JP4090767B2 - 低酸素拡散性ガラス質被膜を有するMoSi2を主体とする発熱材料 - Google Patents

低酸素拡散性ガラス質被膜を有するMoSi2を主体とする発熱材料 Download PDF

Info

Publication number
JP4090767B2
JP4090767B2 JP2002077682A JP2002077682A JP4090767B2 JP 4090767 B2 JP4090767 B2 JP 4090767B2 JP 2002077682 A JP2002077682 A JP 2002077682A JP 2002077682 A JP2002077682 A JP 2002077682A JP 4090767 B2 JP4090767 B2 JP 4090767B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mosi
glassy
ppm
heat generating
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2002077682A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002348174A (ja
Inventor
篤志 福嶋
博 高村
大輔 高垣
建夫 大橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Mining Holdings Inc
Original Assignee
Nippon Mining and Metals Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Mining and Metals Co Ltd filed Critical Nippon Mining and Metals Co Ltd
Priority to JP2002077682A priority Critical patent/JP4090767B2/ja
Publication of JP2002348174A publication Critical patent/JP2002348174A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4090767B2 publication Critical patent/JP4090767B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/018Heaters using heating elements comprising mosi2

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、MoSi基材またはMoSiを主成分として70%以上含む基材から成る(以下併せてMoSiを主体とするという)発熱材料に関するものであり、特には発熱材料の表面に形成されるガラス質表面酸化被膜を低酸素拡散性にした発熱材料に関する。
【0002】
【従来の技術】
MoSi基発熱材料は、1000〜1800°Cの酸化性雰囲気下で耐酸化性に優れたガラス質表面酸化被膜(以下ガラス質被膜と呼ぶ)を形成するため、酸化性雰囲気の超高温域まで使用できる数少ない発熱材料の一つである。
MoSi基発熱材料の成分は、抵抗値調整、成型助剤またはガラス質被膜の生成助剤等のためMoSiに数%〜数十%の多成分系のガラス成分等が添加されている。
MoSi基材は表面酸化あるいはコーティング等の適切な方法でガラス質の保護被膜を形成させた後、ヒーターとして使用されるのが通常である。
またMoSi基発熱材料は例えば図1のような形状に加工した後、炉体に装着され、ヒーターとして使用される。
【0003】
図中の(a)は電極部と呼ばれ、MoSi基材と完全な電気的接続をするためガラス質被膜を取り除いた母材に通常Al等の金属が溶射されている。電極部は、MoSi基発熱体を抵抗加熱する時の端子の役割を担う。また図の(b)はグリップ部と呼ばれ、(c)の発熱部より径を太くすることにより抵抗を下げ、抵抗発熱を迎えている。
グリップ部は発熱部との電極部間に熱勾配を生じさせ、電極部が高温にさらされ酸化されることを防止している。図の(c)は発熱部と呼ばれ、まさに炉を昇温する時のヒーターの役割を担う。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従来のMoSi基発熱材料を電気炉の発熱体(ヒーター)として使用する場合、大別すると二つの問題点が挙げられる。
一つは、300〜600°Cの酸化性雰囲気下で長時間保持されたMoSi基発熱材料は、1000〜1800°Cの領域で生じる酸化挙動と異なり、ガラス質被膜中を拡散してきた酸素によりMoとSiの同時酸化を起こし酸化物粉末を生成し、ペストと呼ばれる粉状化現象を引き起こすことである。この現象は一般に抵抗発熱体のグリップ部で多く見られ、しばしば通電不良を起こし発熱体の破断の原因となる。
もう一つは、抵抗発熱体を繰り返し昇降温しながら使用すると発熱部の径が減少し、発熱体性能が劣化することである。ここでいう性能劣化は、発熱部の径が初期状態より細くなり抵抗値に変化が生じることや、発熱部の表面積が小さくなり炉の昇温速度に支障をきたすこと等である。
本発明の課題は、上記の問題点を改良し、耐ペスト性に優れ、且つ長期間性能が劣化しないMoSiを主体とする発熱材料を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の課題を解決するために鋭意研究を行った結果、以下のような知見を得た。
従来のMoSi基発熱材料でペスト現象や径の減少が生じる原因は、MoSi基発熱材料の表面に生成されるガラス質被膜の耐酸化特性が必ずしも十分でないためである。
そのため課題を解決するためには、耐酸化性に十分に優れたガラス質被膜を生成する発熱材料に改善する必要がある。
すなわち、一般にガラス質被膜形成による耐酸化特性の向上は、ガラス質被膜の低酸素拡散性によるものである。ガラス質被膜中の酸素拡散は、図2(a)に示すようなガラス質被膜の三次元構造の隙間を酸素分子が移動することによって行われる。
【0006】
そして、ガラス中にある種の不適合成分、たとえばAlが存在する場合には、図2(b)に示すように三次元網目構造が断ち切られ網目の隙間が拡大されることになる。その結果三次元網目構造の隙間を酸素分子が移動・拡散し易くなるため耐酸化性が劣化するのである。
そして、従来のMoSi基発熱材料の場合には、これらの不適合成分含有量については特別な管理は行われておらず、耐酸化性の低下をもたらす原因となっていたことが判明した。
不適合成分として、Al、Ca、Mg、Na、K、P、Pb、Mn等を確認することができた。従って、MoSi基原料および抵抗値調節等のために加えられる原料として、これらの不適合成分含有量の低い高純度原料を使用することにより網目の細かいガラス質被膜を生成する発熱材料となり、上記の問題を解決し得ることが分かった。
【0007】
この知見に基づき、本発明は、
1.MoSi基材またはMoSiを主成分として70%以上含む基材から成る発熱材料において、基材中に含まれるAl、Ca、Mg、Naの含有量がそれぞれ38ppm以下であり、表面に16μm以下のガラス質表面酸化被膜が形成されていることを特徴とする低酸素拡散性ガラス質被膜を有するMoSi を主体とする発熱材料
2.MoSi基材またはMoSiを主成分として70%以上含む基材から成る発熱材料において、基材中に含まれるAl、Ca、Mg、Na、K、P、Pb、Mnの含有量がそれぞれ38ppm以下であり、表面に16μm以下のガラス質表面酸化被膜が形成されていることを特徴とする低酸素拡散性ガラス質被膜を有するMoSi を主体とする発熱材料
3.MoSi基材またはMoSiを主成分として70%以上含む基材から成る発熱材料において、基材中に含まれるAl、Ca、Mg、Na、K、Li、Ba、B、P、Pb、Mn、Znの含有量がそれぞれ38ppm以下であり、表面に16μm以下のガラス質表面酸化被膜が形成されていることを特徴とする低酸素拡散性ガラス質被膜を有するMoSi を主体とする発熱材料。を提供するものである。
【0008】
MoSi基材中に含まれる不適合成分を低減することにより、ガラス質被膜の、三次元網目構造の隙間の拡大が抑制される。そのためガラス質被膜の、三次元網目構造中の酸素分子の移動も制限される。その結果、耐酸化性は大幅に向上することになるのである。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明は、MoSi基材またはMoSiを主成分として70%以上含む基材を対象とする。本発明の目的では、適当な酸化物や珪化物を成分として選択することによってMoSiの含有量を約70%まで低減させることができるので、MoSiを主成分として70%以上含む基材もここでは含めた。
基材の製法は問わない。基材の形態も任意である。また、この基材と同種のものを被覆材として用いることもできる。
【0010】
抵抗発熱体として使用する場合、適当な方法により棒状に成型し焼成を行う。必要に応じて添加成分(ガラス成分等)を添加するが、重要なことは、MoSiおよび必要に応じて使用される添加成分のいずれも不適合成分、すなわち、Al、Ca、Mg、Na等を極力低減した高純度の原料を使用することである。
MoSi基材焼結体中に含まれるAl、Ca、Mg、Naの含有量は、それぞれ100ppm以下とすべきである。
また、K、P、Pb、Mn、さらには、Li、Ba、B、Znについてもそれぞれの成分の含有量が100ppm以下とすべきである。
さらに、望ましくは、これらの不適合成分の合計量が1000ppm以下、好ましくは100ppm以下とすべきである。
【0011】
そして、MoSi基材には適当な方法により表面酸化被膜の形成処理を施す、通常は、1000〜1800°Cにおいて酸化性雰囲気下で表面の酸化によりガラス質被膜を形成する。
図2(b)に示したように、基材中に上述した不適合元素が多く存在すると、形成されたガラス質被膜の三次元網目構造が断ち切られ網目の隙間が拡大されることになり、その結果三次元網目構造の隙間を酸素分子が移動・拡散し易くなるためガラス質被膜の耐酸化性が劣化するのであるが、基材中の不適合成分の含有量をそれぞれ100ppm以下と規制することにより、生成するガラス質被膜を低酸素拡散性にすることが可能となる。
【0012】
【実施例】
以下、実施例に基づいて説明するが、本発明は実施例によって制限されるものではない。また、実施例と対比して比較例も示す。
a.グリップ部の耐ペスト性試験
(実施例1)
高純度原料粉末を使用して、MoSi−15%SiO焼結体からなる直径9mmのMoSi基発熱体を作製した。このMoSi基発熱体の化学分析値を表1に示す。不適合成分はいずれも20ppm以下であった。
【0013】
(比較例1)
また、比較のため従来のMoSi基発熱体を用意した。同様に、このMoSi基発熱体の化学分析値を表1に示す。表1のように不適合成分であるAlは3300ppm、Ca560ppm、Mg740ppmであり、いずれも本発明の範囲外であった。
【0014】
【表1】
Figure 0004090767
【0015】
これらについて、耐ペスト試験を行った。各発熱体は100mmの長さに切断し、ガラス質被膜が形成されていない両端の切断面は酸化防止剤を塗布した。各発熱材料は図3に示す温度サイクル(200〜480°C)を繰り返す大気炉内に放置しガラス質被膜で覆われた母材が粉状にペストしていく程度を比較した。その結果、実施例1では、80サイクル終了後でも健全であった。一方、比較例1では25サイクル後にガラス質被膜を透過した酸素により母材でMoとSiの同時酸化が生じ、表面近傍が粉状化しガラス質被膜が剥離した。
【0016】
参考例
高純度のMoSiと異なる不適合成分を含むSiOを用いて、MoSi−10%SiO焼結体からなる、直径9mm、長さ100mmのMoSi基発熱体を作製した。このMoSi基発熱体の化学分析値を表2に示す。不適合成分はいずれも100ppm以下であった。
【0017】
(比較例2、3)
高純度のMoSiと異なる不適合成分を含むSiOを用いて、MoSi−10%SiO焼結体からなる、直径9mm、長さ100mmのMoSi基発熱体を作製した。このMoSi基発熱体の化学分析値を同様に、表2に示す。
表2のように比較例2の不適合成分であるAlは330ppm、Ca380ppm、Mg68ppm、比較例3の不適合成分であるAlは1200ppm、Ca210ppm、Mg260ppmであり、いずれも本発明の範囲外であった。
【0018】
【表2】
Figure 0004090767
【0019】
これらについて実施例1と同様の方法で耐ペスト試験を行った。その結果、実施例2では、80サイクル終了後に表面に僅かに粉状の酸化物が生じる程度であった。
一方、比較例2では70サイクル後に、比較例3は35サイクル後に表面近傍が激しく粉状化しガラス質被膜が剥離した。
【0020】
b.ガラス質被膜の成長速度試験
(実施例3)
MoSi−5%SiO焼結体からなる直径4mmのMoSi基発熱体を作製した。このMoSi基発熱体の化学分析値を表3に示す。表3のように、不適合成分はいずれも16ppm以下であった。
【0021】
【表3】
Figure 0004090767
【0022】
(比較例4)
また、比較のため従来のMoSi基発熱体を用意した。このMoSi基発熱体の化学分析値を同様に、表3に示す。
比較例4の不適合成分であるAlは2600ppm、Ca530ppm、Mg570ppm、Na130ppmであり、いずれも本発明の範囲外であった。
【0023】
本試験では、ガラス質被膜の成長速度を測定することにより高温でのガラス質被膜の耐酸化性を比較した。試験手順は、まず発熱体を抵抗加熱により1650°Cまで昇温し、大気中で10、30、90、120時間保持した後室温に戻した。そして、発熱体のガラス質被膜の膜厚を求めるため、フッ酸に浸漬し表面のガラス質被膜を溶解した。
ガラス質被膜の膜厚は、溶解前後の発熱体の径を測定し、その差から算出した。1650°Cの保持時間に対するガラス質被膜の膜厚変化を図4に示した。
【0024】
比較例4では、ガラス質被膜中を酸素が拡散しやすく耐酸化性が不十分のため、120時間後の膜厚は42μmであった。
一方、本発明品である実施例3では低酸素拡散性のガラス質被膜を有するため、酸化の進行を意味するガラス被膜の成長を抑制し、ともに16μm以下であった。
一般にガラス質被膜はある厚み以上に成長すると、発熱体を昇降温する時に生じる熱歪み等の影響で母材表面から剥離する。剥離後の新生面には新たにガラス質被膜が生成され、そのガラス質被膜は成長を重ねるが、ある厚み以上でまた剥離する。このサイクルにより発熱体の径が次第に減少し発熱部の性能劣化が生じる。
本発明品は、低酸素拡散性ガラス被膜であるため被膜の成長速度を抑制する。すなわち、本発明品はガラス質被膜が剥離する膜厚まで成長するのに長時間を要し、発熱部の径が減少するサイクルを著しく低速化し、長期間性能劣化が生じない発熱体となる。
【0025】
c.最高使用温度試験
(実施例4)
高純度原料粉末を使用して、MoSi−5%SiO焼結体からなる直径4mm、長さ200mmのMoSi基発熱体を作製した。
このMoSi基発熱体の化学分析値を表4に示す。表4のように、不適合成分はいずれも38ppm以下であった。
【0026】
【表4】
Figure 0004090767
【0027】
(比較例5)
また、比較のため従来のMoSi基発熱体を用意した。このMoSi基発熱体の化学分析値を同様に、表3に示す。
比較例5の不適合成分であるAlは3300ppm、Ca560ppm、Mg740ppmであり、いずれも本発明の範囲外であった。
【0028】
これらについて最高使用温度付近での高温耐酸化性試験を行った。試験は、抵抗加熱により1650°Cまで60秒で昇温し、そこから1825°Cまで0.5°C/secで加熱するプログラムを用意した。ただし昇温中破断もしくはガラス質被膜が破壊された場合は、その時点で終了とした。温度管理は放射温度計により、行った。
実施例4の本発明品では、1825°C到達後300秒保持してもガラス質被膜表面の変化は見られなかった。一方、比較例5の従来材では1750°C付近で内部酸化により発生したガス成分の吹き出しが生じ、ガラス質被膜が破壊された。
【0029】
d.化学反応性試験
上記の実施例4及び比較例5と同一のサンプルを用いて、耐火煉瓦等に用いられるジルコニアおよびシリマイトと大気中1650°Cで接触させ化学反応性を調べる試験を行った。
その結果、本発明品は、耐火物との接触部で反応は起こらないが、不適合成分がガラス質被膜に含まれる従来材は、それらの耐火物と反応し融着した。電気炉の発熱体として使用する場合、耐火煉瓦等との融着は破損の原因となるため、この点においても本発明品の性質が優れていることが明らかである。
【0030】
【発明の効果】
本発明の不適合成分含有量を低減した低酸素拡散性ガラス質被膜を有するMoSiを主体とする発熱材料は、耐ペスト性に優れ、酸化の進行を意味するガラス被膜の成長を抑制し、最高使用温度付近での高温耐酸化性及び化学反応性にも優れ、長期間でも性能の劣化が少ないものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】MoSi基からなる電気炉用発熱体(ヒーター)の模式図である。
【図2】(a)は、ガラス質被膜の三次元網目構造を示す説明図、そして(b)は三次元網目構造が断ち切られ網目の隙間が拡大された状態を示す説明図である。
【図3】耐ペスト試験で使用した繰り返し加熱試験の温度サイクル(200〜480°C)を示すグラフである。
【図4】大気中1650°Cの保持時間に対するガラス質被膜の膜厚変化を示すグラフである。

Claims (3)

  1. MoSi基材またはMoSiを主成分として70%以上含む基材から成る発熱材料において、基材中に含まれるAl、Ca、Mg、Naの含有量がそれぞれ38ppm以下であり、表面に16μm以下のガラス質表面酸化被膜が形成されていることを特徴とする低酸素拡散性ガラス質被膜を有するMoSi を主体とする発熱材料
  2. MoSi基材またはMoSiを主成分として70%以上含む基材から成る発熱材料において、基材中に含まれるAl、Ca、Mg、Na、K、P、Pb、Mnの含有量がそれぞれ38ppm以下であり、表面に16μm以下のガラス質表面酸化被膜が形成されていることを特徴とする低酸素拡散性ガラス質被膜を有するMoSi を主体とする発熱材料
  3. MoSi基材またはMoSiを主成分として70%以上含む基材から成る発熱材料において、基材中に含まれるAl、Ca、Mg、Na、K、Li、Ba、B、P、Pb、Mn、Znの含有量がそれぞれ38ppm以下であり、表面に16μm以下のガラス質表面酸化被膜が形成されていることを特徴とする低酸素拡散性ガラス質被膜を有するMoSi を主体とする発熱材料
JP2002077682A 2002-03-20 2002-03-20 低酸素拡散性ガラス質被膜を有するMoSi2を主体とする発熱材料 Expired - Lifetime JP4090767B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002077682A JP4090767B2 (ja) 2002-03-20 2002-03-20 低酸素拡散性ガラス質被膜を有するMoSi2を主体とする発熱材料

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002077682A JP4090767B2 (ja) 2002-03-20 2002-03-20 低酸素拡散性ガラス質被膜を有するMoSi2を主体とする発熱材料

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14025698A Division JP3681149B2 (ja) 1998-05-21 1998-05-21 発熱材料

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002348174A JP2002348174A (ja) 2002-12-04
JP4090767B2 true JP4090767B2 (ja) 2008-05-28

Family

ID=19193299

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002077682A Expired - Lifetime JP4090767B2 (ja) 2002-03-20 2002-03-20 低酸素拡散性ガラス質被膜を有するMoSi2を主体とする発熱材料

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4090767B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4515038B2 (ja) * 2003-04-04 2010-07-28 日鉱金属株式会社 MoSi2粉末、同粉末の製造方法、同粉末を用いた発熱体及び発熱体の製造方法
JP5122593B2 (ja) * 2010-01-29 2013-01-16 Jx日鉱日石金属株式会社 MoSi2粉末、同粉末の製造方法、同粉末を用いた発熱体及び発熱体の製造方法
JP6384666B2 (ja) * 2014-12-17 2018-09-05 日本電気硝子株式会社 発熱体及びその製造方法
JP7015397B2 (ja) * 2018-03-18 2022-02-02 サンドビック インテレクチュアル プロパティー アクティエボラーグ クロム合金化二ケイ化モリブデンを含む加熱素子及びその使用

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10324571A (ja) * 1997-05-23 1998-12-08 Riken Corp 二珪化モリブデン系セラミックス発熱体及びその製造方法
JP3657800B2 (ja) * 1998-02-20 2005-06-08 株式会社リケン 二珪化モリブデン系複合セラミックス発熱体及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002348174A (ja) 2002-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH10324571A (ja) 二珪化モリブデン系セラミックス発熱体及びその製造方法
EP1260882A2 (en) "refsicoat" heat resistant material and high-temperature electric heaters using said material
JP4090767B2 (ja) 低酸素拡散性ガラス質被膜を有するMoSi2を主体とする発熱材料
JP3681149B2 (ja) 発熱材料
JP2004123496A (ja) 封着用ガラスフリット
JP2009274905A (ja) シリコン溶融ルツボ
JPH04101380A (ja) 盤状セラミックスヒーター及びその製造方法
JP2012111665A (ja) 熱伝導性ガラス及びその製造方法
JP3129383B2 (ja) 酸化物被覆炭化珪素材とその製法
JP4515038B2 (ja) MoSi2粉末、同粉末の製造方法、同粉末を用いた発熱体及び発熱体の製造方法
JPH06111862A (ja) 金属製導体と接続された、セラミック製高温超電導材料より成る固体物体並びにその製造方法
JP2537606B2 (ja) セラミツクヒ−タ
JPH0790619A (ja) 高温耐熱部材
JPS63304678A (ja) 酸化物超電導回路の製造方法
JP2001052526A (ja) 電気絶縁材とその製造方法
JP2752706B2 (ja) 薄型高温ヒータ
JP5122593B2 (ja) MoSi2粉末、同粉末の製造方法、同粉末を用いた発熱体及び発熱体の製造方法
JPS63291485A (ja) 酸化物超電導回路の製造方法
RU2064700C1 (ru) Способ изготовления терморезистора
JPH07230875A (ja) 炭化珪素セラミックスヒータおよび炭化珪素セラミックス基体の製造方法
JPH11130541A (ja) 二珪化モリブデン系発熱体の保護皮膜再生方法
JP4658523B2 (ja) 耐酸化複合材料
JP4043732B2 (ja) 加熱ヒータ及び酸化物超電導体薄膜の製造装置
JP4396931B2 (ja) 繊維強化白金複合材料及びその製造方法並びに繊維強化型白金製品
JPS6264088A (ja) 抵抗式高温電気炉用発熱材およびその製造法

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20031112

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040408

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070911

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071106

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071218

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080201

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080226

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080227

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120307

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120307

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130307

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130307

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140307

Year of fee payment: 6

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term