JP2004085422A - 半導体装置の検査装置 - Google Patents

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JP2004085422A
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semiconductor
ball
ball electrode
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inspection device
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Inventor
Shigeki Sakaguchi
坂口 茂樹
Toshiyuki Nakazawa
仲澤 利行
Hiroharu Omori
大森 弘治
Masayuki Yugawa
湯川 昌行
Shigeji Oida
老田 成志
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

【課題】従来の検査方法ではSnリッチな鉛フリーはんだボールの組成では、検査時の熱によりはんだボールの酸化が加速され、実装時のはんだ濡れ性等の品質に不具合を発生する要因となる。
【解決手段】配線基板4上にチップを搭載し、金属細線や金属突起により電気的接続を行ったのちモールド樹脂5で被覆し、モールド樹脂5の対面側には、前記チップと電気的に導通されているボール電極3を有するBGAパッケージ6があり、配線基板4とソケット1の間に弾性復元力材料10を施し、検査測定部7が外気と触れない構造となっている。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特に複数のボール電極が二次元的に配列されたBGA(Ball Grid・Array)型の半導体装置の検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のBGAパッケージにおける電気的特性検査の方法として、図6に示す側面図のような構造が最も有力とされている。
【0003】
この半導体装置の検査方法としては、検査装置のコンタクトピン2を直接ボール電極3に接触させて、電気的接続を行うことで検査を行うものであり、検査時のボール電極3とコンタクトピン2の測定部7は大気雰囲気にて測定が行なわれる構造となっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
近年の地球環境保護の観点から鉛を使わないはんだボールが採用されている。しかしながら、従来の検査方法ではSnリッチな鉛フリーはんだボールの組成では、検査時の熱によりはんだボールの酸化が加速され、実装時のはんだ濡れ性等の品質に不具合を発生する要因となる。また、コンタクトピン2にてボール電極3を挟み込むような構造のため、図3に示すようにボール電極3の表面にキズが付き実装認識や信頼性劣化の要因となる。そこで本発明は、測定部のボール電極3を外気と接しない構造となおかつ、ボール電極部のコンタクトを確実かつキズを最小限にすることを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
前記従来の課題を解決するために、本発明の半導体装置は以下のような構成を有している。
【0006】
複数の素子電極を有する半導体素子と、前記複数の素子電極の少なくとも1つに電気的に接続されたボール電極3とを備え、ボール電極位置に対応した弾性復元力を有したスプリング8を有し、ボール電極部が外気と触れないことおよび、ボールへのへこみ・キズを防止することを特徴としている。
【0007】
さらに複数の素子電極を有する半導体素子と、前記複数の素子電極の少なくとも1つに電気的に接続されたボール電極とを備えたパッケージの配線基板4と前記半導体検査装置のソケットカバーとの接点部分に耐熱かつ弾性復元力のある材料10を用いることにより検査時の測定部7の環境雰囲気と外気をより確実に分離する特徴を持たせることが可能となる。
【0008】
また、前記半導体検査装置の台座部とボール電極を含む複数のボール電極が2次元的に配列されている配線基板4と測定部7の空間に不活性ガス等を注入し電極部およびはんだボールが酸化しないことを特徴としている。
【0009】
また、前記半導体検査装置のスプリング形状において、ボール電極の側面にスプリング8の先端が接触することで、ボールへのへこみ・キズを防止する構造を有することを特徴としている。さらに、スプリング8を用いることで、弾性復元力があり確実にボール電極3とコンタクトが可能となり、スプリング8の円周が円形であるため、接触面積が増加し検査精度の向上できる特徴を有している。
【0010】
また、前記半導体検査装置のスプリング形状は、ボール電極と接触する円周率と比べ台座部の保持円周が同じまたは、異なる円周率を持ったスプリングを使用することを特徴とする。
【0011】
また、前記半導体検査装置のスプリング部のボール電極と接する部分の最表面にAuの膜が構成されていることを特徴とする。
【0012】
以上の手段により、電気的特性検査の際にボール電極にコンタクトピンを接触させ加圧することにより発生する、ボール電極のキズ、へこみを解決できると共に、ボール電極の酸化を防止することが可能となり、実装時の品質不良を解決できる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【0014】
(実施の形態1)
まず本発明の実施形態の外観図について説明する。図1は本発明の実施形態の半導体検査装置の側面図である。配線基板4上にチップ(図示せず)を搭載し、金属細線や金属突起(たとえばバンプ接続)などにより電気的接続を行ったのちモールド樹脂5で被覆し、前記モールド樹脂5の対面側には、前記チップと電気的に導通されているボール電極3を有するBGA(ボールグリッドアレイ)パッケージ6があり、配線基板4とソケット1の間に弾性復元力材料10を施し、検査測定部7が外気と触れない構造となっている。また、ソケット上部には、加熱ヒータ13が接触出来る構造となっている。
【0015】
次に本発明の電気的特性検査方法について説明する。BGAパッケージ6をソケットに装着する場合において、外気と触れないようにする。例えば、不活性ガス雰囲気にてBGAパッケージ6を装着することにより、酸化防止により効果的である。
【0016】
(実施の形態2)
図2は、本発明の一実施形態についてボール電極3とスプリング8が接触した時の側面図である。BGAパッケージ6が有するボール電極3の表面に、図3のように電気的特性検査によりキズ12が発生する。このキズ12を最小限に抑えるため、前記ボール電極3にスプリング8による円形のコンタクトを用いる。なおかつ、ボール電極3の側面部に接触し検査を実施するとより効果的な検査が可能となる。また、スプリング形状は、図4の様にスプリング形状が円柱状でも、円錐状でも変わらない。また、図5の様な板バネ14の形状を採用してもよい。
【0017】
【発明の効果】
以上のように本発明の手段を用いることにより、
(1)電気的特性検査において、ボール電極の酸化を防止することで実装品質の向上が可能となった。
【0018】
(2)スプリングコンタクトを用いることでボール電極のキズ・へこみを解決することができた。
【0019】
(3)スプリングとボール電極との接触を円周上で接触させることにより、コンタクト面積が多く、検査精度の向上が可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体検査装置の側面図
【図2】本発明の半導体検査装置のボール電極とスプリング部の拡大図
【図3】従来の半導体検査装置のボール電極部の拡大図
【図4】本発明の半導体検査装置のスプリング部の側面図
【図5】本発明の半導体検査装置のスプリング部の側面図
【図6】従来の半導体検査装置の側面図
【符号の説明】
1 ソケット
2 コンタクトピン
3 ボール電極
4 配線基板
5 モールド樹脂
6 BGAパッケージ
7 測定部
8 スプリング
9 ソケット上蓋
10 弾性復元力材料
11 スプリング支持台座
12 キズ
13 ヒータ
14 板バネ

Claims (6)

  1. 複数の素子電極を有する半導体素子と、前記複数の素子電極の少なくとも1つに電気的に接続されたボール電極とを備え、ボール電極位置に対応した弾性復元力を有したスプリング部を有し、ボール電極部が外気と触れないことを特徴とする半導体装置の検査装置。
  2. 複数の素子電極を有する半導体素子と、前記複数の素子電極の少なくとも1つに電気的に接続されたボール電極とを備えたパッケージの配線基板と前記半導体検査装置のソケットカバーとの接点部分に耐熱かつ弾性復元力のある材料を用いることを特徴とする半導体装置の検査装置。
  3. 前記半導体検査装置の台座部とボール電極を含む複数のボール電極が2次元的に配列されている配線基板の空間に不活性ガス等を注入し電極部およびはんだボールが酸化しないことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置の検査装置。
  4. 前記半導体検査装置のスプリング形状において、ボール電極の側面にスプリングの先端が接触する構造を有する請求項1に記載の半導体装置の検査装置。
  5. 前記半導体検査装置のスプリング形状は,ボール電極と接触する円周率と比べ台座部の保持円周が同じまたは、異なる円周率を持ったスプリングを使用する請求項1に記載の半導体装置の検査装置。
  6. 前記半導体検査装置のスプリング部のボール電極と接する部分の最表面にAuの膜が構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の検査装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100880652B1 (ko) 2007-02-09 2009-01-30 한미반도체 주식회사 반도체 패키지 처리 장치
CN107088065A (zh) * 2017-05-03 2017-08-25 京东方科技集团股份有限公司 脑电电极

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