JP4077619B2 - 照明の設定が変更可能な照明系、該照明系を用いて照明を調整する方法、ｅｕｖ投影露光装置、及び、マイクロエレクトロニクス部品の製造方法 - Google Patents

照明の設定が変更可能な照明系、該照明系を用いて照明を調整する方法、ｅｕｖ投影露光装置、及び、マイクロエレクトロニクス部品の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4077619B2
JP4077619B2 JP2001331586A JP2001331586A JP4077619B2 JP 4077619 B2 JP4077619 B2 JP 4077619B2 JP 2001331586 A JP2001331586 A JP 2001331586A JP 2001331586 A JP2001331586 A JP 2001331586A JP 4077619 B2 JP4077619 B2 JP 4077619B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical element
illumination system
illumination
reflective grid
optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001331586A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2002203784A5 (enrdf_load_html_response
JP2002203784A (ja
Inventor
ヴォルフガング・ジンガー
Original Assignee
カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー filed Critical カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー
Publication of JP2002203784A publication Critical patent/JP2002203784A/ja
Publication of JP2002203784A5 publication Critical patent/JP2002203784A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4077619B2 publication Critical patent/JP4077619B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70083—Non-homogeneous intensity distribution in the mask plane
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70108—Off-axis setting using a light-guiding element, e.g. diffractive optical elements [DOEs] or light guides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G03F7/70166—Capillary or channel elements, e.g. nested extreme ultraviolet [EUV] mirrors or shells, optical fibers or light guides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891—Temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K5/00—Irradiation devices
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K5/00—Irradiation devices
    • G21K5/04—Irradiation devices with beam-forming means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
JP2001331586A 2000-10-27 2001-10-29 照明の設定が変更可能な照明系、該照明系を用いて照明を調整する方法、ｅｕｖ投影露光装置、及び、マイクロエレクトロニクス部品の製造方法 Expired - Fee Related JP4077619B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10053587A DE10053587A1 (de) 2000-10-27 2000-10-27 Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung
DE10053587.9 2001-01-05

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2002203784A JP2002203784A (ja) 2002-07-19
JP2002203784A5 JP2002203784A5 (enrdf_load_html_response) 2005-06-09
JP4077619B2 true JP4077619B2 (ja) 2008-04-16

Family

ID=7661440

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001331586A Expired - Fee Related JP4077619B2 (ja) 2000-10-27 2001-10-29 照明の設定が変更可能な照明系、該照明系を用いて照明を調整する方法、ｅｕｖ投影露光装置、及び、マイクロエレクトロニクス部品の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (3) US6658084B2 (enrdf_load_html_response)
EP (1) EP1202101A3 (enrdf_load_html_response)
JP (1) JP4077619B2 (enrdf_load_html_response)
KR (1) KR100842426B1 (enrdf_load_html_response)
DE (2) DE10053587A1 (enrdf_load_html_response)

Families Citing this family (153)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6859328B2 (en) * 1998-05-05 2005-02-22 Carl Zeiss Semiconductor Illumination system particularly for microlithography
US7441017B2 (en) * 2001-06-29 2008-10-21 Thomas Lee Watson System and method for router virtual networking
TW594847B (en) 2001-07-27 2004-06-21 Canon Kk Illumination system, projection exposure apparatus and method for manufacturing a device provided with a pattern to be exposed
US7333178B2 (en) * 2002-03-18 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60326063D1 (de) 2002-03-18 2009-03-19 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
EP1870772B1 (en) * 2002-03-18 2013-10-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7170587B2 (en) 2002-03-18 2007-01-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10220324A1 (de) 2002-04-29 2003-11-13 Zeiss Carl Smt Ag Projektionsverfahren mit Pupillenfilterung und Projektionsobjektiv hierfür
DE10219514A1 (de) 2002-04-30 2003-11-13 Zeiss Carl Smt Ag Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV-Lithographie
JP2006503419A (ja) 2002-10-11 2006-01-26 インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト 感光性レジストに覆われた物体を検査するための照射装置
DE10305573B3 (de) * 2002-10-11 2004-07-01 Aixuv Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Testbestrahlung von mit photoempfindlichen Lacken beschichteten Objekten
US7417708B2 (en) 2002-10-25 2008-08-26 Nikon Corporation Extreme ultraviolet exposure apparatus and vacuum chamber
DE10317667A1 (de) * 2003-04-17 2004-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element für ein Beleuchtungssystem
KR101144458B1 (ko) * 2003-07-30 2012-05-14 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로 인쇄술용 조명 시스템
EP1668421A2 (en) * 2003-09-12 2006-06-14 Carl Zeiss SMT AG Illumination system for a microlithography projection exposure installation
ATE511668T1 (de) * 2004-02-17 2011-06-15 Zeiss Carl Smt Gmbh Beleuchtungssystem für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsvorrichtung
JP4551666B2 (ja) * 2004-02-19 2010-09-29 キヤノン株式会社 照明装置及び露光装置
US7283209B2 (en) * 2004-07-09 2007-10-16 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for microlithography
US7511798B2 (en) * 2004-07-30 2009-03-31 Asml Holding N.V. Off-axis catadioptric projection optical system for lithography
EP1782128A2 (en) * 2004-08-23 2007-05-09 Carl Zeiss SMT AG Illumination system of a microlithographic exposure apparatus
US7136214B2 (en) * 2004-11-12 2006-11-14 Asml Holding N.V. Active faceted mirror system for lithography
DE102005042005A1 (de) 2004-12-23 2006-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille
US7405871B2 (en) 2005-02-08 2008-07-29 Intel Corporation Efficient EUV collector designs
JP2006253487A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Nikon Corp 照明装置、投影露光方法、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
JP2008544531A (ja) * 2005-06-21 2008-12-04 カール ツァイス エスエムテー アーゲー 瞳ファセットミラー上に減衰素子を備えた二重ファセット照明光学系
EP1938150B1 (de) * 2005-10-18 2011-03-23 Carl Zeiss SMT GmbH Kollektor für beleuchtungssysteme mit einer wellenlänge </= 193 nm
JP2007150295A (ja) 2005-11-10 2007-06-14 Carl Zeiss Smt Ag ラスタ要素を有する光学装置、及びこの光学装置を有する照射システム
JP5068271B2 (ja) * 2006-02-17 2012-11-07 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ照明システム、及びこの種の照明システムを含む投影露光装置
DE102006017336B4 (de) * 2006-04-11 2011-07-28 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Beleuchtungssystem mit Zoomobjektiv
DE102006031654A1 (de) * 2006-04-24 2007-10-25 Carl Zeiss Smt Ag Facettenspiegel mit einer Vielzahl von Spiegelsegmenten
DE102006020734A1 (de) * 2006-05-04 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für die EUV-Lithographie sowie erstes und zweites optisches Element zum Einsatz in einem derartigen Beleuchtungssystem
WO2007138805A1 (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Nikon Corporation 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
DE102006036064A1 (de) * 2006-08-02 2008-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage mit Wellenlängen ≦ 193 nm
DE102006039760A1 (de) * 2006-08-24 2008-03-13 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem mit einem Detektor zur Aufnahme einer Lichtintensität
DE102006056035A1 (de) * 2006-11-28 2008-05-29 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektions-Mikrolithographie, Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie durch das Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauteil
DE102006059024A1 (de) * 2006-12-14 2008-06-19 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, Beleuchtungsoptik für eine derartige Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zum Betrieb einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie durch das Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauteil
US7990520B2 (en) 2006-12-18 2011-08-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Microlithography illumination systems, components and methods
DE102007023411A1 (de) * 2006-12-28 2008-07-03 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element, Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie mit mindestens einem derartigen optischen Element sowie Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
US9475611B2 (en) 2007-04-19 2016-10-25 Anheuser-Busch Inbev S.A. Integrally blow-moulded bag-in-container having interface vents opening to the atmosphere at location adjacent to bag's mouth, preform for making it; and processes for producing the preform and bag-in-container
US20080257883A1 (en) 2007-04-19 2008-10-23 Inbev S.A. Integrally blow-moulded bag-in-container having an inner layer and the outer layer made of the same material and preform for making it
US20150266231A1 (en) 2007-04-19 2015-09-24 Anheuser-Busch Inbev S.A. Integrally blow-moulded bag-in-container having a bag anchoring point; process for the production thereof; and tool thereof
US20080259298A1 (en) * 2007-04-19 2008-10-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20080259304A1 (en) * 2007-04-20 2008-10-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
WO2008131928A1 (en) * 2007-04-25 2008-11-06 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic exposure apparatus
US20080278698A1 (en) * 2007-05-08 2008-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US8237913B2 (en) * 2007-05-08 2012-08-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
WO2008145364A2 (de) * 2007-05-31 2008-12-04 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur herstellung eines optischen elementes mit hilfe von abformung, optisches element hergestellt nach diesem verfahren, kollektor und beleuchtungssystem
DE102007025846A1 (de) 2007-06-01 2008-12-11 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem mit wenigstens einem akustooptischen Spiegel
JP5077724B2 (ja) * 2007-06-07 2012-11-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィツール用の反射照明システム
US20090040493A1 (en) * 2007-08-09 2009-02-12 Hideki Komatsuda Illumination optical system, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
DE102008041593A1 (de) * 2007-10-09 2009-04-16 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie
DE102008013229B4 (de) 2007-12-11 2015-04-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie
DE102008054429A1 (de) 2008-01-11 2009-07-16 Carl Zeiss Smt Ag Schwingungsentkoppelte Lagerung eines Bauteils in einer Vakuumkammer
DE102008009600A1 (de) * 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facettenspiegel zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikro-Lithographie
DE102009000099A1 (de) 2009-01-09 2010-07-22 Carl Zeiss Smt Ag Mikrospiegelarray mit Doppelbiegebalken Anordnung und elektronischer Aktorik
KR101593712B1 (ko) 2008-02-15 2016-02-12 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치에 사용하기 위한 패싯 미러
JP5074226B2 (ja) * 2008-02-16 2012-11-14 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 荷電粒子ビーム装置
DE102008000788A1 (de) * 2008-03-20 2009-09-24 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
CN102819196B (zh) 2008-03-20 2016-03-09 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于微光刻的投射物镜
DE102008000967B4 (de) 2008-04-03 2015-04-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie
NL1036771A1 (nl) * 2008-04-22 2009-10-26 Asml Netherlands Bv Illumination System and Lithographic Method.
DE102008001511A1 (de) * 2008-04-30 2009-11-05 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithografie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102008002749A1 (de) 2008-06-27 2009-12-31 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die Mikrolithografie
EP2146248B1 (en) * 2008-07-16 2012-08-29 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102008042462B4 (de) 2008-09-30 2010-11-04 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für die EUV-Mikrolithographie
KR101769157B1 (ko) 2008-10-20 2017-08-17 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 방사선 빔 안내를 위한 광학 모듈
DE102009009568A1 (de) 2008-10-20 2010-04-29 Carl Zeiss Smt Ag Optische Baugruppe zur Führung eines EUV-Strahlungsbündels
DE102009034502A1 (de) 2009-07-24 2011-01-27 Carl Zeiss Smt Ag Optische Baugruppe zur Führung eines EUV-Strahlungsbündels
KR101478400B1 (ko) * 2009-03-06 2015-01-06 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 조명 광학 시스템 및 마이크로리소그래피용 광학 시스템
KR20120031050A (ko) * 2009-06-17 2012-03-29 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 방법
DE102009030501A1 (de) * 2009-06-24 2011-01-05 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Beleuchtungsoptik zur Ausleuchtung eines Objektfeldes
NL2004527A (en) 2009-08-25 2011-02-28 Asml Netherlands Bv Optical apparatus, and method of orienting a reflective element.
JP2011077142A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置及びデバイス製造方法
DE102009045135A1 (de) 2009-09-30 2011-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie
DE102009045491A1 (de) 2009-10-08 2010-11-25 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik
DE102009045694B4 (de) * 2009-10-14 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE202009015830U1 (de) 2009-11-20 2010-03-11 Noell Mobile Systems Gmbh Modulares verfahrbares Meßportal
DE102009054540B4 (de) * 2009-12-11 2011-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithographie
DE102009054888A1 (de) 2009-12-17 2011-06-22 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Optisches Element mit einer Mehrzahl von refletiven Facettenelementen
KR20120102145A (ko) 2009-12-29 2012-09-17 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 조명 시스템, 리소그래피 장치 및 조명 방법
DE102011004615A1 (de) * 2010-03-17 2011-09-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102010029765A1 (de) 2010-06-08 2011-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102010040108A1 (de) 2010-09-01 2012-03-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Obskurationsblende
DE102010040811A1 (de) 2010-09-15 2012-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102010041746A1 (de) 2010-09-30 2012-04-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage der EUV-Mikrolithographie und Verfahren zur mikrolithographischen Belichtung
JP5644416B2 (ja) * 2010-11-24 2014-12-24 株式会社ニコン 光学ユニット、光学系、露光装置、及びデバイスの製造方法
DE102010062720B4 (de) 2010-12-09 2012-07-12 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Lithographiesystem
JP6016169B2 (ja) * 2011-01-29 2016-10-26 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
NL2008009A (en) * 2011-02-02 2012-08-06 Asml Netherlands Bv Illumination system, lithographic apparatus and method.
DE102011005881A1 (de) * 2011-03-22 2012-05-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Einstellung eines Beleuchtungssystems einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie
DE102011076145B4 (de) 2011-05-19 2013-04-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik
DE102011076460A1 (de) * 2011-05-25 2012-11-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik
DE102011076658A1 (de) 2011-05-30 2012-05-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
US8823921B2 (en) * 2011-08-19 2014-09-02 Ultratech, Inc. Programmable illuminator for a photolithography system
DE102011086328A1 (de) 2011-11-15 2013-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel zum Einsatz zur Führung von Beleuchtungs- und Abbildungslicht in der EUV-Projektionslithografie
DE102011088152A1 (de) 2011-12-09 2013-06-13 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Lithographiesystem
DE102012201235B4 (de) 2012-01-30 2013-08-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Einstellen einer Beleuchtungsgeometrie für eine Be-leuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102012204142A1 (de) 2012-03-16 2013-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Kollektor
DE102012204273B4 (de) 2012-03-19 2015-08-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102012206612A1 (de) 2012-04-23 2013-10-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement zur Führung eines Strahlungsbündels
DE102012206609B4 (de) 2012-04-23 2023-08-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Strahlführungsoptik für ein Vielstrahlsystem sowie Verfahren
DE102012207866A1 (de) 2012-05-11 2013-11-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe für eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie
DE102012208064A1 (de) 2012-05-15 2013-11-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102012208514A1 (de) 2012-05-22 2013-11-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Justagevorrichtung sowie Masken-Inspektionsvorrichtung mit einer derartigen Justagevorrichtung
DE102012210073A1 (de) 2012-06-15 2013-04-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV- Projektionslithographie
DE102012210174A1 (de) 2012-06-18 2013-06-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement
DE102012212453A1 (de) 2012-07-17 2014-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik
DE102012212664A1 (de) * 2012-07-19 2014-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Einstellen eines Beleuchtungssettings
DE102012213368A1 (de) * 2012-07-30 2013-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102012218074A1 (de) 2012-10-04 2013-08-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Blenden-Vorrichtung
DE102012218105A1 (de) 2012-10-04 2013-08-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Einkopplung von Beleuchtungsstrahlung in eine Beleuchtungsoptik
DE102012218221A1 (de) 2012-10-05 2014-04-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Monitorsystem zum Bestimmen von Orientierungen von Spiegelelementen und EUV-Lithographiesystem
DE102012220597A1 (de) 2012-11-13 2014-05-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102012220596A1 (de) 2012-11-13 2014-05-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik
CN103092000A (zh) * 2012-11-14 2013-05-08 北京理工大学 极紫外光刻复眼匀光离轴照明系统及实现离轴照明的方法
DE102013203364A1 (de) 2013-02-28 2014-09-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektierende Beschichtung mit optimierter Dicke
DE102013211268B4 (de) 2013-06-17 2014-11-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtunsoptik für die lithografische Projektionsbelichtung
DE102013212363A1 (de) 2013-06-27 2014-07-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel, insbesondere für die EUV-Projektionslithografie
DE102013218131A1 (de) * 2013-09-11 2015-03-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik sowie Beleuchtungssystem für die EUV-Projektionslithographie
DE102013218749A1 (de) 2013-09-18 2015-03-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem sowie Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102013223808A1 (de) 2013-11-21 2014-12-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Spiegeleinrichtung zur Reflexion eines Bündels von EUV-Licht
DE102013223935A1 (de) 2013-11-22 2015-05-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für die EUV-Belichtungslithographie
DE102014219649A1 (de) 2013-11-22 2015-05-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung einer Energiesensor-Einrichtung
CN103713389B (zh) * 2013-12-11 2016-06-29 大族激光科技产业集团股份有限公司 激光器及其光斑调节组件
DE102014222952A1 (de) 2014-01-09 2015-07-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Verbundstruktur, Verbundstruktur, insbesondere Facettenspiegel, und optische Anordnung damit
JP5854295B2 (ja) * 2014-04-11 2016-02-09 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ用の照明光学系及び光学系
DE102014216801A1 (de) 2014-08-25 2016-02-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102014217608A1 (de) 2014-09-03 2014-11-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer zweiten Facette eines im Strahlengang zweiten facettierten Elements einer Beleuchtungsoptik
DE102014223326B4 (de) 2014-11-14 2018-08-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Vorhersage mindestens eines Beleuchtungsparameters zur Bewertung eines Beleuchtungssettings und Verfahren zur Optimierung eines Beleuchtungssettings
DE102014226917A1 (de) 2014-12-23 2015-12-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für die EUV-Projektionslithographie
DE102015200531A1 (de) 2015-01-15 2016-02-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Modul
DE102015208571A1 (de) 2015-05-08 2016-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
WO2016128253A1 (de) 2015-02-11 2016-08-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die euv-projektionslithografie
DE102015202411A1 (de) 2015-02-11 2016-08-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102016202736A1 (de) 2015-04-17 2016-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102015208514A1 (de) 2015-05-07 2016-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für die EUV-Projektionslithografie sowie Beleuchtungsoptik mit einem derartigen Facettenspiegel
DE102015209175A1 (de) 2015-05-20 2016-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupillenfacettenspiegel
DE102016203990A1 (de) * 2016-03-10 2017-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Beleuchtungssystems für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage, Beleuchtungssystem und Messverfahren
DE102016214785A1 (de) 2016-08-09 2018-02-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Modul mit einer Antikollisionseinrichtung für Modulkomponenten
DE102016217479A1 (de) 2016-09-14 2017-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches modul mit verkippbaren optischen flächen
DE102017200663A1 (de) 2017-01-17 2017-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Zuordnung von Ausgangs-Kippwinkeln von kippbaren Feldfacetten eines Feldfacettenspiegels für eine Projektionsbelich-tungsanlage für die Projektionslithografie
DE102017202930A1 (de) 2017-02-23 2017-04-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Regelung einer Beleuchtungsdosis einer Beleuchtung eines Objekt-feldes einer Projektionsbelichtungsanlage sowie Projektionsbelichtungsanlage zur Durchführung des Verfahrens
DE102017205548A1 (de) 2017-03-31 2018-10-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe zum Führen eines Ausgabestrahls eines Freie-Elektronen-Lasers
DE102017217251A1 (de) 2017-09-27 2019-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Anordnung zur Analyse der Wellenfrontwirkung eines optischen Systems
DE102018201457A1 (de) 2018-01-31 2019-08-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102018207410A1 (de) 2018-05-14 2019-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102018215505A1 (de) 2018-09-12 2018-10-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102018220625A1 (de) 2018-11-29 2020-06-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Beleuchtungssystem für Projektionslithographie
DE102018221128A1 (de) 2018-12-06 2020-06-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Tauschen eines Spiegels in einer Projektionsbelichtungsanlage sowie Lagedaten-Messeinrichtung zum Durchführen des Verfahrens
DE102019217507A1 (de) 2019-02-04 2020-08-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102021201690A1 (de) 2021-02-23 2022-08-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere für die EUV-Lithographie
DE102022209214A1 (de) 2022-09-05 2024-03-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Einzelspiegel eines Pupillenfacettenspiegels und Pupillenfacettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102023203095A1 (de) 2023-04-04 2023-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Vorgeben einer Soll-Verteilung einer Beleuchtungs-Intensität über eine Feldhöhe eines Feldes einer Projektionsbelichtungsanlage

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3610125A (en) * 1965-12-06 1971-10-05 Siemens Ag Apparatus for producing photolithographic structures,particularly on semiconductor crystal surfaces
US6252647B1 (en) * 1990-11-15 2001-06-26 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US5128787A (en) * 1990-12-07 1992-07-07 At&T Bell Laboratories Lcd display with multifaceted back reflector
US5581605A (en) 1993-02-10 1996-12-03 Nikon Corporation Optical element, production method of optical element, optical system, and optical apparatus
US5361292A (en) 1993-05-11 1994-11-01 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Condenser for illuminating a ring field
US5339346A (en) 1993-05-20 1994-08-16 At&T Bell Laboratories Device fabrication entailing plasma-derived x-ray delineation
DE69615721T2 (de) * 1995-03-17 2002-08-08 Ebara Corp., Tokio/Tokyo Herstellungsverfahren mit einem Energiebündel
US5737137A (en) 1996-04-01 1998-04-07 The Regents Of The University Of California Critical illumination condenser for x-ray lithography
JPH09320952A (ja) * 1996-05-29 1997-12-12 Nikon Corp 露光装置
JPH1152289A (ja) * 1997-08-05 1999-02-26 Minolta Co Ltd 二次元照明光学系及びこれを用いた液晶プロジェクター
US5956192A (en) 1997-09-18 1999-09-21 Svg Lithography Systems, Inc. Four mirror EUV projection optics
US6833904B1 (en) * 1998-02-27 2004-12-21 Nikon Corporation Exposure apparatus and method of fabricating a micro-device using the exposure apparatus
JP4238390B2 (ja) * 1998-02-27 2009-03-18 株式会社ニコン 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法
US6859328B2 (en) * 1998-05-05 2005-02-22 Carl Zeiss Semiconductor Illumination system particularly for microlithography
EP0955641B1 (de) * 1998-05-05 2004-04-28 Carl Zeiss Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie
US6438199B1 (en) * 1998-05-05 2002-08-20 Carl-Zeiss-Stiftung Illumination system particularly for microlithography
DE19903807A1 (de) * 1998-05-05 1999-11-11 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie
US7006595B2 (en) * 1998-05-05 2006-02-28 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Illumination system particularly for microlithography
US6727980B2 (en) * 1998-09-17 2004-04-27 Nikon Corporation Apparatus and method for pattern exposure and method for adjusting the apparatus
US6498685B1 (en) * 1999-01-11 2002-12-24 Kenneth C. Johnson Maskless, microlens EUV lithography system
US6573978B1 (en) * 1999-01-26 2003-06-03 Mcguire, Jr. James P. EUV condenser with non-imaging optics
US6195201B1 (en) * 1999-01-27 2001-02-27 Svg Lithography Systems, Inc. Reflective fly's eye condenser for EUV lithography
DE59914179D1 (de) * 1999-02-15 2007-03-22 Zeiss Carl Smt Ag Mikrolithographie-Reduktionsobjektiveinrichtung sowie Projektionsbelichtungsanlage
DE50014428D1 (de) * 1999-07-30 2007-08-02 Zeiss Carl Smt Ag Steuerung der Beleuchtungsverteilung in der Austrittspupille eines EUV-Beleuchtungssystems
DE19935568A1 (de) * 1999-07-30 2001-02-15 Zeiss Carl Fa Steuerung der Beleuchtungsverteilung in der Austrittspupille eines EUV-Beleuchtungssystems
WO2001086762A2 (en) * 2000-05-12 2001-11-15 University Of Southern California Reflector for laser interrogation of three-dimensional objects
US6711044B2 (en) * 2001-07-02 2004-03-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor memory device with a countermeasure to a signal delay
US6819490B2 (en) * 2001-09-10 2004-11-16 Micronic Laser Systems Ab Homogenization of a spatially coherent radiation beam and printing and inspection, respectively, of a pattern on a workpiece
US6856474B2 (en) * 2003-01-29 2005-02-15 Intel Corporation Assembled multi-surface optical component and method for fabricating
WO2007138805A1 (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Nikon Corporation 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE10053587A1 (de) 2002-05-02
KR100842426B1 (ko) 2008-07-01
EP1202101A3 (de) 2004-02-25
KR20020033081A (ko) 2002-05-04
EP1202101A2 (de) 2002-05-02
US20020136351A1 (en) 2002-09-26
JP2002203784A (ja) 2002-07-19
US20040119961A1 (en) 2004-06-24
US6658084B2 (en) 2003-12-02
US20080225259A1 (en) 2008-09-18
DE20100123U1 (de) 2002-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4077619B2 (ja) 照明の設定が変更可能な照明系、該照明系を用いて照明を調整する方法、ｅｕｖ投影露光装置、及び、マイクロエレクトロニクス部品の製造方法
KR100645411B1 (ko) Ｅｕｖ 리소그래피용 조명 시스템
JP4804704B2 (ja) 特にマイクロリソグラフィ用の照明光学系
JP6343344B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
EP0564264B1 (en) Illumination device for projection exposure apparatus
JP3338028B2 (ja) 走査式マイクロ・リソグラフィー・システム用の照明設計
KR101813307B1 (ko) 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 시스템
TWI849010B (zh) 用於投影曝光設備的光學系統
JP2003506881A (ja) Ｅｕｖ照明光学系の射出瞳における照明分布の制御
JPH0831736A (ja) 照明光学装置
KR100384551B1 (ko) 조광시스템
TW200302492A (en) Soft X-ray light source apparatus, EUV exposure apparatus, and illumination method
TW201702756A (zh) 微影投射設備的操作方法
JP2002116379A (ja) マイクロリソグラフィ用の照明システム
KR101712299B1 (ko) 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 조명 시스템
JP2002198309A (ja) 熱的な負荷の少ない照明系
JPWO2018168993A1 (ja) 照明装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
Komatsuda Novel illumination system for EUVL
JP2004047786A (ja) 照明光学装置，露光装置および露光方法
JP6652948B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム
JP2004510344A (ja) 特にマイクロリソグラフィ用の照明光学系
JP2014146814A (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置においてマスクを照明するための照明システム

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20040812

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20040812

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20040902

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040902

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040902

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070813

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070821

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071025

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080108

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080201

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110208

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110208

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120208

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120208

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130208

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130208

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140208

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees