が円形の凹部7)と、を備えたパッケージを用意する。
したがって、本願発明は、人体の検知や、防犯機器などに用いられる汎用の赤外線センサの分野に広く利用することが可能である。
2 パッケージ
3 開口部
4 光学フィルタ(赤外線フィルタ)
5 支持部
6 隙間
7 凹部
8 接着剤
12 パッケージの周壁
14 光学フィルタの側面
21 本体
22 絶縁性被覆材
23 外部接続端子(外部電極)
(2)接着剤の塗布量や塗布状態にばらつきが生じ、接着不良や、接着部以外への接着剤の滲み出しにより、例えば、人体の検知や防犯機器などに用いられる赤外線センサに適用した場合、検知範囲が狭くなり、視野特性にばらつきが生じる。
(3)接着部の光学薄膜を除去して、接着時に十分な密着強度を得るためには、光学薄膜を化学的あるいは機械的な方法で除去する必要があり、製造工程が複雑になり、コストの増大を招く。
赤外線センサ素子と、
前記赤外線センサ素子が収納される、表面実装に対応したパッケージであって、1つの面が開口した箱型の形状を有するパッケージと、
全面が所定の波長の赤外線を透過させるように構成された光学フィルタであって、前記パッケージの開口部の全体を覆うように配設され、前記赤外線センサ素子に所定の波長の赤外線を受光させる機能と、前記パッケージの開口部を封止する蓋としての機能とを同時に果たす光学フィルタと
を具備する赤外線センサにおいて、
前記パッケージが、前記光学フィルタを支持する支持部であって、前記光学フィルタを支持する支持面が前記パッケージの周壁の上端部よりも低い位置に配置された支持部と、前記支持部に支持された前記光学フィルタの側面と前記パッケージの周壁との間に形成される隙間と連通する凹部とを備えており、
前記パッケージの開口部および前記光学フィルタの平面形状が方形であり、
前記凹部が前記開口部の四隅近傍の周壁に形成され、かつ、前記支持部が前記パッケージの四隅近傍に形成されているとともに、前記支持部の支持面が前記凹部の平面部分よりも低い位置に配置されており、
前記凹部の平面面積が、前記光学フィルタを支持している前記支持部の支持面の面積よりも大きく、かつ、
前記光学フィルタが、前記支持部に支持された状態で、前記パッケージの周壁と前記光学フィルタの側面との間に充填された接着剤により、前記パッケージに固定されていること
を特徴としている。
赤外線センサ素子と、
前記赤外線センサ素子が収納される、表面実装に対応したパッケージであって、1つの面が開口した箱型の形状を有するパッケージと、
全面が所定の波長の赤外線を透過させるように構成された光学フィルタであって、前記パッケージの開口部の全体を覆うように配設され、前記赤外線センサ素子に所定の波長の赤外線を受光させる機能と、前記パッケージの開口部を封止する蓋としての機能とを同時に果たす光学フィルタと
を具備する赤外線センサの製造方法において、
前記光学フィルタとして、平面形状が方形の光学フィルタを用いるとともに、 前記パッケージとして、平面形状が方形である開口部と、前記光学フィルタを支持する支持部であって、前記光学フィルタを支持する支持面が前記パッケージの周壁の上端部よりも低い位置に配置された支持部と、前記支持部に支持された前記光学フィルタの側面と前記パッケージの周壁との間に形成される隙間と連通する凹部とを備え、前記凹部が前記開口部の四隅近傍の周壁に形成され、かつ、前記支持部が前記パッケージの四隅近傍に形成されているとともに、前記支持部の支持面が前記凹部の平面部分よりも低い位置に配置され、前記凹部の平面面積が、前記光学フィルタを支持する前記支持部の支持面の面積よりも大きいパッケージを用い、
前記支持部に前記光学フィルタを支持させた状態で、前記凹部に接着剤を供給し、前記光学フィルタと前記パッケージの周壁との間に形成される隙間に、毛細管現象により接着剤を浸入させ、前記光学フィルタを、前記接着剤を介して、前記パッケージに固定すること
を特徴としている。
また、本願発明の赤外線センサにおいては、光学フィルタの光透過領域(受光領域)を、接着剤によりパッケージに固定するための接着しろとしていないので、高価な材料から形成される光学フィルタを効率よく利用して、コストの上昇を防止することが可能になる。
また、光学フィルタの受光面を接着しろとして用いないため、光学フィルタの受光面の光学薄膜を除去する工程が不要になり、この点でもコストの増大を抑制することが可能になる。
なお、本願発明において、「全面が所定の波長の赤外線を透過させるように構成された光学フィルタ」とは、実質的にほぼ全面が所定の波長の赤外線を透過させるような光学フィルタを意味するものである。
なお、一般的に赤外線フィルタとして用いられる光学フィルタは高価であり、光学フィルタの親基板からの個々の光学フィルタの取り個数を多くするためには、光学フィルタの形状は方形であることが望ましい。また、親基板の分割加工の容易さの見地からも光学フィルタの形状は方形であることが望ましい。
すなわち、接着剤を、パッケージの周壁と光学フィルタの側面との間に形成される隙間に、光学フィルタの全周に行き渡るように浸入させて、パッケージの内部が気密になるように光学フィルタをパッケージの周壁に固着させることにより、光学フィルタが接着剤を介してパッケージに確実に固定され、かつ、内部が気密に保たれた信頼性の高い赤外線センサを提供することが可能になる。
なお、支持部に光学フィルタを支持させた状態で、凹部に接着剤を供給するだけで、光学フィルタの側面とパッケージの周壁との間に形成される隙間に、毛細管現象により接着剤を浸入させ、光学フィルタを、接着剤を介して、パッケージに固定することができるため、製造工程を簡略化して、製造コストの低減を図ることが可能になる。
また、光学フィルタをパッケージに接着するために適量の接着剤を、上記凹部に容易に貯留させることができるため、所望の光学フィルタの取付強度を安定して得ることが可能になり、信頼性を向上させることができる。
なお、赤外線センサを構成するパッケージ2の開口部3の平面形状が方形であり、光学フィルタ4も、その平面形状が、開口部3は平面形状に対応する方形とされている。なお、この実施例の赤外線センサにおいては、光学フィルタ4として、例えば、所定の波長の赤外線を通過させる単結晶シリコンを用いたものが使用されている。
また、凹部7の平面面積は、光学フィルタ4を支持している支持部5の支持面の面積よりも大きいことが望ましい。パッケージ2の四隅近傍は接着剤を塗布しづらいが、凹部7の面積を光学フィルタ4の支持部5よりも大きくとることにより、接着剤8の塗布量を十分に確保することができ、光学フィルタ4の四隅を確実に接着剤8によりパッケージ2に接続することが可能になり、構造上の気密性を安定させることが可能になる。
この実施例の赤外線センサを製造するにあたっては、図1に示すように、パッケージ2として、光学フィルタ4を、パッケージ2の周壁12の上端部よりも低い位置で支持する支持部5と、支持部5に支持された光学フィルタ4の側面14とパッケージ2の周壁12との間に形成される隙間6と連通する凹部7(パッケージ2の周壁12の四隅の上面に配設された平面形状が円形の凹部7)と、を備えたパッケージを用意する。
したがって、本願発明は、人体の検知や、防犯機器などに用いられる汎用の赤外線センサの分野に広く利用することが可能である。
2 パッケージ
3 開口部
4 光学フィルタ(赤外線フィルタ)
5 支持部
6 隙間
7 凹部
8 接着剤
12 パッケージの周壁
14 光学フィルタの側面
21 本体
22 絶縁性被覆材
23 外部接続端子(外部電極)
Claims (8)
- 赤外線センサ素子と、
前記赤外線センサ素子が収納される、表面実装に対応したパッケージであって、1つの面が開口した箱型の形状を有するパッケージと、
全面が所定の波長の赤外線を透過させるように構成された光学フィルタであって、前記パッケージの開口部の全体を覆うように配設され、前記赤外線センサ素子に所定の波長の赤外線を受光させる機能と、前記パッケージの開口部を封止する蓋としての機能とを同時に果たす光学フィルタと
を具備する赤外線センサにおいて、
前記パッケージが、前記光学フィルタを、前記パッケージの周壁の上端部よりも低い位置で支持する支持部と、前記支持部に支持された前記光学フィルタの側面と前記パッケージの周壁との間に形成される隙間と連通する凹部とを備えており、
前記光学フィルタが、前記支持部に支持された状態で、前記パッケージの周壁と前記光学フィルタの側面との間に充填された接着剤により、前記パッケージに固定されていること
を特徴とする赤外線センサ。 - 前記パッケージの開口部および前記光学フィルタの平面形状が方形であることを特徴とする請求項1記載の赤外線センサ。
- 前記凹部が前記開口部の四隅近傍の周壁に形成されていることを特徴とする請求項2記載の赤外線センサ。
- 前記接着剤が、前記パッケージの周壁と前記光学フィルタの側面との間に形成される隙間に、前記光学フィルタの全周に行き渡るように充填されており、前記パッケージの内部が気密になるように前記光学フィルタが配設されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の赤外線センサ。
- 赤外線センサ素子と、
前記赤外線センサ素子が収納される、表面実装に対応したパッケージであって、1つの面が開口した箱型の形状を有するパッケージと、
全面が所定の波長の赤外線を透過させるように構成された光学フィルタであって、前記パッケージの開口部の全体を覆うように配設され、前記赤外線センサ素子に所定の波長の赤外線を受光させる機能と、前記パッケージの開口部を封止する蓋としての機能とを同時に果たす光学フィルタと
を具備する赤外線センサの製造方法において、
前記パッケージとして、前記光学フィルタを、前記パッケージの周壁の上端部よりも低い位置で支持する支持部と、前記支持部に支持された前記光学フィルタの側面と前記パッケージの周壁との間に形成される隙間と連通する凹部とを備えたパッケージを用い、
前記支持部に前記光学フィルタを支持させた状態で、前記凹部に接着剤を供給し、前記光学フィルタと前記パッケージの周壁との間に形成される隙間に、毛細管現象により接着剤を浸入させ、前記光学フィルタを、前記接着剤を介して、前記パッケージに固定すること
を特徴とする赤外線センサの製造方法。 - 前記パッケージの前記開口部の平面形状を方形とし、前記光学フィルタの平面形状を方形とすることを特徴とする請求項5記載の赤外線センサの製造方法。
- 前記凹部が前記開口部の四隅近傍の周壁に形成されたパッケージを用い、前記支持部に前記光学フィルタを支持させた状態で、前記凹部に接着剤を供給し、前記光学フィルタと前記パッケージの周壁との間に形成される隙間に、毛細管現象により接着剤を浸入させることを特徴とする請求項6記載の赤外線センサの製造方法。
- 前記接着剤を、前記光学フィルタの全周に行き渡るように充填し、前記光学フィルタを、前記接着剤を介して、前記パッケージに固定することにより、前記パッケージの内部が気密になるような態様で、前記光学フィルタを前記パッケージに固定することを特徴とする請求項5〜7のいずれかに記載の赤外線センサの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB0816664A GB2449596B (en) | 2006-03-22 | 2007-03-16 | Infrared sensor and method for manufacturing infrared sensor |
CN2007800099513A CN101405872B (zh) | 2006-03-22 | 2007-03-16 | 红外传感器及其制造方法 |
JP2007068475A JP4107347B2 (ja) | 2006-03-22 | 2007-03-16 | 赤外線センサおよび赤外線センサの製造方法 |
PCT/JP2007/055413 WO2007108419A1 (ja) | 2006-03-22 | 2007-03-16 | 赤外線センサおよび赤外線センサの製造方法 |
US12/233,901 US7763855B2 (en) | 2006-03-22 | 2008-09-19 | Infrared sensor and method for manufacturing infrared sensor |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006079506 | 2006-03-22 | ||
JP2006079506 | 2006-03-22 | ||
JP2007068475A JP4107347B2 (ja) | 2006-03-22 | 2007-03-16 | 赤外線センサおよび赤外線センサの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007288168A true JP2007288168A (ja) | 2007-11-01 |
JP4107347B2 JP4107347B2 (ja) | 2008-06-25 |
Family
ID=38522448
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007068475A Active JP4107347B2 (ja) | 2006-03-22 | 2007-03-16 | 赤外線センサおよび赤外線センサの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7763855B2 (ja) |
JP (1) | JP4107347B2 (ja) |
CN (1) | CN101405872B (ja) |
GB (1) | GB2449596B (ja) |
WO (1) | WO2007108419A1 (ja) |
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DE112019007877T5 (de) | 2019-11-05 | 2022-09-01 | Nippon Ceramic Co., Ltd. | Oberflächenmontierter infrarotdetektor |
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US10973656B2 (en) | 2009-09-18 | 2021-04-13 | Spinal Surgical Strategies, Inc. | Bone graft delivery system and method for using same |
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- 2007-03-16 CN CN2007800099513A patent/CN101405872B/zh active Active
- 2007-03-16 WO PCT/JP2007/055413 patent/WO2007108419A1/ja active Application Filing
- 2007-03-16 JP JP2007068475A patent/JP4107347B2/ja active Active
- 2007-03-16 GB GB0816664A patent/GB2449596B/en active Active
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DE112019007877T5 (de) | 2019-11-05 | 2022-09-01 | Nippon Ceramic Co., Ltd. | Oberflächenmontierter infrarotdetektor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101405872B (zh) | 2011-04-20 |
US7763855B2 (en) | 2010-07-27 |
JP4107347B2 (ja) | 2008-06-25 |
GB2449596A (en) | 2008-11-26 |
CN101405872A (zh) | 2009-04-08 |
WO2007108419A1 (ja) | 2007-09-27 |
GB0816664D0 (en) | 2008-10-22 |
GB2449596B (en) | 2011-04-20 |
US20090026372A1 (en) | 2009-01-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120411 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130411 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140411 Year of fee payment: 6 |