JP4106859B2 - 半導体装置の電気的特性試験装置 - Google Patents

半導体装置の電気的特性試験装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4106859B2
JP4106859B2 JP2000193128A JP2000193128A JP4106859B2 JP 4106859 B2 JP4106859 B2 JP 4106859B2 JP 2000193128 A JP2000193128 A JP 2000193128A JP 2000193128 A JP2000193128 A JP 2000193128A JP 4106859 B2 JP4106859 B2 JP 4106859B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
package
measurement terminal
external lead
lead
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000193128A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002008804A (ja
Inventor
誠 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP2000193128A priority Critical patent/JP4106859B2/ja
Publication of JP2002008804A publication Critical patent/JP2002008804A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4106859B2 publication Critical patent/JP4106859B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Connecting Device With Holders (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置(以降、IC)の電気的特性試験(以降テスト)装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般にICのテスト方法は、IC外部リード(以降リード)と通電性の優れた測定端子を接触させることで行われている。特にソケット方式と呼ばれるテスト方法では、接触不良によるテスト不良品の発生を防止するため、測定時に圧力をかけるようにしている。
【0003】
すなわち、リード先端上面にリードプッシャーで一定圧力を加え、リード先端下面に測定端子で電気的接触を得るようにしている。
【0004】
図7はかかる従来のICのテスト装置の要部構成図である。
【0005】
この図において、101はパッケージ(PKG)、102は外部リード、103は測定端子、104はリード押え、点線は測定圧力により、パッケージ(PKG)101を下方へ押し込んだ状態を示す図であり、dはリード押えによる押し込み量を示している。
【0006】
このように、その測定圧力によって、パッケージ(PKG)101を下方へ押し込むことになり、測定端子103は外部リード102先端下面と接触する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように、ソケット方式に於ける測定圧力は、接触不良を防ぐには必要不可欠である。
【0008】
しかしながら、このような測定方法によれば、
(1)測定端子は擦れ、外部リード102表面に施された半田めっきは破壊され、半田屑を発生させる。これは測定端子103が円弧を描く、バネ性を保有する構造に加え、測定端子103の製造加工におけるプレスによる加工面(剪断、破断)の粗さが摩擦抵抗を上げていることにも起因する。
【0009】
また、測定箇所が、外部リード102先端下面のみという測定面積が小さいことも測定圧力の必要性を高めている一因と言える。
【0010】
本発明は、上記問題点を除去し、半田屑による概観不良、及び次テスト工程での電気的特性不良(シュート等)を効果的に防止することができる半導体装置の電気的特性試験装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔1〕半導体装置の電気的特性試験装置において、樹脂封止されたパッケージを押さえる上部パッケージ押えおよび下部パッケージ押えと、前記パッケージの外部リードの先端部に下部から接触する回転ローラと、この回転ローラの下部に接触するパンタグラフを保持するパンタグラフ保持体と、前記パッケージの外部リードの先端部に上部から当接するリード押えとを具備することを特徴とする。
【0012】
〔2〕半導体装置の電気的特性試験装置において、樹脂封止されたパッケージを押さえる上部パッケージ押えおよび下部パッケージ押えと、前記パッケージの外部リードのパッケージ近傍の付け根部分の下部に接触する第1の測定端子と、前記パッケージの外部リードのパッケージ近傍の付け根部分の上部に接触する第2の測定端子と、前記パッケージの外部リードの先端部に上部から当接するリード押えとを備え、前記第1の測定端子と前記第2の測定端子により、前記パッケージ近傍の外部リードの付け根部分を挟むようにしたことを特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【0014】
図1は本発明の第1実施例を示す半導体装置の電気的特性試験装置の要部断面図、図2はその電気的特性試験装置の要部斜視図である。
【0015】
これらの図において、1は樹脂封止されたパッケージ(PKG)、2は外部リード、3は上部パッケージ押え、4は下部パッケージ押え、5は測定端子、6はその測定端子5の下部に配置され、下部よりバネ7により偏倚されるパンタグラフ、8はパンタグラフ6の保持体、9はリード押えである。
【0016】
これらの図に示すように、PKG1は、上下のPKG押え3,4でガイドされ、リード押え9によって測定端子5に接触させてテストを行う。この測定端子5は、回転ローラー(円板状のローラー)を用い、外部リード2と測定端子5の接触抵抗、及び擦れを回転することによって防ぎ、外部リード2表面に施された半田めっき被膜の破壊を防止する。
【0017】
このように構成したので、従来技術で問題となった、半田屑による概観不良、及び次テスト工程での電気的特性不良(シュート等)を効果的に防止することができる。
【0018】
次に、本発明の第2実施例について説明する。
【0019】
図3は本発明の第2実施例を示す半導体装置の電気的特性試験装置の要部断面図、図4はその電気的特性試験装置の要部斜視図である。
【0020】
これらの図において、11は樹脂封止されたPKG、12は外部リード、13は上部パッケージ押え、14は下部パッケージ押え、15はパッケージの外部リードのパッケージ近傍の付け根部分の下部に接触する下部の第1の測定端子、16はパッケージの外部リードのパッケージ近傍の付け根部分の上部に接触する上部の第2の測定端子、17はリード押えである。
【0021】
PKG11は上下のPKG押え13,14により、ガイドされたPKG11の外部リード12を変形から防止するため、リード押え17で保護し、上下PKG押さえ13,14とリード押え17の中央に上下から外部リード12を挟み込むように、第1の測定端子15と第2の測定端子16を配置してテストを行う。つまり、第1、第2の測定端子15,16は外部リード12の強度の高いPKG11の付け根部分12Aで接触するようにする。外部リード12の強度の高いPKG11の付け根部分12Aを上下から第1の測定端子15と第2の測定端子16で挟むことで、接触不良の確率の低減ができ、リード押え17による外部リード12の高さバラツキも矯正することができる。ここで、第1の測定端子15と第2の測定端子16の先端部は折り返し部を有している。
【0022】
また、外部リード12の先端で第1、第2の測定端子15,16との接触をとるので、測定端子15,16は外部リード12表面の半田被膜を擦らないことになり、半田屑の発生を抑制することができる。
【0023】
さらに、第1、第2の測定端子15,16の表面を加工面の粗いままでなく、研磨をすることにより摩擦抵抗が低減できるため、より一層の効果が得られる。
【0024】
なお、上記実施例では、上下から第1の測定端子15と第2の測定端子16で挟む構成としたが、何れか片側の測定端子のみで構成するようにしてもよい。
【0025】
次に、本発明の参考例について説明する。
【0026】
図5は本発明の参考例を示す半導体装置の電気的特性試験装置の要部断面図、図6はその電気的特性試験装置の要部斜視図である。
【0027】
これらの図において、21は樹脂封止されたPKG、22は外部リード、23は上部PKG押え、24は下部PKG押え、25は溶融半田槽、26は溶融半田供給パイプ、27はリード押えである。
【0028】
この実施例では、測定端子としては、金属剛体を使わず、溶融金属(例えば半田)25で代用し、外部リード22を、溶融金属25中に浸漬させることで電気的接続を得るものである。測定端子22を溶融金属にすることで、接触抵抗は皆無となり、かつ外部リード22に施された半田めっきの破壊も防ぐことが出来、半田屑の発生もない。また、この時、測定端子部に溶融半田槽25を用いているので、リード加工工程にて受けた半田メッキの傷、欠損も測定時に付着する溶融半田で補える効果もある。
【0029】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【0030】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、以下のような効果を奏することができる。
【0031】
(A)測定端子は、回転ローラー(円板状のローラー)を用い、外部リードと測定端子の接触抵抗、及び擦れを回転することによって防ぎ、外部リード表面に施された半田めっき被膜の破壊を防止することができる。
【0032】
したがって、半田屑による概観不良、及び次テスト工程での電気的特性不良(シュート等)を効果的に防止することができる。
【0033】
(B)外部リードの先端で測定端子との接触をとるので、測定端子は外部リード表面の半田被膜を擦らないことになり、半田屑の発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施例を示す半導体装置の電気的特性試験装置の要部断面図である。
【図2】 本発明の第1実施例を示す半導体装置の電気的特性試験装置の要部斜視図である。
【図3】 本発明の第2実施例を示す半導体装置の電気的特性試験装置の要部断面図である。
【図4】 本発明の第2実施例を示す半導体装置の電気的特性試験装置の要部斜視図である。
【図5】 本発明の参考例を示す半導体装置の電気的特性試験装置の要部断面図である。
【図6】 本発明の参考例を示す半導体装置の電気的特性試験装置の要部斜視図である。
【図7】 従来の半導体装置の電気的特性試験装置の要部斜視図である。
【符号の説明】
1,11,21 樹脂封止されたパッケージ(PKG)
2,12,22 外部リード
3,13,23 上部パッケージ押え
4,14,24 下部パッケージ押え
5 測定端子
6 パンタグラフ
7 バネ
8 パンタグラフの保持体
9,17,27 リード押え
12A 外部リードのPKGの付け根部分
15 下部の第1の測定端子
16 上部の第2の測定端子
25 溶融半田槽
26 溶融半田供給パイプ

Claims (2)

  1. (a)樹脂封止されたパッケージを押さえる上部パッケージ押えおよび下部パッケージ押えと、
    (b)前記パッケージの外部リードの先端部に下部から接触する回転ローラと、
    (c)該回転ローラの下部に接触するパンタグラフを保持するパンタグラフ保持体と、
    (d)前記パッケージの外部リードの先端部に上部から当接するリード押えとを具備することを特徴とする半導体装置の電気的特性試験装置。
  2. (a)樹脂封止されたパッケージを押さえる上部パッケージ押えおよび下部パッケージ押えと、
    (b)前記パッケージの外部リードのパッケージ近傍の付け根部分の下部に接触する第1の測定端子と、
    (c)前記パッケージの外部リードのパッケージ近傍の付け根部分の上部に接触する第2の測定端子と、
    (d)前記パッケージの外部リードの先端部に上部から当接するリード押えとを備え、
    (e)前記第1の測定端子と前記第2の測定端子により、前記パッケージ近傍の外部リードの付け根部分を挟むようにしたことを特徴とする半導体装置の電気的特性試験装置。
JP2000193128A 2000-06-27 2000-06-27 半導体装置の電気的特性試験装置 Expired - Fee Related JP4106859B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000193128A JP4106859B2 (ja) 2000-06-27 2000-06-27 半導体装置の電気的特性試験装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000193128A JP4106859B2 (ja) 2000-06-27 2000-06-27 半導体装置の電気的特性試験装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002008804A JP2002008804A (ja) 2002-01-11
JP4106859B2 true JP4106859B2 (ja) 2008-06-25

Family

ID=18692170

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000193128A Expired - Fee Related JP4106859B2 (ja) 2000-06-27 2000-06-27 半導体装置の電気的特性試験装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4106859B2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4303045B2 (ja) * 2003-06-25 2009-07-29 株式会社エンプラス 電気部品用キャリア
US7839138B2 (en) * 2007-01-29 2010-11-23 Electro Scientific Industries, Inc. Adjustable force electrical contactor
US7609078B2 (en) 2007-12-21 2009-10-27 Electro Scientific Industries, Inc. Contact alignment verification/adjustment fixture
US7888949B2 (en) 2008-03-21 2011-02-15 Electro Scientific Industries, Inc. Electrical tester setup and calibration device
TWI579951B (zh) * 2015-11-17 2017-04-21 京元電子股份有限公司 半導體元件翻面裝置及其測試設備

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002008804A (ja) 2002-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4717066A (en) Method of bonding conductors to semiconductor devices
JP4106859B2 (ja) 半導体装置の電気的特性試験装置
CN104051289A (zh) 引线接合装置和方法
US6698646B2 (en) Room temperature gold wire bonding
CN1105399C (zh) 将内引线焊接到半导体集成电路上的无凸缘方法
JP2005045135A (ja) ワイヤボンディング方法
JP2000353579A (ja) 半導体装置用のソケット及び半導体装置と基板との接続方法
JP3050172B2 (ja) フリップチップicの検査方法及び検査用基板
JP3131358B2 (ja) 半導体装置製造用治具及び半導体装置の製造方法
JP2008103455A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2000012587A (ja) 半導体チップ実装用回路基板のはんだバンプの電気特性検査及びコイニング方法
JP2613233B2 (ja) 半導体装置のエージング方法
KR200177064Y1 (ko) 볼 그리드 어레이 패키지 전기특성 검사용 테스트장치
JPH05312901A (ja) Icのテスト方法
JPH0370148A (ja) 半導体装置のフィンガリード折曲方法
JPH01231334A (ja) ワイヤーボンディング方法
JP5134221B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2004085422A (ja) 半導体装置の検査装置
JP2005172567A (ja) 半導体装置の検査装置
JP4593760B2 (ja) 半導体装置用キャリアテープ及びそれを用いた測定方法
JPH11288960A (ja) ワイヤーボンド接続方法及びボンディング表面残渣除去用ツール
JPH0330345A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS60226155A (ja) フイルムキヤリアの製造方法
JP2008010563A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH06104305A (ja) 半導体実装装置または実装ライン

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060801

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070611

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071023

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071210

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080129

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080212

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080311

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080324

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110411

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110411

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110411

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees