JPH0370148A - 半導体装置のフィンガリード折曲方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は半導体装置のフィンガリード折曲方法に関し
、特に、ＩＣチップのバンプ電極に接合されたキャリヤ
テープのフィンガリードを折曲する方法に関する。

［従来の技術１ 従来のＴ　Ａ　Ｂ　（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　
Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式と称される半導体５ｔ２１の接合
方法では、まず第５図に示すように、キャリヤテープｌ
上のフィンガリード２の先端をＩＣチップ３上のバンプ
電極４に熱圧着ヘッド（図示せず）で熱圧着して接合し
、次いでフィンガリード２がＩＣチップ３の上面と接触
してショートするのを防止するために、ｆｌｎ６図に示
すように、プレス加工によってフィンガリード２をＩＣ
チップ３の上面から離間する方向に折曲している。

〔発明が解決しようとする課！ｉ１］ しかしながら、従来のこのような半導体装置の接合方法
では、フィンガリード２を折面する工程において、フィ
ンガリード２のバンプ電極４の近傍における折曲部分２
ａにクラックが発生して切断しやすくなったり、切断し
てしまったりすることがあり、ひいては信が性が低下し
、また歩留りが低下してしまうという問題があった。

すなわち、フィンガリード２がＩＣチップ３の上面と接
触してショートするのを十分に防止するには、フィンガ
リード２の萌げ角０（第６図参照）が大きいほどよいが
、一般的には２Ｏ４程度としている。このため、折曲す
る前の状態におけるフィンガリード２の基１ｇ部から先
端側の折曲部分２ａまでの長さＬｏ　　（第５図参照）
を５００１ｔｍとし、西げ角０を２０’とした場合には
、折曲後の長さＬ＋　　（第６図参照）が元の長さＬＯ
よりも３２ｐｍ長くなり、その伸び率Ｅが次式から明ら
かなように８．４％となってしまう。

Ｅ＝　（Ｌ＋　　−Ｌｏ　）Ｘｉ／Ｌｏ　Ｘ１００＝８
．４しかるに、フィンガリード２の一般的な材料である
銅箔では、常温での伸び率が６．４％であるとその限界
（Ｉ　ＰＣ規格では一般電解銅箔の伸び率は常温で３．
０％と規定されている。）を越えてしまい、クラックや
切断が発生しやすくなってしまうからである。

この発明は上述の如き事情に鑑みてなされたもので、そ
の目的とするところは、フィンガリードを十分に折曲し
てもクラックや切断が発生しにくいようにすることので
きる半導体装置のフィンガリード折曲方法を提供するこ
とにある。

［５題を解決するための手段〕 この発明は上記課題を解決するために、ＩＣチップ上の
バンプ電極に接合された。キャリヤテープ上のフィンガ
リードを、加熱した状態で折曲するようにしたものであ
る。

［作　用Ｊ この発明によれば、常なではなく、加熱した状態におい
て、フィンガリードを折曲することになるので、フィン
ガリードが常温における場合よりも伸びやすくなり、こ
のためフィンガリードの伸び率が常温における場合の限
界を越えてもクラックや切断が発生しに〈〈なり、した
がって信頼性や歩留りの向上を図ることができることに
なる。

［実施例１ 以下、第１図〜第４図を参照しながら、この発明の一実
施例を詳細に説明する。

まず、第１図及び第２図を参照しながら説明すると、Ｉ
Ｃチップ１１は、上面に配線パターン（図示せず）が設
けられ、この配線パターンの上面の周囲に金等からなる
バンプ電極１２が設けられ、このバンプ電極１２を除く
配線パターンの上面に保！Ｉ膜（図示せず）が設けられ
た構造となっている。一方、キャリヤテープ１３は、所
定の箇所にＩＣチップ１１の外形形状よりも大きめの開
口１４が設けられ、この開口１４の周囲における上面に
銅または銅合金からなるフィンガリード１５がその一端
を片持ち状に突出されて設けられた構造となっている。

そして、フィンガリード１５を折曲する前の工程におい
て、ＩＣチップ１１がキャリヤテープ１３の開口１４の
中央部に配置され、キャリヤテープ１３のフィンガリー
ド１５の突出端がＩＣチップ１１のバンプ電極１２の上
面に図示しない熱圧着ヘッドによって熱圧着されて接合
される。

フィンガリード１５とバンプ電極１２との接合には４０
０〜４５０℃で０．５〜２秒間程度熱圧着する。

このような熱圧着が行われた後におけるＩＣチップ１１
はキャリヤテープ１３と共に、第１１３４に示すように
、上型２１と下型２２との間の所定の位置に配置される
。上型２１は、上型本体２３の中央部にポンチ２４が設
けられ、このポンチ２４の周囲における上型本体２３の
下面にコイルスプリング２５を介して加熱板２６が上下
動自在に設けられ、この加熱板２６の内部にヒータ２７
が設けられた構造となっている。加熱板２６のポンチ２
４と対応する箇所には、キャリヤテープ１３の開口１４
とほぼ同じ大きさの開口２８が設けられている。コイル
スプリング２５が最大に伸びた通常の状ぷでは、加熱板
２６の下端面はポンチ２４の下端面よりも所定の距離だ
け下方に位置している。下型２２の加熱板２６の開口２
８と対向する箇所には同様の大きさの開口２９が設けら
れている。

そして、上型２１が下降すると共に下型２２が上昇する
と、まず第３図に示すように、ヒータ２７によって加熱
されている加熱板２６の下端面と下型２２の上面との間
に、キャリヤテープ１３の開口１４の周囲における部分
が挾持され、この挾持力によってキャリヤテープ１３の
開口１４の周囲における部分のゆがみやしわが矯正され
ると共に、加熱板２６の下端面と接触したフィンガリー
ド１５が全体的に加熱される。このとき、フィンガリー
ド１５のバンブ電極１２と接合された部分が加熱板ｚ６
及び下型２２の開口２８．２９内に閉じ込められるので
、この開口２８．２９内におけるフィンガリード１５が
効率良くかつ均一に加熱されることになる。この後、上
型２１のみが更に下降すると、第４図に示すように、加
熱板２６がコイルスプリング２５の力に抗して相対的に
上昇することにより、ポンチ２４の下端面がＩＣチップ
１１のバンプ電極１２上のフィンガリード１５の突出端
を押圧し、これによりフィンガリード１５がＩＣチップ
１１から離間する方向に折曲される。

このように、この半導体装置のフィンガリード折開方法
では、常温ではなく、加熱板２６によって加熱した状態
において、フィンガリード１５を折ｔｌｂすることにな
るので、フィンガリード１５が常温における場合よりも
伸びやすくなり、このためフィンガリード１５の伸び率
が常温における場合の限界を越えてもクラックや切断が
発生しに〈〈なり、したがって信頼性や歩留りが向上す
ることになる。また、実施例の場合、フィンガリード１
５を折山する際、ポンチ２４はフィンガリード１５のバ
ンブ電極１２に対応する部分を圧接するようにしている
。このことは、ＩＣチップ１１の上面に直接ポンチ２４
を当接するとＩＣチップ１１が傷付き、不良となること
を回避している。

例えば、フィンガリード１５を高温（１７０℃以上）で
３５％程度伸びる銅または銅合金によって形威し、加熱
板２６によってフィンガリード１５を高温（１７０℃以
上）に加熱した状態で。

フィンガリード１５を折曲してその＋ｆｈげ角θ（第６
図参照）を４０’としたとする。すると、折面する前の
状態におけるフィンガリード１５の基端部から先端側の
折曲部分までの長さＬｏ　　（第５図参照）が５００　
ｇｍであると、折曲後の長さＬ＋（第６図参照）が元の
長さＬＯよりも１５３ＩＬｍ長くなり、その伸び率Ｅが
次式から明らかなように３０．６％となる。

Ｅ＝　（Ｌ＋　　−Ｌｏ　）Ｘｉ／Ｌｏ　ＸＩ　０Ｏ＝
３０．８したがって１曲げ角０が４０°とかなり大きく
ても、伸び率Ｅが３１％程度で、３５％よりも小さく、
許容ａＶＲ内であるので、クラックや切断が発生しにく
く、信頼性及び歩留りの高い半導体装置が得られること
になる。

［発明の効果１ 以上説明したように、この発明によれば、常温ではなく
、フィンガリードを加熱した状態で折曲しているので、
フィンガリードが常温における場合よりも伸びやすくな
り、このためフィンガリードの伸び率が常温における場
合の限界を越えてもクラックや切断が発生しにくくなり
、したがって信頼性や歩留りの向上を図ることができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第４図はこの発明の一実施例における半導体装
置のフィンガリード折開方法を説明するためのもので、
このうち第１図はＩＣチップのバンブ電極に接合された
キャリヤテープのフィンガリードを加熱及び折曲する前
の状態を示す断面図、第２図は同状態におけるＩＣチッ
プ及びキャリアテープの一部の平面図、第３図はキャリ
ヤテープのフィンガリードを加熱した状態を示す断面図
、第４図はキャリヤテープのフィンガリードを折曲した
状態を示す断面図、第５図及び第６図は従来の半導体装
置の接合方法の一例を説明するためのもので、このうち
第５ｖ４はキャリヤテープのフィンガリードをＩＣチッ
プのバンブ電極に熱圧着する工程を示す断面図、第６図
はキャリヤテープのフィンガリードを折面する工程を示
す断面図である。 １１・・・・・・ＩＣチップ、１２・・・・・・バンブ
電極、１３・・・・・・キャリヤテープ、１５・・・・
・・フインガリード、 ２１・・・・・・上型、 ２２・・・・・・下型、 ２４・・・・・・ポン チ、 ２６・・・・・・加熱板。 特 許 出 願 人 カシオ計算機株式会社 四 第 図 第 図 第 図 第 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ＩＣチップ上のバンプ電極に接合された、キャリヤテー
   プ上のフィンガリードを、加熱した状態で折曲すること
   を特徴とする半導体装置のフィンガリード折曲方法。