JPH11295384A - 半導体素子の検査治具 - Google Patents
半導体素子の検査治具Info
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- JPH11295384A JPH11295384A JP9585998A JP9585998A JPH11295384A JP H11295384 A JPH11295384 A JP H11295384A JP 9585998 A JP9585998 A JP 9585998A JP 9585998 A JP9585998 A JP 9585998A JP H11295384 A JPH11295384 A JP H11295384A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 検査治具を用いての半導体素子の検査時に、
半導体素子のリードの負荷を軽減する。 【解決手段】 半導体素子本体１がはまり込む治具ブロ
ック４の凹み部底面に傾斜部１２を設けるとともに、こ
の傾斜部に見合う傾斜面を有するグランドベース１３を
治具ブロック底面に配置し、かつこのグランドベースを
横方向に付勢する弾性体１４を設けたものである。
半導体素子のリードの負荷を軽減する。 【解決手段】 半導体素子本体１がはまり込む治具ブロ
ック４の凹み部底面に傾斜部１２を設けるとともに、こ
の傾斜部に見合う傾斜面を有するグランドベース１３を
治具ブロック底面に配置し、かつこのグランドベースを
横方向に付勢する弾性体１４を設けたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体素子（パ
ッケージ）の検査（評価・測定）時に使用される検査治
具に関するものである。
ッケージ）の検査（評価・測定）時に使用される検査治
具に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８、図９、図１０は、例えば特開平５
−２９４４１号公報などに示された従来のこの種の検査
治具の一例を示すものである。図８は従来の検査治具全
体を示す斜視図、図９は半導体素子の治具セット前の状
態を示す要部の斜視図、図１０は半導体素子の治具セッ
ト後の状態を示す要部の側面図である。これらの図にお
いて、１は半導体素子で、下部に導電性（例えば金属）
の素子ベース１１を有しており、その上にセラミックで
壁を形成し、そのセラミック上に信号用リード２を銀ロ
ウで接着している。３は検査治具で、次のように構成さ
れている。治具ブロック４の上面に基板５を有し、かつ
この基板５上には上記リード２と接触するように形成さ
れた信号線路１０が配置されている。６は治具ブロック
４の片側に回動可能に枢着された押えベース７を有する
押え具であり、押えベース７の下面には絶縁物で作成さ
れたリード押え片８を設置している。なお、９は半導体
素子１底面と治具ブロック４の凹部底面との接触面であ
るグランドコンタクト部である。
−２９４４１号公報などに示された従来のこの種の検査
治具の一例を示すものである。図８は従来の検査治具全
体を示す斜視図、図９は半導体素子の治具セット前の状
態を示す要部の斜視図、図１０は半導体素子の治具セッ
ト後の状態を示す要部の側面図である。これらの図にお
いて、１は半導体素子で、下部に導電性（例えば金属）
の素子ベース１１を有しており、その上にセラミックで
壁を形成し、そのセラミック上に信号用リード２を銀ロ
ウで接着している。３は検査治具で、次のように構成さ
れている。治具ブロック４の上面に基板５を有し、かつ
この基板５上には上記リード２と接触するように形成さ
れた信号線路１０が配置されている。６は治具ブロック
４の片側に回動可能に枢着された押えベース７を有する
押え具であり、押えベース７の下面には絶縁物で作成さ
れたリード押え片８を設置している。なお、９は半導体
素子１底面と治具ブロック４の凹部底面との接触面であ
るグランドコンタクト部である。
【０００３】次に検査時の動作について説明する。以上
のような検査治具を用いて半導体素子を検査（評価・測
定）する場合、はじめ、図９に示すように、治具ブロッ
ク４上に配置された信号線路１０に半導体素子１のリー
ド２がちょうど接触するように半導体素子１が検査治具
３のグランドコンタクト９上に載置される。それから図
１０に示すように、リード２や半導体素子１自体が浮か
ないように絶縁物で作成された押え片８でリード２を押
えることで、リード２−信号線路１０間、半導体素子の
ベース部１１−治具のグランドコンタクト部９間を十分
に接触させた状態として、検査が行なわれる。なお、半
導体素子１底面の導電性部は、測定時にはグランド端子
として機能する。また、治具ブロック４は、半導体素子
１が発熱した場合、放熱部とグランド電位供給部を兼ね
ている。
のような検査治具を用いて半導体素子を検査（評価・測
定）する場合、はじめ、図９に示すように、治具ブロッ
ク４上に配置された信号線路１０に半導体素子１のリー
ド２がちょうど接触するように半導体素子１が検査治具
３のグランドコンタクト９上に載置される。それから図
１０に示すように、リード２や半導体素子１自体が浮か
ないように絶縁物で作成された押え片８でリード２を押
えることで、リード２−信号線路１０間、半導体素子の
ベース部１１−治具のグランドコンタクト部９間を十分
に接触させた状態として、検査が行なわれる。なお、半
導体素子１底面の導電性部は、測定時にはグランド端子
として機能する。また、治具ブロック４は、半導体素子
１が発熱した場合、放熱部とグランド電位供給部を兼ね
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、以上のよう
な被測定素子である半導体素子においては、半導体素子
１の底面と、半導体素子１に形成されたリード２下面と
の間の長さａの公差が大きい場合がある。そのような半
導体素子を検査治具に配置し、押え片８により押えた場
合、リード２の付け根部分に大きな力が掛かり、このた
めリード剥がれや、リードを接着させているセラミック
部が割れる等の不具合が発生した。
な被測定素子である半導体素子においては、半導体素子
１の底面と、半導体素子１に形成されたリード２下面と
の間の長さａの公差が大きい場合がある。そのような半
導体素子を検査治具に配置し、押え片８により押えた場
合、リード２の付け根部分に大きな力が掛かり、このた
めリード剥がれや、リードを接着させているセラミック
部が割れる等の不具合が発生した。
【０００５】この発明は以上のような問題点を解消する
ためになされたもので、半導体素子を傷つけることなし
に、放熱性が良好で、安定した検査ができる検査治具を
提供せんとするものである。
ためになされたもので、半導体素子を傷つけることなし
に、放熱性が良好で、安定した検査ができる検査治具を
提供せんとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る半導体素子の検査治具は、半導体素子本体がはまり込
む治具ブロックの凹み部底面に傾斜部を設けるととも
に、この傾斜部に見合う傾斜面を有するグランドベース
を治具ブロック底面に配置し、かつこのグランドベース
を横方向に付勢する弾性体を設けたものである。
る半導体素子の検査治具は、半導体素子本体がはまり込
む治具ブロックの凹み部底面に傾斜部を設けるととも
に、この傾斜部に見合う傾斜面を有するグランドベース
を治具ブロック底面に配置し、かつこのグランドベース
を横方向に付勢する弾性体を設けたものである。
【０００７】この発明の請求項２に係る半導体素子の検
査治具は、治具ブロックの底面を中央部が高い山形傾斜
面に形成するとともに、その上に載せるグランドベース
を縦方向に２分割して配置したものである。
査治具は、治具ブロックの底面を中央部が高い山形傾斜
面に形成するとともに、その上に載せるグランドベース
を縦方向に２分割して配置したものである。
【０００８】この発明の請求項３に係る半導体素子の検
査治具は、治具ブロックの底面を中央部が高い山形傾斜
面に形成するとともに、その上に載せるグランドベース
を縦及び横方向にそれぞれ２分割して配置したものであ
る。
査治具は、治具ブロックの底面を中央部が高い山形傾斜
面に形成するとともに、その上に載せるグランドベース
を縦及び横方向にそれぞれ２分割して配置したものであ
る。
【０００９】この発明の請求項４に係る半導体素子の検
査治具は、グランドベース上に、３個以上のバンプ部を
設けたものである。
査治具は、グランドベース上に、３個以上のバンプ部を
設けたものである。
【００１０】この発明の請求項５に係る半導体素子の検
査治具は、グランドベースと治具ブロック間にかみ合い
スライド部を設けたものである。
査治具は、グランドベースと治具ブロック間にかみ合い
スライド部を設けたものである。
【００１１】この発明の請求項６に係る半導体素子の検
査治具は、弾性体を、バネで構成したものである。
査治具は、弾性体を、バネで構成したものである。
【００１２】この発明の請求項７に係る半導体素子の検
査治具は、弾性体を、ゴムで構成したものである。
査治具は、弾性体を、ゴムで構成したものである。
【００１３】この発明の請求項８に係る半導体素子の検
査治具は、弾性体を、空気又は油などを収容した風船体
で構成したものである。
査治具は、弾性体を、空気又は油などを収容した風船体
で構成したものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
実施の形態を図に基づいて説明する。図１、図２はこの
発明の実施の形態１を示すもので、図１は検査治具全体
の斜視図であり、図２ａはその要部の斜視図、同図ｂ，
ｃは動作説明のための側面図である。これらの図におい
て、１は半導体素子で、下部に導電性（例えば金属）の
素子ベース１１を有しており、その上にセラミックで壁
を形成し、そのセラミック上に信号用リード２を銀ロウ
で接着している。３は検査治具で、次のように構成され
ている。半導体素子１本体がはめ込まれる凹部１５を有
する治具ブロック４の上面に基板５を設け、かつこの基
板５上には上記リード２と接触するように形成された信
号線路１０が配置されている。６は治具ブロック４の片
側に回動可能に枢着された押えベース７を有する押え具
であり、押えベース７の下面には絶縁物で作成された２
個のリード押え片８ａと、半導体素子１本体の押え片８
ｂとが設置されている。なお、この場合、低抵抗の金属
で作成された治具ブロック４上に、被測定素子である半
導体素子１の寸法に合わせて、信号線路１０を有する基
板５が配置されるとともに、押えベース７に取付けられ
た押え片８ａがリード２上にくるように配置されてい
る。また、上記押え片８ａ，８ｂは押えベース７に対し
バネ性を持たせて（ポゴピンのように）取付けられてい
る。次に、図２に示すように、治具ブロック４の、半導
体素子１本体をはめ込む凹み部１５の底面には傾斜部１
２が設けられており、この傾斜面上には、これと同様な
傾斜を持つ、低抵抗な金属で形成されたくさび形のグラ
ンドベース１３が図の左右に滑動可能に載置されてい
る。なおこのとき、グランドベース１３の上面は基板５
と平行になるように形成されている。そして、このグラ
ンドベース１３の片側の厚手の側面１３ａと、それに対
向する治具ブロック４の側面４ａ間には数個のバネ１４
が介装されている。なお、この場合、半導体素子１本体
を押える押え片８ｂは、グランドベース１３−治具ブロ
ック４間のバネ１４よりも強いが、リード２を曲げるほ
ど強くないように設定しておく。
実施の形態を図に基づいて説明する。図１、図２はこの
発明の実施の形態１を示すもので、図１は検査治具全体
の斜視図であり、図２ａはその要部の斜視図、同図ｂ，
ｃは動作説明のための側面図である。これらの図におい
て、１は半導体素子で、下部に導電性（例えば金属）の
素子ベース１１を有しており、その上にセラミックで壁
を形成し、そのセラミック上に信号用リード２を銀ロウ
で接着している。３は検査治具で、次のように構成され
ている。半導体素子１本体がはめ込まれる凹部１５を有
する治具ブロック４の上面に基板５を設け、かつこの基
板５上には上記リード２と接触するように形成された信
号線路１０が配置されている。６は治具ブロック４の片
側に回動可能に枢着された押えベース７を有する押え具
であり、押えベース７の下面には絶縁物で作成された２
個のリード押え片８ａと、半導体素子１本体の押え片８
ｂとが設置されている。なお、この場合、低抵抗の金属
で作成された治具ブロック４上に、被測定素子である半
導体素子１の寸法に合わせて、信号線路１０を有する基
板５が配置されるとともに、押えベース７に取付けられ
た押え片８ａがリード２上にくるように配置されてい
る。また、上記押え片８ａ，８ｂは押えベース７に対し
バネ性を持たせて（ポゴピンのように）取付けられてい
る。次に、図２に示すように、治具ブロック４の、半導
体素子１本体をはめ込む凹み部１５の底面には傾斜部１
２が設けられており、この傾斜面上には、これと同様な
傾斜を持つ、低抵抗な金属で形成されたくさび形のグラ
ンドベース１３が図の左右に滑動可能に載置されてい
る。なおこのとき、グランドベース１３の上面は基板５
と平行になるように形成されている。そして、このグラ
ンドベース１３の片側の厚手の側面１３ａと、それに対
向する治具ブロック４の側面４ａ間には数個のバネ１４
が介装されている。なお、この場合、半導体素子１本体
を押える押え片８ｂは、グランドベース１３−治具ブロ
ック４間のバネ１４よりも強いが、リード２を曲げるほ
ど強くないように設定しておく。
【００１５】或いは又、半導体素子１本体を押える押え
片８ｂは省略し、バネ１４がリード２を曲げたり、剥が
したり、セラミックを割らない程度に弱く、かつグラン
ドベース１３と半導体素子１の底面が密着できる程度に
強いように設定してもよい。これは、バネ１４が強過ぎ
ると、グランドベース１３が持ち上がってリード２を曲
げたりするためである。
片８ｂは省略し、バネ１４がリード２を曲げたり、剥が
したり、セラミックを割らない程度に弱く、かつグラン
ドベース１３と半導体素子１の底面が密着できる程度に
強いように設定してもよい。これは、バネ１４が強過ぎ
ると、グランドベース１３が持ち上がってリード２を曲
げたりするためである。
【００１６】次に、動作について説明する。図２(ｂ)に
おいて、まず、グランドベース１３の平らな面の上に半
導体素子１を載置して後、押えベース７を回動して、半
導体素子１本体及びリード２を押え片８ａ、８ｂでもっ
て下方に向かって押えることで、半導体素子１が下に押
し込まれる。次に、図２(ｃ)において、以上のようにし
て半導体素子１が下に押し込まれることにより、グラン
ドベース１３が矢印方向に付勢されてスライドする。こ
のとき、押え片８ａ、８ｂ、並びにグランドベース１３
はそれぞれがバネ性を持っているので、それぞれのバネ
の弾性により半導体素子１の位置が決定される。以上に
より、半導体素子１の底面とリード２下面間の寸法公差
があっても、グランドベース１３がセルフアライン的に
移動することにより、その寸法誤差を吸収することがで
き、リード２に掛かる押えの力を均一化することができ
る。そのため、リード剥がれ、リード曲がり、リード接
着部のセラミック割れを解消することができる。なお、
グランドベース部は移動するが、グランドコンタクトは
常に面接触で行なえるので、放熱性及び低抵抗化に効果
がある。
おいて、まず、グランドベース１３の平らな面の上に半
導体素子１を載置して後、押えベース７を回動して、半
導体素子１本体及びリード２を押え片８ａ、８ｂでもっ
て下方に向かって押えることで、半導体素子１が下に押
し込まれる。次に、図２(ｃ)において、以上のようにし
て半導体素子１が下に押し込まれることにより、グラン
ドベース１３が矢印方向に付勢されてスライドする。こ
のとき、押え片８ａ、８ｂ、並びにグランドベース１３
はそれぞれがバネ性を持っているので、それぞれのバネ
の弾性により半導体素子１の位置が決定される。以上に
より、半導体素子１の底面とリード２下面間の寸法公差
があっても、グランドベース１３がセルフアライン的に
移動することにより、その寸法誤差を吸収することがで
き、リード２に掛かる押えの力を均一化することができ
る。そのため、リード剥がれ、リード曲がり、リード接
着部のセラミック割れを解消することができる。なお、
グランドベース部は移動するが、グランドコンタクトは
常に面接触で行なえるので、放熱性及び低抵抗化に効果
がある。
【００１７】実施の形態２．図３はこの発明の実施の形
態２を示す要部の斜視図であり、上記実施の形態１に対
して、グランドベース部を縦方向に１３ｂと１３ｃに２
分割して構成するとともに、これらを載せる治具ブロッ
ク４の凹み部底面の傾斜部１２を、中央が高い山形に形
成したものである。なお、その他の構成は、上記実施の
形態１と同様である。以上のようにして、グランドベー
ス部が２つに分割され、山形の傾斜部１２上を各々両側
へスライドできるようにしたものである。なおこのとき
は、バネ１４は両側に設ける。以上のように構成して
も、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができ
る。なお、この場合、半導体素子１の底面の形状によら
ず、即ち、凹凸形状のあるものであっても、グランドに
コンタクトすることができる。
態２を示す要部の斜視図であり、上記実施の形態１に対
して、グランドベース部を縦方向に１３ｂと１３ｃに２
分割して構成するとともに、これらを載せる治具ブロッ
ク４の凹み部底面の傾斜部１２を、中央が高い山形に形
成したものである。なお、その他の構成は、上記実施の
形態１と同様である。以上のようにして、グランドベー
ス部が２つに分割され、山形の傾斜部１２上を各々両側
へスライドできるようにしたものである。なおこのとき
は、バネ１４は両側に設ける。以上のように構成して
も、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができ
る。なお、この場合、半導体素子１の底面の形状によら
ず、即ち、凹凸形状のあるものであっても、グランドに
コンタクトすることができる。
【００１８】実施の形態３．図４はこの発明の実施の形
態３を示す要部の斜視図であり、上記実施の形態１に対
して、グランドベース部を縦、横にそれぞれ２分割し、
即ち、１３ｄ〜１３ｇの４分割構成とするとともに、グ
ランドコンタクト部１２を実施の形態２と同様に山形に
形成したものである。なお、その他の構成は、上記実施
の形態２と同様である。以上のように構成しても、上記
実施の形態２で述べたと同様の効果を奏する。
態３を示す要部の斜視図であり、上記実施の形態１に対
して、グランドベース部を縦、横にそれぞれ２分割し、
即ち、１３ｄ〜１３ｇの４分割構成とするとともに、グ
ランドコンタクト部１２を実施の形態２と同様に山形に
形成したものである。なお、その他の構成は、上記実施
の形態２と同様である。以上のように構成しても、上記
実施の形態２で述べたと同様の効果を奏する。
【００２０】実施の形態４．図５はこの発明の実施の形
態４を示す要部の斜視図であり、グランドベース１３の
上面に、少なくとも３個以上（図では４個）のバンプ部
１６を突設し、その上に半導体素子を載せるようにした
ものである。放熱性などが特に必要でない場合は、以上
のようにして、バンプ部上に半導体素子１の底面を載せ
るようにすることで、半導体素子１底面のグランドパタ
ーンが凹凸の特殊な形状をしていても、上記バンプ形状
を合わせることにより自由に対応し得るものとなる。
態４を示す要部の斜視図であり、グランドベース１３の
上面に、少なくとも３個以上（図では４個）のバンプ部
１６を突設し、その上に半導体素子を載せるようにした
ものである。放熱性などが特に必要でない場合は、以上
のようにして、バンプ部上に半導体素子１の底面を載せ
るようにすることで、半導体素子１底面のグランドパタ
ーンが凹凸の特殊な形状をしていても、上記バンプ形状
を合わせることにより自由に対応し得るものとなる。
【００２１】実施の形態５．図６、図７はこの発明の実
施の形態５を示すもので、グランドベース１３と治具ブ
ロック４の接合傾斜面に、例えばアリミゾ嵌合などのか
み合せスライド部１７を形成することにより、グランド
ベース１３が治具ブロック４から外れないようになり、
密着性を確保するとともに、この案内機構の作用により
グランドベース１３が正確かつスムーズにスライドでき
る。
施の形態５を示すもので、グランドベース１３と治具ブ
ロック４の接合傾斜面に、例えばアリミゾ嵌合などのか
み合せスライド部１７を形成することにより、グランド
ベース１３が治具ブロック４から外れないようになり、
密着性を確保するとともに、この案内機構の作用により
グランドベース１３が正確かつスムーズにスライドでき
る。
【００２２】実施の形態６．上記実施の形態１〜５で
は、バネ１４を、グランドベース１３と治具ブロック４
の側壁間に配置する構成としたが、バネ１４に代る弾性
体として、ゴム（絶縁性、導電性でも可）など、バネ性
を有するものを配置してもよく、また、適当な圧力で膨
らませた風船（気体、液体でも可）などを用いることも
できる。
は、バネ１４を、グランドベース１３と治具ブロック４
の側壁間に配置する構成としたが、バネ１４に代る弾性
体として、ゴム（絶縁性、導電性でも可）など、バネ性
を有するものを配置してもよく、また、適当な圧力で膨
らませた風船（気体、液体でも可）などを用いることも
できる。
【００２３】
【発明の効果】この発明の請求項１に係る半導体素子の
検査治具によれば、半導体素子本体がはまり込む治具ブ
ロックの凹み部底面に傾斜部を設けるとともに、この傾
斜部に見合う傾斜面を有するグランドベースを治具ブロ
ック底面に配置し、かつこのグランドベースを横方向に
付勢する弾性体を設けたので、グランドベースがセルフ
アライン的に動作することで、半導体素子の寸法のズレ
を吸収し、リード曲がりなどの不具合を解消し得る効果
がある。
検査治具によれば、半導体素子本体がはまり込む治具ブ
ロックの凹み部底面に傾斜部を設けるとともに、この傾
斜部に見合う傾斜面を有するグランドベースを治具ブロ
ック底面に配置し、かつこのグランドベースを横方向に
付勢する弾性体を設けたので、グランドベースがセルフ
アライン的に動作することで、半導体素子の寸法のズレ
を吸収し、リード曲がりなどの不具合を解消し得る効果
がある。
【００２４】この発明の請求項２乃至４に係る半導体素
子の検査治具によれば、半導体素子の底面部の形状が凹
凸形状を呈していても、グランドにコンタクトし得る効
果がある。
子の検査治具によれば、半導体素子の底面部の形状が凹
凸形状を呈していても、グランドにコンタクトし得る効
果がある。
【００２５】この発明の請求項５に係る半導体素子の検
査治具によれば、グランドベースが治具ブロックから外
れることがないとともに、密着性を確保しつつ、正確に
かつスムーズにスライドする。
査治具によれば、グランドベースが治具ブロックから外
れることがないとともに、密着性を確保しつつ、正確に
かつスムーズにスライドする。
【図１】 この発明の実施の形態１による半導体素子の
検査治具を示す斜視図である。
検査治具を示す斜視図である。
【図２】 この発明の実施の形態１による半導体素子の
検査治具を示す斜視図(ａ)と、その動作説明のための側
面図(ｂ)(ｃ)である。
検査治具を示す斜視図(ａ)と、その動作説明のための側
面図(ｂ)(ｃ)である。
【図３】 この発明の実施の形態２による半導体素子の
検査治具を示す要部の斜視図である。
検査治具を示す要部の斜視図である。
【図４】 この発明の実施の形態３による半導体素子の
検査治具を示す要部の斜視図である。
検査治具を示す要部の斜視図である。
【図５】 この発明の実施の形態４による半導体素子の
検査治具を示す要部の斜視図である。
検査治具を示す要部の斜視図である。
【図６】 この発明の実施の形態５による半導体素子の
検査治具を示す要部の側面図である。
検査治具を示す要部の側面図である。
【図７】 図６のＡ−Ａ線の断面図である。
【図８】 従来の半導体素子の検査治具の一例を示す斜
視図である。
視図である。
【図９】 従来の検査治具による、半導体素子の治具へ
のセット前の斜視図である。
のセット前の斜視図である。
【図１０】 従来の検査治具による、半導体素子の治具
へのセット後の側面図である。
へのセット後の側面図である。
１ 半導体素子、２ リード、３ 検査治具、４ 治具
ブロック、５ 基板、６ 押え具、８ａ 押え片、１０
信号線路、１２ 傾斜部、１３ グランドベース、１
４ バネ、１５ 凹み部、１６ バンプ部、１７ かみ
合いスライド部。
ブロック、５ 基板、６ 押え具、８ａ 押え片、１０
信号線路、１２ 傾斜部、１３ グランドベース、１
４ バネ、１５ 凹み部、１６ バンプ部、１７ かみ
合いスライド部。
Claims (8)
- 【請求項１】 信号線路が形成された治具ブロックの凹
み部内に半導体素子をはめ込み、この半導体素子のリー
ドを上記信号線路に接触させる押え手段を備えた半導体
素子の検査治具において、上記治具ブロックの凹み部底
面に傾斜部を設けるとともに、この傾斜部に見合う傾斜
面を有し電気的に接地されたグランドベースを治具ブロ
ック底面に配置し、このグランドベースを横方向に付勢
する弾性体を配置したことを特徴とする半導体素子の検
査治具。 - 【請求項２】 治具ブロックの凹み部底面傾斜部を中央
部が高い山形傾斜面に形成するとともに、その上に載せ
るグランドベースを縦方向に２分割して配置したことを
特徴とする請求項１記載の半導体素子の検査治具。 - 【請求項３】 治具ブロックの凹み部底面傾斜部を中央
部が高い山形傾斜面に形成するとともに、その上に載せ
るグランドベースを縦及び横方向にそれぞれ２分割して
配置したことを特徴とする請求項１記載の半導体素子の
検査治具。 - 【請求項４】 グランドベース上に、３個以上のバンプ
部を配設したことを特徴とする請求項１記載の半導体素
子の検査治具。 - 【請求項５】 グランドベースと治具ブロック間にかみ
合いスライド部を設けたことを特徴とする請求項１記載
の半導体素子の検査治具。 - 【請求項６】 弾性体は、バネで構成されていることを
特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導
体素子の検査治具。 - 【請求項７】 弾性体は、ゴムで構成されていることを
特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導
体素子の検査治具。 - 【請求項８】 弾性体は、空気又は油などを収容した風
船体で構成されていることを特徴とする請求項１乃至５
のいずれか１項に記載の半導体素子の検査治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9585998A JPH11295384A (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | 半導体素子の検査治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9585998A JPH11295384A (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | 半導体素子の検査治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11295384A true JPH11295384A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14149100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9585998A Pending JPH11295384A (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | 半導体素子の検査治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11295384A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007052358A1 (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-10 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | 電気的接続装置 |
| JP2019086425A (ja) * | 2017-11-08 | 2019-06-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体検査治具 |
| JP2020041873A (ja) * | 2018-09-10 | 2020-03-19 | 三菱電機株式会社 | 電気特性検査治具 |
| US11187741B2 (en) | 2018-05-28 | 2021-11-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Electrical characteristic measuring device for semiconductor device |
-
1998
- 1998-04-08 JP JP9585998A patent/JPH11295384A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007052358A1 (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-10 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | 電気的接続装置 |
| US7833036B2 (en) | 2005-10-31 | 2010-11-16 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Electrical connecting apparatus |
| JP2019086425A (ja) * | 2017-11-08 | 2019-06-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体検査治具 |
| US11016137B2 (en) | 2017-11-08 | 2021-05-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor inspection jig |
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| DE112018007669B4 (de) | 2018-05-28 | 2024-01-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Vorrichtung zum Messen elektrischer Eigenschaften für eine Halbleitervorrichtung |
| JP2020041873A (ja) * | 2018-09-10 | 2020-03-19 | 三菱電機株式会社 | 電気特性検査治具 |
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