JPH04170044A - 半導体ウェーハの検査用治具 - Google Patents
半導体ウェーハの検査用治具Info
- Publication number
- JPH04170044A JPH04170044A JP29753290A JP29753290A JPH04170044A JP H04170044 A JPH04170044 A JP H04170044A JP 29753290 A JP29753290 A JP 29753290A JP 29753290 A JP29753290 A JP 29753290A JP H04170044 A JPH04170044 A JP H04170044A
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェーへの検査用治具に関し、特にウェ
ーハ内の回路の外部電極が装置の上面より突起状に出て
いる(以下バンブバッドと称す)半導体ウェーハの電気
的特性検査用治具に関する。
ーハ内の回路の外部電極が装置の上面より突起状に出て
いる(以下バンブバッドと称す)半導体ウェーハの電気
的特性検査用治具に関する。
従来この種の半導体ウェーハの検査には、(1)多数の
電極、(2)小さい半導体装置、(3)半導体装置の外
部電極に良好な電気的接触を得られ且つ非破壊であるこ
と、という条件を満たす必要があり第2図(a)、(b
−)に示す探針型治具のプローブ12を用いていた。
電極、(2)小さい半導体装置、(3)半導体装置の外
部電極に良好な電気的接触を得られ且つ非破壊であるこ
と、という条件を満たす必要があり第2図(a)、(b
−)に示す探針型治具のプローブ12を用いていた。
半導体ウェーハ1は、その内部に形成された電気的回路
部2を試験するため、半導体ウェーハ1の表面保護膜3
に開口された金属外部電極部であるバッド4に、電気電
導特性のよいプローブ12を接触させ、プローブ12の
支持基板であるガラスエポキシ基板6上の配線層で測定
器と電気的に接続する構成であった。
部2を試験するため、半導体ウェーハ1の表面保護膜3
に開口された金属外部電極部であるバッド4に、電気電
導特性のよいプローブ12を接触させ、プローブ12の
支持基板であるガラスエポキシ基板6上の配線層で測定
器と電気的に接続する構成であった。
この従来の半導体ウェーハの検査用治具では、プローブ
をバッドに荷重を掛けて接触させるなめパッド面を傷つ
けるという欠点があった。
をバッドに荷重を掛けて接触させるなめパッド面を傷つ
けるという欠点があった。
特に一般にバンブと称される半導体ウェーハの上面に突
起上に形成される電極は、加工性のためにAu、5n−
Pb等柔かい金属で作られるため第3図に示すようにプ
ローブ12の先によって形状をつぶしたり、突き通すな
ど破壊することがあっt;。
起上に形成される電極は、加工性のためにAu、5n−
Pb等柔かい金属で作られるため第3図に示すようにプ
ローブ12の先によって形状をつぶしたり、突き通すな
ど破壊することがあっt;。
更に、プローブは、その構造上手作業による位置決め、
固定を行なわざるを得す、多電極化、微細化に対応出来
ないという問題があった。
固定を行なわざるを得す、多電極化、微細化に対応出来
ないという問題があった。
本発明の半導体ウェーハの検査用治具は、半導体ウェー
ハの上面から突起状に出ているバンプ形状の電極に対し
平面で接触する電極を有する。
ハの上面から突起状に出ているバンプ形状の電極に対し
平面で接触する電極を有する。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図(a)及び(b)は本発明の一実施例の検査治具
を用いて半導体ウェーハ内の回路の電気的特性を測定し
ている状態を説明するための平面図およびA−A線断面
図である。
を用いて半導体ウェーハ内の回路の電気的特性を測定し
ている状態を説明するための平面図およびA−A線断面
図である。
半導体ウェーハ1の表面の電気的回路2は表面保護膜3
に覆われている。この電気的回路2に接続された電極バ
ッド4上の表面保護膜3は一部が開口されてバンプバッ
ド5を形成しである。
に覆われている。この電気的回路2に接続された電極バ
ッド4上の表面保護膜3は一部が開口されてバンプバッ
ド5を形成しである。
この様な形状の半導体ウェーハ1に対し本発明による治
工具は、ガラスエポキシ基板6を支持基板とし、半導体
装置の大きさに合わせた開口部を基にする。ポリイミド
フィルム8の下部にはバンブバッド5への接触子及び配
線となるプリントパターン7を有する。引出されたプリ
ントパターン7は基板6上で測定器へつながる配線11
へ接続する。比較的固めの透明な支持用ポリイミドフィ
ルム10は、多数の電極に対し少ない加重で均一に接触
を得るためのクツションとなる透明な塩化ビニール製ブ
ロック9を支持する。半導体ウェーハ上の材質は上部か
らの目合せ確認用に、透明としている。
工具は、ガラスエポキシ基板6を支持基板とし、半導体
装置の大きさに合わせた開口部を基にする。ポリイミド
フィルム8の下部にはバンブバッド5への接触子及び配
線となるプリントパターン7を有する。引出されたプリ
ントパターン7は基板6上で測定器へつながる配線11
へ接続する。比較的固めの透明な支持用ポリイミドフィ
ルム10は、多数の電極に対し少ない加重で均一に接触
を得るためのクツションとなる透明な塩化ビニール製ブ
ロック9を支持する。半導体ウェーハ上の材質は上部か
らの目合せ確認用に、透明としている。
以上説明したように本発明は半導体ウェーハの検査用治
具は、ウェーハ上の回路の電気的特性を測定する際に、
バンプ上電極に接触する治具の接触子を平面であるプリ
ント配線とし、接触厚が均一となる様にクツションとな
るブロックで接触部を押える事で、バンプ状電極を破壊
することなく、良好な電気的接続を得られるという効果
を有する。
具は、ウェーハ上の回路の電気的特性を測定する際に、
バンプ上電極に接触する治具の接触子を平面であるプリ
ント配線とし、接触厚が均一となる様にクツションとな
るブロックで接触部を押える事で、バンプ状電極を破壊
することなく、良好な電気的接続を得られるという効果
を有する。
更に、接触子の形成には光学的な転写技術を使用するた
め従来の手作業による探針設定と比べ多数ビンに対し精
度良く作成出来る効果がある。
め従来の手作業による探針設定と比べ多数ビンに対し精
度良く作成出来る効果がある。
第1図(a)、(b)は本発明の一実施例と半導体チッ
プの平面図及びA−A線断面図、第2図(a)、(b)
は半導体ウェーハの検査用治具の一例の平面図及び断面
図、第3図は従来例の問題点を説明するためのプローブ
とバンプの一部断面図である。 1・・・半導体ウェーハ、2・・・電気的回路部、3・
・・表面保護膜、4・・・バッド、5・・・バンブバッ
ド、6・・・ガラスエポキシ基板、7・・・接触子と配
線を兼ねたプリントパターン、8・・・ポリイミドフィ
ルム、9・・・塩化ビニール製ブロック、10・・・支
持用ポリイミドフィルム、11・・・測定用配線層、1
2・・・プ第1図 第3図 手続補正書(方式) 1、事件の表示 平成2年特許願第297532号2
、発明の名称 半導体ウェーハの検査用治具3、補正
をする者 事件との関係 出 願 人 任 所 熊本県熊本市へ幡町100番地名 称
九州日本電気株式会社代表者 中村 秀 4、代理人 5、補正命令の日付(発進口) 6、補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄 7、補正の内容 明細書第5頁7行目乃至8行目の「第1図(a)・・・
線断面図、」を「第1図は本発明の一実施例の使用状態
の平面および断面を示す図、」と訂正する。
プの平面図及びA−A線断面図、第2図(a)、(b)
は半導体ウェーハの検査用治具の一例の平面図及び断面
図、第3図は従来例の問題点を説明するためのプローブ
とバンプの一部断面図である。 1・・・半導体ウェーハ、2・・・電気的回路部、3・
・・表面保護膜、4・・・バッド、5・・・バンブバッ
ド、6・・・ガラスエポキシ基板、7・・・接触子と配
線を兼ねたプリントパターン、8・・・ポリイミドフィ
ルム、9・・・塩化ビニール製ブロック、10・・・支
持用ポリイミドフィルム、11・・・測定用配線層、1
2・・・プ第1図 第3図 手続補正書(方式) 1、事件の表示 平成2年特許願第297532号2
、発明の名称 半導体ウェーハの検査用治具3、補正
をする者 事件との関係 出 願 人 任 所 熊本県熊本市へ幡町100番地名 称
九州日本電気株式会社代表者 中村 秀 4、代理人 5、補正命令の日付(発進口) 6、補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄 7、補正の内容 明細書第5頁7行目乃至8行目の「第1図(a)・・・
線断面図、」を「第1図は本発明の一実施例の使用状態
の平面および断面を示す図、」と訂正する。
Claims (1)
- 突起状の外部引出し用電極を有する半導体ウェーハ内
の回路の電気的特性を検査する半導体ウェーハの検査用
治具において、前記半導体装置の突起状電極に接触する
平面状の接触子を有することを特徴とする半導体ウェー
ハの検査用治具。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29753290A JPH04170044A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 半導体ウェーハの検査用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29753290A JPH04170044A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 半導体ウェーハの検査用治具 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04170044A true JPH04170044A (ja) | 1992-06-17 |
Family
ID=17847754
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29753290A Pending JPH04170044A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 半導体ウェーハの検査用治具 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04170044A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0712890A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-01-17 | Nec Corp | 半導体集積回路試験用ソケット |
JPH07263501A (ja) * | 1994-01-25 | 1995-10-13 | Hughes Aircraft Co | ピボット運動可能な自己中心位置設定エラストマー圧力ウェハプローブ |
-
1990
- 1990-11-02 JP JP29753290A patent/JPH04170044A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0712890A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-01-17 | Nec Corp | 半導体集積回路試験用ソケット |
JPH07263501A (ja) * | 1994-01-25 | 1995-10-13 | Hughes Aircraft Co | ピボット運動可能な自己中心位置設定エラストマー圧力ウェハプローブ |
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